專利名稱：防止半自動(dòng)探針臺(tái)探針燒針的裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半自動(dòng)探針臺(tái)探針的防護(hù)裝置，尤其涉及一種防止半自動(dòng)探針臺(tái) 探針燒針的裝置。
背景技術(shù)：
在晶圓級(jí)別可靠性測(cè)試中，需要測(cè)量介質(zhì)的擊穿電壓，在介質(zhì)被擊穿的一瞬間，通 過(guò)探針的電流急劇變大，產(chǎn)生大量焦耳熱，導(dǎo)致探針因溫度過(guò)高而燒針。
如圖1中所示，介質(zhì)3未被擊穿時(shí)，其結(jié)構(gòu)類似于電容，其電阻無(wú)窮大。此時(shí)源能 量單元I通過(guò)探針2的電流很小，小于微安級(jí)別(10~-6安培)。如圖2中所示，在擊穿瞬間， 擊穿后的介質(zhì)4的電阻變小，在10歐姆左右。假設(shè)源能量單元I施加的電壓為10V，則擊穿 的瞬間通過(guò)探針2的電流為IA。
擊穿瞬間的電流相對(duì)于擊穿前的電流變化了 100萬(wàn)倍。而焦耳熱等于電壓、電流、 時(shí)間的乘積，產(chǎn)生的焦耳熱相對(duì)于擊穿前增加了 100萬(wàn)倍，從而導(dǎo)致探針2因瞬間產(chǎn)生的過(guò) 高溫度而燒針現(xiàn)象，導(dǎo)致探針2的損壞。
因此，本領(lǐng)域的技術(shù)人員致力于開(kāi)發(fā)一種能防止半自動(dòng)探針臺(tái)探針燒針的裝置。發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述的現(xiàn)有技術(shù)中的問(wèn)題，本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是現(xiàn)有的技術(shù)中探針 的燒針現(xiàn)象。
本發(fā)明提供的一種防止半自動(dòng)探針臺(tái)探針燒針的裝置，包括源測(cè)量單元和探針， 所述源測(cè)量單元和探針相互之間形成回路，還包括設(shè)于所述源測(cè)量單元和探針之間的電阻 元件，所述電阻元件串聯(lián)于所述源測(cè)量單元和探針的回路中。
在本發(fā)明的一個(gè)較佳實(shí)施方式中，還包括測(cè)試機(jī)座，所述測(cè)試機(jī)座的兩端分別與 所述源測(cè)量單元和探針相連，所述電阻元件設(shè)于所述測(cè)試機(jī)座中，所述電阻元件的兩端分 別與所述測(cè)試機(jī)座的兩端相連。
在本發(fā)明的另一較佳實(shí)施方式中，還包括與所述探針相連的介質(zhì)，所述探針用于 測(cè)試所述介質(zhì)的擊穿電壓。
在本發(fā)明的另一較佳實(shí)施方式中，所述源測(cè)量單元在測(cè)試時(shí)提供的電壓為O.1-200V。
在本發(fā)明的另一較佳實(shí)施方式中，所述電阻元件的電阻為O. 1-10K歐姆。
在本發(fā)明的另一較佳實(shí)施方式中，所述電阻元件的電阻為IK歐姆。
本發(fā)明的防止半自動(dòng)探針臺(tái)探針燒針的裝置，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、制作方便、使用和安裝均 較為簡(jiǎn)便。可以在測(cè)試介質(zhì)的擊穿電壓時(shí)，防止探針因瞬間產(chǎn)生的過(guò)高溫度而發(fā)生燒針現(xiàn) 象，保障了探針的安全使用。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)的測(cè)試介質(zhì)擊穿電壓時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是現(xiàn)有技術(shù)的測(cè)試介質(zhì)被擊穿時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本發(fā)明的實(shí)施例的介質(zhì)未被擊穿時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本發(fā)明的實(shí)施例的介質(zhì)被擊穿時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
以下將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明做具體闡釋。
如圖3中所示的本發(fā)明的實(shí)施例的一種防止半自動(dòng)探針臺(tái)探針燒針的裝置，包括 源測(cè)量單元I和探針2。源測(cè)量單元I和探針2相互之間形成回路。此外，還包括設(shè)于源 測(cè)量單元I和探針2之間的電阻元件5。電阻元件5串聯(lián)于源測(cè)量單元I和探針2的回路 中。
