一種飛點(diǎn)形成裝置及設(shè)計(jì)方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種飛點(diǎn)形成裝置，包括輻射源和屏蔽體，屏蔽體的側(cè)壁上具有至少兩對(duì)螺旋槽，每個(gè)螺旋槽具有預(yù)定斜率；第一入射槽與第二入射槽相鄰，第一入射槽的首端高于第二入射槽的首端，第一入射槽的末端高于第二入射槽的末端，第一入射槽的末端與第二入射槽的首端相隔預(yù)定距離，第一入射槽的末端不高于第二入射槽的首端；屏蔽體的第一軸截面與第一入射槽的末端相交，第二軸截面與第二入射槽的首端相交，第一軸截面與第二軸截面的夾角大于0度。本發(fā)明還公開了一種飛點(diǎn)形成裝置設(shè)計(jì)方法。利用本發(fā)明能夠提高屏蔽體的抗拉性能。
【專利說明】一種飛點(diǎn)形成裝置及設(shè)計(jì)方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及輻射成像【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種飛點(diǎn)形成裝置及設(shè)計(jì)方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 目前采用一種基于可旋轉(zhuǎn)屏蔽機(jī)構(gòu)的飛點(diǎn)掃描設(shè)備進(jìn)行安檢，可旋轉(zhuǎn)屏蔽機(jī)構(gòu)為 圓柱體，側(cè)壁上開有供射線入射和出射的螺旋線縫隙，在圓柱體旋轉(zhuǎn)過程中，射線經(jīng)狹縫準(zhǔn) 直器照射圓柱體，輻射的粒子通過螺旋線縫隙出射，形成飛點(diǎn)，飛點(diǎn)高速運(yùn)動(dòng)形成掃描線， 對(duì)移動(dòng)的被測(cè)物體實(shí)施掃描。這種飛點(diǎn)掃描設(shè)備可用于無損檢測(cè)、安檢等場(chǎng)合。
[0003] 圖1所示為一種飛點(diǎn)掃描設(shè)備的使用狀態(tài)圖，輻射源1與屏蔽體5之間放置有狹 縫準(zhǔn)直器3,屏蔽體5為中空?qǐng)A柱體，水平放置，右側(cè)為沿箭頭11方向移動(dòng)的被測(cè)物8。屏蔽 體5側(cè)壁上具有一對(duì)螺旋線縫隙6'和6"，輻射源1發(fā)出射線，經(jīng)由狹縫準(zhǔn)直器3上的直線 縫隙2被限制為扇形射線束4,照射到圓柱體5上。當(dāng)屏蔽體5繞自身中心軸旋轉(zhuǎn)時(shí)（旋轉(zhuǎn) 方向?yàn)榧^12所示），扇形射線束4的射線由縫隙6'入射，再穿過縫隙6"出射（顯然，縫 隙6'和6"兩者的位置相對(duì)應(yīng)），形成筆形射線束10。屏蔽體5持續(xù)旋轉(zhuǎn)，則經(jīng)縫隙6"出 射的飛點(diǎn)在箭頭13的水平面內(nèi)形成無數(shù)筆形射線束，被測(cè)物8在掃描范圍內(nèi)沿箭頭11方 向移動(dòng)，完成飛點(diǎn)掃描。
[0004] 值得注意的是，圖1從原理上解釋了飛點(diǎn)形成的過程，反映了飛點(diǎn)形成原理，但是 在實(shí)際應(yīng)用中，屏蔽體5上的螺旋線縫隙6'和6"并不能完全按照?qǐng)D1設(shè)計(jì)，這是因?yàn)椋荷?線源1發(fā)出的射線是以輻射源的焦點(diǎn)為圓心的錐形射線束，而非平行射線，準(zhǔn)直后的扇形 射線束以不同的張角穿過屏蔽體5,因此射線在屏蔽體5內(nèi)部的路徑不是相互平行的，而是 互成角度的。因此如果縫隙6'和6"如圖1所示分布在整個(gè)屏蔽體5的高度方向上，必然 有一部分縫隙始終沒有射線經(jīng)過，還一部分入射射線被遮擋而無法出射。
