用于ic 器件的金屬熱傳感器的制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了用于IC器件的熱傳感器，其由多個(gè)串聯(lián)的金屬電阻單元組成，其中多個(gè)金屬電阻單元中的每一個(gè)都形成在通過(guò)通孔部分連接IC器件的不同布線層上，并且金屬電阻單元相互疊置對(duì)準(zhǔn)以形成堆疊件。
【專(zhuān)利說(shuō)明】用于IC器件的金屬熱傳感器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明總的來(lái)說(shuō)涉及用于監(jiān)控集成電路(IC)器件中的溫度的溫度感測(cè)結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]存在許多用于測(cè)量和監(jiān)控IC器件溫度的熱感測(cè)解決方案。CMOS IC器件中的此類(lèi)解決方案的一些實(shí)例是基于芯片熱傳感器的二極管、雙極結(jié)型晶體管或M0SFET。有些解決方案涉及以蛇形圖案或結(jié)構(gòu)放置在IC器件的單個(gè)金屬層或?qū)蛹?jí)上的非常長(zhǎng)的電阻金屬線或配線，但在IC的單層上構(gòu)建長(zhǎng)蛇形線需要IC層的較大面積并且減小了該層上的布線通道。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種用于集成電路器件的布線結(jié)構(gòu)的熱傳感器，其中，布線結(jié)構(gòu)具有多個(gè)金屬布線層和通孔層，熱傳感器包括:一個(gè)或多個(gè)金屬電阻單元，設(shè)置在多個(gè)金屬布線層的每一層中并形成一個(gè)或多個(gè)金屬電阻堆疊件，給定金屬布線層中的一個(gè)或多個(gè)金屬電阻單元中的每一個(gè)都與相鄰金屬布線層中的對(duì)應(yīng)金屬電阻單元疊置對(duì)準(zhǔn)，一個(gè)或多個(gè)金屬電阻單元中的每一個(gè)都具有兩個(gè)終端；以及通孔部分，連接兩個(gè)相鄰疊置的金屬電阻單元的兩個(gè)終端中的一個(gè)終端。
[0004]優(yōu)選地，每個(gè)金屬電阻單元均具有10 μ m至10000 μ m的長(zhǎng)度，形成金屬電阻單元的金屬線的寬度在期望最小寬度至3倍期望最小長(zhǎng)度之間，并且形成金屬電阻單元的金屬線的間距在期望最小間距至3倍期望最小間距之間。
[0005]優(yōu)選地，給定金屬電阻堆疊件中的金屬電阻單元具有相同的圖案。
[0006]更優(yōu)選地，給定金屬電阻堆疊件中的金屬電阻單元具有盤(pán)旋圖案。
[0007]更優(yōu)選地，盤(pán)旋圖案是蛇形圖案。
[0008]更優(yōu)選地,期望最小寬度為5nm至32nm。
[0009]更優(yōu)選地,期望最小間距為5nm至32nm。
[0010]優(yōu)選地，由金屬薄膜形成的金屬電阻單元具有0.5Ω/ □至10Ω/ □之間的片電阻。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一個(gè)用于集成電路器件的布線結(jié)構(gòu)的熱傳感器，其中，布線結(jié)構(gòu)具有多個(gè)金屬布線層和通孔層，熱傳感器包括:一個(gè)或多個(gè)金屬電阻單元，設(shè)置在多個(gè)金屬布線層的每一層中并形成一個(gè)或多個(gè)金屬電阻堆疊件，給定金屬布線層中的一個(gè)或多個(gè)金屬電阻單元中的每一個(gè)都與相鄰金屬布線層中的對(duì)應(yīng)金屬電阻單元疊置對(duì)準(zhǔn)，一個(gè)或多個(gè)金屬電阻單元中的每一個(gè)均具有兩個(gè)終端；以及通孔部分，連接兩個(gè)相鄰疊置的金屬電阻單元的兩個(gè)終端中的一個(gè)終端，其中，每個(gè)金屬電阻單元均具有10 μ m至10000 μ m的長(zhǎng)度，形成金屬電阻單元的金屬線的寬度在期望最小寬度至3倍期望最小寬度之間，并且形成金屬電阻單元的金屬線的間距在期望最小間距至3倍期望最小間距之間。
