表面增強拉曼光譜(sers)感測基板及其制造方法
【專利摘要】表面增強拉曼光譜(SERS)感測基板第一實施例包含:一基板；成長于基板上的多層金屬/介電質(zhì)材料搭配的納米直柱結(jié)構(gòu)，納米直柱結(jié)構(gòu)具有一組態(tài)，納米直柱結(jié)構(gòu)成長完成后是大約平行于基板法線方向。
【專利說明】
表面增強拉曼光譜(SERS)感測基板及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明相關(guān)于表面增強拉曼光譜(surface enhanced Ramanspectroscopy, SERS)感測基板及其制法，為了解決增強待測物拉曼信號的技術(shù)問題。
【背景技術(shù)】
[0002]拉曼(Raman)在1928年發(fā)現(xiàn)拉曼散射(Raman scattering)法,這是屬于利用光的散射行為來測定分子的振動光譜信號(拉曼光譜)。但由于分子束截面非常小，造成拉曼信號測定困難，而逐漸被紅外光吸收光譜取代。
[0003]在1960年鐳射被發(fā)明后，鐳射在1964年開始應(yīng)用于拉曼光譜作為激發(fā)源，使得信號得以放大，但拉曼光譜儀還是比紅外光譜儀昂貴許多，而限制其發(fā)展。在1974年，M.Fleischmann等人發(fā)現(xiàn)粗糙的金屬表面可以大幅提高拉曼光譜信號(M.Fleischmann, P.J.Hendra, and A.J.McQuliIlan, “Raman spectra of pyridine adsorbed at a silverelectrode” Chem.Phys.Lett.26, 123 (1974)),而發(fā)展出表面增強拉曼光譜(surfaceenhanced Raman spectroscopy, SERS),此研究將為拉曼光譜帶來巨大的潛在應(yīng)用。表面增強拉曼光譜增進在化學及生物系統(tǒng)中的分子振動識別標志的鑒別度。近來的研究顯示，單分子拉曼散射的導入進一步增強拉曼的偵測靈敏度，因此擴大了涉及表面增強拉曼光譜的感應(yīng)器應(yīng)用的范圍。
[0004]現(xiàn)有的拉曼儀器包括(a)輻射源；(b)拉曼感應(yīng)器；及(C)偵測器，其中所述拉曼感應(yīng)器系包括表面增強拉曼光譜感測基板，基板受所述輻射源照射而產(chǎn)生近場電漿場，所述近場電漿場與分析物分子耦合后，產(chǎn)生拉曼光子，所述拉曼光子再藉由所述偵測器偵測。拉曼光譜儀，其涉及一種化學成份的光子的非彈性散射，已經(jīng)廣泛作為多種化學物質(zhì)(例如鉆石、藥品、生物分子等)的鑒別工具，亦可作為研究表面上的吸收分子的工具。
[0005]表面增強拉曼光譜的應(yīng)用范圍廣泛，例如生醫(yī)快速感測、蛋白質(zhì)研究、化學制藥、科學鑒識、生技藥品開發(fā)、醫(yī)學檢測、健康監(jiān)控、單分子偵測、水質(zhì)安全、農(nóng)產(chǎn)品檢驗、有機物偵測、環(huán)境監(jiān)控、奈米碳管結(jié)構(gòu)驗證、特用化學、化妝品檢驗等。在現(xiàn)有的檢測方式中，SERS也被期待去取代氣相色譜法(Gas chromatography)及高效液相色譜法(High performanceliquid chromatography, HPLC)等。
[0006]在納米結(jié)構(gòu)激發(fā)電漿共振模態(tài)的研究，雕刻技術(shù)的發(fā)展已可利用大面積、簡單的氣相沉積制程方式達成，如銀納米斜柱陣列(nanorod array, NRA)結(jié)構(gòu)(Y1-JunJen, Ching-Wei Yu, Yu-Hsiung Wang, and Jheng-Jie Jhou, “Shape effect on thereal parts of equivalent permeability of chevron thin films of silver，，J.Nanophoton.5, (2011))及銀鋸齒結(jié)構(gòu)(Y1-Jun Jen, A.Lakhtakia, Ching-ffei Yu, andChin-Te Lin,^Vapor-deposited thin films with negative real refractive index inthe visible regime, “Opt.Expressl7, 7784 (2009))。臺灣的相關(guān)前案專利有 1325956 (用于增強表面拉曼光譜的基板，SERS感應(yīng)器及其制造方法)。
