專利名稱：用于橫波探傷的斜探頭的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及無損檢測領(lǐng)域，具體地，涉及一種用于橫波探傷的斜探頭。
背景技術(shù)：
高溫緊固螺栓是火力發(fā)電廠熱動力設(shè)備的重要部件。在長期運(yùn)行中，由于高溫及高應(yīng)力的作用，螺栓材料容易產(chǎn)生熱脆、蠕變、疲勞、應(yīng)力腐蝕；由于安裝中預(yù)緊力過高及不慎燒傷中心孔等原因，螺栓材料容易產(chǎn)生裂紋。為了確保設(shè)備安全運(yùn)行，加強(qiáng)對高溫緊固螺栓的有效檢驗(yàn)甚為重要。目前常使用小角度縱波檢測的方法、橫波檢測方法和橫波檢測方法來檢驗(yàn)高溫緊固螺栓內(nèi)部是否出現(xiàn)裂紋。當(dāng)螺栓端面較小無法放置縱波探頭時，會利用用于橫波探傷的斜探頭對螺栓進(jìn)行 橫波探傷。但是，目前的用于橫波探傷的斜探頭都不能準(zhǔn)確地進(jìn)行橫波檢測。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種用于橫波探傷的斜探頭，利用所述斜探頭進(jìn)行橫波探傷時可以準(zhǔn)確地確定螺栓的螺紋根部的裂紋。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供一種用于橫波探傷的斜探頭，該斜探頭包括具有開口的殼體、晶片和保護(hù)層，所述晶片設(shè)置在所述殼體內(nèi)部，所述保護(hù)層設(shè)置在所述殼體的所述開口處與所述殼體固定連接，并將所述殼體封閉，所述保護(hù)層的一個端面與所述晶片貼合，另一個端面用于與待測物體相貼合，其中，所述保護(hù)層的所述另一個端面的形狀與所述待測物體的表面形狀相匹配。優(yōu)選地，所述晶片為一個。優(yōu)選地，所述保護(hù)層的所述另一個端面為圓柱面的一部分且向內(nèi)凹陷。優(yōu)選地，該斜探頭的折射角的正切值為I. 7，頻率為2MHz至2. 5MHz。利用本實(shí)用新型提供的斜探頭進(jìn)行橫波探傷時，斜探頭的保護(hù)層表面能夠與待測物體貼合，使得絕大部分晶片產(chǎn)生的超聲波都能夠通過保護(hù)層穿入到待測物體內(nèi)部，從而提高了所述斜探頭在橫波探傷時發(fā)現(xiàn)缺陷的能力。并且，利用所述用于橫波探傷的斜探頭對螺栓進(jìn)行橫波探傷時，能夠準(zhǔn)確地發(fā)現(xiàn)螺紋根部的裂紋。本實(shí)用新型的其他特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的具體實(shí)施方式
部分予以詳細(xì)說明。

附圖是用來提供對本實(shí)用新型的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與下面的具體實(shí)施方式
一起用于解釋本實(shí)用新型，但并不構(gòu)成對本實(shí)用新型的限制。在附圖中圖I是根據(jù)本實(shí)用新型一種實(shí)施方式的斜探頭的側(cè)剖視示意圖；圖2是圖I中所示的斜探頭的主視圖；圖3是圖I中所示的斜探頭的俯視圖；[0016]圖4是利用圖I中所示的斜探頭對螺栓探傷的示意圖，其中，所述螺栓的根部并無裂紋；圖5是圖4中所示的螺栓的螺紋反射波的波形示意圖；圖6是利用圖I中所示的斜探頭對螺栓探傷的示意圖，其中，所述螺栓的根部有裂紋；圖7是圖6中所示的螺栓的缺陷反射波和螺紋反射波的波形示意圖。附圖標(biāo)記說明I 螺紋反射波 2 缺陷反射波10 晶片20 保護(hù)層40 螺栓50 探頭接口60 殼體100 斜探頭
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
進(jìn)行詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解的是，此處所描述的具體實(shí)施方式
