一種rfid讀寫(xiě)器老化測(cè)試輔助裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種RFID讀寫(xiě)器老化測(cè)試輔助裝置，包括MCU、繼電器、串口接口一、溫濕度傳感器接口、液晶顯示器、存儲(chǔ)器、擴(kuò)展存儲(chǔ)器、按鍵、報(bào)警器、電平轉(zhuǎn)換電路和串口接口二，繼電器控制電源的開(kāi)關(guān)，MCU通過(guò)串口接口一與老化箱內(nèi)的讀寫(xiě)器進(jìn)行通信，MCU通過(guò)溫濕度傳感器接口與老化箱內(nèi)的溫濕度傳感器連接，液晶顯示器與MCU連接并顯示測(cè)試信息，存儲(chǔ)器和擴(kuò)展存儲(chǔ)器與MCU連接并存儲(chǔ)測(cè)試信息，按鍵對(duì)MCU進(jìn)行測(cè)試操作，報(bào)警器與MCU連接并在在測(cè)試完成時(shí)啟動(dòng)報(bào)警，電平轉(zhuǎn)換電路連接在MCU與串口接口二之間進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換，串口接口二實(shí)現(xiàn)MCU與上位機(jī)的通信。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、使用便捷且效率高。
【專利說(shuō)明】—種RFID讀寫(xiě)器老化測(cè)試輔助裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及測(cè)量電變量【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其是一種RFID讀寫(xiě)器老化測(cè)試輔助裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]RFID讀寫(xiě)器老化測(cè)試，是指將成品讀寫(xiě)器放置到含有水蒸氣、高溫、低溫或高溫高濕綜合的環(huán)境中進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間的測(cè)試，觀察產(chǎn)品的耐濕、耐溫度、耐低溫或耐高濕高溫的性能，以期改進(jìn)產(chǎn)品設(shè)計(jì)，使產(chǎn)品符合多種惡劣環(huán)境下正常工作的需求。
[0003]傳統(tǒng)的RFID讀寫(xiě)器老化測(cè)試，多是用一根串口線一頭連接放置到老化箱中的讀寫(xiě)器，一頭連接到老化箱外PC機(jī)的串口上，進(jìn)行老化測(cè)試的時(shí)候，保持讀寫(xiě)器與PC機(jī)進(jìn)行通信，使用PC機(jī)上的上位機(jī)軟件進(jìn)行總次數(shù)和成功次數(shù)的累積。當(dāng)需要大批量進(jìn)行讀寫(xiě)器老化測(cè)試的時(shí)候，往往出現(xiàn)串口不夠使用而購(gòu)買(mǎi)大量的昂貴的串口轉(zhuǎn)接線和USB分線器的情況。而且進(jìn)行這種測(cè)試方法時(shí)，老化箱內(nèi)布線混亂，更換讀寫(xiě)器往往需要大量的時(shí)間。測(cè)試過(guò)程中，測(cè)試人員往往要用紙筆記錄下當(dāng)前的溫度和成功率等信息，一旦遭遇斷電或者測(cè)試人員疏忽等情況，又需重新開(kāi)始進(jìn)行老化測(cè)試，非常麻煩。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]本實(shí)用新型的發(fā)明目的在于:針對(duì)上述存在的問(wèn)題，提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、使用便捷及效率高的RFID讀寫(xiě)器老化測(cè)試輔助裝置。
[0005]本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案如下:
