一種源漏極漏電流測(cè)試結(jié)構(gòu)的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型涉及一種源漏極漏電流測(cè)試結(jié)構(gòu)，包括：形成于一半導(dǎo)體襯底中的若干隔離溝槽、形成于所述隔離溝槽中的填充層、形成于所述隔離溝槽之間的第一摻雜區(qū)、以及第二摻雜區(qū)，所述填充層為彎折結(jié)構(gòu)。彎折結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)角處最容易產(chǎn)生位錯(cuò)，當(dāng)產(chǎn)生位錯(cuò)時(shí)，就能測(cè)到有源區(qū)和襯底的源漏極漏電流，進(jìn)而通過(guò)所述測(cè)試結(jié)構(gòu)判斷器件區(qū)中源漏極是否漏電及漏電的嚴(yán)重程度。
【專(zhuān)利說(shuō)明】 一種源漏極漏電流測(cè)試結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及集成電路制造領(lǐng)域，特別涉及一種源漏極漏電流測(cè)試結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]在晶圓制造過(guò)程中，由于晶體生長(zhǎng)條件、晶體里晶格應(yīng)力變化、以及制造過(guò)程中的物理?yè)p壞都可能產(chǎn)生位錯(cuò)。
[0003]有源區(qū)(Active Area, AA)硅晶體的位錯(cuò)是集成電路制造中常見(jiàn)的問(wèn)題。具體地說(shuō)，晶圓制作過(guò)程中，在半導(dǎo)體襯底中刻蝕形成隔離溝槽，由于制造工藝所限，經(jīng)常導(dǎo)致隔離溝槽的轉(zhuǎn)角處不夠圓滑，因此在后續(xù)向隔離溝槽中生長(zhǎng)氧化物形成填充層時(shí)不能形成一個(gè)很好的形貌，導(dǎo)致隔離溝槽轉(zhuǎn)角處容易出現(xiàn)位錯(cuò)，即，缺陷常常發(fā)生在靠近硅-氧化硅(S1-Si02)交界的地方，如隔離溝槽靠近有源區(qū)的拐角處，這些缺陷可以吸附重金屬雜質(zhì)，這些雜質(zhì)將起復(fù)合中心的作用，引起器件中的過(guò)度漏電。實(shí)踐中發(fā)現(xiàn)，正是由于在有源區(qū)邊緣存在著大量的晶格位錯(cuò)，產(chǎn)生了漏電的路徑，最終導(dǎo)致了靜態(tài)源漏極漏電流的增大，導(dǎo)致不良品的出現(xiàn)。
[0004]為了能挑選出不良品，半導(dǎo)體行業(yè)中，進(jìn)行晶圓可接受測(cè)試(wafer acceptancetest, WAT)，所述晶圓可接受測(cè)試是制程上測(cè)試晶圓內(nèi)器件是否擁有正常工作能力的一項(xiàng)測(cè)試。它的測(cè)量對(duì)象為單一的器件，如單一的NMOS或PMOS等，而不是已經(jīng)組合好的邏輯電路。通常，WAT是在器件已經(jīng)都制造完成以后，準(zhǔn)備將晶圓切割與封裝前進(jìn)行。WAT所測(cè)試的器件并非晶圓上的器件，而是切割道上面的測(cè)試結(jié)構(gòu)(Test structure或test key),這樣既可以有效利用切割道的空間，又可以經(jīng)由測(cè)試每個(gè)切割道上面的測(cè)試結(jié)構(gòu)，去推斷附近芯片(chip)中的器件電性是否符合要求。
[0005]然而，現(xiàn)有的WAT的測(cè)試參數(shù)是指，對(duì)這些測(cè)試結(jié)構(gòu)進(jìn)行電性能測(cè)量所得到的電性參數(shù)數(shù)據(jù)，例如連接性測(cè)試、閾值電壓、漏極飽和電流等，并沒(méi)有有效的測(cè)試結(jié)構(gòu)來(lái)偵測(cè)有源區(qū)位錯(cuò)及其嚴(yán)重程度。因此，亟需提供一種可以偵測(cè)源漏極漏電流的測(cè)試結(jié)構(gòu)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本實(shí)用新型的目的提供一種源漏極漏電流測(cè)試結(jié)構(gòu)，用來(lái)測(cè)試器件源漏極是否漏電及漏電的嚴(yán)重程度。
