一種肖特基型中子探測(cè)器及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明一種肖特基型中子探測(cè)器及其制作方法，涉及中子輻射的測(cè)量，是氮化鎵中子探測(cè)器，自下至上包括歐姆接觸、n+摻雜氮化鎵層、氮化鎵厚膜基底、肖特基接觸、保護(hù)環(huán)和6LiF中子轉(zhuǎn)換層，其中，n+摻雜氮化鎵層形成在氮化鎵厚膜基底的氮極性面，歐姆接觸被制作在n+摻雜氮化鎵層上面，肖特基接觸被制作在氮化鎵厚膜基底的鎵極性面上的中間部分，保護(hù)環(huán)被制作在氮化鎵厚膜基底的鎵極性面上肖特基接觸四周的環(huán)形部分，6LiF中子轉(zhuǎn)換層被制作在肖特基接觸的上面，位于肖特基接觸的中央部位。本發(fā)明克服了現(xiàn)有技術(shù)的中子探測(cè)器不能用于核反應(yīng)堆、高能物理實(shí)驗(yàn)和外太空的高溫、高壓和強(qiáng)輻射極端環(huán)境中的缺陷。
【專利說明】一種肖特基型中子探測(cè)器及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明的技術(shù)方案涉及中子輻射的測(cè)量，具體地說是一種肖特基型中子探測(cè)器及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]中子探測(cè)在核醫(yī)學(xué)及臨床診斷、核電站安全檢測(cè)系統(tǒng)、環(huán)境檢測(cè)系統(tǒng)、核爆及核材料探測(cè)、空間物理學(xué)、航天航空和工業(yè)技術(shù)等眾多領(lǐng)域都有著極其廣泛的應(yīng)用。常見的中子探測(cè)器主要包括氣體探測(cè)器、閃爍體探測(cè)器，由砷化鎵或硅材料制成的半導(dǎo)體探測(cè)器。這幾類探測(cè)器雖然已經(jīng)實(shí)用化，但隨著溫度的升高和輻射強(qiáng)度的增大，其探測(cè)性能會(huì)急劇下降，因而不能用于核反應(yīng)堆、高能物理實(shí)驗(yàn)和外太空的高溫、高壓和強(qiáng)輻射極端環(huán)境中。為了突破輻射監(jiān)測(cè)領(lǐng)域中子探測(cè)器抗高溫和耐輻照的瓶頸，迫切地需要可工作于上述惡劣環(huán)境的中子探測(cè)器。
[0003]氮化鎵作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料的典型代表，具有化學(xué)性能穩(wěn)定、禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)高、介電常數(shù)低、載流子飽和漂移速度高、耐腐蝕和抗輻射等一系列優(yōu)點(diǎn)，其性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于硅和砷化鎵，是制備半導(dǎo)體輻射探測(cè)器的理想材料，也是強(qiáng)輻射環(huán)境下的首選材料。
[0004]當(dāng)前基于氮化鎵材料的探測(cè)器研究主要集中在光電探測(cè)領(lǐng)域，氮化鎵核輻射探測(cè)器的研究僅處于起步階段，相關(guān)報(bào)道很少見到，只有G.Wang et al.在NuclearInstruments and Methods in Physics Research A663 (2012) 10 - 13 上報(bào)道了一種 a 離子探測(cè)器，截止目前還沒有見到關(guān)于氮化鎵中子探測(cè)器的相關(guān)文獻(xiàn)報(bào)道。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是:提供一種肖特基型中子探測(cè)器及其制作方法，是氮化鎵中子探測(cè)器，克服了現(xiàn)有技術(shù)的中子探測(cè)器不能用于核反應(yīng)堆、高能物理實(shí)驗(yàn)和外太空的高溫、高壓和強(qiáng)輻射極端環(huán)境中的缺陷。