[0012]優(yōu)選地，給定金屬電阻堆疊件中的金屬電阻單元具有相同的圖案。[0013]更優(yōu)選地，給定金屬電阻堆疊件中的金屬電阻單元具有盤(pán)旋圖案。
[0014]更優(yōu)選地,盤(pán)旋圖案是蛇形圖案。
[0015]更優(yōu)選地，期望最小寬度為5nm至32nm。
[0016]更優(yōu)選地，期望最小空間是5nm至32nm。
[0017]優(yōu)選地，由金屬薄膜形成的金屬電阻單元具有0.5Ω/ □至10Ω/ □之間的片電阻。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種集成電路器件，包括:布線結(jié)構(gòu)，布線結(jié)構(gòu)具有多個(gè)金屬布線層及通孔層；以及熱傳感器。熱傳感器包括:一個(gè)或多個(gè)金屬電阻單元，設(shè)置在多個(gè)金屬布線層的每一層中并形成一個(gè)或多個(gè)金屬電阻堆疊件，給定金屬布線層中的一個(gè)或多個(gè)金屬電阻單元中的每一個(gè)都與相鄰金屬布線層中的對(duì)應(yīng)金屬電阻單元疊置對(duì)準(zhǔn)，一個(gè)或多個(gè)金屬電阻單元中的每一個(gè)均具有兩個(gè)終端；和通孔部分，連接兩個(gè)相鄰疊置的金屬電阻單元的兩個(gè)終端中的一個(gè)終端，其中，每個(gè)金屬電阻單元均具有ΙΟμπι至10000 μ m的長(zhǎng)度，形成金屬電阻單元的金屬線的寬度在期望最小寬度至3倍期望最小寬度之間，并且形成金屬電阻單元的金屬線的間距在期望最小間距至3倍期望最小間距之間。
[0019]優(yōu)選地，給定金屬電阻堆疊件中的金屬電阻單元具有相同的圖案。
[0020]更優(yōu)選地，給定金屬電阻堆疊件中的金屬電阻單元具有盤(pán)旋圖案。
[0021]更優(yōu)選地,盤(pán)旋圖案是蛇形圖案。
[0022]更優(yōu)選地,期望最小寬度為5nm至32nm,并且所述期望最小間距為5nm至32nm。【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0023]圖1是根據(jù)本公開(kāi)實(shí)施例的用于IC器件的熱傳感器的金屬電阻單元的實(shí)例的平面圖。
[0024]圖2A是沿圖1所示線A截取的通過(guò)疊置對(duì)準(zhǔn)的圖1的四個(gè)金屬電阻單元形成的堆疊件的截面圖。
[0025]圖2B是沿圖1所示線B截取的圖2A所示堆疊件的另一個(gè)截面圖。
[0026]圖3A是圖1的熱傳感器的一般電路圖。
[0027]圖3B是根據(jù)本公開(kāi)另一個(gè)實(shí)施例的熱傳感器的一般電路圖。
[0028]圖4示出了根據(jù)SPICE仿真得到的用于金屬電阻單元(metal resistor unit)的電阻對(duì)偏置電壓的曲線。
[0029]圖5示出了根據(jù)SPICE仿真得到的用于金屬電阻單元的電阻對(duì)溫度的曲線。
[0030]所有附圖均為示意圖圖并且沒(méi)有按比例繪制。
【具體實(shí)施方式】
[0031]對(duì)于示例性實(shí)施例的描述旨在接合附圖進(jìn)行閱讀，附圖被認(rèn)為是整個(gè)書(shū)面描述的一部分。在說(shuō)明中，相對(duì)術(shù)語(yǔ)，諸如“下面”、“上面”、“水平”、“垂直”、“在...上面”、“在...下面”、“上”、“下”、“頂部”和“底部”以及其派生詞(例如，“水平地”、“向下地”、“向上地”等)與隨后所描述的或在論述過(guò)程中視圖所示出的方向相關(guān)。這些相對(duì)術(shù)語(yǔ)旨在更容易地描述，并不要求部件按此特定的方向裝配或操作。除非另有明確說(shuō)明，否則這些涉及連接，耦合等的術(shù)語(yǔ)(諸如“連接的”和“互連的”)涉及的是彼此直接固定或連接或通過(guò)中間結(jié)構(gòu)間接地固定或連接的結(jié)構(gòu)之間的關(guān)系，以及兩者可移動(dòng)或不可移動(dòng)的連接或關(guān)系。