僅用于說明和解釋本實(shí)用新型，并不用于限制本實(shí)用新型。如圖I至圖3所示，實(shí)用新型提供一種用于橫波探傷的斜探頭100，該斜探頭100包括具有開口的殼體60、晶片10和保護(hù)層20，晶片10設(shè)置在殼體60內(nèi)部，保護(hù)層20設(shè)置在殼體60的所述開口處與殼體60固定連接,并將殼體60封閉,保護(hù)層20的一個端面與晶片10貼合，另一個端面用于與待測物體相貼合，其中，保護(hù)層20的另一個端面的形狀與所述待測物體的表面形狀相匹配。如圖2和圖3中所示，殼體60上設(shè)置有探頭接口 50，殼體60內(nèi)的晶片10通過探頭接口 50與外部電源電連接。當(dāng)利用所述斜探頭100進(jìn)行橫波探傷時，所述斜探頭100的保護(hù)層20的所述另一個端面與待測物體相貼合，晶片10振動產(chǎn)生超聲波通過保護(hù)層20傳遞至待測物體內(nèi)部。保護(hù)層20為固體，且聲波在固體中傳播速度最快，由于保護(hù)層20貼合在待測物體的表面上，因此絕大多數(shù)由晶片10產(chǎn)生的超聲波都能通過保護(hù)層20傳遞至待測物體的內(nèi)部，從而使所述斜探頭100具有較高的發(fā)現(xiàn)待測物體內(nèi)部的缺陷的能力。本領(lǐng)域技術(shù)人員還應(yīng)當(dāng)理解的是，在晶片10和殼體60的頂面之間還設(shè)置有阻尼材料，用于吸收噪聲能量，使干擾聲能迅速耗散，降低斜探頭100本身的雜亂信號。所述阻尼材料可以是環(huán)氧樹脂和鎢粉等現(xiàn)有技術(shù)中公知的材料，這里不再贅述。在本實(shí)用新型中，保護(hù)層20可以由聲速為2720±20m/s的有機(jī)玻璃制成，晶片10可以由鋯鈦酸鉛(PbZrTi03 )制成，殼體60可以由鋁合金制成。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解的是，在實(shí)用新型中，斜探頭100的保護(hù)層20的另一個端面的形狀取決于待測物體的表面形狀。例如，待測物體的表面為弧面，則保護(hù)層20的另一個端面也為弧面。通常用于橫波探傷的斜探頭100中設(shè)置有一個晶片10。本實(shí)用新型所述的斜探頭100尤其適用于對螺栓進(jìn)行探傷。對螺栓進(jìn)行探傷時，將所述斜探頭100的保護(hù)層20的另一個端面貼合在螺栓的光桿部分上即可。此時，待測物體的表面為圓柱面，那么保護(hù)層20的所述另一個端面可以為圓柱面的一部分且向內(nèi)凹，如圖I所示。[0033]當(dāng)本實(shí)用新型所述的斜探頭100用于對螺栓進(jìn)行探傷時，對于不同規(guī)格的螺栓，斜探頭100的晶片10的尺寸以及保護(hù)層20的所述另一個端面的直徑的尺寸如下表I中所
/Jn ο表I
權(quán)利要求1.一種用于橫波探傷的斜探頭，該斜探頭包括具有開口的殼體(60)、晶片(10)和保護(hù)層(20)，所述晶片(10)設(shè)置在所述殼體(60)內(nèi)部，所述保護(hù)層(20)設(shè)置在所述殼體(60)的所述開口處與所述殼體(60)固定連接，并將所述殼體(60)封閉，所述保護(hù)層(20)的一個端面與所述晶片(10)貼合，另一個端面用于與待測物體相貼合，其特征在于，所述保護(hù)層(20)的所述另一個端面的形狀與所述待測物體的表面形狀相匹配。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的用于橫波探傷的斜探頭，其特征在于，所述晶片(10)為一個。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的用于橫波探傷的斜探頭，其特征在于，所述保護(hù)層(20)的所述另一個端面為圓柱面的一部分且向內(nèi)凹陷。
4.根據(jù)權(quán)利要求I至3中任意一項(xiàng)所述的用于橫波探傷的斜探頭，其特征在于，該斜探頭的折射角的正切值為I. 7，頻率為2MHz至2. 5MHz。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種用于橫波探傷的斜探頭，該斜探頭包括具有開口的殼體(60)、晶片(10)和保護(hù)層(20)，所述晶片設(shè)置在所述殼體內(nèi)部，所述保護(hù)層設(shè)置在所述殼體的所述開口處與所述殼體固定連接，并將所述殼體封閉，所述保護(hù)層的一個端面與所述晶片貼合，另一個端面用于與待測物體相貼合，其中，所述保護(hù)層的所述另一個端面的形狀與所述待測物體的表面形狀相匹配。利用本實(shí)用新型提供的斜探頭進(jìn)行橫波探傷時，斜探頭的保護(hù)層表面能夠與待測物體貼合，使得絕大部分晶片產(chǎn)生的超聲波都能夠通過保護(hù)層穿入到待測物體內(nèi)部，從而提高了所述斜探頭在橫波探傷時發(fā)現(xiàn)缺陷的能力。
文檔編號G01N29/24GK202757913SQ201220421740
公開日2013年2月27日 申請日期2012年8月23日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月23日
發(fā)明者王維東, 張?jiān)食?申請人:中國神華能源股份有限公司, 北京國華電力有限責(zé)任公司, 國華徐州發(fā)電有限公司