用于發(fā)射電磁輻射的裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明涉及用于發(fā)射電磁輻射的裝置（3），具有至少一個(gè)光學(xué)半導(dǎo)體元件（7）、至少一個(gè)光電二極管（5、8）和至少一個(gè)分束器（9、18），利用所述光學(xué)半導(dǎo)體元件能產(chǎn)生電磁輻射（19、20），其中所述分束器（9、18）相對(duì)于所述光學(xué)半導(dǎo)體元件（7）和所述光電二極管（5、8）被布置，使得由所述光學(xué)半導(dǎo)體元件（7）所產(chǎn)生的電磁輻射（19、20）的一部分（10）通過(guò)所述分束器（9、18）并且由所述光學(xué)半導(dǎo)體元件（7）所產(chǎn)生的電磁輻射（19、20）的另一部分（11）被所述分束器（9、18）反射并且被對(duì)準(zhǔn)所述光電二極管（5、8）。
【專(zhuān)利說(shuō)明】用于發(fā)射電磁輻射的裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]用于發(fā)射電磁輻射的裝置以多種多樣的設(shè)計(jì)方案而已知。相應(yīng)的裝置可用于不同的目的。

【背景技術(shù)】
[0002]例如，這樣的裝置可以作為輻射源被用于光譜目的。特別是可以因此執(zhí)行用于確定包含在流體中的物質(zhì)的濃度的吸收測(cè)量。包含在流體中的吸收電磁輻射的物質(zhì)的濃度和在穿過(guò)包含該吸收物質(zhì)的流體的情況下電磁輻射的強(qiáng)度的改變之間的通過(guò)朗伯-比爾定律所描述的相關(guān)性允許相對(duì)簡(jiǎn)單地確定包含在流體中的物質(zhì)的濃度。
[0003]被用于這樣的光譜測(cè)量的常規(guī)的用于發(fā)射電磁輻射的裝置通常具有發(fā)光二極管形式的光學(xué)半導(dǎo)體元件。發(fā)光二極管的輻射特性、特別是強(qiáng)度和分布在時(shí)間上和在空間上在該發(fā)光二極管的傳播時(shí)間期間不是恒定的并且依賴(lài)于多個(gè)環(huán)境條件。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的主題是一種用于發(fā)射電磁輻射的裝置，該裝置具有至少一個(gè)光學(xué)半導(dǎo)體元件、至少一個(gè)光電二極管和至少一個(gè)分束器，利用該光學(xué)半導(dǎo)體元件能產(chǎn)生電磁輻射，其中該分束器相對(duì)于該光學(xué)半導(dǎo)體元件和該光電二極管被布置，使得由該光學(xué)半導(dǎo)體元件所產(chǎn)生的電磁輻射的一部分通過(guò)該分束器并且由該光學(xué)半導(dǎo)體元件所產(chǎn)生的電磁輻射的另一部分被該分束器反射并且被對(duì)準(zhǔn)該光電二極管。
[0005]在得知分束器的相應(yīng)的反射系數(shù)或透射系數(shù)時(shí)，在根據(jù)本發(fā)明的裝置中可以通過(guò)由光學(xué)半導(dǎo)體元件所產(chǎn)生的電磁輻射的被對(duì)準(zhǔn)光電二極管的部分來(lái)確定由光學(xué)半導(dǎo)體元件所產(chǎn)生的電磁輻射的強(qiáng)度。由此可以檢測(cè)光學(xué)半導(dǎo)體元件的輻射特性的變化并且在該裝置被用于的相應(yīng)目的的情況下考慮該變化。因此可以借助該裝置執(zhí)行具有最高精度的光學(xué)測(cè)量。
[0006]該光學(xué)半導(dǎo)體元件例如可以被構(gòu)造為發(fā)光二極管(LED)或激光二極管(LD)、特別是表面發(fā)射器(VCSEL)。
[0007]根據(jù)一種有利的設(shè)計(jì)方案，分束器被設(shè)立用于使入射到該裝置中的電磁輻射對(duì)準(zhǔn)光電二極管或?qū)?zhǔn)該裝置的附加的光電二極管。據(jù)此，該裝置可以不僅被用于發(fā)射電磁輻射而且被用于檢測(cè)電磁輻射。如果入射到該裝置中的電磁輻射被對(duì)準(zhǔn)相同的光電二極管，由光學(xué)半導(dǎo)體元件所產(chǎn)生的電磁輻射的被分束器反射的部分也被對(duì)準(zhǔn)該光電二極管，那么由光學(xué)半導(dǎo)體元件所產(chǎn)生的電磁輻射優(yōu)選地被調(diào)制，使得射到該光電二極管上的電磁輻射可以相互被區(qū)分。入射到該裝置中的電磁輻射例如可以通過(guò)由光學(xué)半導(dǎo)體元件所產(chǎn)生的電磁輻射的通過(guò)分束器的部分與至少一種包含在流體中的物質(zhì)的相互作用來(lái)影響。由此可以分析該物質(zhì)。