[0005] 實(shí)際使用的飛點(diǎn)形成裝置的屏蔽體如圖2所示，其中左圖為屏蔽體堅(jiān)直放置的側(cè) 視圖，右圖為屏蔽體的側(cè)壁展開圖，側(cè)壁展開后為具有一定厚度的矩形板。從側(cè)壁展開圖上 可清楚地看到兩個(gè)縫隙he和h'e'，其中he為入射槽，類似于縫隙6'，其分布限制在180度 圓周范圍內(nèi)；h'e'為出射槽，類似于縫隙6"，其分布限制在另外180度圓周范圍內(nèi)。某一時(shí) 刻下，輻射源發(fā)出的射線可由入射槽he上的一點(diǎn)（如he的中點(diǎn)）入射，并由出射槽h' e' 上的對(duì)應(yīng)點(diǎn)（如h' e'的中點(diǎn)）出射，形成一個(gè)飛點(diǎn),符合飛點(diǎn)形成原理。
[0006] 經(jīng)過大量研究分析發(fā)現(xiàn)，基于圖2的屏蔽體的飛點(diǎn)掃描設(shè)備存在以下缺點(diǎn)：1、入 射槽he和出射槽h' e'各占據(jù)側(cè)壁的一半空間，且出射槽h' e'分布在側(cè)壁整個(gè)高度方向 上，側(cè)壁抗拉性能差，在屏蔽體高速旋轉(zhuǎn)的情況下，受離心力F = mcor2的作用，屏蔽體將非 常容易發(fā)生變形，設(shè)備不能按照設(shè)計(jì)的軌跡形成飛點(diǎn)，影響掃描質(zhì)量；在極端情況下屏蔽體 可能開裂，存在安全隱患。2、在屏蔽體旋轉(zhuǎn)一周的過程中，只在入射槽所處的180度范圍內(nèi) 射線能夠形成飛點(diǎn)，其余180度范圍內(nèi)無入射槽分布，無法形成飛點(diǎn)，掃描效率低。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 有鑒于此，本發(fā)明提出一種飛點(diǎn)形成裝置及設(shè)計(jì)方法，采用分段連續(xù)的螺旋槽設(shè) 計(jì)方案，不僅可以提高屏蔽體抗拉性能，而且在整個(gè)旋轉(zhuǎn)周期內(nèi)均可形成飛點(diǎn)。
[0008] 本發(fā)明提供一種飛點(diǎn)形成裝置，包括輻射源和屏蔽體，屏蔽體為中空?qǐng)A柱體，屏蔽 體的側(cè)壁上具有成對(duì)設(shè)置的螺旋槽，每對(duì)螺旋槽包括一個(gè)入射槽和一個(gè)出射槽，屏蔽體的 側(cè)壁上具有至少兩對(duì)螺旋槽，其中相對(duì)于屏蔽體的橫截面，每個(gè)螺旋槽具有預(yù)定斜率；所述 至少兩對(duì)螺旋槽中的第一入射槽與第二入射槽相鄰，第一入射槽的首端高于第二入射槽的 首端，第一入射槽的末端高于第二入射槽的末端，第一入射槽的末端與第二入射槽的首端 相隔預(yù)定距離，第一入射槽的末端不高于第二入射槽的首端；并且，屏蔽體的第一軸截面與 第一入射槽的末端相交，第二軸截面與第二入射槽的首端相交，第一軸截面與第二軸截面 的夾角大于〇度；所述至少兩對(duì)螺旋槽中的各出射槽的位置對(duì)應(yīng)于與其成對(duì)設(shè)置的入射槽 的位置。
[0009] 優(yōu)選地，所述至少兩對(duì)螺旋槽中的入射槽分布于屏蔽體側(cè)壁的0-360度圓周范圍 內(nèi)。
[0010] 優(yōu)選地，其中第一入射槽的斜率與第二入射槽的斜率不相等。
