發(fā)光二極管光源陣列模擬系統(tǒng)及模擬方法
【專利摘要】一種發(fā)光二極管光源陣列模擬方法，包括以下步驟：利用圖像攝取裝置攝取單顆發(fā)光二極管光源的光場(chǎng)分布圖像；量測(cè)上述光場(chǎng)分布圖像中各個(gè)坐標(biāo)點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的光強(qiáng)度數(shù)據(jù)；將多個(gè)發(fā)光二極管光源按間距排列成發(fā)光二極管光源陣列；根據(jù)單顆發(fā)光二極管光源的光場(chǎng)分布圖像以及發(fā)光二極管光源之間的間距逐點(diǎn)計(jì)算發(fā)光二極管光源陣列在各個(gè)坐標(biāo)點(diǎn)上的光強(qiáng)積分值；以及根據(jù)發(fā)光二極管光源陣列在各個(gè)坐標(biāo)點(diǎn)上的光強(qiáng)積分值模擬出發(fā)光二極管光源陣列的光場(chǎng)分布圖像。本發(fā)明還提供了一種發(fā)光二極管光源陣列模擬系統(tǒng)。
【專利說明】發(fā)光二極管光源陣列模擬系統(tǒng)及模擬方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種光學(xué)模擬系統(tǒng)，特別涉及一種發(fā)光二極管光源陣列模擬系統(tǒng)及相 應(yīng)的模擬方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 發(fā)光二極管（Light Emitting Diode, LED)是一種可將電流轉(zhuǎn)換成特定波長(zhǎng)范圍 的光的半導(dǎo)體元件。發(fā)光二極管以其亮度高、工作電壓低、功耗小、易與集成電路匹配、驅(qū)動(dòng) 簡(jiǎn)單、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，從而可作為光源而廣泛應(yīng)用于照明領(lǐng)域。
[0003] 發(fā)光二極管的一種典型的應(yīng)用是排列成陣列形狀而形成一個(gè)面光源。然而，在制 作上述發(fā)光二極管陣列的時(shí)候，若要獲得所需的光強(qiáng)分布情況，通常需要對(duì)發(fā)光二極管之 間的間距進(jìn)行多次的調(diào)整，然后通過光檢測(cè)裝置檢測(cè)各個(gè)間距的發(fā)光二極管陣列的光強(qiáng)分 布情況。上述過程無疑相當(dāng)費(fèi)時(shí)費(fèi)力，且提高了制作成本。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 有鑒于此，有必要提供一種成本較低的發(fā)光二極管光源陣列模擬系統(tǒng)及模擬方 法。
[0005] -種發(fā)光二極管光源陣列模擬方法，包括： 步驟1 :利用圖像攝取裝置攝取單顆發(fā)光二極管光源的光場(chǎng)分布圖像； 步驟2 :量測(cè)上述光場(chǎng)分布圖像中各個(gè)坐標(biāo)點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的光強(qiáng)度數(shù)據(jù)； 步驟3 :將多個(gè)發(fā)光二極管光源按間距排列成發(fā)光二極管光源陣列； 步驟4 :根據(jù)單顆發(fā)光二極管光源的光場(chǎng)分布圖像以及發(fā)光二極管光源之間的間距逐 點(diǎn)計(jì)算發(fā)光二極管光源陣列在各個(gè)坐標(biāo)點(diǎn)上的光強(qiáng)積分值；以及 步驟5 :根據(jù)發(fā)光二極管光源陣列在各個(gè)坐標(biāo)點(diǎn)上的光強(qiáng)積分值模擬出發(fā)光二極管光 源陣列的光場(chǎng)分布圖像。
[0006] -種發(fā)光二極管光源陣列模擬系統(tǒng)，包括： 圖像攝取裝置，用于攝取單顆發(fā)光二極管光源的光場(chǎng)分布圖像； 量測(cè)裝置，量測(cè)上述光場(chǎng)分布圖像中各個(gè)坐標(biāo)點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的光強(qiáng)度數(shù)據(jù)； 間距調(diào)整裝置，將多個(gè)發(fā)光二極管光源按間距排列成發(fā)光二極管光源陣列； 計(jì)算裝置，根據(jù)單顆發(fā)光二極管光源的光場(chǎng)分布圖像以及發(fā)光二極管光源之間的間距 逐點(diǎn)計(jì)算發(fā)光二極管光源陣列在各個(gè)坐標(biāo)點(diǎn)上的光強(qiáng)積分值；以及 圖像模擬裝置，根據(jù)發(fā)光二極管光源陣列在各個(gè)坐標(biāo)點(diǎn)上的光強(qiáng)積分值模擬出發(fā)光二 極管光源陣列的光場(chǎng)分布圖像。