[0006]本發(fā)明解決該技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:一種肖特基型中子探測(cè)器，是氮化鎵中子探測(cè)器，自下至上包括歐姆接觸、n+摻雜氮化鎵層、氮化鎵厚膜基底、肖特基接觸、保護(hù)環(huán)和6LiF中子轉(zhuǎn)換層，其中，n+摻雜氮化鎵層形成在氮化鎵厚膜基底的氮極性面，歐姆接觸被制作在n+摻雜氮化鎵層上面，肖特基接觸被制作在氮化鎵厚膜基底的鎵極性面上的中間部分，保護(hù)環(huán)被制作在氮化鎵厚膜基底的鎵極性面上肖特基接觸四周的環(huán)形部分，6LiF中子轉(zhuǎn)換層被制作在肖特基接觸的上面，位于肖特基接觸的中央部位。
[0007]上述一種肖特基型中子探測(cè)器，所述氮化鎵厚膜基底的厚度為300um~400um，電阻率介于106 Q ? cm~109 Q.cm之間。
[0008]上述一種肖特基型中子探測(cè)器，所述歐姆接觸是厚度分別為IOnm/200nm/20nm/300nm 的 Ti/Al/Ni/Au 層。
[0009]上述一種肖特基型中子探測(cè)器，所述肖特基接觸是厚度分別為20nm/300nm的Ni/Au層。
[0010]上述一種肖特基型中子探測(cè)器，所述保護(hù)環(huán)是厚度分別為20nm/300nm的Ni/Au層。
[0011]上述一種肖特基型中子探測(cè)器，所述肖特基接觸和保護(hù)環(huán)之間的距離為50um~lOOum。
[0012]上述一種肖特基型中子探測(cè)器，所述6LiF中子轉(zhuǎn)換層的厚度為2um~3um。
[0013]上述一種肖特基型中子探測(cè)器，所述的上下方位是就附圖1所示的上下方位而言(下同)。 [0014]上述一種肖特基型中子探測(cè)器的制備方法，步驟是:
[0015]第一步，氣化嫁厚I旲基底的選定
[0016]選擇用HVPE方法生長的氮化鎵厚膜作為氮化鎵厚膜基底，其厚度為300um~400um,電阻率介于106 Q ? cm~109 Q ? cm之間；
[0017]第二步，n+摻雜氮化鎵層的形成
[0018]在第一步選定的氮化鎵厚膜基底的氮極性面注入Si離子，注入溫度是室溫，能量是50kev~60kev，激活溫度為1200°C，激活時(shí)間為100秒~150秒，Si摻雜濃度為IO16CnT2~IO17CnT2,由此形成n+摻雜氮化鎵層；
[0019]第三步，歐姆接觸的形成
[0020]在第二步形成的n+氮化鎵層上依次蒸發(fā)Ti/Al/Ni/Au層，厚度分別為IOnm/200nm/20nm/300nm,退火后形成歐姆接觸；
[0021]第四步，肖特基接觸和保護(hù)環(huán)的形成
[0022]在第一步選定的氮化鎵厚膜基底的鎵極性面，先光刻出肖特基接觸區(qū)窗口和保護(hù)環(huán)窗口，再依次蒸發(fā)厚度分別為20nm/300nm的Ni/Au層，剝離后形成厚度分別為20nm/300nm的Ni/Au層的肖特基接觸和厚度分別為20nm/300nm的Ni/Au層的保護(hù)環(huán)，肖特基接觸和保護(hù)環(huán)之間的距離為50um~IOOum ；
[0023]第五步，6LiF中子轉(zhuǎn)換層的形成
[0024]在第四步完成之后，光刻打開6LiF中子轉(zhuǎn)換層窗口，用磁控濺射方法沉積6LiF,厚度為2um~3um,由此形成厚度為2um~3um的6LiF中子轉(zhuǎn)換層；
[0025]第六步，制成肖特基型中子探測(cè)器
[0026]將經(jīng)第一步到第五步制成的器件再經(jīng)鈍化和封裝后制成肖特基型中子探測(cè)器。
[0027]上述一種肖特基型中子探測(cè)器的制備方法，其中所用的原材料均通過商購獲得，所用的工藝的操作方法均是本【技術(shù)領(lǐng)域】所公知的，HVPE方法的中文為氫化物氣相外延方法。