[0007]為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型提供了一種源漏極漏電流測(cè)試結(jié)構(gòu)，包括:形成于一半導(dǎo)體襯底中的若干隔離溝槽、形成于所述隔離溝槽中的填充層、形成于所述隔離溝槽之間的第一摻雜區(qū)、以及第二摻雜區(qū)，所述填充層為彎折結(jié)構(gòu)。
[0008]可選的，所述的源漏極漏電流測(cè)試結(jié)構(gòu)的填充層為條形彎折結(jié)構(gòu)。
[0009]可選的，所述條形彎折結(jié)構(gòu)的彎折角度為30?100度。
[0010]可選的，所述條形彎折結(jié)構(gòu)的彎折角度為70?90度。
[0011]可選的，相鄰的填充層鏡像對(duì)稱(chēng)。可選的，源漏極漏電流測(cè)試結(jié)構(gòu)還包括形成于所述半導(dǎo)體襯底中的阱區(qū)，所述第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)形成于所述阱區(qū)中。[0012]可選的，所述第一摻雜區(qū)為N型重?fù)诫s區(qū)，所述第二摻雜區(qū)為P型重?fù)诫s區(qū)。
[0013]可選的，源漏極漏電流測(cè)試結(jié)構(gòu)還包括形成于所述半導(dǎo)體襯底上的絕緣介質(zhì)層以及形成于所述絕緣介質(zhì)層中的第一插塞以及第二插塞，所述第一插塞與所述第一摻雜區(qū)連接，所述第二插塞與所述第二摻雜區(qū)連接。
[0014]可選的，所述第一摻雜區(qū)以及第二摻雜區(qū)與一外加測(cè)試電路電連接。
[0015]可選的，所述源漏極漏電流測(cè)試結(jié)構(gòu)位于半導(dǎo)體襯底的切割道上。
[0016]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型提供一種源漏極漏電流測(cè)試結(jié)構(gòu)，用于晶圓可接受測(cè)試，所述源漏極漏電流測(cè)試結(jié)構(gòu)包括形成于半導(dǎo)體襯底中的若干隔離溝槽、形成于所述隔離溝槽中的填充層、形成于所述隔離溝槽之間的第一摻雜區(qū)、以及第二摻雜區(qū)，所述填充層為彎折結(jié)構(gòu)，彎折結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)角處最容易產(chǎn)生位錯(cuò)，當(dāng)產(chǎn)生位錯(cuò)時(shí)，就能測(cè)到有源區(qū)和襯底的源漏極漏電流，進(jìn)而通過(guò)所述測(cè)試結(jié)構(gòu)測(cè)試器件源漏極是否漏電及漏電的嚴(yán)重程度。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0017]圖1是本實(shí)用新型一實(shí)施例的源漏極漏電流測(cè)試結(jié)構(gòu)俯視示意圖；
[0018]圖2是圖1沿AA’方向的截面示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019]下面將結(jié)合示意圖對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本實(shí)用新型，而仍然實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對(duì)本實(shí)用新型的限制。需說(shuō)明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例的目的。
[0020]圖1是本實(shí)用新型一實(shí)施例的源漏極漏電流測(cè)試結(jié)構(gòu)俯視示意圖，圖2是圖1沿AA’方向的截面示意圖。如圖1和圖2所示，本實(shí)用新型提供的源漏極漏電流測(cè)試結(jié)構(gòu)，包括:形成于一半導(dǎo)體襯底10中的若干隔離溝槽20、形成于所述隔離溝槽20中的填充層25、形成于所述隔離溝槽20之間的第一摻雜區(qū)60、以及第二摻雜區(qū)70，所述填充層25為彎折結(jié)構(gòu)。所述彎折結(jié)構(gòu)25的轉(zhuǎn)角處40由于不夠圓滑，最容易產(chǎn)生位錯(cuò)，當(dāng)出現(xiàn)位錯(cuò)時(shí)，就能測(cè)到有源區(qū)和襯底10的源漏極漏電流。