[0011] 優(yōu)選地，其中所述至少兩對(duì)螺旋槽中的第一入射槽的末端與第二入射槽的首端相 隔第一距離，第二入射槽的末端與第三入射槽的首端相隔第二距離，第一距離與第二距離 不相等。
[0012] 優(yōu)選地，其中第一入射槽的末端與第二入射槽的首端等高。
[0013] 本發(fā)明還提供一種飛點(diǎn)形成裝置設(shè)計(jì)方法，所述飛點(diǎn)形成裝置包括輻射源和屏蔽 體，屏蔽體為中空?qǐng)A柱體，屏蔽體的側(cè)壁上具有成對(duì)設(shè)置的螺旋槽，每對(duì)螺旋槽包括一個(gè)入 射槽和一個(gè)出射槽，所述設(shè)計(jì)方法包括：在屏蔽體的側(cè)壁上布置至少兩個(gè)入射槽，其中相對(duì) 于屏蔽體的橫截面，每個(gè)入射槽具有預(yù)定斜率；其中，令所述至少兩個(gè)入射槽中的第一入射 槽與第二入射槽相鄰，第一入射槽的首端高于第二入射槽的首端，第一入射槽的末端高于 第二入射槽的末端，第一入射槽的末端與第二入射槽的首端相隔預(yù)定距離，第一入射槽的 末端不高于第二入射槽的首端；令第一軸截面與第二軸截面的夾角大于0度，其中，與第一 入射槽的末端相交的軸截面為第一軸截面，與第二入射槽的首端相交的軸截面為第二軸截 面；根據(jù)輻射源焦點(diǎn)的位置和所述至少兩個(gè)入射槽中每一個(gè)入射槽的位置，得到與各入射 槽成對(duì)設(shè)置的各出射槽的位置。
[0014] 本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明基于"分段連續(xù)"的設(shè)計(jì)理念，對(duì)飛點(diǎn)形成裝置中屏蔽 體上的螺旋槽（包括入射槽和出射槽）進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì)，打破了以往較為單一的設(shè)計(jì)模式。 本發(fā)明在滿足飛點(diǎn)形成原理的前提下，將屏蔽體上的多個(gè)螺旋槽相間隔地布置，屏蔽體剛 性得到提高，高速旋轉(zhuǎn)作業(yè)時(shí)不易變形，抗拉性能好。當(dāng)采用多個(gè)入射槽分布于屏蔽體整個(gè) 旋轉(zhuǎn)周期的方案時(shí)，任一時(shí)刻均可形成飛點(diǎn)，掃描效率高。本發(fā)明使飛點(diǎn)形成裝置的硬件性 能和掃描效果兩方面均大幅改善。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0015] 圖1是現(xiàn)有技術(shù)中一種飛點(diǎn)掃描設(shè)備的使用狀態(tài)圖。
[0016] 圖2是現(xiàn)有技術(shù)中一種飛點(diǎn)形成裝置中的屏蔽體示意圖。
[0017] 圖3是本發(fā)明第一實(shí)施例的屏蔽體側(cè)壁展開圖，具有三段入射槽。
[0018] 圖4和圖5是本發(fā)明第二實(shí)施例的屏蔽體側(cè)壁展開圖，具有四段入射槽。
[0019] 圖6是本發(fā)明第三實(shí)施例的屏蔽體側(cè)壁展開圖，具有三段入射槽。
[0020] 圖7是本發(fā)明第四實(shí)施例的屏蔽體側(cè)壁展開圖，具有四段入射槽。
[0021] 圖8是本發(fā)明實(shí)施例的屏蔽體縱向剖面圖。

【具體實(shí)施方式】
