一種vfto下高溫氣體擊穿特性檢測(cè)裝置制造方法
【專利摘要】一種VFTO下高溫氣體擊穿特性檢測(cè)裝置，該裝置實(shí)現(xiàn)VFTO條件下氣體擊穿過程的檢測(cè)，包括氣體封閉室、加熱單元、放電單元、光譜儀、測(cè)溫儀、氣體充放與回收單元、電壓源、VFTO產(chǎn)生單元、電流表和計(jì)算機(jī)；從微觀的角度檢測(cè)氣體的擊穿過程，通過光譜儀測(cè)量擊穿過程中的光強(qiáng)和波長(zhǎng)，得到擊穿過程中的粒子溫度，并進(jìn)一步得到粒子的粘性系數(shù)、電導(dǎo)率、擴(kuò)散系數(shù)。
【專利說(shuō)明】-種VFTO下高溫氣體擊穿特性檢測(cè)裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型屬于氣體放電領(lǐng)域，具體涉及一種VFT0下高溫氣體擊穿特性檢測(cè)裝 置。

【背景技術(shù)】
[0002] 氣體、液體和固體電介質(zhì)在直流、工頻交流等常規(guī)條件下?lián)舸┨匦砸呀?jīng)進(jìn)行了相 當(dāng)多的研究工作，近年來(lái)，極端條件下的電介質(zhì)絕緣性能以及不同形式和條件的氣體放電 規(guī)律等引起了國(guó)內(nèi)外廣泛關(guān)注。在超特高壓GIS(Gas Insulated Switchgear,全封閉組合 電器），隔離開關(guān)操作時(shí)由于重燃頻率高，會(huì)產(chǎn)生幾十MHZ的VFTO (Very Fast Transient Over-voltages,快速暫態(tài)過電壓），危害開關(guān)的開斷性能。因此，對(duì)于VFTO條件下氣體擊 穿過程的研究具有重要意義，然而，目前對(duì)于VFT0條件下氣體擊穿特性的檢測(cè)手段還不完 善。在VFT0條件下氣體擊穿過程中等離子體的狀態(tài)往往是非離平衡態(tài)的，應(yīng)考慮粒子間的 碰撞過程，需要用非玻爾茲曼分布函數(shù)來(lái)描述，并且由于VFT0的頻率極高，擊穿過程中粒 子間的碰撞與工頻電壓下粒子間的碰撞存在差異，原有的玻爾茲曼碰撞模型無(wú)法適用這種 極端情況。 實(shí)用新型內(nèi)容
[0003] 針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本實(shí)用新型提供了一種VFT0下高溫氣體擊穿特性檢 測(cè)裝置。
[0004] 本實(shí)用新型的技術(shù)方案：
[0005] -種VFT0下高溫氣體擊穿特性檢測(cè)裝置，包括：
[0006] 氣體封閉室、加熱單元、放電單元、光譜儀、測(cè)溫儀、氣體充放與回收單元、電壓源、 VFT0產(chǎn)生單元、電流表和計(jì)算機(jī)；
[0007] 所述氣體封閉室為封閉的圓柱桶形結(jié)構(gòu)，采用絕熱的透明材料，用于盛裝氣體；
[0008] 所述加熱單元包括電阻絲和陶瓷片；所述電阻絲安裝在氣體封閉室內(nèi)腔底部位置 上；所述陶瓷片鋪設(shè)在電阻絲表面上；
[0009] 所述放電單元包括陽(yáng)極電極板和陰極電極板；所述陽(yáng)極電極板和陰極電極板分別 安裝在氣體封閉室內(nèi)腔壁的中間位置上，且陽(yáng)極電極板和陰極電極板相對(duì)放置；
[0010] 所述光譜儀的探頭插入到氣體封閉室內(nèi)腔中并置于陽(yáng)極電極板和陰極電極板之 間，光譜儀的輸出端連接計(jì)算機(jī)的一個(gè)輸入端；
[0011] 所述測(cè)溫儀安裝在氣體封閉室內(nèi)腔頂部位置上；
[0012] 所述氣體充放與回收單元通過氣管與氣體封閉室內(nèi)腔連通；
[0013] 所述電壓源的兩個(gè)輸出端分別連接電阻絲的兩個(gè)接線端；
[0014] 所述VFT0產(chǎn)生單元包括脈沖觸發(fā)器組、脈沖發(fā)生器組和VFT0合成電路；所述脈 沖觸發(fā)器組包括多個(gè)脈沖觸發(fā)器；所述脈沖發(fā)生器組包括多個(gè)脈沖發(fā)生器；所述脈沖觸發(fā) 器組中的各個(gè)脈沖觸發(fā)器的輸入端分別與所述計(jì)算機(jī)的不同輸出端連接；所述脈沖觸發(fā)器 組中的各個(gè)脈沖觸發(fā)器的輸出端分別與脈沖發(fā)生器組中的各個(gè)脈沖發(fā)生器的輸入端連接； 所述脈沖發(fā)生器組中的各個(gè)脈沖發(fā)生器的輸出端分別連接VFTO合成電路的各個(gè)輸入端， VFTO合成電路的輸出端作為VFTO產(chǎn)生單元的輸出端通過電流表與陽(yáng)極電極板和氣體封閉 室的連接端相連接；所述VFTO產(chǎn)生單元的零電位端與陰極電極板和氣體封閉室的連接端 相連接；
