一種led器件的光電測試方法及裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種LED器件的光電測試方法及裝置，其方法為：點(diǎn)亮待測LED器件的全部或部分LED芯片，測試并記錄發(fā)光數(shù)據(jù)；關(guān)閉點(diǎn)亮的LED芯片的其中的一顆或多顆，測試并記錄發(fā)光數(shù)據(jù)；根據(jù)測得的發(fā)光數(shù)據(jù)，計算出該一顆或多顆LED芯片的發(fā)光數(shù)據(jù)；將該一顆或多顆LED芯片的發(fā)光數(shù)據(jù)與預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)發(fā)光數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，判斷該一顆或多顆LED芯片是否合格，若第該一顆或多顆LED芯片不合格，則判定該LED器件不合格。本發(fā)明適用于小電流LED器件的光電測試，具有測試時間短、準(zhǔn)確率高、效率高的優(yōu)點(diǎn)。
【專利說明】—種LED器件的光電測試方法及裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及LED器件測試領(lǐng)域，更具體地，涉及一種LED器件的光電測試方法及裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]近年來，隨著LED芯片尺寸的進(jìn)一步減小、封裝技術(shù)的發(fā)展、價格的下降以及客戶對高清晰顯示的追求，LED室內(nèi)顯示屏得到了快速的發(fā)展。目前，室內(nèi)LED顯示屏的分辨率大幅提高，但LED芯片亮度普遍較高，LED顯示屏的觀看者容易出現(xiàn)刺目及眩暈等問題。為了追求更好的顯示效果，行業(yè)提出“低亮高灰”小點(diǎn)距室內(nèi)LED顯示的概念，這對室內(nèi)顯示屏在要求更高的分辨率、色彩飽和度及清晰度的同時，也要求LED顯示屏的亮度滿足人眼觀看舒適度。目前LED室內(nèi)顯示屏亮度益趨低亮化，業(yè)界開始提出采用低亮度LED芯片，或采用靜態(tài)驅(qū)動方式，或采用更少的掃描方式(1/4，1/8)，旨在降低LED顯示屏的屏體顯示亮度，滿足人眼觀看舒適的要求。
[0003]如果采用低亮LED芯片或改變掃描方式降低亮度，會要求LED顯示屏工作時的驅(qū)動電流較小，為了嚴(yán)格控制LED顯示屏的光學(xué)一致性，要求對應(yīng)的LED器件在分光測試時，測試電流小于或等于LED顯示屏驅(qū)動電流，由于驅(qū)動電流較小，使得LED芯片測試光強(qiáng)度非常弱。傳統(tǒng)戶內(nèi)小間距顯示屏應(yīng)用電流一般比較大，所以測試電流也相對較大，在此種測試條件下測試光強(qiáng)也比較大，發(fā)光強(qiáng)度一般在10mcd-200mcd之間，采用傳統(tǒng)測試方案直接對需要測試芯片依次點(diǎn)亮測試速度一般在20ms-50ms之間測試一顆芯片，自動化測試速度非?？?，易于實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。對于“低亮高灰”室內(nèi)小間距LED顯示屏，要求用較小電流驅(qū)動LED芯片點(diǎn)亮，其電流可以一般可以應(yīng)用到0.0lmTlmA，在此種情況下，由于電流非常低導(dǎo)致單顆芯片發(fā)光強(qiáng)度特別小，一般在0.f 1mcd之間，采用單顆LED芯片依次點(diǎn)亮就會使得單一芯片測試積分時間過長，一般50(T3000mS。嚴(yán)重影響測試效率，降低產(chǎn)能，提高整個生產(chǎn)成本。所以，如果采用傳統(tǒng)測試方案對小電流驅(qū)動LED依次單顆點(diǎn)亮芯片進(jìn)行光學(xué)參數(shù)測試。一方面，由于目標(biāo)光源光強(qiáng)過弱，使得物理積分時間過長，測試效率低，使得此類產(chǎn)品無法達(dá)到量產(chǎn)化的快速分光測試要求；另一方面，目標(biāo)光源光強(qiáng)過弱，影響測試結(jié)果的準(zhǔn)確性，將直接影響LED顯示產(chǎn)品的光學(xué)一致性，最終影響顯示效果。所以常規(guī)測試方案在測試效率及測試準(zhǔn)確性方面制約了目前提倡的“低亮高灰” LED顯示產(chǎn)品的發(fā)展。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明旨在至少在一定程度上解決上述技術(shù)問題。
[0005]本發(fā)明的首要目的是提供一種測試高效、準(zhǔn)確的LED器件的光電測試方法本發(fā)明的進(jìn)一步目的是提供一種LED器件的光電測試裝置。
[0006]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
一種LED器件的光電測試方法，包括以下步驟:
S1:點(diǎn)亮待測LED器件的全部或部分LED芯片，測試并記錄發(fā)光數(shù)據(jù)； 52:關(guān)閉步驟SI中點(diǎn)亮的LED芯片的其中的一顆或多顆，測試并記錄發(fā)光數(shù)據(jù)；
53:根據(jù)SI和S2測得的發(fā)光數(shù)據(jù)，計算出該一顆或多顆LED芯片的發(fā)光數(shù)據(jù)；
54:將該一顆或多顆LED芯片的發(fā)光數(shù)據(jù)與預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)發(fā)光數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，判斷該一顆或多顆LED芯片是否合格，若該一顆或多顆LED芯片不合格，則判定該待測LED器件不合格；若該一顆或多顆LED芯片合格，則重復(fù)步驟Sf S4的方法，繼續(xù)判定該待測LED器件的其余LED芯片是否合格，若待測LED器件的全部LED芯片均合格，則判定該LED器件合格。
[0007]一種LED器件的光電測試裝置，包括:
發(fā)光控制模塊:用于點(diǎn)亮待測LED器件的全部或部分LED芯片，或者關(guān)閉點(diǎn)亮的LED芯片的其中一顆或多顆；
數(shù)據(jù)收集模塊:用于收集待測LED器件的發(fā)光數(shù)據(jù)，傳送給數(shù)據(jù)分析模塊；
數(shù)據(jù)分析模塊:用于對點(diǎn)亮待測LED器件的全部或部分LED芯片時的發(fā)光數(shù)據(jù)和關(guān)閉點(diǎn)亮的LED芯片的其中一顆或多顆時的發(fā)光數(shù)據(jù)進(jìn)行比較分析，計算出該一顆或多顆LED芯片的發(fā)光數(shù)據(jù)；
決策模塊:用于將數(shù)據(jù)分析模塊得到的LED芯片的發(fā)光數(shù)據(jù)與預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)發(fā)光數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，判斷該一顆或多顆LED芯片是否合格。
[0008]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明技術(shù)方案的有益效果是:
本發(fā)明LED器件的光電測試方法首先測試LED芯片全部或部分點(diǎn)亮的發(fā)光數(shù)據(jù)，然后測試關(guān)閉其中一顆或多顆LED芯片的發(fā)光數(shù)據(jù)，將兩者進(jìn)行分析比較，計算出該一顆或多顆LED芯片點(diǎn)亮?xí)r的發(fā)光數(shù)據(jù)，進(jìn)而將其與預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)發(fā)光數(shù)據(jù)進(jìn)行對比，判斷該一顆或多顆LED芯片是否合格，從而判斷LED器件是否合格，本發(fā)明測試過程中發(fā)光亮度大，因此縮短了小電流LED器件測試的時間，提高了測試的準(zhǔn)確度，使自動化測試的效率得到了極大的提高；本發(fā)明LED器件的光電測試裝置是上述測試方法對應(yīng)的裝置，在裝置的基礎(chǔ)上實(shí)施上述方法，即可實(shí)現(xiàn)本發(fā)明LED器件的光電測試的目標(biāo)的。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1為本發(fā)明LED器件的光電測試方法的流程圖。
[0010]圖2為本發(fā)明LED器件的光電測試裝置的示意圖。
[0011]圖3為1010RGB SMD LED器件示意圖。
[0012]圖4為本發(fā)明實(shí)施例1方法的流程圖。
[0013]圖5為本發(fā)明實(shí)施例2和3的LED COB模塊。
[0014]圖6為本發(fā)明實(shí)施例2方法的流程圖。
[0015]圖7為本發(fā)明實(shí)施例3方法的流程圖。
[0016]1-1、光電測試分析儀主機(jī)；1_2、信號收集器；1_3、電源；1_4、電腦處理器。

【具體實(shí)施方式】
[0017]附圖僅用于示例性說明，不能理解為對本專利的限制；
為了更好說明本實(shí)施例，附圖某些部件會有省略、放大或縮小，并不代表實(shí)際產(chǎn)品的尺寸；
對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說，附圖中某些公知結(jié)構(gòu)及其說明可能省略是可以理解的。
[0018]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步的說明。
[0019]實(shí)施例1
如圖1所示，一種LED器件的光電測試方法，包括以下步驟:
51:點(diǎn)亮待測LED器件的全部或部分LED芯片，測試并記錄發(fā)光數(shù)據(jù)；
52:關(guān)閉步驟SI中點(diǎn)亮的LED芯片的其中的一顆或多顆，測試并記錄發(fā)光數(shù)據(jù)；
53:根據(jù)SI和S2測得的發(fā)光數(shù)據(jù)，計算出該一顆或多顆LED芯片的發(fā)光數(shù)據(jù)；