[0032]根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例，用于IC器件的熱傳感器由多個(gè)串聯(lián)的金屬電阻單元組成，其中多個(gè)金屬電阻單元中的每一個(gè)都形成在IC器件的不同布線層上并且金屬電阻單元彼此疊置對(duì)準(zhǔn)以形成堆疊件。對(duì)于給定的熱傳感器，電阻溫度系數(shù)(TCR)已知，因此通過(guò)測(cè)量堆疊件的電阻，可以確定IC器件的溫度。給定熱傳感器的TCR通過(guò)用于形成金屬電阻單元的特定金屬導(dǎo)體和金屬電阻單元的尺寸來(lái)確定。
[0033]可選地，IC器件的溫度可通過(guò)當(dāng)恒定的已知電流流過(guò)堆疊件時(shí)測(cè)量堆疊件兩端的電壓來(lái)確定。在另一可選實(shí)施例中，當(dāng)在堆疊件的終端之間維持恒定電壓時(shí)，可以測(cè)量流過(guò)堆疊件的電流量。
[0034]給定金屬布線層中的一個(gè)或多個(gè)金屬電阻單元中的每一個(gè)都與相鄰金屬布線層中的對(duì)應(yīng)金屬電阻單元疊置對(duì)準(zhǔn)，其中一個(gè)或多個(gè)金屬電阻單元中的每一個(gè)都具有兩個(gè)終端以及連接兩個(gè)相鄰疊置的金屬電阻單元的兩個(gè)終端中的一個(gè)終端的通孔部分。
[0035]根據(jù)另一個(gè)方面，每個(gè)金屬電阻單元都具有10至10000微米的長(zhǎng)度，形成金屬電阻單元的金屬線的寬度在期望最小寬度至3倍期望最小寬度之間，并且形成金屬電阻單元的金屬線的間距在期望最小間距至3倍期望最小間距之間。
[0036]根據(jù)本公開(kāi)的另一個(gè)實(shí)施例，公開(kāi)了集成電路器件。該集成電路器件包括:布線結(jié)構(gòu)，布線結(jié)構(gòu)具有多個(gè)金屬布線層和通孔層；以及至少一個(gè)熱傳感器。熱傳感器包括設(shè)置在多個(gè)金屬布線層的每一個(gè)中的一個(gè)或多個(gè)金屬電阻單兀并形成一個(gè)或多個(gè)金屬電阻堆疊件，其中給定金屬布線層中的一個(gè)或多個(gè)金屬電阻單元的每一個(gè)都與相鄰金屬布線層中的對(duì)應(yīng)金屬電阻單元疊置對(duì)準(zhǔn)。一個(gè)或多個(gè)金屬電阻單元中的每一個(gè)都具有兩個(gè)終端以及連接兩個(gè)相鄰疊置的金屬電阻單元的兩個(gè)終端中的一個(gè)終端的通孔部分。
[0037]根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)方面，每個(gè)金屬電阻單元都具有10至10000 μ m的長(zhǎng)度，形成金屬電阻單元的金屬線的寬度在期望最小寬度至3倍期望最小寬度之間，并且形成金屬電阻單元的金屬線的間距在期望最小間距至3倍期望最小間距之間。
[0038]圖1示出了根據(jù)實(shí)施例的用于IC器件的熱傳感器的金屬電阻單元。在該實(shí)例中，熱傳感器包括四個(gè)金屬電阻單元R1、R2、R3和R4。但如上所述，根據(jù)本公開(kāi)范圍的熱傳感器可包括多個(gè)串聯(lián)的金屬電阻單元。四個(gè)金屬電阻單元中的每一個(gè)均形成在IC器件的不同布線層上。例如，金屬電阻單元Rl、R2、R3和R4可分別形成在四個(gè)連續(xù)配置的布線層Ml、M2、M3和M4上。這里的布線層名稱(chēng)Ml、M2、M3和M4遵循用于IC器件的布線層的一般Mx命名慣例，其中X為整數(shù)。Ml是最低的布線層(即，最接近IC器件的器件層)，而M4是最高層(即，最接近表面的布線層)。雖然金屬電阻單元R1、R2、R3和R4中的每一個(gè)都可具有不同的獨(dú)特蛇形圖案，但在一個(gè)實(shí)施例中，金屬電阻單元Rl、R2、R3和R4具有相同的蛇形圖案。具有相同蛇形圖案具有簡(jiǎn)化制造工藝的優(yōu)勢(shì)，因此主要有助于減少制造缺陷和增加產(chǎn)量。