[0007]由于在納米結(jié)構(gòu)近場的局部電場強度可有效增強拉曼信號，銀納米斜柱陣列(US7，658，991B2)與銀巨齒狀介電質(zhì)雙層結(jié)構(gòu)(US7，956，995B2)已被證明可應(yīng)用于SERS。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0008]本發(fā)明欲解決的技術(shù)問題之一，是為了實質(zhì)增強納米直柱結(jié)構(gòu)的局部電場(localized electric field)效應(yīng)，增強一待測物的拉曼信號。
[0009]本發(fā)明欲解決的技術(shù)問題之二，是提供表面增強拉曼光譜感測基板，在可見光與紅外光波段，具廣波域、高吸收及無偏極態(tài)相關(guān)的光譜特性。
[0010]本發(fā)明所提供的技術(shù)手段為利用斜向角度沉積法(oblique angledeposit1n, 0AD)搭配基板自我旋轉(zhuǎn)速率調(diào)控，制作具各種非周期性、不規(guī)則的直徑分布范圍的單層金屬納米直柱(nanopillar)或多層金屬/介電質(zhì)納米直柱堆迭結(jié)構(gòu)。
[0011]所提供一種表面增強拉曼光譜(SERS)感測基板第一實施例包含:一基板；成長于基板上的多層金屬/介電質(zhì)材料搭配的納米直柱結(jié)構(gòu)，納米直柱結(jié)構(gòu)具有一組態(tài)，納米直柱結(jié)構(gòu)成長完成后是大約平行于基板法線方向。
[0012]所提供一種表面增強拉曼光譜(SERS)感測基板第二實施例包含:一基板；成長于基板上的至少單層金屬納米直柱結(jié)構(gòu)，納米直柱結(jié)構(gòu)具有一組態(tài)，納米直柱結(jié)構(gòu)成長完成后是大約平行于基板法線方向。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0013]圖1是本發(fā)明SERS感測基板的直柱納米結(jié)構(gòu)制作方式示意圖。
[0014]圖2 (a)、圖 2 (b)、圖 2 (C)、圖 2 (d)、圖 2 (e)、圖 2 (f)、圖 2 (g)、圖 2 (h)是根據(jù)本發(fā)明的制作方式，相同的沉積速率、不同的基板(自我)旋轉(zhuǎn)角度下的銀納米直柱俯視圖及其直徑D分布統(tǒng)計圖。
[0015]圖3 (a)、圖3 (b)、圖3 (C)、圖3 (d)、圖3 (e)、圖3 (f)分別舉例單層納米直柱與多層納米直柱結(jié)構(gòu)組態(tài)。
[0016]圖4(a)、圖4(b)是厚(高)度為230nm的銀納米直柱的SEM俯視圖及其直徑D分布統(tǒng)計圖。
[0017]圖5是圖4結(jié)構(gòu)的透射率、反射率及吸收率光譜圖；其中的入射光為X偏極方向。
[0018]圖6是圖4結(jié)構(gòu)的透射率、反射率及吸收率光譜圖；其中的入射光為y偏極方向。
[0019]圖7是利用單層銀納米直柱的SERS基板感測1-4M濃度R6G的拉曼光譜圖。
[0020]圖8 (a)、圖8 (b)是厚度為250nm的銀納米直柱/ 二氧化硅納米直柱/銀納米直柱多層組態(tài)的SEM俯視圖及其直徑D分布圖。
[0021]圖9圖是圖8(a)結(jié)構(gòu)的透射、反射及吸收光譜圖；其中的入射光為x偏極方向。
[0022]圖10是圖8(a)結(jié)構(gòu)的透射、反射及吸收光譜圖；其中的入射光為y偏極方向。
[0023]圖11是利用銀納米直柱/ 二氧化硅納米直柱/銀納米直柱多層納米直柱結(jié)構(gòu)的SERS基板感測1-4M濃度R6G的拉曼光譜圖。
[0024]附圖標識:
[0025]100…基板旋轉(zhuǎn)中心軸
[0026]101，107…基板(具周期性圖騰或平整基板)
[0027]102…電子槍蒸鍍源
[0028]103…基板旋轉(zhuǎn)方向
[0029]104…入射光波向量
[0030]105…蒸鍍流(Flux)入射方向