[0022] 以下結(jié)合附圖以及具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0023] 根據(jù)飛點(diǎn)形成原理，對(duì)于飛點(diǎn)形成裝置中屏蔽體上的入射槽和出射槽，兩者是相 互對(duì)應(yīng)的，可將兩者的對(duì)應(yīng)關(guān)系描述為：入射槽和出射槽的尺寸和布置方式使得在屏蔽體 旋轉(zhuǎn)過程中，某一時(shí)刻下，輻射源焦點(diǎn)、入射點(diǎn)和對(duì)應(yīng)出射點(diǎn)三點(diǎn)成一條直線。舉例來說，參 考圖2中左圖，tl時(shí)刻下，輻射源焦點(diǎn)P、入射點(diǎn)h和對(duì)應(yīng)出射點(diǎn)h'三點(diǎn)成一條直線；屏蔽 體旋轉(zhuǎn)180°之后（t2時(shí)刻），輻射源焦點(diǎn)P、入射點(diǎn)e和對(duì)應(yīng)出射點(diǎn)e'三點(diǎn)成一條直線。 將入射槽、出射槽分別視為由無數(shù)個(gè)入射點(diǎn)、出射點(diǎn)組成，則在tl到t2時(shí)間段內(nèi)，入射槽he 上的每一點(diǎn)與出射槽h' e'上的每一點(diǎn)一一對(duì)應(yīng)。對(duì)于不符合這種對(duì)應(yīng)關(guān)系的入射點(diǎn)或出 射點(diǎn)，不能形成飛點(diǎn)。據(jù)此可知，一旦輻射源和屏蔽體的相對(duì)位置確定，且屏蔽體上的入射 槽確定，出射槽隨之確定。
[0024] 圖3示出了本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的屏蔽體側(cè)壁展開圖，輻射源未示出，屏蔽體上具 有三段入射槽ha、cb和de，以及對(duì)應(yīng)的三段出射槽h' a'、c' b'、d' e'，三段入射槽分段連 續(xù)，三段出射槽亦分段連續(xù)。下文為描述方便，假設(shè)屏蔽體為直立放置，屏蔽體的底面在水 平面上，屏蔽體的旋轉(zhuǎn)中心軸在堅(jiān)直方向上。
[0025] 具體來看，圖3實(shí)施例中，入射槽ha的a端與入射槽cb的c端高度相同，兩端點(diǎn) 相隔一定距離；同時(shí)，入射槽cb的b端與入射槽de的d端高度相同，兩端點(diǎn)相隔一定距離。
[0026] 根據(jù)輻射源和入射槽可確定的三段出射槽h' a'、c' b'、d' e'的尺寸和位置，本實(shí) 施例中，h' a'的a'端與c' b'的c'端高度相同，相隔一定距離，同時(shí)c' b'的b'端與d' e' 的d'端高度相同，相隔一定距離。
[0027] 按照上述設(shè)計(jì)制作加工成中空?qǐng)A柱體，得到具有三段入射槽和三段出射槽的屏蔽 體，入射槽和出射槽各自分段連續(xù)。本實(shí)施例中圓柱體的任一軸截面不會(huì)同時(shí)經(jīng)過兩個(gè)入 射槽，也不會(huì)同時(shí)經(jīng)過兩個(gè)出射槽。
[0028] 為了更清楚地解釋本發(fā)明，將圖3和圖2結(jié)合來看，基于圖2中的入射槽he，對(duì)其 稍作調(diào)整，縮短其長度，選取he中的任意兩個(gè)點(diǎn)作為分段點(diǎn)，把he從分段點(diǎn)處斷開，則he 斷裂為三段較短的螺旋槽，移動(dòng)三段中的至少兩段，使三段螺旋槽間隔開，間隔的距離可以 相等，也可以不等，如圖3中的ha、cb和de，兩段間隔ac和bd長度相等。對(duì)出射槽h' e' 做對(duì)應(yīng)的處理，可得到h' a'、c' b'、d' e'。