[0039]根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)方面，金屬電阻單元具有盤(pán)旋的配置，以使金屬電阻單元具有足夠長(zhǎng)的長(zhǎng)度來(lái)具有足夠高的電阻同時(shí)占有IC器件上的最小面積。在圖1所示實(shí)例中，金屬電阻單元包括具有七褶的蛇形圖案。這是因?yàn)槿绻饘匐娮鑶卧碾娮杼停瑒t其不具有足夠的溫度靈敏性來(lái)用作溫度傳感器。在圖1所示實(shí)例中，金屬電阻單元Rl、R2、R3和R4具有蛇形配置。根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例，金屬電阻單元可以是簡(jiǎn)單條紋或任何其他形狀以提供期望的電阻。
[0040]金屬電阻單元的期望電阻為0.5至10 Ω/ □的片電阻(sheet resistance)。
[0041]每個(gè)金屬電阻單元均具有兩個(gè)終端，并且金屬電阻單元通過(guò)在串聯(lián)的金屬電阻單元之間提供連接的通孔來(lái)串聯(lián)。這在圖2A和圖2B的截面圖中示出。圖2A是沿圖1所示線A截取的通過(guò)圖1疊置對(duì)準(zhǔn)的四個(gè)金屬電阻單元的堆疊件形成的熱傳感器100的截面圖。熱傳感器100及相關(guān)聯(lián)的布線層M1、M2、M3和M4是集成電路器件IC的一部分。圖2B是沿圖1所示線B截取的熱傳感器100的另一個(gè)截面圖。
[0042]金屬電阻單元Rl具有終端NO和NI。金屬電阻單元R2具有終端NI和N2。金屬電阻單元R3具有終端N2和N3。金屬電阻單元R4具有終端N3和N4。金屬電阻單元Rl的終端NI通過(guò)通孔部分Via-Nl連接至金屬電阻單元R2的終端NI。金屬電阻單元R2的終端N2通過(guò)通孔部分Via-N2連接至金屬電阻單元R3的終端N2。金屬電阻單元R3的終端N3通過(guò)通孔部分Via-N3連接至金屬電阻單元R4的終端N3。
[0043]圖3A是示出串聯(lián)連接并形成熱傳感器100的四個(gè)金屬電阻單元Rl、R2、R3和R4的示意性電路圖。使用如圖所示連接至熱傳感器100的合適的測(cè)量設(shè)備50，可以測(cè)量IC器件的溫度。根據(jù)被測(cè)量的是熱傳感器100的電阻、熱傳感器100兩端的電壓還是流過(guò)熱傳感器100的電流，測(cè)量設(shè)備50可以是伏特計(jì)、電壓表或電流表。
[0044]圖3B是不出根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)方面的熱傳感器100的一般實(shí)施例的不意性電路圖。熱傳感器100可具有設(shè)置在多個(gè)布線層Ml、...、M10的每一個(gè)中的一個(gè)金屬電阻單兀
Rl.....RlO以形成金屬電阻堆疊件。在另一個(gè)實(shí)施例中，兩個(gè)或兩個(gè)以上金屬電阻單元被
設(shè)置在多個(gè)布線層Ml.....MlO的每一個(gè)中以形成金屬電阻堆疊件。在這種實(shí)施例中，每
個(gè)布線層都有具有相同數(shù)量的金屬電阻單元。例如，熱傳感器可由六個(gè)布線層Ml至M6形成，其中每個(gè)布線層都具有串聯(lián)的三個(gè)金屬電阻單元(即，Ml具有金屬電阻單元Rla、Rib、Rlc ；M2具有金屬電阻單元R2a、R2b、R2c...)。因此，該實(shí)施例中的金屬電阻堆疊件總共具有十八個(gè)串聯(lián)的金屬電阻單元。金屬電阻單元可以設(shè)置在給定IC器件中的一個(gè)或多個(gè)布線層中，并且如果需要的話，可以設(shè)置在給定IC器件中的每一個(gè)布線層中。