[0031]106…納米直柱結(jié)構(gòu)
[0032]D…納米直柱結(jié)構(gòu)直徑，L...納米直柱結(jié)構(gòu)高(厚)度
[0033]Θ V…基板傾斜角、蒸鍍流沉積角度
[0034]Ex…X方向偏極入射光
[0035]Ey…y方向偏極入射光
[0036]302、305、309、312、317、321…具周期性圖騰或平整基板
[0037]301、303、306、308、310、311、313、315 …金屬納米直柱
[0038]304、307、314、316…介電質(zhì)納米直柱
[0039]318、319…相同或者是不同金屬材料納米直柱
[0040]320…具周期性種子層結(jié)構(gòu)
[0041]R…反射率
[0042]T…透射率
[0043]A…吸收率
【具體實施方式】
[0044]為解決上述的技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種至少具有金屬納米直柱結(jié)構(gòu)的表面增強拉曼光譜(SERS)基板的制造方法，包含:以斜向角度沉積法搭配基板的旋轉(zhuǎn)，在基板上制作金屬納米直柱結(jié)構(gòu)及/或介電質(zhì)納米直柱結(jié)構(gòu)，納米直柱結(jié)構(gòu)具有一組態(tài)，納米直柱結(jié)構(gòu)成長完成后是大約平行于基板法線方向。
[0045]在電子槍腔體內(nèi)系統(tǒng)里，如圖1所示，本發(fā)明系利用斜向角度沉積法(obliqueangle deposit1n)搭配基板(自我)旋轉(zhuǎn)技術(shù)，在娃晶圓(silicon wafer)基板101(或107)或玻璃基板101 (或107)上，制作多個銀納米直柱(nanopillar)結(jié)構(gòu)106，結(jié)構(gòu)直徑為D、高(或稱厚)度為L。
[0046]斜向角度沉積技術(shù)為一種物理氣相沉積法，在薄膜的沉積過程中，基板101在電子槍腔體內(nèi)被傾斜一沉積角度θν,如圖1所示。由于遮蔽效應(yīng)(shadowing effect)的影響，蒸鍍源102在各個方向會均勻分布地斜向入射，使納米結(jié)構(gòu)在成長的過程中會朝著基板法線方向Z成長，而形成納米直柱106 (D，L)。
[0047]基板自我旋轉(zhuǎn)技術(shù)是于斜向角度沉積之際，讓基板101沿其旋轉(zhuǎn)中心軸100轉(zhuǎn)動，旋轉(zhuǎn)方向標示為103，此時蒸鍍流(Flux)沿入射方向105進入，沉積角度為θν。
[0048]制作參數(shù)范圍為(a)沉積角度于0-90度間，(b)沉積速率于0.01nm/s-100nm/s間，(c)基板轉(zhuǎn)速為0.0lrpm-1OOOrpm間。
[0049]如圖3 (a)、圖3 (b)、圖3 (C)、圖3 (d)、圖3 (e)、圖3 (f)所示，組態(tài)可以是(a)金屬納米直柱301/基板302，或(b)金屬納米直柱303/介電質(zhì)納米直柱304/基板305，或(c)金屬納米直柱308/介電質(zhì)納米直柱307/金屬納米直柱306/基板309，或(d)金屬材料一納米直柱310/金屬材料二納米直柱311/基板312，或(e)金屬納米直柱313/介電質(zhì)納米直柱314/金屬納米直柱315/介電質(zhì)納米直柱316/基板317，或(f)金屬納米直柱318/金屬納米直柱319/周期性結(jié)構(gòu)的種子層320/基板321，或是(g)金屬納米直柱/介電質(zhì)納米直柱/周期性結(jié)構(gòu)的種子層/基板(未繪示)。金屬納米直柱318、319可以是相同或者是不同的金屬材料的納米直柱。
[0050]金屬材料選自可增強拉曼信號材料所組成的群組，群組包含金(Au)，銀(Ag)，銅(Cu)，或鋁(Al)，鋰(Li)，鈀(Pd)，鉬(Pt)。
[0051]上述的納米直柱結(jié)構(gòu)是制作在具有周期性、非周期性結(jié)構(gòu)的基板的上或周期性結(jié)構(gòu)的種子層/基板的上。故基板101、107、302、305、309、312、317、321可以是具周期性的圖騰或是平整基板。
[0052]種子層320可選自介電質(zhì)或光阻材料，基板101、107、302、305、309、312、317、321