[0021]如圖1所示，填充層25由條形彎折形成，相鄰的填充層鏡像對(duì)稱(chēng)。其中，彎折角度為30?100度，較佳方案中彎折角度選擇70?90度。當(dāng)然，本實(shí)用新型并不限制隔離溝槽的具體形狀和數(shù)量，只要是彎折結(jié)構(gòu)均可以實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的目的。
[0022]所述源漏極漏電流測(cè)試結(jié)構(gòu)還包括形成于所述半導(dǎo)體襯底10中的阱區(qū)50，所述第一摻雜區(qū)60和第二摻雜區(qū)70形成于所述阱區(qū)50中。
[0023]其中，所述第一摻雜區(qū)60為N型重?fù)诫s區(qū),所述第二摻雜區(qū)70為P型重?fù)诫s,反之亦可。
[0024]所述源漏極漏電流測(cè)試結(jié)構(gòu)還包括形成于所述半導(dǎo)體襯底10上的絕緣介質(zhì)層80以及形成于所述絕緣介質(zhì)層80中的第一插塞90以及第二插塞95，所述第一插塞90與所述第一摻雜區(qū)60連接，所述第二插塞95與所述第二摻雜區(qū)70連接。測(cè)試時(shí)，通過(guò)所述第一插塞90以及第二插塞95使所述第一摻雜區(qū)60以及第二摻雜區(qū)70與一外加測(cè)試電路電連接。
[0025]其中，所述源漏極漏電流測(cè)試結(jié)構(gòu)位于半導(dǎo)體襯底10的切割道上，可與晶圓器件區(qū)上的器件一同形成。
[0026]具體地說(shuō)，本實(shí)用新型提供的源漏極漏電流測(cè)試結(jié)構(gòu)可通過(guò)如下方式形成:首先，在半導(dǎo)體襯底中形成第一淺溝道隔離溝槽20和第二淺溝道隔離溝槽30，并在第一淺溝道隔離溝槽20和第二淺溝道隔離溝槽30內(nèi)填充氧化物即填充層25和35 ;第一淺溝道隔離溝槽20和第二淺溝道隔離溝槽30互為鏡像對(duì)稱(chēng)的彎折結(jié)構(gòu)。接著進(jìn)行輕摻雜形成阱區(qū)50，再進(jìn)行重?fù)诫s形成第一摻雜區(qū)60和第二摻雜區(qū)70，所述第一摻雜區(qū)60例如為N型重?fù)诫s區(qū)，所述第二摻雜區(qū)70例如為P型重?fù)诫s區(qū)。接著，在襯底上沉積形成絕緣介質(zhì)層80，并刻蝕所述絕緣介質(zhì)層80形成接觸孔(contact hole),然后在接觸孔中填充金屬形成金屬插塞(plug),即連接于第一摻雜區(qū)60的第一插塞90和連接于第二摻雜區(qū)70的第二插塞95 ;最后，進(jìn)行金屬互聯(lián)線制作工藝，使金屬插塞與金屬互連線電相連。
[0027]當(dāng)進(jìn)行晶圓可接受測(cè)試時(shí)，通過(guò)所述第一插塞90以及第二插塞95使所述第一摻雜區(qū)60以及第二摻雜區(qū)70與一外加測(cè)試電路電連接，PN結(jié)導(dǎo)通，P型重?fù)诫s區(qū)一端電壓為O伏。彎折結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)角處40最容易產(chǎn)生位錯(cuò)，如果測(cè)試結(jié)構(gòu)沒(méi)有產(chǎn)生位錯(cuò)情況，其附件芯片(chip)中的器件基本不會(huì)發(fā)生位錯(cuò)，也就不會(huì)發(fā)生漏電現(xiàn)象。如果測(cè)得有源區(qū)和襯底的源漏極漏電流則說(shuō)明有源區(qū)位錯(cuò)嚴(yán)重。如果測(cè)試結(jié)構(gòu)和芯片器件同時(shí)發(fā)生位錯(cuò)，則漏電結(jié)果會(huì)惡化，測(cè)試結(jié)果會(huì)非常明顯。如果沒(méi)有漏電產(chǎn)生，則產(chǎn)品為良品，如果有漏電產(chǎn)生則為不良品。
[0028]綜上所述，本實(shí)用新型提供一種源漏極漏電流測(cè)試結(jié)構(gòu)，可用于晶圓可接受測(cè)試中測(cè)試器件源漏極是否漏電及漏電的嚴(yán)重程度，所述源漏極漏電流測(cè)試結(jié)構(gòu)包括形成于半導(dǎo)體襯底中的若干隔離溝槽、形成于所述隔離溝槽中的填充層、形成于所述隔離溝槽之間的第一摻雜區(qū)、以及第二摻雜區(qū)，所述填充層為彎折結(jié)構(gòu)，彎折結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)角處最容易產(chǎn)生位錯(cuò)，當(dāng)產(chǎn)生位錯(cuò)時(shí)，就能測(cè)到有源區(qū)和襯底的源漏極漏電流，進(jìn)而通過(guò)所述測(cè)試結(jié)構(gòu)測(cè)試器件源漏極是否漏電及漏電的嚴(yán)重程度。