[0029] 圖3實(shí)施例的三段入射槽ha、cb、de與水平線的夾角相同，也就是三段入射槽所在 直線的斜率相同。在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，也可令各入射槽與水平線的夾角不同。舉例 來講，將ha、cb、de與水平線的夾角記為ZA、ZB和ZC，圖3中ZA=ZB=ZC。在某 些情況下（如加工精度不高時(shí)），三個(gè)角不必兩兩相等，也可令Z A尹ZB尹ZC。只要三 段入射槽在高度方向上連續(xù)（即a端與c端同高，b端與d端同高）即可，允許射線不間斷 地入射。
[0030] 進(jìn)一步地，考慮到屏蔽體加工精度的問題，不必嚴(yán)格地設(shè)計(jì)為a端與c端同高、b端 與d端同高，具體可按照以下方式處理：參考圖3,延長ha的長度，假設(shè)h端固定，令a端沿 ha的長度方向移動(dòng)一定距離，則a端低于c端，也就是說，ha和cb在高度方向上有重合的 部分，仍符合本發(fā)明的分段連續(xù)的布設(shè)原理。需要注意的是，在后期處理飛點(diǎn)掃描數(shù)據(jù)時(shí)， 應(yīng)將ha和cb在高度方向上重合部分的數(shù)據(jù)去掉，僅保留連續(xù)的飛點(diǎn)掃描數(shù)據(jù)，確保成像質(zhì) 量。
[0031] 以上描述了本發(fā)明的螺旋槽"分段連續(xù)"的布設(shè)原理?；趫D3實(shí)施例的屏蔽體 的飛點(diǎn)形成裝置，在滿足飛點(diǎn)形成原理的前提下，屏蔽體上的多個(gè)螺旋槽相間隔地布置，各 螺旋槽長度較短，屏蔽體剛性得到提高，在高速旋轉(zhuǎn)作業(yè)時(shí)不易變形，抗拉性能好。
[0032] 在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，還可在屏蔽體上設(shè)計(jì)兩段、四段、五段或更多的入射 槽，多段入射槽分段連續(xù)，出射槽與入射槽相對(duì)應(yīng)。圖4和圖5示出了具有四段入射槽的情 況。具體地，在入射槽he上選定三個(gè)點(diǎn)a、b和c，然后在選定點(diǎn)處斷開，he被分為四段入射 槽，移動(dòng)以使四段入射槽相互間隔開，如圖5,得到ha、db、fc和ge，四者分段連續(xù)。對(duì)出射 槽做對(duì)應(yīng)的處理，得到h' a'、d' b'、f' c'和g' e'，四者分段連續(xù)。
[0033] 比較而言，當(dāng)屏蔽體直徑較大時(shí)，橫向上可容納較多螺旋槽；當(dāng)屏蔽體高度較大 時(shí)，縱向上可容納較多螺旋槽。
[0034] 另一方面，圖3實(shí)施例中，入射槽ha、cb和de分布在屏蔽體的0-180度圓周范圍 內(nèi)，出射槽h' a'、c' b'和d' e'分布在屏蔽體的180-360度圓周范圍內(nèi)。這說明在該屏蔽 體旋轉(zhuǎn)一周的過程中，只在0-180度圓周范圍內(nèi)能夠形成飛點(diǎn)，而180-360度圓周范圍內(nèi)不 會(huì)形成飛點(diǎn)。也就是說，在屏蔽體的旋轉(zhuǎn)周期中，有約二分之一的時(shí)間無法獲得掃描數(shù)據(jù)， 掃描效率低下。
[0035] 為提高掃描效率，本發(fā)明將多段入射槽的分布范圍擴(kuò)展至360度圓周范圍內(nèi)，并 根據(jù)輻射源位置確定對(duì)應(yīng)的多段出射槽的位置，可得到如圖6的屏蔽體側(cè)壁展開圖。