[0006]本實(shí)用新型提供一種RFID讀寫(xiě)器老化測(cè)試輔助裝置，包括MCU、繼電器、串口接口一、溫濕度傳感器接口、液晶顯示器、存儲(chǔ)器、擴(kuò)展存儲(chǔ)器、按鍵、報(bào)警器、電平轉(zhuǎn)換電路和串口接口二，所述繼電器控制電源的開(kāi)關(guān)，所述MCU通過(guò)串口接口一與老化箱內(nèi)的讀寫(xiě)器進(jìn)行通信，所述MCU通過(guò)溫濕度傳感器接口與老化箱內(nèi)的溫濕度傳感器連接，所述液晶顯示器與MCU連接并顯示測(cè)試信息，所述存儲(chǔ)器和擴(kuò)展存儲(chǔ)器與MCU連接并存儲(chǔ)測(cè)試信息，所述按鍵對(duì)MCU進(jìn)行測(cè)試操作，所述報(bào)警器與MCU連接并在在測(cè)試完成時(shí)啟動(dòng)報(bào)警，所述電平轉(zhuǎn)換電路連接在MCU與串口接口二之間進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換，所述串口接口二實(shí)現(xiàn)MCU與上位機(jī)的通信。
[0007]對(duì)上述方案進(jìn)行優(yōu)選，所述MCU采用MSP430F149單片機(jī)。
[0008]對(duì)上述方案進(jìn)行優(yōu)選，所述溫濕度傳感器接口為DHTll溫濕度傳感器接口。
[0009]對(duì)上述方案進(jìn)行優(yōu)選,所述液晶顯示器為IXD12864液晶顯示器。
[0010]對(duì)上述方案進(jìn)行優(yōu)選，所述存儲(chǔ)器和擴(kuò)展存儲(chǔ)器均為AT24C256存儲(chǔ)芯片。
[0011]對(duì)上述方案進(jìn)行優(yōu)選，所述電平轉(zhuǎn)換電路采用MAX3232收發(fā)器。
[0012]對(duì)上述方案進(jìn)行優(yōu)選，所述串口接口二采用DB9串口接口。
[0013]綜上所述，由于采用了上述技術(shù)方案，本實(shí)用新型的有益效果是:
[0014]1.本實(shí)用新型中與讀寫(xiě)器通信的串口接口一定制了一個(gè)與讀寫(xiě)器兼容的串口通信協(xié)議，其每一幀數(shù)據(jù)的起始幀和結(jié)束幀都與讀寫(xiě)器的相一致，因此，測(cè)試人員無(wú)需修改讀寫(xiě)器的任何代碼即可完成與老化測(cè)試輔助系統(tǒng)之間的通信。
[0015]2.本實(shí)用新型中的AT24C256存儲(chǔ)芯片可以存儲(chǔ)多達(dá)256KB的數(shù)據(jù)，其數(shù)據(jù)存儲(chǔ)形式為32768pageX8bit，即存儲(chǔ)空間為32768頁(yè)，每一頁(yè)含一個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)，存儲(chǔ)內(nèi)容的形式為“幀頭(I個(gè)字節(jié))+測(cè)試的編號(hào)(2個(gè)字節(jié))+被測(cè)試卡片的UID號(hào)(9個(gè)字節(jié))+溫濕度數(shù)據(jù)(2個(gè)字節(jié))+幀尾(I個(gè)字節(jié))”，則一片這樣的存儲(chǔ)芯片可以存儲(chǔ)多達(dá)2150的測(cè)試數(shù)據(jù)，這基本上滿足了測(cè)試測(cè)試的需要，多余的存儲(chǔ)空間將用來(lái)儲(chǔ)存測(cè)試的總次數(shù)、時(shí)間和成功率數(shù)據(jù)。
[0016]3.測(cè)試人員對(duì)本實(shí)用新型參數(shù)設(shè)置完成之后，無(wú)需進(jìn)行任何監(jiān)察和其他操作，只需等待測(cè)試結(jié)束后利用液晶顯示器查詢測(cè)試結(jié)果并進(jìn)行匯總即可。在突然遭遇斷電時(shí)，測(cè)試人員也無(wú)需進(jìn)行任何操作，本實(shí)用新型會(huì)在重新上電時(shí)自動(dòng)啟動(dòng)老化箱到上一次的斷點(diǎn)處繼續(xù)測(cè)試，完全解放了測(cè)試人員。而且這個(gè)裝置成本低、體積小、安裝方便，用戶只需要投入很少的資金就可以獲得很高的效率。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0017]本實(shí)用新型將通過(guò)例子并參照附圖的方式說(shuō)明，其中:
[0018]圖1是一種RFID讀寫(xiě)器老化測(cè)試輔助裝置的外部連接結(jié)構(gòu)框圖；
[0019]圖2是一種RFID讀寫(xiě)器老化測(cè)試輔助裝置的內(nèi)部連接結(jié)構(gòu)框圖。
【具體實(shí)施方式】
[0020]本說(shuō)明書(shū)中公開(kāi)的所有特征，或公開(kāi)的所有方法或過(guò)程中的步驟，除了互相排斥的特征和/或步驟以外，均可以以任何方式組合。