54:將該一顆或多顆LED芯片的發(fā)光數(shù)據(jù)與預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)發(fā)光數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，判斷該一顆或多顆LED芯片是否合格，若該一顆或多顆LED芯片不合格，則判定該待測LED器件不合格；若該一顆或多顆LED芯片合格，則重復(fù)步驟Sf S4的方法，繼續(xù)判定該待測LED器件的其余LED芯片是否合格，若待測LED器件的全部LED芯片均合格，則判定該LED器件合格。
[0020]本發(fā)明LED器件的光電測試方法首先測試LED芯片全部或部分點(diǎn)亮的發(fā)光數(shù)據(jù)，然后測試關(guān)閉其中一顆或多顆LED芯片的發(fā)光數(shù)據(jù)，將兩者進(jìn)行分析比較，計算出該一顆或多顆LED芯片點(diǎn)亮?xí)r的發(fā)光數(shù)據(jù)，進(jìn)而將其與預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)發(fā)光數(shù)據(jù)進(jìn)行對比，判斷該一顆或多顆LED芯片是否合格，從而判斷LED器件是否合格，本發(fā)明測試過程中發(fā)光亮度大，因此縮短了小電流LED器件測試的時間，提高了測試的準(zhǔn)確度，使自動化測試的效率得到了極大的提聞。
[0021]在具體實(shí)施過程中，本具體實(shí)施例的測試方法可以基于圖2所示的測試裝置進(jìn)行，該測試裝置包括光電測試分析儀主機(jī)1-1，與光電測試分析儀主機(jī)1-1相連的信號收集器1-2、電源1-3及數(shù)據(jù)收集處理用電腦處理器1-4，所述信號收集器1-2上設(shè)有正負(fù)電極，且其正電極與電源1-3的正電極相連，其負(fù)電極與電源1-3的負(fù)電極相連，所述信號收集器1-2設(shè)有小孔，所述信號收集器1-2采用積分球、光纖探頭或CCD攝像頭。
[0022]在具體實(shí)施過程中，測試LED器件為常規(guī)1010RGB SMD LED器件，其包含R、G、BLED芯片各一顆，如圖3所示。常規(guī)的RGB測試電壓為5V，R、G、B LED芯片測試電流分別為12mA、8mA、5mA。本實(shí)施例的恒流源測試電流，R、G、B LED芯片分別為ImA ,0.3mA、0.2mA。相比常規(guī)器件，測試電流要小很多，對應(yīng)的光強(qiáng)亮度要也弱很多。測試的發(fā)光數(shù)據(jù)包括亮度、波長、光強(qiáng)，根據(jù)測得的數(shù)據(jù)，LED芯片的發(fā)光數(shù)據(jù)通過不同波段的能譜分布數(shù)據(jù)，由電腦進(jìn)行軟件計算的得出。本實(shí)施例中待測LED器件的LED芯片數(shù)目N=3，LED芯片的序號n=l,2,3。如圖4所示,具體測試流程如下:
O點(diǎn)亮待測LED器件的全部LED芯片，測試并記錄LED器件的發(fā)光數(shù)據(jù)Dn ；
2)關(guān)閉LED器件中的RLED芯片，點(diǎn)亮LED器件中G、B LED芯片，測試并記錄發(fā)光數(shù)據(jù)Dim ;對比發(fā)光數(shù)據(jù)Dn與Dn_1;計算出R LED芯片的發(fā)光數(shù)據(jù)Dk ;將De與預(yù)設(shè)的R LED芯片的測試標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)Dkci進(jìn)行對比，若Dk符合測試標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)，進(jìn)入下一流程，否則判定該LED器件為不合格；
3)關(guān)閉LED器件中GLED芯片，點(diǎn)亮LED器件中R、B LED芯片，測試并記錄發(fā)光數(shù)據(jù)Dn_2 ;對比發(fā)光數(shù)據(jù)Dn與Dn_2，計算出G LED芯片的發(fā)光數(shù)據(jù)De ;將Dg與預(yù)設(shè)的G LED芯片的測試標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)Detl進(jìn)行對比，若De符合測試標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)，進(jìn)入下一流程，否則判定該LED器件為不合格；
4)關(guān)閉LED器件中BLED芯片，點(diǎn)亮LED器件中R、G LED芯片，測試并記錄發(fā)光數(shù)據(jù)Dn_3 ;對比發(fā)光數(shù)據(jù)Dn與Dn_3，計算出B LED芯片的發(fā)光數(shù)據(jù)Db ;將Db與預(yù)設(shè)的B LED芯片的測試標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)Dbci進(jìn)行對比，若Db符合測試標(biāo)準(zhǔn)，判定該器件為合格，否則判定該LED器件為不合格。