本發(fā)明在源測(cè)量單元I和探針2的回路中串聯(lián)電阻元件5，在介質(zhì)被擊穿時(shí)，由于 電阻元件5的存在，可以有效的降低整個(gè)回路中的電流，從而起到防止流經(jīng)探針的瞬間產(chǎn) 生的過(guò)高電流產(chǎn)生的過(guò)高溫度。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，還包括測(cè)試機(jī)座，測(cè)試機(jī)座的兩端分別與源測(cè)量單元和探 針相連，電阻元件設(shè)于測(cè)試機(jī)座中，電阻元件的兩端分別與測(cè)試機(jī)座的兩端相連。
此外,如圖3中所示,在本發(fā)明的實(shí)施例中,還包括與探針2相連的介質(zhì)3,探針2 用于測(cè)試介質(zhì)3的擊穿電壓。優(yōu)選此時(shí)源測(cè)量單元I在測(cè)試時(shí)提供的電壓為O. 1-200V，并 優(yōu)先為IOV ;優(yōu)選電阻元件5的電阻為O. 1-10K歐姆，并優(yōu)選為IK歐姆。
此時(shí)，在加入電阻元件5 (Ik歐姆)后，如圖3中所示，介質(zhì)3未被擊穿時(shí)，由于介 質(zhì)3的電阻為無(wú)窮大，加上一個(gè)Ik歐姆的電阻元件5對(duì)整個(gè)電路幾乎沒(méi)有影響，所以此時(shí) 通過(guò)探針2的電流仍然很小，在微安級(jí)別。如圖4中所示，在擊穿瞬間，整個(gè)電路的電阻等 于電阻元件5加擊穿后的介質(zhì)4的電阻，約為Ik歐姆，則通過(guò)探針2的電流約為10毫安 (10~-2)，相比未加電阻元件5時(shí)，擊穿瞬間電流的變化被降低了一百倍，產(chǎn)生的焦耳熱也 降低了一百倍，起到了保護(hù)探針的作用。
以上對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例進(jìn)行了詳細(xì)描述，但其只是作為范例，本發(fā)明并不限 制于以上描述的具體實(shí)施例。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，任何對(duì)本發(fā)明進(jìn)行的等同修改和 替代也都在本發(fā)明的范疇之中。因此，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍下所作的均等變換和 修改，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種防止半自動(dòng)探針臺(tái)探針燒針的裝置，包括源測(cè)量單元和探針，所述源測(cè)量單元和探針相互之間形成回路，其特征在于，還包括設(shè)于所述源測(cè)量單元和探針之間的電阻元件，所述電阻元件串聯(lián)于所述源測(cè)量單元和探針的回路中。
2.如權(quán)利要求1所述的防止半自動(dòng)探針臺(tái)探針燒針的裝置，其特征在于，還包括測(cè)試機(jī)座，所述測(cè)試機(jī)座的兩端分別與所述源測(cè)量單元和探針相連，所述電阻元件設(shè)于所述測(cè)試機(jī)座中，所述電阻元件的兩端分別與所述測(cè)試機(jī)座的兩端相連。
3.如權(quán)利要求2所述的防止半自動(dòng)探針臺(tái)探針燒針的裝置，其特征在于，還包括與所述探針相連的介質(zhì)，所述探針用于測(cè)試所述介質(zhì)的擊穿電壓。
4.如權(quán)利要求3所述的防止半自動(dòng)探針臺(tái)探針燒針的裝置，其特征在于，所述源測(cè)量單元在測(cè)試時(shí)提供的電壓為O. 1-200V。
5.如權(quán)利要求4所述的防止半自動(dòng)探針臺(tái)探針燒針的裝置，其特征在于，所述電阻元件的電阻為O. 1-10K歐姆。
6.如權(quán)利要求5所述的防止半自動(dòng)探針臺(tái)探針燒針的裝置，其特征在于，所述電阻元件的電阻為IK歐姆。
全文摘要
本發(fā)明提供的一種防止半自動(dòng)探針臺(tái)探針燒針的裝置，包括源測(cè)量單元和探針，所述源測(cè)量單元和探針相互之間形成回路，還包括設(shè)于所述源測(cè)量單元和探針之間的電阻元件，所述電阻元件串聯(lián)于所述源測(cè)量單元和探針的回路中。本發(fā)明的防止半自動(dòng)探針臺(tái)探針燒針的裝置，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、制作方便、使用和安裝均較為簡(jiǎn)便?？梢栽跍y(cè)試介質(zhì)的擊穿電壓時(shí)，防止探針因瞬間產(chǎn)生的過(guò)高溫度而發(fā)生燒針現(xiàn)象，保障了探針的安全使用。
文檔編號(hào)G01R1/067GK103018500SQ20121049762
公開(kāi)日2013年4月3日 申請(qǐng)日期2012年11月29日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月29日
發(fā)明者李瀚超, 尹彬鋒, 趙敏 申請(qǐng)人:上海華力微電子有限公司