專利名稱：一種遠(yuǎn)紅外bga返修臺(tái)上加熱器溫控系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于BGA返修臺(tái)溫控技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種遠(yuǎn)紅外BGA返修臺(tái)上加熱器溫控系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
BGA返修臺(tái)是在電路板維修中用于加焊、重焊、更換電路班上的BGA芯片、元件的維修設(shè)備,他的原理是通過對(duì)BGA芯片、元件和主板的正、背面雙向加熱，使主板和BGA芯片、元件之間的焊錫熔化。常用于BGA返修臺(tái)上的發(fā)熱器有熱風(fēng)發(fā)熱器、遠(yuǎn)紅外發(fā)熱器、紅外發(fā)熱器3種。目前市場(chǎng)上的遠(yuǎn)紅外BGA返修臺(tái)的上加熱測(cè)溫點(diǎn)全部是在待焊芯片或貼近芯片的主板上，主要問題是，在閉環(huán)控制當(dāng)中最終要轉(zhuǎn)化成遠(yuǎn)紅外輻射，而返饋卻并不能準(zhǔn)卻的反應(yīng)出遠(yuǎn)紅外輻射的強(qiáng)度，目前常用的測(cè)溫控制方式包括 I、使用接觸式探頭(常用K型熱電偶)測(cè)量芯片或者是貼近芯片的主板的溫度。它的缺陷是測(cè)量干擾因素比較多，由于無法精確控制遠(yuǎn)紅外輻射強(qiáng)度，導(dǎo)致焊接中控制端顯示的溫度和化錫的關(guān)系不規(guī)律，損壞芯片等情況，致使焊接不成功。2、使用非接觸式測(cè)溫(紅外測(cè)溫技術(shù))測(cè)量芯片溫度。它的缺陷是無法精確控制輻射強(qiáng)度，測(cè)溫技術(shù)成本高。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型主要目的是為了解決上述問題，提供一種可以保證焊接的芯片的安全，且可以保證化錫的規(guī)律性的遠(yuǎn)紅外BGA返修臺(tái)上加熱器溫控系統(tǒng)。為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案是一種遠(yuǎn)紅外BGA返修臺(tái)上加熱器溫控系統(tǒng)，其包括上加熱器和溫控器；溫控器的輸出端與上加熱器的輸入端連接；溫控器的測(cè)溫裝置設(shè)于上加熱器的下加熱表面上；測(cè)溫裝置為接觸式測(cè)溫探頭。本實(shí)用新型使用時(shí)將溫控器的接觸式測(cè)溫探頭，直接測(cè)量上加熱器的發(fā)熱源遠(yuǎn)紅外發(fā)熱元件，即直接測(cè)量和控制上加熱器的遠(yuǎn)紅外輻射的輻射強(qiáng)度。由于上加熱器的遠(yuǎn)紅外發(fā)熱器是依靠輻射加熱，它的輻射強(qiáng)度是和發(fā)熱器的表面溫度成固定關(guān)系，即輻射強(qiáng)度和發(fā)熱元件表面溫度的4次方成正比。本實(shí)用新型就是把雙面遠(yuǎn)紅外加熱型BGA返修臺(tái)上加熱器的溫度測(cè)量和控制方式，由現(xiàn)有的測(cè)溫點(diǎn)在焊接的芯片或貼近芯片的主板區(qū)域，轉(zhuǎn)移到上加熱器的發(fā)熱元件表面，通過測(cè)量和控制發(fā)熱元件的加熱表面溫度，精確控制發(fā)熱器產(chǎn)生的遠(yuǎn)紅外線的輻射強(qiáng)度，即直接控制遠(yuǎn)紅外輻射強(qiáng)度，間接控制被加熱物體的溫度。在一定的外部環(huán)境條件下，被加熱物體(在此指芯片和電路板)的溫度，和發(fā)熱源的輻射強(qiáng)度、發(fā)熱源和被加熱物的距離、加熱時(shí)間成穩(wěn)定的關(guān)系。因此通過控制發(fā)熱源的輻射強(qiáng)度，可以達(dá)到穩(wěn)定的加熱效果。

[0009]圖I :本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例I :如圖I所示一種暗紅外BGA返修臺(tái)上加熱器溫控系統(tǒng)，其包括上加熱器I和溫控器2 ;溫控器2的輸出端與上加熱器I的輸入端連接；溫控器2的測(cè)溫裝置3設(shè)于上加熱器I的下加熱表面上；測(cè)溫裝置3為接觸式測(cè)溫探頭。本實(shí)用新型使用時(shí)將溫控器2的接觸式測(cè)溫探頭，直接測(cè)量上加熱器I的發(fā)熱源遠(yuǎn)紅外發(fā)熱元件，即直接測(cè)量和控制上加熱器I的遠(yuǎn)紅外輻射的輻射強(qiáng)度。由于上加熱器I的遠(yuǎn)紅外發(fā)熱器是依靠輻射加熱，它的輻射強(qiáng)度是和發(fā)熱器的表面溫度成固定關(guān)系，即輻 射強(qiáng)度和發(fā)熱元件表面溫度的4次方成正比。本實(shí)用新型就是把雙面遠(yuǎn)紅外加熱型BGA返修臺(tái)上加熱器I的溫度測(cè)量和控制方式，由現(xiàn)有的測(cè)溫點(diǎn)在焊接的芯片或貼近芯片的主板區(qū)域，轉(zhuǎn)移到上加熱器I的發(fā)熱元件表面，通過測(cè)量和控制發(fā)熱元件的加熱表面溫度，精確控制發(fā)熱器產(chǎn)生的遠(yuǎn)紅外線的輻射強(qiáng)度，即直接控制遠(yuǎn)紅外輻射強(qiáng)度，間接控制被加熱物體的溫度。在一定的外部環(huán)境條件下，被加熱物體(在此指芯片和電路板)的溫度，和發(fā)熱源的輻射強(qiáng)度、發(fā)熱源和被加熱物的距離、加熱時(shí)間成穩(wěn)定的關(guān)系。因此通過控制發(fā)熱源的輻射強(qiáng)度，可以達(dá)到穩(wěn)定的加熱效果。
權(quán)利要求1.一種遠(yuǎn)紅外BGA返修臺(tái)上加熱器溫控系統(tǒng)，其特征在于該遠(yuǎn)紅外BGA返修臺(tái)上加熱器溫控系統(tǒng)包括上加熱器和溫控器；所述的溫控器的輸出端與所述的上加熱器的輸入端連接；所述的溫控器的測(cè)溫裝置設(shè)于所述的上加熱器的下加熱表面上。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的遠(yuǎn)紅外BGA返修臺(tái)上加熱器溫控系統(tǒng)，其特征在于所述的測(cè)溫裝置為接觸式測(cè)溫探頭。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種遠(yuǎn)紅外BGA返修臺(tái)上加熱器溫控系統(tǒng)，其包括上加熱器和溫控器；溫控器的輸出端與上加熱器的輸入端連接；溫控器的測(cè)溫裝置設(shè)于上加熱器的下加熱面上。本實(shí)用新型不僅可以保證焊接的芯片的安全，且可以保證化錫的規(guī)律性。
文檔編號(hào)G01J5/00GK202433788SQ20122004821
公開日2012年9月12日 申請(qǐng)日期2012年2月15日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月15日
發(fā)明者邵焱 申請(qǐng)人:邵焱