[0008]根據(jù)另一種有利的設(shè)計(jì)方案，該裝置具有至少一個(gè)被布置在光學(xué)半導(dǎo)體元件和分束器之間的光學(xué)透鏡。有利地，該光學(xué)透鏡通過(guò)布置多個(gè)微透鏡來(lái)構(gòu)成。該光學(xué)透鏡可以被構(gòu)造用于由光學(xué)半導(dǎo)體元件所產(chǎn)生的電磁輻射的聚束。特別是可以利用光學(xué)透鏡產(chǎn)生平行的、被對(duì)準(zhǔn)分束器的電磁輻射。
[0009]另一種有利的設(shè)計(jì)方案規(guī)定，該裝置具有構(gòu)造分束器的分束器體，其中光學(xué)透鏡由該分束器體通過(guò)以下方式來(lái)構(gòu)造，即該分束器體的、由光學(xué)半導(dǎo)體元件所產(chǎn)生的電磁輻射入射到該分束器體中所經(jīng)由的側(cè)面至少部分地拱形地來(lái)構(gòu)造。通過(guò)該分束器體的、由光學(xué)半導(dǎo)體元件所產(chǎn)生的電磁輻射入射到該分束器體中所經(jīng)由的側(cè)面的至少一部分拱形地來(lái)構(gòu)造，被集成到該分束器體中的光學(xué)透鏡被構(gòu)造，使得單獨(dú)的光學(xué)透鏡的布置可以被放棄。光學(xué)半導(dǎo)體元件可以被貼到該分束器體的、由光學(xué)半導(dǎo)體元件所產(chǎn)生的電磁輻射入射到該分束器體中所經(jīng)由的側(cè)面上。該分束器體可以立方體狀地被構(gòu)造。例如該分束器體可以由兩個(gè)相互連接的棱鏡構(gòu)成。
[0010]此外被認(rèn)為有利的是，該裝置具有至少一個(gè)光學(xué)濾波器。該光學(xué)濾波器可以被構(gòu)造為長(zhǎng)通邊緣濾波器和/或短通邊緣濾波器。由此可以濾除由光學(xué)半導(dǎo)體元件所產(chǎn)生的電磁輻射和/或入射到該裝置中的電磁輻射的確定的波長(zhǎng)范圍，以便可以使該裝置最佳地適配于相應(yīng)的應(yīng)用情況。
[0011]根據(jù)另一種有利的設(shè)計(jì)方案，該裝置的組件固定地相互連接。優(yōu)選地，該裝置的組件共同地被注入到材料中。由此該裝置獲得堅(jiān)固并且緊湊的結(jié)構(gòu)。通過(guò)該裝置的組件相互固定的連接，該裝置可以立即被使用，而無(wú)須在現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行該裝置的事后的校準(zhǔn)或各個(gè)組件相對(duì)于彼此的調(diào)整。由此很大地簡(jiǎn)化裝置的可操作性。
[0012]此外，本發(fā)明的主題是一種用于探測(cè)至少一種包含在流體中的物質(zhì)的系統(tǒng)，該系統(tǒng)具有至少一個(gè)用于發(fā)射電磁輻射的裝置和至少一個(gè)光學(xué)探測(cè)單元，其特征在于，該裝置根據(jù)上述設(shè)計(jì)方案之一或上述設(shè)計(jì)方案的任意組合來(lái)構(gòu)造。上面關(guān)于該裝置所述的優(yōu)點(diǎn)特此被結(jié)合。
[0013]該系統(tǒng)可以被用于探測(cè)氣體和/或液體中的物質(zhì)。該系統(tǒng)可以示例性地被用作廢氣傳感器。此外，該系統(tǒng)例如可以在醫(yī)療技術(shù)中、在呼吸氣體分析中、在商標(biāo)識(shí)別中、在片上實(shí)驗(yàn)室應(yīng)用中、在通風(fēng)設(shè)備中、在氣候控制中和在娛樂(lè)電子設(shè)備中、諸如在智能電話中、在游戲機(jī)中或諸如此類(lèi)被用于探測(cè)包含在流體中的物質(zhì)。