可選自與所制作金屬/介電質(zhì)粘著性佳的材料，例如娃晶圓(silicon wafer),亞克力(PMMA),玻璃(glass)，PET，Al2O3, PC 等等。
[0053]上述金屬或介電質(zhì)納米直柱結(jié)構(gòu)的(a)納米直柱直徑:10nm-l.5 μ m, (b)兩相鄰納米直柱的中心點至中心點的距離:10nm-1.5ym，(c)直柱總高度:10nm-5 μ m。
[0054]藉由上述方法所制作的一種表面增強拉曼光譜(SERS)感測基板，包含:一基板；成長于基板上的至少單層金屬納米直柱結(jié)構(gòu)，納米直柱結(jié)構(gòu)具有一組態(tài)，納米直柱結(jié)構(gòu)成長完成后是大約平行于基板法線方向。其組態(tài)如同以上所述以及如圖3(a)、圖3(b)、圖
3(c)、圖 3 (d)、圖 3 (e)、圖 3 (f)所示。
[0055]藉由上述方法所制作的一種拉曼儀器，包括(a)輻射源；(b)拉曼感應(yīng)器，拉曼感應(yīng)器包含以上所述的感測基板如圖3 (a)、圖3 (b)、圖3 (c)、圖3 (d)、圖3 (e)、圖3 (f)所示；及(C)偵測器，其中所述拉曼感應(yīng)器系受所述輻射源照射而產(chǎn)生局部電漿場，所述電漿場能增強分析物的拉曼位移信號供所述偵測器偵測。
[0056]上述的拉曼儀器可選擇可激發(fā)單模態(tài)波長的鐳射裝置做為輻射源，可激發(fā)單模態(tài)波長的錯射裝置包含固態(tài)錯射(solid state-laser)、半導體(d1de)錯射、氦氖錯射(He-Ne Laser)、氣態(tài)儀射(gas laser)。
[0057]以附圖3 (a)所述組態(tài)說明實施例。在制作的過程中，使用直徑3mm、純度99.999%的銀顆粒做為蒸鍍源102，電子槍體保持在壓力4xlO_6Pa下。藉由調(diào)控基板101 (或107)自轉(zhuǎn)速率、制作速率比值(石英振蕩芯片偵測到的)及納米直柱結(jié)構(gòu)高度L，可以得到納米直柱結(jié)構(gòu)直徑D的不同分布狀態(tài)。
[0058]圖2(a), (c)，(e)，(g)分別是在沉積速率=1.2nm/s、θ v=89度時，搭配四種基板轉(zhuǎn)速20rpm, 1rpm, Irpm及0.1rpm的掃描式電子顯微鏡(scanning electronmicroscope, SEM)上視圖,其中圖2(a), (c)，(e)中調(diào)控納米直柱高度L=120nm,圖2 (g)中調(diào)控納米直柱高度L=250nm。
[0059]圖2 (b)，(d)，(f)，(h)分別顯示在沉積速率=1.2nm/s、θ v=89度時,搭配四種基板轉(zhuǎn)速20rpm, 1rpm, Irpm及0.1rpm,其納米直柱直徑D的分布范圍。由圖2(b), (d)，(f),可發(fā)現(xiàn)在沉積速率不變時，降低基板的旋轉(zhuǎn)速度會導致納米直柱的直徑D分布往較大尺度移動。此外，納米直柱高度L增加(圖2(g))也會導致納米直柱直徑D變大。
[0060]除了單層金屬納米直柱外，不同材料的直柱可以在同一制程做堆迭。如附圖3與上述說明，其中基板302 (或305，309，312，317，321)也可為具有周期性的結(jié)構(gòu)圖騰，種子層320及具周期性結(jié)構(gòu)基板的尺度均為納米尺度等級。除了基板以外，此組態(tài)可再包含將上述組態(tài)往上再做周期性地堆迭所構(gòu)成的組態(tài)。
[0061]以下將以圖3(a)組態(tài)，進行實施例解說。
[0062]圖4(a)是在沉積速率1.2nm/s、θ v=89度時搭配基板轉(zhuǎn)速1rpm,單層銀納米直柱高度為L=230nm，所得單層銀納米直柱的掃描式電子顯微鏡上視圖。圖4(b)是單層銀納米直柱直徑D分布圖。
[0063]圖5及圖6是由附圖4結(jié)構(gòu)分別所量測的X偏極入射光與y偏極入射光的穿透率(T)、反射率(R)與吸收率(A)光譜圖；由圖5及圖6可知，此單層銀納米直柱結(jié)構(gòu)具有非偏極相關(guān)(即，與偏極態(tài)無關(guān))的光譜特性，其吸收率(A)在波長400nm-850nm范圍下皆超過 78%ο