[0029]顯然，上述描述僅是對(duì)本實(shí)用新型較佳實(shí)施例的描述，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實(shí)用新型的這些修改和變型屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實(shí)用新型也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種源漏極漏電流測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括:形成于一半導(dǎo)體襯底中的若干隔離溝槽、形成于所述隔離溝槽中的填充層、形成于所述隔離溝槽之間的第一摻雜區(qū)、以及第二摻雜區(qū)，其中所述填充層為彎折結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的源漏極漏電流測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述填充層為條形彎折結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求2所述的源漏極漏電流測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述條形彎折結(jié)構(gòu)的彎折角度為30?100度。
4.如權(quán)利要求3所述的源漏極漏電流測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述條形彎折結(jié)構(gòu)的彎折角度為70?90度。
5.如權(quán)利要求2所述的源漏極漏電流測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，相鄰的填充層鏡像對(duì)稱(chēng)。
6.如權(quán)利要求1所述的源漏極漏電流測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括形成于所述半導(dǎo)體襯底中的阱區(qū)，所述第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)形成于所述阱區(qū)中。
7.如權(quán)利要求6所述的源漏極漏電流測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一摻雜區(qū)為N型重?fù)诫s區(qū)，所述第二摻雜區(qū)為P型重?fù)诫s區(qū)。
8.如權(quán)利要求1所述的源漏極漏電流測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括形成于所述半導(dǎo)體襯底上的絕緣介質(zhì)層以及形成于所述絕緣介質(zhì)層中的第一插塞以及第二插塞，所述第一插塞與所述第一摻雜區(qū)連接，所述第二插塞與所述第二摻雜區(qū)連接。
9.如權(quán)利要求1所述的源漏極漏電流測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一摻雜區(qū)以及第二摻雜區(qū)與一外加測(cè)試電路電連接。
10.如權(quán)利要求1所述的源漏極漏電流測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述源漏極漏電流測(cè)試結(jié)構(gòu)位于半導(dǎo)體襯底的切割道上。
【文檔編號(hào)】G01R31/02GK203800036SQ201420147276
【公開(kāi)日】2014年8月27日 申請(qǐng)日期:2014年3月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月28日
【發(fā)明者】趙麗麗, 吳方銳, 周俊, 劉麗麗 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司