[0014]根據(jù)一種有利的設(shè)計(jì)方案，光學(xué)探測(cè)單元由該裝置的至少一個(gè)光電二極管構(gòu)成。據(jù)此不需要單獨(dú)的光學(xué)探測(cè)單元。
[0015]另一種有利的設(shè)計(jì)方案規(guī)定，該系統(tǒng)具有至少一個(gè)電子分析設(shè)備，該電子分析設(shè)備以通信技術(shù)的方式與該裝置的至少一個(gè)光學(xué)半導(dǎo)體元件和/或該光學(xué)探測(cè)單元連接。借助該電子分析設(shè)備可以控制該光學(xué)半導(dǎo)體元件或者可以影響由該光學(xué)半導(dǎo)體元件所產(chǎn)生的電磁輻射的特性。此外，該電子分析設(shè)備可以以通信技術(shù)的方式與該裝置的至少一個(gè)光電二極管連接，以便可以檢測(cè)由光學(xué)半導(dǎo)體元件所產(chǎn)生的電磁輻射的被分束器反射的部分或入射到該裝置中的電磁輻射的強(qiáng)度以及種類(lèi)。由于射到該裝置的至少一個(gè)光電二極管上和/或光學(xué)探測(cè)單元上的電磁輻射的時(shí)間相關(guān)性，可以借助該電子分析設(shè)備確定由該裝置所發(fā)射的并且又入射到該裝置中的光束的傳播時(shí)間以及因此確定由該光束所經(jīng)過(guò)的路徑的長(zhǎng)度。這樣確定的路程例如可以被用于根據(jù)朗伯-比爾定律確定吸收。
[0016]有利地，該電子分析設(shè)備控制該裝置的至少一個(gè)光學(xué)半導(dǎo)體元件，使得利用該光學(xué)半導(dǎo)體元件能產(chǎn)生經(jīng)調(diào)制的電磁輻射。這特別是在具有僅僅一個(gè)光電二極管的裝置被使用時(shí)是有利的，其中不僅由該光學(xué)半導(dǎo)體元件所產(chǎn)生的電磁輻射的被分束器反射的部分而且入射到該裝置中的電磁輻射的至少一部分被對(duì)準(zhǔn)該光電二極管。此外，在以下的情況下相應(yīng)的輻射調(diào)制是有利的，即該裝置具有兩個(gè)或更多光學(xué)半導(dǎo)體元件，利用所述光學(xué)半導(dǎo)體元件能分別產(chǎn)生電磁輻射。通過(guò)各個(gè)電磁輻射的不同的調(diào)制，電磁輻射可以經(jīng)由該裝置的至少一個(gè)光電二極管和/或單獨(dú)的光學(xué)探測(cè)單元以及借助該電子分析設(shè)備來(lái)區(qū)分。
[0017]根據(jù)另一種有利的設(shè)計(jì)方案，該系統(tǒng)具有至少一個(gè)反射設(shè)備，該反射設(shè)備相對(duì)于該裝置的分束器被布置，使得通過(guò)該分束器的電磁輻射被對(duì)準(zhǔn)該反射設(shè)備并且被該反射設(shè)備反射的電磁輻射被對(duì)準(zhǔn)該分束器。
[0018]此外被認(rèn)為有利的是，該系統(tǒng)具有至少一個(gè)光學(xué)纖維，該光學(xué)纖維直接與該裝置連接。由此可以有目的地引導(dǎo)由該裝置所產(chǎn)生的或入射到該裝置中的電磁輻射，以便可以使該系統(tǒng)最佳地適配于相應(yīng)的應(yīng)用情況。
[0019]優(yōu)選地，構(gòu)成光學(xué)纖維所用的材料具有與該裝置的組件共同地被注入到其中的材料相同的折射率。由此可以避免該裝置和纖維的光學(xué)特性之間的區(qū)別，由此保障進(jìn)入該光學(xué)纖維或從該光學(xué)纖維出來(lái)的最大可能的耦合輸入效率和耦合輸出效率。
[0020]此外，本發(fā)明的主題是一種用于測(cè)量空間中的兩點(diǎn)之間的距離的系統(tǒng)，該系統(tǒng)具有至少一個(gè)被布置在所述點(diǎn)之一處的用于發(fā)射電磁輻射的裝置、至少一個(gè)光學(xué)探測(cè)單元以及至少一個(gè)電子分析設(shè)備，該電子分析設(shè)備以通信技術(shù)的方式與該裝置和/或該光學(xué)探測(cè)單元連接，其中該電子分析設(shè)備被設(shè)立用于通過(guò)入射到該裝置中的或射到該光學(xué)探測(cè)單元上的電磁輻射與由該裝置所發(fā)射的電磁輻射的時(shí)間相關(guān)性來(lái)確定由該裝置所發(fā)射的并且又入射到該裝置中的或射到該光學(xué)探測(cè)單元上的電磁輻射所經(jīng)過(guò)的路徑的長(zhǎng)度，其特征在于，該裝置根據(jù)上面所提到的設(shè)計(jì)方案之一或所述設(shè)計(jì)方案的任意組合來(lái)構(gòu)造。因此上面關(guān)于該裝置所提到的優(yōu)點(diǎn)被結(jié)合。