[0028]本發(fā)明的有益效果是:與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的顯著進(jìn)步和突出的實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)是:
[0029](I)本發(fā)明一種肖特基型中子探測(cè)器的基本工作原理是:輻射場(chǎng)中的熱中子與轉(zhuǎn)換層中的Li發(fā)生Li (n，a )?核反應(yīng)，生成能量分別為2.73MeV和2.05MeV的高能氚核與a，這兩種粒子進(jìn)入氮化鎵肖特基二極管的探測(cè)靈敏區(qū)，與氮化鎵晶格作用，產(chǎn)生與帶電粒子能量成正比的e-h對(duì)，在外加偏壓作用下，電子發(fā)生定向運(yùn)動(dòng)，形成電流信號(hào)，經(jīng)終端處理后，得到輻射場(chǎng)中子的相關(guān)信息。[0030](2)本發(fā)明充分利用了氮化鎵材料的特征，探測(cè)靈敏度高，抗輻射能力強(qiáng)，穩(wěn)定性好，可用于高溫和強(qiáng)輻射的環(huán)境中，因而克服了現(xiàn)有技術(shù)的中子探測(cè)器不能用于核反應(yīng)堆、高能物理實(shí)驗(yàn)和外太空的高溫、高壓和強(qiáng)輻射極端環(huán)境中的缺陷。
[0031](3)本發(fā)明一種肖特基型中子探測(cè)器的制備方法，采用HVPE方法生長的襯底已剝離的半絕緣氮化鎵厚膜為基底，該HVPE方法生長速度快，工藝成熟，成本低。
[0032](4)在本發(fā)明一種肖特基型中子探測(cè)器的制備方法中，將歐姆接觸和肖特基接觸分別制作在氮化鎵厚膜基底的兩個(gè)不同極性面上，省去了深槽等離子刻蝕的工藝過程，簡(jiǎn)化了工藝流程，降低了制作成本。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0033]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說明。
[0034]圖1為本發(fā)明一種肖特基型中子探測(cè)器的剖面圖。
[0035]圖2為本發(fā)明一種肖特基型中子探測(cè)器的俯視圖。
[0036]圖中，1.氮化鎵厚膜基底，2.n+摻雜氮化鎵層，3.肖特基接觸，4.保護(hù)環(huán)，5.歐姆接觸，6.6LiF中子轉(zhuǎn)換層。
【具體實(shí)施方式】
[0037]圖1所示實(shí)施例表明，本發(fā)明一種肖特基型中子探測(cè)器由氮化鎵厚膜基底l、n+摻雜氮化鎵層2、歐姆接觸5、肖特基接觸3、保護(hù)環(huán)4和6LiF中子轉(zhuǎn)換層6構(gòu)成。其中，n+摻雜氮化鎵層2形成在氮化鎵厚膜基底I的氮極性面，歐姆接觸5被制作在n+摻雜氮化鎵層2上面，肖特基接觸3被 制作在氮化鎵厚膜基底I的鎵極性面上的中間部分，保護(hù)環(huán)4被制作在氮化鎵厚膜基底I的鎵極性面上的肖特基接觸3四周的環(huán)形部分，6LiF中子轉(zhuǎn)換層6被制作在肖特基接觸3的上面。
[0038]圖2所示實(shí)施例表明，本發(fā)明一種肖特基型中子探測(cè)器中的保護(hù)環(huán)4呈環(huán)狀，保護(hù)環(huán)4內(nèi)部有肖特基接觸3，6LiF中子轉(zhuǎn)換層6位于肖特基接觸3的中央部位。
[0039]實(shí)施例1
[0040]第一步，氣化嫁厚I吳基底的選定
[0041]選擇用HVPE方法生長的氮化鎵厚膜作為氮化鎵厚膜基底，其厚度為300um，電阻率介于106 Q ? cm~109 Q ? cm之間；
[0042]第二步，n+摻雜氮化鎵層的形成
[0043]在第一步選定的氮化鎵厚膜基底的氮極性面注入Si離子，注入溫度是室溫，能量是50kev，激活溫度為1200°C，激活時(shí)間為100秒，Si摻雜濃度為1016cm_2，由此形成n+摻雜氮化鎵層；
[0044]第三步，歐姆接觸的形成
[0045]在第二步形成的n+氮化鎵層上依次蒸發(fā)Ti/Al/Ni/Au，厚度分別為IOnm/200nm/20nm/300nm,退火后形成歐姆接觸；