[0023]采用上述方法進(jìn)行自動化測試，測試結(jié)果發(fā)現(xiàn)，采用該方法測試，統(tǒng)計測試效率為^ 12 k/h，達(dá)到行業(yè)常規(guī)測試效率，這對于低亮度LED器件的測試，有重要作用及影響。
[0024]實(shí)施例2
本實(shí)施例的測試樣品為LED COB模塊，為滿足更高分辨率的LED室內(nèi)先顯示屏要求，LED COB模塊具有更明顯的優(yōu)勢?；诖?，本實(shí)施例對2X2的LED COB模塊制作及測試，其包括4組R、G、B LED芯片，如圖5所示。根據(jù)上述技術(shù)方案，N=12，n=l，2，3……12。如圖6所示，具體測試流程如下:
O點(diǎn)亮待測LED COB模塊，測試并記錄LED COB模塊的發(fā)光數(shù)據(jù)Dn ；
2)關(guān)閉LEDCOB模塊中的Rl LED芯片，點(diǎn)亮其余芯片，測試并記錄發(fā)光數(shù)據(jù)D1^1 ;對比發(fā)光數(shù)據(jù)Dn與Dim，計算出Rl LED芯片的發(fā)光數(shù)據(jù)Dki ;將Dei與預(yù)設(shè)的R LED芯片的測試標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)Dkci進(jìn)行對比，若Dki符合測試標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)，進(jìn)入下一流程，否則判定該器件為不合格；
3)關(guān)閉LEDCOB模塊中的Gl LED芯片，點(diǎn)亮其余芯片，測試并記錄發(fā)光數(shù)據(jù)DN_2 ;對比發(fā)光數(shù)據(jù)0,與0,_2，計算出Gl LED芯片的發(fā)光數(shù)據(jù)Dei 與預(yù)設(shè)的G LED芯片的測試標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)Detl進(jìn)行對比，若Dei符合測試標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)，進(jìn)入下一流程，否則判定該器件為不合格；
4)關(guān)閉LEDCOB模塊中的BI LED芯片，點(diǎn)亮其余芯片，測試并記錄發(fā)光數(shù)據(jù)DN_3 ;對比發(fā)光數(shù)據(jù)0,與0,_3，計算出BI LED芯片的發(fā)光數(shù)據(jù)Dbi ;將Dbi與預(yù)設(shè)的B LED芯片的測試標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)Dbci進(jìn)行對比，若Dbi符合測試標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)，進(jìn)入下一流程，否則判定該器件為不合格；
5)重復(fù)流程2)?4)的方法，測試2X2的LEDCOB模塊的R2、G2、B2、R3、G3、B3、R4、G4、B4 LED芯片的發(fā)光數(shù)據(jù)并判斷是否合格，若所有的LED芯片均合格則判定該LED器件合格。
[0025]測試中，任何一顆LED芯片的發(fā)光數(shù)據(jù)不符合預(yù)設(shè)的測試標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)，判定該LEDCOB模塊為不合格，進(jìn)行一下LED模塊測試，如此循環(huán)。
[0026]本實(shí)施例中的LED COB模塊測試中，測試效率高，對于LED COB模塊的分光測試分選，有重要作用。
[0027]實(shí)施例3
在實(shí)施例2的基礎(chǔ)上，調(diào)整測試程序，分別依次測試同類芯片，如圖7所示，具體測試流程如下:
O點(diǎn)亮LED COB模塊中的Rf R4 LED芯片測試并記錄LED COB模塊的發(fā)光數(shù)據(jù)Dk ；
2)關(guān)閉RlLED芯片，點(diǎn)亮R2?R4 LED芯片，其余芯片均不工作，測試并記錄發(fā)光數(shù)據(jù)Dn_1;對比發(fā)光數(shù)據(jù)Dk與Dim，計算出Rl LED芯片的發(fā)光數(shù)據(jù)Dki ;將Dei與預(yù)設(shè)的R LED芯片的測試標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)Dkci進(jìn)行對比，若Dki符合測試標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)，進(jìn)入下一流程，否則判定該器件為不合格；