[0036] 圖6實(shí)施例中，入射槽ha、cb和de分布在屏蔽體的0-360度圓周范圍內(nèi)，三者分段 連續(xù)。與圖3實(shí)施例相比，圖6實(shí)施例的排布方式可增大入射槽的長度。關(guān)于出射槽h'a'、 c' b'和d' e'的位置，觀察圖6可知，出射槽h' a'、c' b'和d' e'也分布在屏蔽體的0-360 度圓周范圍內(nèi)，且在高度方向上的分布范圍比入射槽ha、cb和de的分布范圍更大。
[0037] 基于圖6實(shí)施例形成中空?qǐng)A柱體，作為飛點(diǎn)形成裝置的屏蔽體。相比圖2和圖3實(shí) 施例的屏蔽體，圖6實(shí)施例的三段入射槽分布于屏蔽體的整個(gè)旋轉(zhuǎn)周期內(nèi)，不存在射線不 能入射的情況，掃描過程中任一時(shí)刻均可形成飛點(diǎn)，獲得掃描數(shù)據(jù)，掃描效率提高了 50%。
[0038] 由于圖6實(shí)施例的三段入射槽分布于圓柱體的整個(gè)旋轉(zhuǎn)周期內(nèi)，因此圓柱體的一 個(gè)軸截面有可能同時(shí)經(jīng)過兩個(gè)入射槽，例如對(duì)于圖6中經(jīng)過入射槽ha的h端的軸截面，也 會(huì)經(jīng)過入射槽cb中的某一點(diǎn)，該點(diǎn)與h點(diǎn)高度不同，徑向上相差π弧度，落在同一軸截面 上。
[0039] 在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，還可在屏蔽體上設(shè)計(jì)兩段、四段、五段或更多的入射 槽，多段入射槽分段連續(xù)，且分布在屏蔽體的整個(gè)旋轉(zhuǎn)周期內(nèi)，出射槽與入射槽相對(duì)應(yīng)。
[0040] 需要說明的是，由于多段入射槽分布在屏蔽體的整個(gè)旋轉(zhuǎn)周期內(nèi)，與其對(duì)應(yīng)的出 射槽也分布在屏蔽體的整個(gè)旋轉(zhuǎn)周期內(nèi)，有可能出現(xiàn)某一個(gè)或多個(gè)出射槽與其它入射槽相 交的情況，說明當(dāng)前的排布位置不合適。這時(shí)需要重新布置入射槽和出射槽的位置，可通過 調(diào)整入射槽的斜率、調(diào)整入射槽之間的間隔和/或調(diào)整入射槽的長度等方式重新布置入射 槽，再相應(yīng)地調(diào)整出射槽，使各個(gè)螺旋槽相互間隔開。
[0041] 圖7示出了具有四段入射槽的情況，入射槽ha、db、fc和ge分布在屏蔽體的0-360 度圓周范圍內(nèi)，四者分段連續(xù)。進(jìn)一步地，如前文所述，多段入射槽的斜率可以相等，也可以 不相等；相鄰入射槽之間的間隔長度可以相等，也可以不相等。詳細(xì)來看，圖7的四段入射 槽中，ge的斜率明顯大于其余三個(gè)入射槽的斜率，且fc和ge之間的間隔eg的長度明顯大 于ad或bf的長度。相應(yīng)地，四段出射槽中，g' e'的斜率大于其余三個(gè)出射槽的斜率，c' g' 的長度大于a'd'或b' f'的長度。這樣設(shè)計(jì)的好處是，根據(jù)屏蔽體側(cè)壁的尺寸靈活地調(diào)整 各個(gè)螺旋槽的角度和相互之間的間隔，在滿足飛點(diǎn)形成原理的前提下，使入射槽和出射槽 盡量均勻地分布在屏蔽體側(cè)壁上，避免在高速旋轉(zhuǎn)過程中某一方向上或某一點(diǎn)上因受力過 大而型變，可最大限度的提升屏蔽體剛度。