[0046]第四步，肖特基接觸和保護(hù)環(huán)的形成
[0047]在第一步選定的氮化鎵厚膜基底的鎵極性面，先光刻出肖特基接觸區(qū)窗口和保護(hù)環(huán)窗口，再依次蒸發(fā)厚度分別為20nm/300nm的Ni/Au層，剝離后形成厚度分別為20nm/300nm的Ni/Au層的肖特基接觸和厚度分別為20nm/300nm的Ni/Au層的保護(hù)環(huán)，肖特基接觸和保護(hù)環(huán)之間的距離為50um ；
[0048]第五步，6LiF中子轉(zhuǎn)換層的形成
[0049]在第四步完成之后，光刻打開6LiF中子轉(zhuǎn)換層層窗口，用磁控濺射方法沉積6LiF,厚度為2um，由此形成厚度為2um的6LiF中子轉(zhuǎn)換層；
[0050]第六步，制成中子探測(cè)器
[0051]將經(jīng)第一步到第五步制成的器件再經(jīng)鈍化和封裝后制成肖特基型中子探測(cè)器。
[0052]本實(shí)施例制得的一種肖特基型中子探測(cè)器是氮化鎵中子探測(cè)器，自下至上包括厚度分別為10nm/200nm/20nm/300nm的Ti/Al/Ni/Au層的歐姆接觸5、n+摻雜氮化鎵層2、厚度為300um和電阻率介于106Q.Cm~109 Q.cm之間的氮化鎵厚膜基底1、厚度分別為20nm/300nm的Ni/Au層的肖特基接觸3、厚度分別為20nm/300nm的Ni/Au層的保護(hù)環(huán)4和厚度為2um的6LiF中子轉(zhuǎn)換層6。其中，n+摻雜氮化鎵層2形成在氮化鎵厚膜基底I的氮極性面，歐姆接觸5被制作在n+摻雜氮化鎵層2上面，肖特基接觸3被制作在氮化鎵厚膜基底I的鎵極性面上的中間部分，保護(hù)環(huán)4被制作在氮化鎵厚膜基底I的鎵極性面上肖特基接觸3四周的環(huán)形部分，肖特基接觸3和保護(hù)環(huán)4之間的距離為50um，6LiF中子轉(zhuǎn)換層6被制作在肖特基接觸3的上面，位于肖特基接觸3的中央部位。
[0053]實(shí)施例2
[0054]第一步，氣化嫁厚I吳基底的選定
[0055]選擇用HVPE方法生長的氮化鎵厚膜作為氮化鎵厚膜基底，其厚度為350um，電阻率介于106 Q ? cm~109 Q ? cm之間；
[0056]第二步，n+摻雜氮化鎵層的形成
[0057]在第一步選定的氮化鎵厚膜基底的氮極性面注入Si離子，注入溫度是室溫，能量是55kev，激活溫度為1200°C，激活時(shí)間為125秒，Si摻雜濃度為1016 5cm_2，由此形成n+摻雜氮化鎵層；
[0058]第三步，歐姆接觸的形成
[0059]在第二步形成的n+氮化鎵層上依次蒸發(fā)Ti/Al/Ni/Au，厚度分別為IOnm/200nm/20nm/300nm,退火后形成歐姆接觸；
[0060]第四步，肖特基接觸和保護(hù)環(huán)的形成
[0061]在第一步選定的氮化鎵厚膜基底的鎵極性面，先光刻出肖特基接觸區(qū)窗口和保護(hù)環(huán)窗口，再依次蒸發(fā)厚度分別為20nm/300nm的Ni/Au層，剝離后形成厚度分別為20nm/300nm的Ni /Au層的肖特基接觸和厚度分別為20nm/300nm的Ni/Au層的保護(hù)環(huán)，肖特基接觸和保護(hù)環(huán)之間的距離為75um ；
[0062]第五步，6LiF中子轉(zhuǎn)換層的形成
[0063]在第四步完成之后，光刻打開6LiF中子轉(zhuǎn)換層窗口，用磁控濺射方法沉積6LiF,厚度為2.5um,由此形成厚度為2.5um的6LiF中子轉(zhuǎn)換層；
[0064]第六步，制成中子探測(cè)器
[0065]將經(jīng)第一步到第五步制成的器件再經(jīng)鈍化和封裝后制成肖特基型中子探測(cè)器。