3)關(guān)閉R2LED芯片，點(diǎn)亮R1、R3、R4 LED芯片，其余芯片均不工作，測試并記錄發(fā)光數(shù)據(jù)DN_2，對比發(fā)光數(shù)據(jù)Dk與Dn_2，計算出R2 LED芯片的發(fā)光數(shù)據(jù)Dk2 ;將De2與預(yù)設(shè)的R LED芯片的測試標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)Dkci進(jìn)行對比，若Dk2符合測試標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)，進(jìn)入下一流程，否則判定該器件為不合格；
4)關(guān)閉R3LED芯片，點(diǎn)亮R1、R2、R4 LED芯片，其余芯片均不工作，測試并記錄發(fā)光數(shù)據(jù)Dn_3，對比發(fā)光數(shù)據(jù)Dk與Dn_3，計算出R3 LED芯片的發(fā)光數(shù)據(jù)Dk3 ;將De3與預(yù)設(shè)的R LED芯片的測試標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)Dkci進(jìn)行對比，若Dk3符合測試標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)，進(jìn)入下一流程，否則判定該器件為不合格；
5)關(guān)閉R4LED芯片，點(diǎn)亮RfR3 LED芯片，其余芯片均不工作，測試并記錄發(fā)光數(shù)據(jù)Dn_4，對比發(fā)光數(shù)據(jù)Dk與Dn_4，計算出R4 LED芯片的發(fā)光數(shù)據(jù)Dk4 ;將De4與預(yù)設(shè)的R LED芯片的測試標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)Dkci進(jìn)行對比，若Dk4符合測試標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)，進(jìn)入下一流程，否則判定該器件為不合格；
6)重復(fù)流程1Γ5)的方法，分別測試GfG4、Bl、4LED發(fā)光芯片的發(fā)光數(shù)據(jù)，若所有的LED芯片均合格則判定該LED器件合格。
[0028]測試中，任何一顆LED芯片的發(fā)光數(shù)據(jù)不符合預(yù)設(shè)的測試標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)，判定該LEDCOB模塊為不合格，進(jìn)行一下模塊測試，如此循環(huán)。
[0029]本實(shí)施例方案針對LED COB器件或模塊的分選波長有嚴(yán)格要求的測試，測試方案能避免不同芯片間波長的干擾產(chǎn)生的誤差，保證波長測試數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性。相對于實(shí)施例2的測試方案，本實(shí)施例的測試方案效率有所下降，但能滿足測試需求。
[0030]由實(shí)施例1-3可知，本發(fā)明的LED器件的光電測試方法，能滿足包括SMD LED與COB LED等不同形式的LED器件、模塊及模組產(chǎn)品的光學(xué)測試，提升了小電流LED器件光電測試的效率和準(zhǔn)確率。
[0031]實(shí)施例4
本實(shí)施例LED器件的光電測試裝置是實(shí)施例1-3測試方法對應(yīng)的裝置，在裝置的基礎(chǔ)上實(shí)施上述方法，即可實(shí)現(xiàn)本發(fā)明LED器件的光電測試的目標(biāo)。
[0032]一種LED器件的光電測試裝置，包括:
發(fā)光控制模塊:用于點(diǎn)亮待測LED器件的全部或部分LED芯片，或者關(guān)閉點(diǎn)亮的LED芯片的其中一顆或多顆；
數(shù)據(jù)收集模塊:用于收集待測LED器件的發(fā)光數(shù)據(jù)，傳送給數(shù)據(jù)分析模塊；
數(shù)據(jù)分析模塊:用于對點(diǎn)亮待測LED器件的全部或部分LED芯片時的發(fā)光數(shù)據(jù)和關(guān)閉點(diǎn)亮的LED芯片的其中一顆或多顆時的發(fā)光數(shù)據(jù)進(jìn)行比較分析，計算出該一顆或多顆LED芯片的發(fā)光數(shù)據(jù)；
決策模塊:用于將數(shù)據(jù)分析模塊得到的LED芯片的發(fā)光數(shù)據(jù)與預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)發(fā)光數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，判斷該一顆或多顆LED芯片是否合格。
[0033]在具體實(shí)施過程中，所述發(fā)光數(shù)據(jù)包括亮度、波長、光強(qiáng)，所述待測LED器件為SMDLED器件或LED COB模塊，所述待測LED器件的R、G、B LED芯片的點(diǎn)亮電流分別為ImA、0.3mA、0.2mAο
[0034]相同或相似的標(biāo)號對應(yīng)相同或相似的部件；
附圖中描述位置關(guān)系的用語僅用于示例性說明，不能理解為對本專利的限制；