[0021]由入射到該裝置中的或射到該光學(xué)探測(cè)單元上的電磁輻射與由該裝置所發(fā)射的電磁輻射的時(shí)間相關(guān)性可以首先推斷出電磁輻射的傳播時(shí)間，以便由此確定所經(jīng)過(guò)的路徑的長(zhǎng)度。沒(méi)有布置該裝置的第二點(diǎn)可以由任一物體構(gòu)成，在該物體處由該裝置所發(fā)射的電磁輻射至少部分地被反射。例如該物體可以是房屋墻壁或諸如此類(lèi)的。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0022]在下文中借助優(yōu)選的實(shí)施例參考附圖示范性地解釋本發(fā)明，其中隨后所示出的特征可以不僅分別本身來(lái)說(shuō)而且以不同的相互組合是本發(fā)明的一個(gè)方面。其中:
圖1示出根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)施例的示意圖，
圖2示出根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)的另一個(gè)實(shí)施例的示意圖，以及圖3示出根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)的另一個(gè)實(shí)施例的示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0023]圖1示出根據(jù)本發(fā)明的用于探測(cè)包含在流體2中的物質(zhì)的系統(tǒng)I的一個(gè)實(shí)施例的示意圖。該系統(tǒng)I包括至少一個(gè)用于發(fā)射電磁輻射19的裝置3和至少一個(gè)光學(xué)探測(cè)單元
4。該光學(xué)探測(cè)單元4由裝置3的至少一個(gè)光電二極管5構(gòu)成。此外，該系統(tǒng)I包括凹面鏡形式的反射設(shè)備6和電子分析設(shè)備14，該電子分析設(shè)備以通信技術(shù)的方式與裝置3連接。
[0024]該裝置3包括光學(xué)半導(dǎo)體元件7，利用該光學(xué)半導(dǎo)體元件能產(chǎn)生電磁輻射19并且該光學(xué)半導(dǎo)體元件被構(gòu)造為發(fā)光二極管。此外，該裝置3包括兩個(gè)光電二極管5和8、分束器9以及被布置在該光學(xué)半導(dǎo)體元件7和該分束器9之間的光學(xué)透鏡12。裝置3的組件
5、7、8、9和12固定地相互連接。該電子分析設(shè)備14以通信技術(shù)的方式通過(guò)控制連接15與該光學(xué)半導(dǎo)體元件7連接并且通過(guò)分析連接16和17與所述光電二極管5和8連接。
[0025]分束器9相對(duì)于光學(xué)半導(dǎo)體兀件7和光電二極管5和8被布置,使得由該光學(xué)半導(dǎo)體元件7所產(chǎn)生的電磁輻射19的一部分10通過(guò)該分束器9并且由該光學(xué)半導(dǎo)體元件7所產(chǎn)生的電磁福射19的另一部分11被該分束器9反射并且被對(duì)準(zhǔn)該光電二極管8。例如部分10為由該光學(xué)半導(dǎo)體元件7所產(chǎn)生的電磁輻射19的大約90%和并且部分11為由該光學(xué)半導(dǎo)體元件7所產(chǎn)生的電磁輻射19的大約10%。該分束器9此外被設(shè)立用于使入射到該裝置3中的電磁輻射13對(duì)準(zhǔn)裝置3的附加的光電二極管5。
[0026]該反射設(shè)備6相對(duì)于裝置3的分束器9被布置，使得通過(guò)該分束器3的電磁輻射10被對(duì)準(zhǔn)該反射設(shè)備6并且被該反射設(shè)備6反射的電磁輻射13被對(duì)準(zhǔn)該分束器9。