[0066]本實(shí)施例制得的一種肖特基型中子探測(cè)器是氮化鎵中子探測(cè)器，自下至上包括厚度分別為10nm/200nm/20nm/300nm的Ti/Al/Ni/Au層的歐姆接觸5、n+摻雜氮化鎵層2、厚度為350um和電阻率介于106Q.cm~109Q.cm之間的氮化鎵厚膜基底1、厚度分別為20nm/300nm的Ni/Au層的肖特基接觸3、厚度分別為20nm/300nm的Ni/Au層的保護(hù)環(huán)4和厚度為2.5um的6LiF中子轉(zhuǎn)換層6。其中，n+摻雜氮化鎵層2形成在氮化鎵厚膜基底I的氮極性面，歐姆接觸5被制作在n+摻雜氮化鎵層2上面，肖特基接觸3被制作在氮化鎵厚膜基底I的鎵極性面上的中間部分，保護(hù)環(huán)4被制作在氮化鎵厚膜基底I的鎵極性面上肖特基接觸3四周的環(huán)形部分，肖特基接觸3和保護(hù)環(huán)4之間的距離為75um，6LiF中子轉(zhuǎn)換層6被制作在肖特基接觸3的上面，位于肖特基接觸3的中央部位。
[0067]實(shí)施例3
[0068]第一步，氣化嫁厚I吳基底的選定
[0069]選擇用HVPE方法生長的氮化鎵厚膜作為氮化鎵厚膜基底，其厚度為400um，電阻率介于106 Q ? cm~109 Q ? cm之間；
[0070]第二步，n+摻雜氮化鎵層的形成
[0071]在第一步選定的氮化鎵厚膜基底的氮極性面注入Si離子，注入溫度是室溫，能量是60kev，激活溫度為1200°C，激活時(shí)間為150秒，Si摻雜濃度為1017cm_2，由此形成n+摻雜氮化鎵層；
[0072]第三步，歐姆接觸的形成
[0073]在第二步形成的n+氮化鎵層上依次蒸發(fā)Ti/Al/Ni/Au，厚度分別為IOnm/200nm/20nm/300nm,退火后形成歐姆接觸；
[0074]第四步，肖特基接觸和保護(hù)環(huán)的形成
[0075]在第一步選定的氮化鎵厚膜基底的鎵極性面，先光刻出肖特基接觸區(qū)窗口和保護(hù)環(huán)窗口，再依次厚度分別為20nm/300nm的蒸發(fā)Ni/Au層，剝離后形成厚度分別為20nm/300nm的Ni/Au層的肖特基接觸和厚度分別為20nm/300nm的Ni/Au層的保護(hù)環(huán)，肖特基接觸和保護(hù)環(huán)之間的距離為IOOum ；
[0076]第五步，6LiF中子轉(zhuǎn)換層的形成
[0077]在第四步完成之后，光刻打開6LiF中子轉(zhuǎn)換層窗口，用磁控濺射方法沉積6LiF,厚度為3um，由此形成厚度為3um的6LiF中子轉(zhuǎn)換層；
[0078]第六步，制成中子探測(cè)器
[0079]將經(jīng)第一步到第五步制成的器件再經(jīng)鈍化和封裝后制成肖特基型中子探測(cè)器。
[0080]本實(shí)施例制得的一種肖特基型中子探測(cè)器是氮化鎵中子探測(cè)器，自下至上包括厚度分別為10nm/200nm/20nm/300nm的Ti/Al/Ni/Au層的歐姆接觸5、n+摻雜氮化鎵層2、厚度為400um和電阻率介于106Q.Cm~109Q.Cm之間的氮化鎵厚膜基底1、厚度分別為20nm/300nm的Ni/Au層的肖特基接觸3、厚度分別為20nm/300nm的Ni/Au層的保護(hù)環(huán)4和厚度為3um的6LiF中子轉(zhuǎn)換層6。其中，n+摻雜氮化鎵層2形成在氮化鎵厚膜基底I的氮極性面，歐姆接觸5被制作在n+摻雜氮化鎵層2上面，肖特基接觸3被制作在氮化鎵厚膜基底I的鎵極性面上的中間部分，保護(hù)環(huán)4被制作在氮化鎵厚膜基底I的鎵極性面上肖特基接觸3四周的環(huán)形部分，肖特基接觸3和保護(hù)環(huán)4之間的距離為lOOum，6LiF中子轉(zhuǎn)換層6被制作在肖特基接觸3的上面，位于肖特基接觸3的中央部位。
[0081]上述實(shí)施例中所用的原材料均通過商購獲得，所用的工藝的操作方法均是本【技術(shù)領(lǐng)域】所公知的。
【權(quán)利要求】