[0007] 本發(fā)明的發(fā)光二極管光源陣列模擬系統(tǒng)及模擬方法中，通過檢測(cè)單顆發(fā)光二極管 光源的光強(qiáng)分布情況，在確定了發(fā)光二極管光源之間的間距之后，即可逐點(diǎn)計(jì)算發(fā)光二極 管光源陣列的各個(gè)坐標(biāo)點(diǎn)上的光強(qiáng)積分值。上述過程可避免發(fā)光二極管光源陣列在制作 過程中，每變更一次間距即要重新通過光檢測(cè)系統(tǒng)獲取發(fā)光二極管光源陣列的光強(qiáng)分布圖 像，從而節(jié)省了成本。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0008] 圖1為本發(fā)明的發(fā)光二極管光源陣列模擬系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)框圖。
[0009] 圖2為圖1中的發(fā)光二極管光源陣列的排布情況。
[0010] 圖3為本發(fā)明的發(fā)光二極管光源陣列模擬方法的步驟示意圖。
[0011] 主要元件符號(hào)說明

【權(quán)利要求】
1. 一種發(fā)光二極管光源陣列模擬方法，包括： 步驟1 :攝取單顆發(fā)光二極管光源的光場(chǎng)分布圖像； 步驟2 :量測(cè)上述光場(chǎng)分布圖像中各個(gè)坐標(biāo)點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的光強(qiáng)度數(shù)據(jù)； 步驟3 :將多個(gè)發(fā)光二極管光源按間距排列成發(fā)光二極管光源陣列； 步驟4 :根據(jù)單顆發(fā)光二極管光源的光場(chǎng)分布圖像以及發(fā)光二極管光源之間的間距逐 點(diǎn)計(jì)算發(fā)光二極管光源陣列在各個(gè)坐標(biāo)點(diǎn)上的光強(qiáng)積分值；以及 步驟5 :根據(jù)發(fā)光二極管光源陣列在各個(gè)坐標(biāo)點(diǎn)上的光強(qiáng)積分值模擬出發(fā)光二極管光 源陣列的光場(chǎng)分布圖像。
2. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管光源陣列模擬方法，其特征在于，在步驟2中，進(jìn)一 步量測(cè)單顆發(fā)光二極管光源的光場(chǎng)分布圖像中各個(gè)坐標(biāo)點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的R、G、B三色光陣列值， 然后在步驟4中逐點(diǎn)計(jì)算發(fā)光二極管光源陣列在各個(gè)坐標(biāo)點(diǎn)上的R、G、B三色光積分值，最 后在步驟5中根據(jù)各個(gè)坐標(biāo)點(diǎn)上的R、G、B三色光積分值得出發(fā)光二極管光源陣列的CIE頻 譜圖像。
3. 如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管光源陣列模擬方法，其特征在于，在量測(cè)單顆發(fā)光 二極管光源的光場(chǎng)分布圖像中各個(gè)坐標(biāo)點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的R、G、B三色光陣列值時(shí)，在圖像攝取裝 置與發(fā)光二極管光源之間分別設(shè)置紅光濾光片、綠光綠光片以及藍(lán)光濾光片，然后根據(jù)在 紅光濾光片、綠光綠光片以及藍(lán)光濾光片下攝取的單顆發(fā)光二極管光源的光場(chǎng)分布圖像得 出各個(gè)坐標(biāo)點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的R、G、B三色光陣列值。
4. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管光源陣列模擬方法，其特征在于，所述步驟1利用圖 像攝取裝置攝取單顆發(fā)光二極管光源的光場(chǎng)分布圖像。
5. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管光源陣列模擬方法，其特征在于，還包括步驟6 :提 供一個(gè)期望的發(fā)光二極管光源陣列的光場(chǎng)分布圖像，將步驟5所模擬出的光場(chǎng)分布圖像與 期望的發(fā)光二極管光源陣列的光場(chǎng)分布圖像相比較，若兩者不相同，調(diào)整發(fā)光二極管光源 之間的間距直至模擬出的光場(chǎng)分布圖像與期望的發(fā)光二極管光源陣列的光場(chǎng)分布圖像相 同或者接近。
6. -種發(fā)光二極管光源陣列模擬系統(tǒng)，包括： 圖像攝取裝置，攝取單顆發(fā)光二極管光源的光場(chǎng)分布圖像； 量測(cè)裝置，量測(cè)上述光場(chǎng)分布圖像中各個(gè)坐標(biāo)點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的光強(qiáng)度數(shù)據(jù)； 間距調(diào)整裝置，將多個(gè)發(fā)光二極管光源按間距排列成發(fā)光二極管光源陣列； 計(jì)算裝置，根據(jù)單顆發(fā)光二極管光源的光場(chǎng)分布圖像以及發(fā)光二極管光源之間的間距 逐點(diǎn)計(jì)算發(fā)光二極管光源陣列在各個(gè)坐標(biāo)點(diǎn)上的光強(qiáng)積分值；以及 圖像模擬裝置，根據(jù)發(fā)光二極管光源陣列在各個(gè)坐標(biāo)點(diǎn)上的光強(qiáng)積分值模擬出發(fā)光二 極管光源陣列的光場(chǎng)分布圖像。
7. 如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管光源陣列模擬系統(tǒng)，其特征在于，所述量測(cè)裝置進(jìn) 一步量測(cè)單顆發(fā)光二極管光源的光場(chǎng)分布圖像中各個(gè)坐標(biāo)點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的R、G、B三色光陣列 值，然后計(jì)算裝置逐點(diǎn)計(jì)算發(fā)光二極管光源陣列在各個(gè)坐標(biāo)點(diǎn)上的R、G、B三色光積分值， 最后圖像模擬裝置根據(jù)各個(gè)坐標(biāo)點(diǎn)上的R、G、B三色光積分值得出發(fā)光二極管光源陣列的 CIE頻譜圖像。
8. 如權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管光源陣列模擬系統(tǒng)，其特征在于，圖像攝取裝置與 發(fā)光二極管光源之間分別設(shè)置紅光濾光片、綠光綠光片以及藍(lán)光濾光片，所述量測(cè)裝置根 據(jù)在紅光濾光片、綠光綠光片以及藍(lán)光濾光片下攝取的單顆發(fā)光二極管光源的光場(chǎng)分布圖 像得出各個(gè)坐標(biāo)點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的R、G、B三色光陣列值。
9. 如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管光源陣列模擬系統(tǒng)，其特征在于，所述圖像攝取裝 置為電荷耦合影像傳 感器。
10. 如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管光源陣列模擬系統(tǒng)，其特征在于，還期望的發(fā)光二 極管光源陣列的光場(chǎng)分布圖像以及比較裝置，所述比較裝置將期望的發(fā)光二極管光源陣列 的光場(chǎng)分布圖像與圖像模擬裝置所模擬出的光場(chǎng)分布圖像相比較，若兩者不相同，利用間 距調(diào)整裝置調(diào)整發(fā)光二極管光源之間的間距直至模擬出的光場(chǎng)分布圖像與期望的發(fā)光二 極管光源陣列的光場(chǎng)分布圖像相同或者接近。
【文檔編號(hào)】G01M11/02GK104236854SQ201310236050
【公開日】2014年12月24日 申請(qǐng)日期:2013年6月17日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月17日
【發(fā)明者】黃哲瑄 申請(qǐng)人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司