[0064]圖7為利用圖3(a)組態(tài)納米結(jié)構(gòu)做為SERS基板，利用功率10mW的532nm鐳射為激發(fā)光源，量測1-4M濃度若丹明(Rhodamine，R6G)在銀納米直柱表面的不同位置(p0，pl，p2，p3)的拉曼光譜圖。其中激發(fā)光源鐳射在納米結(jié)構(gòu)上的光點大小為Iy m，若丹明可經(jīng)由去離子水稀釋調(diào)配所需濃度10_4M的溶液。PO分布圖為參考點的拉曼光譜圖，pi分布圖為距離參考點ρΟΙΟΟμπι的拉曼光譜圖，p2分布圖為距離參考點ρ0200μπι的拉曼光譜圖，Ρ3分布圖為距離參考點ρ02000μπι的拉曼光譜圖。由圖7可知，相對于銀納米斜柱陣列結(jié)構(gòu)的拉曼光譜圖no (亦請參考US7, 658，991B2)，本發(fā)明圖3 (a)組態(tài)的納米直柱結(jié)構(gòu)可提供一增強且穩(wěn)定的SERS信號。
[0065]以下將以圖3(c)金屬306/介電質(zhì)307/金屬308/基板309三層納米直柱結(jié)構(gòu)組態(tài)，進行實施例解說。
[0066]圖8(a)是在沉積速率1.2nm/s、θ v=89度時,搭配基板轉(zhuǎn)速1rpm,所得銀納米直柱/ 二氧化硅納米直柱/銀納米直柱的掃描式電子顯微鏡上視圖。圖8(b)是所得銀納米直柱直徑D分布圖，單層銀納米直柱高度L=250nm。
[0067]圖9及圖10是由圖8(a)結(jié)構(gòu)所分別量測的x與y偏極入射光的穿透率(T)、反射率(R)與吸收率(A)的光譜圖；由圖9及圖10可知，此銀納米直柱結(jié)構(gòu)具有非偏極相關(guān)(即，與偏極態(tài)無關(guān))的光譜特性，其吸收率在波長400nm-850nm范圍下皆超過57%。
[0068]圖11為利用銀納米直柱/ 二氧化硅納米直柱/銀納米直柱多層納米直柱結(jié)構(gòu)做為SERS基板，利用功率10mW的532nm鐳射為激發(fā)光源，測濃度10_4M(若丹明Rhodamine, R6G)在銀納米直柱表面的不同位置(s0，sl，s2)的拉曼光譜圖；其中鐳射激發(fā)光源在納米結(jié)構(gòu)上的光點大小為I μ m。s0分布圖為參考點的拉曼光譜圖，Si分布圖為距離參考點sOlOOym的拉曼光譜圖，s2分布圖為距離參考點s0200 μ m的拉曼光譜圖，由圖11可知，圖3(c)的多層納米直柱結(jié)構(gòu)亦可提供增強且穩(wěn)定的SERS信號。
【權(quán)利要求】
1.一種至少具有金屬納米直柱結(jié)構(gòu)的表面增強拉曼光譜(SERS)基板的制造方法，其特征在于，包含: 以斜向角度沉積法搭配基板的旋轉(zhuǎn)，在基板上制作金屬納米直柱結(jié)構(gòu)，納米直柱結(jié)構(gòu)具有一組態(tài)，納米直柱結(jié)構(gòu)成長完成后是大約平行于基板法線方向。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，組態(tài)選自包含: (a)金屬/基板， (b)金屬/介電質(zhì)/基板， (C)金屬/介電質(zhì)/金屬/基板， (d)金屬材料一/金屬材料二 /基板， (e)金屬/介電質(zhì)/金屬/介電質(zhì)/基板， (f)金屬/金屬/周期性結(jié)構(gòu)的種子層/基板，與 (g)金屬/介電質(zhì)/周期性結(jié)構(gòu)的種子層/基板， 以上各項所構(gòu)成的群組。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于制作參數(shù)范圍為(a)沉積角度于0-90deg間，(b)沉積速率于 0.0lnm/s-lOOnm/s 間，(c)基板轉(zhuǎn)速為 0.0lrpm-1OOOrpm 間。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述金屬材料選自可增強拉曼信號材料所組成的群組，包含金(Au),銀(Ag),銅(Cu),或鋁(Al),鋰(Li),鈀(Pd),鉬(Pt)。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于納米直柱結(jié)構(gòu)制作在具有周期性、非周期性結(jié)構(gòu)的基板的上或周期性結(jié)構(gòu)的種子層/基板的上。