[0021]下面結(jié)合圖1、圖2對(duì)本實(shí)用新型作詳細(xì)說(shuō)明。
[0022]一種RFID讀寫(xiě)器老化測(cè)試輔助裝置，包括MCU、繼電器、串口接口一、溫濕度傳感器接口、液晶顯示器、存儲(chǔ)器、擴(kuò)展存儲(chǔ)器、按鍵、報(bào)警器、電平轉(zhuǎn)換電路和串口接口二，所述繼電器控制電源的開(kāi)關(guān)，所述MCU通過(guò)串口接口一與老化箱內(nèi)的讀寫(xiě)器進(jìn)行通信，所述MCU通過(guò)溫濕度傳感器接口與老化箱內(nèi)的溫濕度傳感器連接，所述液晶顯示器與MCU連接并顯示測(cè)試信息，所述存儲(chǔ)器和擴(kuò)展存儲(chǔ)器與MCU連接并存儲(chǔ)測(cè)試信息，所述按鍵對(duì)MCU進(jìn)行測(cè)試操作，所述報(bào)警器與MCU連接并在在測(cè)試完成時(shí)啟動(dòng)報(bào)警，所述電平轉(zhuǎn)換電路連接在MCU與串口接口二之間進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換，所述串口接口二實(shí)現(xiàn)MCU與上位機(jī)的通信。
[0023]所述MCU采用MSP430F149單片機(jī)。
[0024]所述溫濕度傳感器接口為DHTl I溫濕度傳感器接口。
[0025]所述液晶顯示器為IXD12864液晶顯示器。
[0026]所述存儲(chǔ)器和擴(kuò)展存儲(chǔ)器均為AT24C256存儲(chǔ)芯片。
[0027]所述電平轉(zhuǎn)換電路采用MAX3232收發(fā)器。
[0028]所述串口接口二采用DB9串口接口。
[0029]本實(shí)施例中的RFID讀寫(xiě)器老化測(cè)試輔助裝置使用耐高溫高濕的延長(zhǎng)線將DHTll溫濕度傳感器連接到老化測(cè)試箱中，通過(guò)串口接口一使用串口連接線與被放置在老化箱內(nèi)的被測(cè)試讀寫(xiě)器連接，測(cè)試人員手動(dòng)設(shè)置測(cè)試的時(shí)間和次數(shù)，或直接采用保存在EEPROM里面的上一次的設(shè)置值進(jìn)行測(cè)試。該裝置開(kāi)始輔助老化測(cè)試后，將通過(guò)繼電器啟動(dòng)老化箱電源，RFID讀寫(xiě)器老化測(cè)試輔助系統(tǒng)將逐一接收讀寫(xiě)器傳送過(guò)來(lái)的測(cè)試數(shù)據(jù)，并按照“幀頭(I個(gè)字節(jié))+測(cè)試的編號(hào)(2個(gè)字節(jié))+被測(cè)試卡片的UID號(hào)(9個(gè)字節(jié))+幀尾(I個(gè)字節(jié))”的形式保存在EEPROM中，同時(shí)保存測(cè)試的總次數(shù)和成功率，一旦測(cè)試次數(shù)或測(cè)試時(shí)間到達(dá)指定值，則會(huì)通過(guò)繼電器切斷老化箱電源，且通過(guò)報(bào)警器發(fā)出報(bào)警信號(hào)，提醒測(cè)試人員測(cè)試已經(jīng)結(jié)束。測(cè)試結(jié)束之后，測(cè)試人員通過(guò)串口接口二用串口線將PC機(jī)與老化測(cè)試輔助系統(tǒng)相連，讀取每一次的測(cè)試信息，也可以直接通過(guò)按鍵操作液晶顯示屏，顯示每個(gè)測(cè)試點(diǎn)的溫濕度對(duì)應(yīng)的通信成功率離散型分布圖，方便測(cè)試人員進(jìn)行測(cè)試結(jié)果匯總。
[0030]手動(dòng)設(shè)置
[0031]RFID讀寫(xiě)器老化測(cè)試輔助裝置上電后，測(cè)試人員根據(jù)液晶屏的提示，通過(guò)按鍵輸入測(cè)試的總次數(shù)或測(cè)試的總時(shí)間，即可完成設(shè)置，也可以根據(jù)保存在EEPROM存儲(chǔ)芯片中的上一次的測(cè)試值，自動(dòng)完成設(shè)置。
[0032]自動(dòng)完成
