專(zhuān)利名稱(chēng)：一種薄膜型鉑電阻溫度傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種薄膜型鉬電阻溫度傳感器。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的鉬電阻溫度傳感器，是用導(dǎo)電膠，如導(dǎo)電銀膠、Pt漿料等，將鉬薄膜電阻與引線連接起來(lái)，實(shí)現(xiàn)溫度信號(hào)的測(cè)試。這種引線結(jié)構(gòu)存在的缺點(diǎn)是，由于鉬薄膜電阻與引線之間沒(méi)有直接接觸，而是通過(guò)導(dǎo)電膠實(shí)現(xiàn)兩者的互連，在實(shí)際測(cè)試過(guò)程中會(huì)造成測(cè)試誤差；此外，當(dāng)導(dǎo)電膠固化不良或在燒結(jié)不完全殘留有膠物質(zhì)，會(huì)導(dǎo)致測(cè)試的不穩(wěn)定，降低測(cè)試精度，影響測(cè)試結(jié)果。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種薄膜型鉬電阻溫度傳感器,溫度測(cè)試穩(wěn)定性好,測(cè)試精度高。本實(shí)用新型的技術(shù)方案為，一種薄膜型鉬電阻溫度傳感器，包括襯底和引線，所述襯底頂面設(shè)有過(guò)渡層，并在過(guò)渡層頂面一側(cè)設(shè)有鉬電阻，而在過(guò)渡層頂面的另一側(cè)設(shè)有用于安裝引線的引線安裝部，所述鉬電阻的頂面覆有保護(hù)層。所述保護(hù)層和弓I線的頂面涂敷固定層。所述弓I線通過(guò)壓焊固定到引線安裝部。在已經(jīng)過(guò)表面處理的傳感器陶瓷襯底上沉積過(guò)渡層，接著在過(guò)渡層表面沉積鉬電阻及其引線安裝部，最后在鉬薄膜電阻表面但不包括引線安裝部沉積一層保護(hù)層，保護(hù)鉬薄膜電阻。利用壓焊方法，把引線壓接在鉬電阻的引線安裝部，在壓焊點(diǎn)處實(shí)現(xiàn)兩者的直接互連，然后涂敷釉料固定層并燒結(jié)成型，對(duì)壓焊點(diǎn)的連接進(jìn)行加固和保護(hù)。本實(shí)用新型經(jīng)過(guò)上述改進(jìn)，避免了導(dǎo)電膠連接不良時(shí)對(duì)測(cè)試的影響，以及導(dǎo)電膠燒結(jié)不完全造成的測(cè)試不穩(wěn)定，使傳感器的溫度測(cè)試穩(wěn)定性和精度得到提高。

圖1為本實(shí)用新型一種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；其中:11-襯底；12-過(guò)渡層；13-鉬電阻；14-保護(hù)層；15-引線安裝部；16-壓接點(diǎn)；17_引線；18-釉料固定層。
具體實(shí)施方式
如圖1所示，一種薄膜型鉬電阻溫度傳感器，包括襯底11和引線17，襯底11頂面設(shè)有過(guò)渡層12，并在過(guò)渡層12頂面一側(cè)設(shè)有鉬電阻13，而在過(guò)渡層12頂面的另一側(cè)設(shè)有用于安裝引線17的引線安裝部15，所述鉬電阻13的頂面覆有保護(hù)層14。保護(hù)層14和引線17的頂面涂敷固定層18，引線17通過(guò)壓焊固定到引線安裝部15。襯底11為Al2O3，保護(hù)層14為Al2O3或SiO2,過(guò)渡層12為Al2O3,固定層18為釉料。在已經(jīng)過(guò)表面處理的傳感器陶瓷襯底11上沉積過(guò)渡層12，接著在過(guò)渡層12表面沉積鉬薄膜電阻13及其引線安裝部15，最后在鉬薄膜電阻13表面沉積一層保護(hù)層14，保護(hù)鉬薄膜電阻。利用壓焊方法，把引線17壓接在鉬薄膜電阻13的引線安裝部15，在壓焊點(diǎn)16處實(shí)現(xiàn)兩者的直接互連，然后涂敷釉料固定層18并燒結(jié)成型，對(duì)壓焊點(diǎn)16的連接進(jìn)行加固和 保護(hù)。
權(quán)利要求1.一種薄膜型鉬電阻溫度傳感器，包括襯底(11)和引線(17)，其特征是，所述襯底(11)頂面設(shè)有過(guò)渡層(12)，并在過(guò)渡層(12)頂面一側(cè)設(shè)有鉬電阻(13)，而在過(guò)渡層(12)頂面的另一側(cè)設(shè)有用于安裝引線(17)的引線安裝部(15)，所述鉬電阻(13)的頂面覆有保護(hù)層(14)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述薄膜型鉬電阻溫度傳感器，其特征是，所述保護(hù)層(14)和引線(17)的頂面涂敷固定層(18)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述薄膜型鉬電阻溫度傳感器，其特征是，所述引線(17)通過(guò)壓焊固定到引線安裝部(15)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3之一所述薄膜型鉬電阻溫度傳感器，其特征是，所述襯底(11)為A1203。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-3之一所述薄膜型鉬電阻溫度傳感器，其特征是，保護(hù)層(14)為Al2O3 或 SiO2。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-3之一所述薄膜型鉬電阻溫度傳感器，其特征是，所述過(guò)渡層(12)為 A1203。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述薄膜型鉬電阻溫度傳感器，其特征是，所述固定層(18)為釉料。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型涉及一種薄膜型鉑電阻溫度傳感器，包括襯底和引線，所述襯底頂面設(shè)有過(guò)渡層，并在過(guò)渡層頂面一側(cè)設(shè)有鉑電阻，而在過(guò)渡層頂面的另一側(cè)設(shè)有用于安裝引線的引線安裝部，所述鉑電阻的頂面覆有保護(hù)層。本實(shí)用新型經(jīng)過(guò)上述改進(jìn)，避免了導(dǎo)電膠連接不良時(shí)對(duì)測(cè)試的影響，以及導(dǎo)電膠燒結(jié)不完全造成的測(cè)試不穩(wěn)定，使傳感器的溫度測(cè)試穩(wěn)定性和精度得到提高。
文檔編號(hào)G01K7/18GK202994323SQ20122059844
公開(kāi)日2013年6月12日 申請(qǐng)日期2012年11月14日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月14日
發(fā)明者藍(lán)鎮(zhèn)立 申請(qǐng)人:中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所