[0027]圖2示出根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)I的另一個(gè)實(shí)施例的示意圖。與在圖1中被示出的實(shí)施例的區(qū)別在于，該反射設(shè)備6不是被構(gòu)造為凹面鏡，而是被構(gòu)造為平面鏡。與在圖1中被示出的實(shí)施例的主要區(qū)別在于，通過(guò)光學(xué)透鏡12所產(chǎn)生的平行的光路的橫截面比光電二極管5和8的傳感器面小，因此由光學(xué)半導(dǎo)體兀件7所產(chǎn)生的電磁福射19的被該分束器9反射的部分11僅僅射到光電二極管8的傳感器面的中間區(qū)域上，在該中間區(qū)域內(nèi)光電二極管8通常更靈敏地被構(gòu)造。
[0028]圖3示出根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)I的另一個(gè)實(shí)施例的示意圖。該實(shí)施例與在圖1中被示出的實(shí)施例的區(qū)別在于，裝置3具有兩個(gè)發(fā)光二極管形式的光學(xué)半導(dǎo)體元件7并且設(shè)置有另外的分束器18，通過(guò)該分束器將由光學(xué)半導(dǎo)體元件7所產(chǎn)生的電磁輻射19和20引導(dǎo)到分束器9上，其中另外的光學(xué)透鏡12被分配給第二光學(xué)半導(dǎo)體元件7。
【權(quán)利要求】
1.用于發(fā)射電磁輻射的裝置(3)，具有至少一個(gè)光學(xué)半導(dǎo)體元件(7)、至少一個(gè)光電二極管(5、8)和至少一個(gè)分束器(9、18)，利用所述光學(xué)半導(dǎo)體元件能產(chǎn)生電磁輻射(19、20)，其中所述分束器(9、18)相對(duì)于所述光學(xué)半導(dǎo)體元件(7)和所述光電二極管(5、8)被布置，使得由所述光學(xué)半導(dǎo)體元件(7)所產(chǎn)生的電磁輻射(19、20)的一部分(10)通過(guò)所述分束器(9、18)并且由所述光學(xué)半導(dǎo)體元件(7)所產(chǎn)生的電磁輻射(19、20)的另一部分(11)被所述分束器(9、18 )反射并且被對(duì)準(zhǔn)所述光電二極管(5、8 )。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置(3)，其特征在于，所述分束器(9、18)被設(shè)立用于使入射到所述裝置(3 )中的電磁輻射(10 )對(duì)準(zhǔn)所述光電二極管(5、8 )或?qū)?zhǔn)所述裝置(3 )的附加的光電二極管(5、8)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的裝置(3)，其特征在于至少一個(gè)被布置在所述光學(xué)半導(dǎo)體元件(7 )和所述分束器(9、18 )之間的光學(xué)透鏡(12)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置(3)，其特征在于，所述光學(xué)透鏡(12)通過(guò)布置多個(gè)微透鏡來(lái)構(gòu)成。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的裝置(3)，其特征在于構(gòu)造所述分束器(9、18)的分束器體，其中所述光學(xué)透鏡(12)由所述分束器體通過(guò)以下方式來(lái)構(gòu)造，即所述分束器體的、由所述光學(xué)半導(dǎo)體元件(7)所產(chǎn)生的電磁輻射(19、20)入射到所述分束器體中所經(jīng)由的側(cè)面至少部分地拱形地來(lái)構(gòu)造。
6.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的裝置(3)，其特征在于至少一個(gè)光學(xué)濾波器。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置(3)，其特征在于，所述光學(xué)濾波器被構(gòu)造為長(zhǎng)通邊緣濾波器和/或短通邊緣濾波器。