[0042] 除此之外，在屏蔽體加工過程中，需要注意螺旋槽的切口方向問題。應(yīng)基于輻射源 位置、輻射源和屏蔽體的距離以及屏蔽體上入射槽、出射槽的位置，來確定入射槽、出射槽 的切口方向。圖8不出了本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的屏蔽體的縱向剖面圖，屏蔽體側(cè)壁具有一定 厚度（圖中陰影部分），側(cè)壁上四個(gè)缺口為入射槽、出射槽的切口，點(diǎn)P代表輻射源的焦點(diǎn)。 圖中示意性地展示了某一時(shí)刻下形成一個(gè)飛點(diǎn)的過程。具體地，A和A'為一對(duì)入射槽和對(duì) 應(yīng)的出射槽的切口，α是A切口方向與水平面的夾角，β是A'切口方向與水平面的夾角， α = β，Ε和Ε'為另一對(duì)入射槽和對(duì)應(yīng)的出射槽的切口，Θ是該時(shí)刻下某一條射線的入 射方向與水平面的夾角。注意到，在該時(shí)刻下α = β = Θ，因此射線能夠通過Α(入射） 和A'（出射）形成一個(gè)飛點(diǎn)。對(duì)于同一時(shí)刻的其它射線，例如到達(dá)E'的射線，其入射方向 與E'的切口方向不同，射線被遮擋，無法穿過屏蔽體出射，因此在該時(shí)刻下不會(huì)形成另一個(gè) 飛點(diǎn)，滿足飛點(diǎn)形成原理。隨著屏蔽體旋轉(zhuǎn)，當(dāng)E切口旋轉(zhuǎn)至入射面時(shí)，射線的入射方向與 E和E'的切口方向相同，將形成一個(gè)飛點(diǎn)。
[0043] 在實(shí)際的產(chǎn)品應(yīng)用中，圓柱體的旋轉(zhuǎn)速度越高，其檢測(cè)圖像越清晰。從本發(fā)明的方 案可以看出，對(duì)于入射槽的數(shù)量，無論是分三段、四段或多段，入射槽分段的斷開點(diǎn)是任意 的。為了讓圓柱體的旋轉(zhuǎn)速度盡可能達(dá)到最高，應(yīng)選取合適的斷開點(diǎn)位置，并可依靠力學(xué)分 析軟件對(duì)不同分點(diǎn)方案進(jìn)行圓柱體的力學(xué)分析，從而選取最優(yōu)方案，使得圓柱體的剛性最 好，旋轉(zhuǎn)速度達(dá)到最高，同時(shí)能夠保證在高速旋轉(zhuǎn)情況下，圓柱體不變形、不碎裂，圖像清晰 度達(dá)到最好。
[0044]以上，結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行了詳細(xì)介紹，所描述的具體實(shí)施 例用于幫助理解本發(fā)明的思想。本領(lǐng)域技術(shù)人員在本發(fā)明具體實(shí)施例的基礎(chǔ)上做出的推導(dǎo) 和變型也屬于本發(fā)明保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種飛點(diǎn)形成裝置，包括輻射源和屏蔽體，屏蔽體為中空?qǐng)A柱體，屏蔽體的側(cè)壁上具 有成對(duì)設(shè)置的螺旋槽，每對(duì)螺旋槽包括一個(gè)入射槽和一個(gè)出射槽，其特征在于， 屏蔽體的側(cè)壁上具有至少兩對(duì)螺旋槽，其中相對(duì)于屏蔽體的橫截面，每個(gè)螺旋槽具有 預(yù)定斜率； 所述至少兩對(duì)螺旋槽中的第一入射槽與第二入射槽相鄰，第一入射槽的首端高于第二 入射槽的首端，第一入射槽的末端高于第二入射槽的末端，第一入射槽的末端與第二入射 槽的首端相隔預(yù)定距離，第一入射槽的末端不高于第二入射槽的首端；并且， 屏蔽體的第一軸截面與第一入射槽的末端相交，第二軸截面與第二入射槽的首端相 交，第一軸截面與第二軸截面的夾角大于0度； 所述至少兩對(duì)螺旋槽中的各出射槽的位置對(duì)應(yīng)于與其成對(duì)設(shè)置的入射槽的位置。
2. 如權(quán)利要求1所述的飛點(diǎn)形成裝置，其特征在于，所述至少兩對(duì)螺旋槽中的入射槽 分布于屏蔽體側(cè)壁的0-360度圓周范圍內(nèi)。