1.一種肖特基型中子探測(cè)器，其特征在于:是氮化鎵中子探測(cè)器，自下至上包括歐姆接觸、n+摻雜氮化鎵層、氮化鎵厚膜基底、肖特基接觸、保護(hù)環(huán)和6LiF中子轉(zhuǎn)換層，其中，n+摻雜氮化鎵層形成在氮化鎵厚膜基底的氮極性面，歐姆接觸被制作在n+摻雜氮化鎵層上面，肖特基接觸被制作在氮化鎵厚膜基底的鎵極性面上的中間部分，保護(hù)環(huán)被制作在氮化鎵厚膜基底的鎵極性面上肖特基接觸四周的環(huán)形部分，6LiF中子轉(zhuǎn)換層被制作在肖特基接觸的上面，位于肖特基接觸的中央部位。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所說一種肖特基型中子探測(cè)器，其特征在于:所述氮化鎵厚膜基底的厚度為300um~400um,電阻率介于106 Q ? cm~109 Q.cm之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所說一種肖特基型中子探測(cè)器，其特征在于:所述歐姆接觸是厚度分別為 10nm/200nm/20nm/300nm 的 Ti/Al/Ni/Au 層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所說一種肖特基型中子探測(cè)器，其特征在于:所述肖特基接觸是厚度分別為20nm/300nm的Ni/Au層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所說一種肖特基型中子探測(cè)器，其特征在于:所述保護(hù)環(huán)是厚度分別為 20nm/300nm 的 Ni/Au 層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所說一種肖特基型中子探測(cè)器，其特征在于:所述肖特基接觸和保護(hù)環(huán)之間的距離為50um~lOOum。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所說一種肖特基型中子探測(cè)器，其特征在于:所述6LiF中子轉(zhuǎn)換層的厚度為2um~3um。
8.權(quán)利要求所說一種肖特基型中子探測(cè)器的制備方法，其特征在于步驟是: 第一步，氮化鎵厚膜基底的選定 選擇用HVPE方法生長的氮化鎵厚膜作為氮化鎵厚膜基底，其厚度為300um~400um，電阻率介于106 Q ? cm~109 Q ? cm之間； 第二步，n+摻雜氮化鎵層的形成 在第一步選定的氮化鎵厚膜基底的氮極性面注入Si離子，注入溫度是室溫，能量是50kev~60kev，激活溫度為1200°C，激活時(shí)間為100秒~150秒，Si摻雜濃度為IO16CnT2~IO17CnT2,由此形成n+摻雜氮化鎵層； 第三步，歐姆接觸的形成 在第二步形成的n+氮化鎵層上依次蒸發(fā)Ti/Al/Ni/Au層，厚度分別為IOnm/200nm/20nm/300nm,退火后形成歐姆接觸； 第四步，肖特基接觸和保護(hù)環(huán)的形成 在第一步選定的氮化鎵厚膜基底的鎵極性面，先光刻出肖特基接觸區(qū)窗口和保護(hù)環(huán)窗口，再依次蒸發(fā)厚度分別為20nm/300nm的Ni/Au層，剝離后形成厚度分別為20nm/300nm的Ni/Au層的肖特基接觸和厚度分別為20nm/300nm的Ni/Au層的保護(hù)環(huán)，肖特基接觸和保護(hù)環(huán)之間的距離為50um~IOOum ； 第五步，6LiF中子轉(zhuǎn)換層的形成 在第四步完成之后，光刻打開6LiF中子轉(zhuǎn)換層窗口，用磁控濺射方法沉積6LiF,厚度為2um~3um,由此形成厚度為2um~3um的6LiF中子轉(zhuǎn)換層； 第六步，制成肖特基型中子探測(cè)器 將經(jīng)第一步到第五步制成的器件經(jīng)鈍化和封裝后制成肖特基型中子探測(cè)器。
【文檔編號(hào)】G01T3/08GK103605150SQ201310513767
【公開日】2014年2月26日 申請(qǐng)日期:2013年10月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月26日
【發(fā)明者】張明蘭 申請(qǐng)人:河北工業(yè)大學(xué)