[0045]疊置對(duì)準(zhǔn)是指金屬電阻單元相互垂直對(duì)準(zhǔn)，使得金屬電阻單元在與金屬布線層的平面垂直的方向上相互疊置。通過(guò)疊置金屬電阻單元，金屬電阻單元的覆蓋區(qū)在IC器件上最小化，并且使更多的布線層面積可用于IC器件的功能布線。
[0046]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，每個(gè)金屬電阻單元(諸如R1-R10)均具有10至1000 μ m的長(zhǎng)度并且形成金屬電阻單元的金屬線的寬度在期望最小寬度Wmin至3倍Wmin之間。形成金屬電阻單元的金屬線的間距在期望最小間距Smin至3倍Smin之間。一般來(lái)說(shuō)，Wmin是用于特定IC技術(shù)的設(shè)計(jì)規(guī)則所允許的最小寬度尺寸，Smin是用于特定IC技術(shù)的設(shè)計(jì)規(guī)則所允許的金屬部件之間的最小間距尺寸。
[0047]根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)方面，Wmin為5至32nm,并且Smin為5至32nm。形成金屬電阻單元的金屬薄膜的片電阻在0.5至10 Ω/ □之間。
[0048]由于Wmin和Smin如此之小，所以與現(xiàn)有技術(shù)相比，阻抗可以非常高。更高的阻抗可以產(chǎn)生熱傳感器檢測(cè)的更高的電阻變化和電壓變化，從而創(chuàng)造了面積更小、更精確的熱傳感器。
[0049]用于金屬電阻單元的這些尺寸特征有助于使金屬電阻單元的覆蓋區(qū)最小化。金屬電阻單元的緊湊尺寸允許本公開(kāi)的熱傳感器被放置在具有高密度有源電路(諸如微處理器IC器件)而沒(méi)有太多障礙的IC器件中。根據(jù)另一個(gè)方面，由于本公開(kāi)的熱傳感器的緊湊性，可以在IC器件中放置多個(gè)熱傳感器以監(jiān)控在IC器件的關(guān)鍵區(qū)域內(nèi)的IC溫度。保持金屬線接近Wmin和Smin值的金屬電阻單元的尺寸特征還有助于設(shè)計(jì)用作熱傳感器的具有合適電阻的金屬電阻單元。
[0050]發(fā)明人進(jìn)行SPICE仿真來(lái)驗(yàn)證根據(jù)本公開(kāi)的金屬電阻單元具有可忽略的電阻電壓系數(shù)(VCR)和穩(wěn)定的電阻溫度系數(shù)(TCR)來(lái)用作熱傳感器。針對(duì)用于20nm光刻工藝的金屬布線層參數(shù)進(jìn)行SPICE仿真。圖4示出了針對(duì)快工藝(“preS_FF”)、慢工藝(“preS_SS”)和典型工藝(“pres—TT”)條件的電阻對(duì)偏置電壓的仿真圖。該曲線圖示出金屬電阻單元具有可忽略的VCR。圖5示出了針對(duì)相同快工藝、慢工藝和典型工藝條件的電阻對(duì)溫度的仿真圖。該曲線圖示出金屬電阻單元具有非常穩(wěn)定的TCR來(lái)適合用作熱傳感器。
[0051]盡管已經(jīng)根據(jù)示例性的實(shí)施例對(duì)主題進(jìn)行了描述，但并不局限于此。反之，應(yīng)該更寬泛地構(gòu)造所附的權(quán)利要求，從而包括本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以實(shí)現(xiàn)的其他變型和實(shí)施例。
【權(quán)利要求】
1.一種用于集成電路器件的布線結(jié)構(gòu)的熱傳感器，其中，所述布線結(jié)構(gòu)具有多個(gè)金屬布線層和通孔層，所述熱傳感器包括: 一個(gè)或多個(gè)金屬電阻單元，設(shè)置在所述多個(gè)金屬布線層的每一層中并形成一個(gè)或多個(gè)金屬電阻堆疊件，給定金屬布線層中的一個(gè)或多個(gè)金屬電阻單元中的每一個(gè)都與相鄰金屬布線層中的對(duì)應(yīng)金屬電阻單元疊置對(duì)準(zhǔn)，所述一個(gè)或多個(gè)金屬電阻單元中的每一個(gè)都具有兩個(gè)終端；以及 通孔部分，連接兩個(gè)相鄰疊置的金屬電阻單元的兩個(gè)終端中的一個(gè)終端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱傳感器，其中，每個(gè)金屬電阻單元均具有ΙΟμπι至10000 μ m的長(zhǎng)度，形成金屬電阻單元的金屬線的寬度在期望最小寬度至3倍所述期望最小長(zhǎng)度之間，并且形成金屬電阻單元的金屬線的間距在期望最小間距至3倍所述期望最小間距之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱傳感器，其中，給定金屬電阻堆疊件中的金屬電阻單元具有相同的圖案。