[0033]測(cè)試啟動(dòng)按鍵按下或者測(cè)試人員15秒鐘無(wú)按鍵動(dòng)作時(shí)，RFID讀寫(xiě)器老化測(cè)試輔助裝置將自動(dòng)通過(guò)繼電器啟動(dòng)老化測(cè)試箱。測(cè)試過(guò)程中，系統(tǒng)將逐一接收從老化測(cè)試箱中的讀寫(xiě)器發(fā)送過(guò)來(lái)的數(shù)據(jù)，同時(shí)接收DHTll溫濕度模塊發(fā)送過(guò)來(lái)的溫濕度數(shù)據(jù)，MCU將對(duì)這兩個(gè)數(shù)據(jù)進(jìn)行打包，存儲(chǔ)到EEPROM中，并統(tǒng)計(jì)測(cè)試的次數(shù)和時(shí)間，更新到EEPROM中。當(dāng)測(cè)試的總次數(shù)或時(shí)間到達(dá)指定值時(shí)，系統(tǒng)自動(dòng)通過(guò)繼電器切斷老化箱電源，并通過(guò)報(bào)警器發(fā)出報(bào)警信號(hào)，提醒測(cè)試人員當(dāng)前測(cè)試已經(jīng)結(jié)束。
[0034]結(jié)果分析
[0035]RFID讀寫(xiě)器老化測(cè)試輔助裝置根據(jù)每一次的結(jié)果計(jì)算每一次測(cè)試對(duì)應(yīng)的溫濕度數(shù)據(jù)和測(cè)試成功與否信息，并在液晶屏幕上顯示離散型分布圖。測(cè)試人員也可以使用串口連接線連接PC機(jī)與輔助裝置，通過(guò)上位機(jī)讀取存儲(chǔ)在EEPROM中的每一次測(cè)試的信息并自行分析。
[0036]本實(shí)用新型并不局限于前述的【具體實(shí)施方式】。本實(shí)用新型可擴(kuò)展到任何在本說(shuō)明書(shū)中披露的新特征或任何新的組合，以及披露的任一新的方法或過(guò)程的步驟或任何新的組
口 ο
【權(quán)利要求】
1.一種RFID讀寫(xiě)器老化測(cè)試輔助裝置，其特征在于:包括MCU、繼電器、串口接口一、溫濕度傳感器接口、液晶顯示器、存儲(chǔ)器、擴(kuò)展存儲(chǔ)器、按鍵、報(bào)警器、電平轉(zhuǎn)換電路和串口接口二，所述繼電器控制電源的開(kāi)關(guān)，所述MCU通過(guò)串口接口一與老化箱內(nèi)的讀寫(xiě)器進(jìn)行通信，所述MCU通過(guò)溫濕度傳感器接口與老化箱內(nèi)的溫濕度傳感器連接，所述液晶顯示器與MCU連接并顯示測(cè)試信息，所述存儲(chǔ)器和擴(kuò)展存儲(chǔ)器與MCU連接并存儲(chǔ)測(cè)試信息，所述按鍵對(duì)MCU進(jìn)行測(cè)試操作，所述報(bào)警器與MCU連接并在在測(cè)試完成時(shí)啟動(dòng)報(bào)警，所述電平轉(zhuǎn)換電路連接在MCU與串口接口二之間進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換，所述串口接口 二實(shí)現(xiàn)MCU與上位機(jī)的通信。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種RFID讀寫(xiě)器老化測(cè)試輔助裝置，其特征在于:所述MCU采用MSP430F149單片機(jī)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種RFID讀寫(xiě)器老化測(cè)試輔助裝置，其特征在于:所述溫濕度傳感器接口為DHTl I溫濕度傳感器接口。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種RFID讀寫(xiě)器老化測(cè)試輔助裝置，其特征在于:所述液晶顯示器為IXD12864液晶顯示器。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種RFID讀寫(xiě)器老化測(cè)試輔助裝置，其特征在于:所述存儲(chǔ)器和擴(kuò)展存儲(chǔ)器均為AT24C256存儲(chǔ)芯片。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種RFID讀寫(xiě)器老化測(cè)試輔助裝置，其特征在于:所述電平轉(zhuǎn)換電路采用MAX3232收發(fā)器。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種RFID讀寫(xiě)器老化測(cè)試輔助裝置，其特征在于:所述串口接口 二采用DB9串口接口。
【文檔編號(hào)】G01R31/00GK203688685SQ201320789622
【公開(kāi)日】2014年7月2日 申請(qǐng)日期:2013年12月5日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月5日
【發(fā)明者】劉海波, 鐘旭 申請(qǐng)人:成都天志大行信息科技有限公司