3. 如權(quán)利要求1所述的飛點(diǎn)形成裝置，其特征在于，其中第一入射槽的斜率與第二入 射槽的斜率不相等。
4. 如權(quán)利要求1所述的飛點(diǎn)形成裝置，其特征在于，其中所述至少兩對(duì)螺旋槽中的第 一入射槽的末端與第二入射槽的首端相隔第一距離，第二入射槽的末端與第三入射槽的首 端相隔第二距離，第一距離與第二距離不相等。
5. 如權(quán)利要求1所述的飛點(diǎn)形成裝置，其特征在于，其中第一入射槽的末端與第二入 射槽的首端等1?。
6. -種飛點(diǎn)形成裝置設(shè)計(jì)方法，其特征在于，所述飛點(diǎn)形成裝置包括輻射源和屏蔽體， 屏蔽體為中空?qǐng)A柱體，屏蔽體的側(cè)壁上具有成對(duì)設(shè)置的螺旋槽，每對(duì)螺旋槽包括一個(gè)入射 槽和一個(gè)出射槽，所述設(shè)計(jì)方法包括： 在屏蔽體的側(cè)壁上布置至少兩個(gè)入射槽，其中相對(duì)于屏蔽體的橫截面，每個(gè)入射槽具 有預(yù)定斜率；其中， 令所述至少兩個(gè)入射槽中的第一入射槽與第二入射槽相鄰，第一入射槽的首端高于第 二入射槽的首端，第一入射槽的末端高于第二入射槽的末端，第一入射槽的末端與第二入 射槽的首端相隔預(yù)定距離，第一入射槽的末端不高于第二入射槽的首端； 令第一軸截面與第二軸截面的夾角大于〇度，其中，與第一入射槽的末端相交的軸截 面為第一軸截面，與第二入射槽的首端相交的軸截面為第二軸截面； 根據(jù)輻射源焦點(diǎn)的位置和所述至少兩個(gè)入射槽中每一個(gè)入射槽的位置，得到與各入射 槽成對(duì)設(shè)置的各出射槽的位置。
7. 如權(quán)利要求6所述的飛點(diǎn)形成裝置設(shè)計(jì)方法，其特征在于，還包括：如果得到的各出 射槽中至少一個(gè)出射槽與任一入射槽相交，則重新布置所述至少兩個(gè)入射槽，并相應(yīng)地調(diào) 整出射槽，直至得到的各出射槽和各入射槽兩兩互不相交。
8. 如權(quán)利要求6所述的飛點(diǎn)形成裝置設(shè)計(jì)方法，其特征在于，在布置所述至少兩個(gè)入 射槽時(shí)，令入射槽分布于屏蔽體側(cè)壁的0-360度圓周范圍內(nèi)。
9. 如權(quán)利要求6所述的飛點(diǎn)形成裝置設(shè)計(jì)方法，其特征在于，在布置所述至少兩個(gè)入 射槽時(shí)，令第一入射槽的斜率與第二入射槽的斜率不相等。
10. 如權(quán)利要求6所述的飛點(diǎn)形成裝置設(shè)計(jì)方法，其特征在于，在布置所述至少兩個(gè)入 射槽時(shí)，令第一距離與第二距離不相等，其中，所述至少兩個(gè)入射槽中的第一入射槽的末端 與第二入射槽的首端之間的距離為第一距離，第二入射槽的末端與第三入射槽的首端之間 的距離為第二距離。
11.如權(quán)利要求6所述的飛點(diǎn)形成裝置設(shè)計(jì)方法，其特征在于，在布置所述至少兩個(gè)入 射槽時(shí)，令第一入射槽的末端與第二入射槽的首端等高。
【文檔編號(hào)】G01N23/04GK104215650SQ201410484473
【公開日】2014年12月17日 申請(qǐng)日期:2014年9月19日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月19日
【發(fā)明者】王彥華 申請(qǐng)人:北京君和信達(dá)科技有限公司