6.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于其中金屬或介電質(zhì)納米直柱結(jié)構(gòu)的 (a)納米直柱直徑:1nm-L5 μ m, (b)兩相鄰納米直柱的中心點至中心點的距離:10nm-1.5ym， (c)直柱總高度:10nm-5ym。
7.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于種子層可選自介電質(zhì)或光阻材料，基板可選自與所制作金屬/介電質(zhì)粘著性佳的材料，包含娃晶圓(silicon wafer),亞克力(PMMA)，玻璃(glass), PET, Al2O3, PC0
8.—種表面增強拉曼光譜(SERS)感測基板，其特征在于，包含: 一基板； 成長于基板上的至少單層金屬納米直柱結(jié)構(gòu)，納米直柱結(jié)構(gòu)具有一組態(tài)，納米直柱結(jié)構(gòu)成長完成后是大約平行于基板法線方向。
9.如權(quán)利要求8所述的表面增強拉曼光譜感測基板，其特征在于組態(tài)選自包含: (a)金屬/基板， (b)金屬/介電質(zhì)/基板， (C)金屬/介電質(zhì)/金屬/基板， (d)金屬材料一/金屬材料二 /基板， (e)金屬/介電質(zhì)/金屬/介電質(zhì)/基板， (f)金屬/金屬/周期性結(jié)構(gòu)的種子層/基板，與 (g)金屬/介電質(zhì)/周期性結(jié)構(gòu)的種子層/基板， 以上各項所構(gòu)成的群組。
10.一種具有金屬搭配介電質(zhì)納米直柱結(jié)構(gòu)的表面增強拉曼光譜(SERS)基板的制造方法，其特征在于，包含: 以斜向角度沉積法搭配基板的旋轉(zhuǎn)，在基板上制作金屬/介電材料堆迭的多層納米直柱結(jié)構(gòu)，納米直柱結(jié)構(gòu)具有一組態(tài)，納米直柱結(jié)構(gòu)成長完成后是大約平行于基板法線方向。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于所述金屬材料選自可增強拉曼信號材料所組成的群組，包含金(Au),銀(Ag),銅(Cu)或鋁(Al),鋰(Li),鈀(Pd),鉬(Pt)介電質(zhì)材料可選自與金屬材料連接性佳的高穿透率材料，包含S12, Ta2O5, ZnS, T12, Al2O5, MgF2。
12.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于組態(tài)選自包含: (a)金屬/介電質(zhì)/基板， (b)金屬/介電質(zhì)/金屬/基板， (C)金屬材料一 /金屬材料二 /基板， (d)金屬/介電質(zhì)/金屬/介電質(zhì)/基板， (e)金屬/金屬/周期性結(jié)構(gòu)的種子層/基板，與 (f)金屬/介電質(zhì)/周期性結(jié)構(gòu)的種子層/基板， 以上各項所構(gòu)成的群組。
13.—種表面增強拉曼光譜(SERS)感測基板，其特征在于，包含: 一基板； 成長于基板上的多層金屬/介電質(zhì)材料搭配的納米直柱結(jié)構(gòu)，納米直柱結(jié)構(gòu)具有一組態(tài)，納米直柱結(jié)構(gòu)成長完成后是大約平行于基板法線方向。
14.如權(quán)利要求13所述的表面增強拉曼光譜感測基板，其特征在于組態(tài)選自包含: (a)金屬/介電質(zhì)/基板， (b)金屬/介電質(zhì)/金屬/基板， (C)金屬材料一 /金屬材料二 /基板， (d)金屬/介電質(zhì)/金屬/介電質(zhì)/基板，與 (e)金屬(或介電質(zhì))/金屬(或介電質(zhì))/周期性結(jié)構(gòu)的種子層/基板，與 (f)金屬/介電質(zhì)/周期性結(jié)構(gòu)的種子層/基板， 以上各項所構(gòu)成的群組。
【文檔編號】G01N21/65GK104280376SQ201310289016
【公開日】2015年1月14日 申請日期:2013年7月10日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月10日
【發(fā)明者】任貽均, 游竟維 申請人:任貽均, 汎鍶科藝股份有限公司