8.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的裝置(3)，其特征在于，所述裝置(3)的組件(5、7、8、9、12、18)固定地相互連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置(3)，其特征在于，所述裝置(3)的組件(5、7、8、9、12、18)共同地被注入到材料中。
10.用于探測(cè)至少一種包含在流體(2)中的物質(zhì)的系統(tǒng)(1)，具有至少一個(gè)用于發(fā)射電磁輻射(10)的裝置(3)和至少一個(gè)光學(xué)探測(cè)單元(4)，其特征在于，所述裝置(3)根據(jù)上述權(quán)利要求之一來(lái)構(gòu)造。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的系統(tǒng)(1)，其特征在于，所述光學(xué)探測(cè)單元(4)由所述裝置(3)的至少一個(gè)光電二極管(5、8)構(gòu)成。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的系統(tǒng)(1)，其特征在于至少一個(gè)電子分析設(shè)備(14)，所述電子分析設(shè)備以通信技術(shù)的方式與所述裝置(3)和/或所述光學(xué)探測(cè)單元(4)連接。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的系統(tǒng)(I)，其特征在于，所述電子分析設(shè)備(14)控制所述裝置(3)的至少一個(gè)光學(xué)半導(dǎo)體元件(7)，使得利用所述光學(xué)半導(dǎo)體元件(7)能產(chǎn)生經(jīng)調(diào)制的電磁輻射(19、20)。
14.根據(jù)權(quán)利要求10到13之一所述的系統(tǒng)(I)，其特征在于至少一個(gè)反射設(shè)備(6)，所述反射設(shè)備相對(duì)于所述裝置(3)的分束器(9、18)被布置，使得由所述光學(xué)半導(dǎo)體元件(7)所產(chǎn)生的電磁輻射(19、20)的通過(guò)所述分束器(9、18)的部分(10)被對(duì)準(zhǔn)所述反射設(shè)備(6)并且被所述反射設(shè)備(6 )反射的電磁輻射(13 )被對(duì)準(zhǔn)所述分束器(9、18 )。
15.根據(jù)權(quán)利要求10到14之一所述的系統(tǒng)(I)，其特征在于至少一個(gè)光學(xué)纖維，所述光學(xué)纖維直接與所述裝置(3 )連接。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的系統(tǒng)(I)，其特征在于，構(gòu)成所述光學(xué)纖維所用的材料具有與所述裝置(3)的組件(5、7、8、9、12、18)共同地被注入到其中的材料相同的折射率。
17.用于測(cè)量空間中的兩點(diǎn)之間的距離的系統(tǒng)，具有至少一個(gè)被布置在所述點(diǎn)之一處的用于發(fā)射電磁輻射(10)的裝置(3)、至少一個(gè)光學(xué)探測(cè)單元(4)以及至少一個(gè)電子分析設(shè)備(14)，所述電子分析設(shè)備以通信技術(shù)的方式與所述裝置(3)和/或所述光學(xué)探測(cè)單元(4)連接，其中所述電子分析設(shè)備(14)被設(shè)立用于通過(guò)入射到所述裝置(3)中的或射到所述光學(xué)探測(cè)單元(4)上的電磁輻射(13)與由所述裝置(3)所發(fā)射的電磁輻射(10)的時(shí)間相關(guān)性來(lái)確定由所述裝置(3)所發(fā)射的并且又入射到所述裝置(3)中的或射到所述光學(xué)探測(cè)單元(4)上的電磁輻射所經(jīng)過(guò)的路徑的長(zhǎng)度，其特征在于，所述裝置(3)根據(jù)權(quán)利要求1到9之一來(lái)構(gòu)造。
【文檔編號(hào)】G01B11/14GK104251833SQ201410295817
【公開(kāi)日】2014年12月31日 申請(qǐng)日期:2014年6月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月28日
【發(fā)明者】R.菲克斯, P.松斯特勒姆, G.德勒 申請(qǐng)人:羅伯特·博世有限公司