[0015] 所述電阻絲用于對(duì)氣體封閉室中的氣體進(jìn)行加熱；所述陶瓷片用于對(duì)電阻絲加熱 時(shí)產(chǎn)生的金屬蒸汽與被測(cè)氣體之間進(jìn)行隔離；
[0016] 所述放電單元的陽(yáng)極電極板和陰極電極板之間的間距可調(diào)節(jié)；
[0017] 所述光譜儀用于測(cè)量氣體等離子體產(chǎn)生的光譜的強(qiáng)度以及光譜的波長(zhǎng)并將測(cè)得 的光譜的強(qiáng)度以及光譜的波長(zhǎng)傳送至計(jì)算機(jī)；
[0018] 所述電壓源用于為電阻絲供電，使電阻絲發(fā)熱；所述測(cè)溫儀用于測(cè)量被加熱氣體 的溫度；
[0019] 所述氣體充放與回收單兀用于氣體封閉室的充氣和抽真空處理；
[0020] 所述計(jì)算機(jī)用于接收光譜儀發(fā)送的氣體等離子體產(chǎn)生的光譜的強(qiáng)度和光譜的波 長(zhǎng)并計(jì)算出等尚子體內(nèi)的各種粒子溫度及氣體擊穿過程中各種粒子的分布且根據(jù)氣體擊 穿過程中各種粒子的分布函數(shù)分別計(jì)算出粒子的擴(kuò)散系數(shù)、粒子的電導(dǎo)率和粒子的粘滯系 數(shù)，并用于仿真獲得VFT0,且將獲得的VFT0分解為多個(gè)不同周期的納秒級(jí)脈沖信號(hào)并分別 發(fā)送給VFT0產(chǎn)生單元的脈沖觸發(fā)器組中的各個(gè)脈沖觸發(fā)器；
[0021] 所述脈沖觸發(fā)器組中的各個(gè)脈沖觸發(fā)器用于分別控制脈沖發(fā)生器組中的各個(gè)脈 沖發(fā)生器的輸出頻率；所述脈沖發(fā)生器組中的各個(gè)脈沖發(fā)生器用于分別產(chǎn)生所需頻率的脈 沖信號(hào)；
[0022] 所述VFT0合成電路用于分別對(duì)脈沖信號(hào)發(fā)生器組中的各個(gè)脈沖信號(hào)發(fā)生器產(chǎn)生 的脈沖信號(hào)進(jìn)行幅值調(diào)節(jié)，并對(duì)幅值調(diào)節(jié)后的各個(gè)脈沖信號(hào)進(jìn)行疊加處理和相位調(diào)節(jié)處理 后輸出所需的VFT0。
[0023] 有益效果：本實(shí)用新型的VFTO下高溫氣體擊穿特性檢測(cè)裝置與現(xiàn)有技術(shù)相比較 有以下優(yōu)勢(shì)：
[0024] 1)與以往對(duì)擊穿過程的研究只是測(cè)量擊穿電壓等宏觀參量有所不同，本裝置從微 觀的角度檢測(cè)氣體的擊穿過程，通過光譜儀測(cè)量擊穿過程中的光強(qiáng)和波長(zhǎng)，得到擊穿過程 中的粒子溫度，并應(yīng)用到本實(shí)用新型提出的研究過程中，得到粒子的粘性系數(shù)、電導(dǎo)率、擴(kuò) 散系數(shù)。
[0025] 2)根據(jù)在GIS中，會(huì)產(chǎn)生VFT0,危害斷路器的開斷性能。目前幾乎沒有對(duì)于VFT0 這種極端條件下氣體擊穿過程的研究，而本實(shí)用新型可以實(shí)現(xiàn)VFTO條件下氣體擊穿過程 的檢測(cè)。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0026] 圖1為本實(shí)用新型一種實(shí)施方式的VFT0下高溫氣體擊穿特性檢測(cè)裝置的連接關(guān) 系不意圖；
[0027] 圖2為本實(shí)用新型一種實(shí)施方式的氣體封閉室所用法蘭盤的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028] 圖3為本實(shí)用新型一種實(shí)施方式的氣體充放與回收單元的連接關(guān)系示意圖：(a) 為抽真空部分的結(jié)構(gòu)示意圖；(b)為充氣部分的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029] 圖4為本實(shí)用新型一種實(shí)施方式的VFT0產(chǎn)生單元的電路原理圖。