顯然，本發(fā)明的上述實(shí)施例僅僅是為清楚地說明本發(fā)明所作的舉例，而并非是對本發(fā)明的實(shí)施方式的限定。對于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在上述說明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動。這里無需也無法對所有的實(shí)施方式予以窮舉。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種LED器件的光電測試方法，其特征在于，包括以下步驟: 51:點(diǎn)亮待測LED器件的全部或部分LED芯片，測試并記錄發(fā)光數(shù)據(jù)； 52:關(guān)閉步驟SI中點(diǎn)亮的LED芯片的其中的一顆或多顆，測試并記錄發(fā)光數(shù)據(jù)； 53:根據(jù)SI和S2測得的發(fā)光數(shù)據(jù)，計算出該一顆或多顆LED芯片的發(fā)光數(shù)據(jù)； 54:將該一顆或多顆LED芯片的發(fā)光數(shù)據(jù)與預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)發(fā)光數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，判斷該一顆或多顆LED芯片是否合格，若該一顆或多顆LED芯片不合格，則判定該待測LED器件不合格；若該一顆或多顆LED芯片合格，則重復(fù)步驟Sf S4的方法，繼續(xù)判定該待測LED器件的其余LED芯片是否合格，若待測LED器件的全部LED芯片均合格，則判定該LED器件合格。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED器件的光電測試方法，其特征在于，所述發(fā)光數(shù)據(jù)包括亮度、波長和光強(qiáng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED器件的光電測試方法，其特征在于，所述待測LED器件為SMD LED器件或LED COB模塊。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的LED器件的光電測試方法，其特征在于，所述待測LED器件為LED COB模塊時，對R、G、B LED芯片分別進(jìn)行測試。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED器件的光電測試方法，其特征在于，采用恒定電流控制為待測LED器件供電。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED器件的光電測試方法，其特征在于，所述待測LED器件的R、G、B LED芯片的點(diǎn)亮電流分別為ImA ,0.3mA、0.2mA。
7.—種LED器件的光電測試裝置，其特征在于，包括: 發(fā)光控制模塊:用于點(diǎn)亮待測LED器件的全部或部分LED芯片，或者關(guān)閉點(diǎn)亮的LED芯片的其中一顆或多顆； 數(shù)據(jù)收集模塊:用于收集待測LED器件的發(fā)光數(shù)據(jù)，傳送給數(shù)據(jù)分析模塊； 數(shù)據(jù)分析模塊:用于對點(diǎn)亮待測LED器件的全部或部分LED芯片時的發(fā)光數(shù)據(jù)和關(guān)閉點(diǎn)亮的LED芯片的其中一顆或多顆時的發(fā)光數(shù)據(jù)進(jìn)行比較分析，計算出該一顆或多顆LED芯片的發(fā)光數(shù)據(jù)； 決策模塊:用于將數(shù)據(jù)分析模塊得到的LED芯片的發(fā)光數(shù)據(jù)與預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)發(fā)光數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，判斷該一顆或多顆LED芯片是否合格。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的LED器件的光電測試裝置，其特征在于，所述發(fā)光數(shù)據(jù)包括亮度、波長、光強(qiáng)。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的LED器件的光電測試裝置，其特征在于，所述待測LED器件為SMD LED器件或LED COB模塊。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的LED器件的光電測試裝置，其特征在于，所述待測LED器件的R、G、B LED芯片的點(diǎn)亮電流分別為ImA ,0.3mA、0.2mA。
【文檔編號】G01M11/02GK104316295SQ201410608553
【公開日】2015年1月28日 申請日期:2014年11月3日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月3日
【發(fā)明者】孫天鵬, 李春輝, 董萌 申請人:廣東威創(chuàng)視訊科技股份有限公司