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的熱傳感器，其中，所述給定金屬電阻堆疊件中的金屬電阻單元具有盤(pán)旋圖案。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的熱傳感器，其中，所述盤(pán)旋圖案是蛇形圖案。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的熱傳感器，其中，所述期望最小寬度為5nm至32nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的熱傳感器，其中，所述期望最小間距為5nm至32nm。
8.一個(gè)用于集成電路器件的布線結(jié)構(gòu)的熱傳感器，其中，所述布線結(jié)構(gòu)具有多個(gè)金屬布線層和通孔層，所述熱傳感`器包括: 一個(gè)或多個(gè)金屬電阻單元，設(shè)置在所述多個(gè)金屬布線層的每一層中并形成一個(gè)或多個(gè)金屬電阻堆疊件，給定金屬布線層中的一個(gè)或多個(gè)金屬電阻單元中的每一個(gè)都與相鄰金屬布線層中的對(duì)應(yīng)金屬電阻單元疊置對(duì)準(zhǔn)，所述一個(gè)或多個(gè)金屬電阻單元中的每一個(gè)均具有兩個(gè)終端；以及 通孔部分，連接兩個(gè)相鄰疊置的金屬電阻單元的兩個(gè)終端中的一個(gè)終端， 其中，每個(gè)金屬電阻單元均具有ΙΟμπι至ΙΟΟΟΟμπ?的長(zhǎng)度，形成金屬電阻單元的金屬線的寬度在期望最小寬度至3倍所述期望最小寬度之間，并且形成金屬電阻單元的金屬線的間距在期望最小間距至3倍所述期望最小間距之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的熱傳感器，其中，給定金屬電阻堆疊件中的金屬電阻單元具有相同的圖案。
10.一種集成電路器件，包括: 布線結(jié)構(gòu)，所述布線結(jié)構(gòu)具有多個(gè)金屬布線層及通孔層；以及 熱傳感器，包括: 一個(gè)或多個(gè)金屬電阻單元，設(shè)置在所述多個(gè)金屬布線層的每一層中并形成一個(gè)或多個(gè)金屬電阻堆疊件，給定金屬布線層中的一個(gè)或多個(gè)金屬電阻單元中的每一個(gè)都與相鄰金屬布線層中的對(duì)應(yīng)金屬電阻單元疊置對(duì)準(zhǔn)，所述一個(gè)或多個(gè)金屬電阻單元中的每一個(gè)均具有兩個(gè)終〗而；和 通孔部分，連接兩個(gè)相鄰疊置的金屬電阻單元的兩個(gè)終端中的一個(gè)終端， 其中，每個(gè)金屬電阻單元均具有ΙΟμπι至ΙΟΟΟΟμπ?的長(zhǎng)度，形成金屬電阻單元的金屬線的寬度在期望最小寬度至3倍所述期望最小寬度之間，并且形成金屬電阻單元的金屬線的間距在期望最小間距至3倍所`述期望最小間距之間。
【文檔編號(hào)】G01K7/16GK103512674SQ201310190384
【公開(kāi)日】2014年1月15日 申請(qǐng)日期:2013年5月21日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月18日
【發(fā)明者】陳重輝 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司