【具體實(shí)施方式】
[0030] 下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的一種實(shí)施方式作詳細(xì)說(shuō)明。
[0031] 本實(shí)施方式的VFT0下高溫氣體擊穿特性檢測(cè)裝置，如圖1所示，包括：氣體封閉室 7、加熱單元、放電單元、光譜儀5、測(cè)溫儀3、氣體充放與回收單元1、電壓源12、VFT0產(chǎn)生單 元11、電流表16和計(jì)算機(jī)15;
[0032] 所述氣體封閉室7為封閉的圓柱桶形結(jié)構(gòu)，用于盛裝氣體，采用絕熱的玻璃材料 制成，壁厚約為20mm，氣體封閉室7圓柱桶形內(nèi)腔直徑約為170mm，高度約為400mm ;氣體封 閉室7頂部位置與上法蘭盤6連接，氣體封閉室7底部位置與下法蘭盤10連接；上法蘭盤 6與下法蘭盤10的結(jié)構(gòu)相同，如圖2所示，在上法蘭盤6距離其圓心85mm處和在下法蘭盤 10距離其圓心85mm處分別開一個(gè)寬度為20mm的圓圈槽，兩個(gè)圓圈槽內(nèi)分別放置橡膠密封 墊圈17。上法蘭盤6和下法蘭盤10均以插入的方式連接氣體封閉室并通過螺栓18進(jìn)行四 周固定。針對(duì)高溫試驗(yàn)，橡膠密封圈17采用全氟橡膠，有很強(qiáng)的耐高溫特性。
[0033] 所述加熱單元包括電阻絲13和陶瓷片9 ;所述電阻絲13用于對(duì)氣體封閉室中的 氣體進(jìn)行加熱，為增大受熱面積并使氣體受熱均勻，將電阻絲扭成股，平鋪安裝在氣體封閉 室內(nèi)腔底部下法蘭10的表面位置上；電阻絲13的材料為鐵鉻鋁0Cr27A17M02,可加熱氣體 的最高溫度為1400°C ;電阻絲13表面的陶瓷材料為氧化鋁陶瓷板，型號(hào)為T0-247。避免 電阻絲13加熱時(shí)產(chǎn)生的金屬蒸汽對(duì)擊穿過程等離子體測(cè)量產(chǎn)生干擾，在電阻絲13表面平 鋪了一層高導(dǎo)熱系數(shù)的陶瓷片9,用于對(duì)電阻絲13加熱時(shí)產(chǎn)生的金屬蒸汽與被測(cè)氣體之間 進(jìn)行隔離；由于陶瓷的延展性較差，為便于安裝，陶瓷片9的直徑比氣體封閉室7的內(nèi)徑小 4mm，而相對(duì)于氣體封閉室7內(nèi)徑，4mm是很小的量，而且電阻絲排列在陶瓷片下面，故不會(huì) 對(duì)等離子體的測(cè)量產(chǎn)生影響。
[0034] 所述放電單元包括陽(yáng)極電極板14和陰極電極板8 ;所述陽(yáng)極電極板14和陰極電 極板8分別安裝在氣體封閉室7內(nèi)腔壁的中間位置上，且陽(yáng)極電極板14和陰極電極板8相 對(duì)放置，且陽(yáng)極電極板14和陰極電極板8之間的間距可調(diào)節(jié)；陽(yáng)極電極板14和陰極電極板 8均為圓盤形平板電極，材料均為銅，直徑均為20mm,
[0035] 所述光譜儀5的探頭4插入到氣體封閉室7內(nèi)腔中并置于陽(yáng)極電極板14和陰極 電極板8之間，位于距離陽(yáng)極電極板14上方和陰極電極板8上方5mm的位置，且探頭4置 于氣體封閉室7內(nèi)腔中的部分設(shè)置一個(gè)凸透鏡，可以增大探頭4的測(cè)量范圍。通過光譜儀 5測(cè)量氣體等離子體產(chǎn)生的發(fā)射光譜獲得到VFT0下氣體擊穿時(shí)的光譜強(qiáng)度以及光譜波長(zhǎng)， 利用光強(qiáng)比值法得到氣體等離子體中各粒子的溫度。本實(shí)施方式中的光譜儀5采用的是 AvaSpec-ULS2048-x-USB2雙通道光譜儀，可測(cè)得波長(zhǎng)范圍為200-1100nm，A/D轉(zhuǎn)換采用16 位1MHZ，最低響應(yīng)時(shí)間為0. lms，探測(cè)器采用（XD線陣，像素為2*3648。
[0036] 所述測(cè)溫儀3安裝在氣體封閉室7內(nèi)腔頂部位置上，用于測(cè)量被加熱氣體的溫 度；本實(shí)施方式中的測(cè)溫儀3采用的是固定式紅外測(cè)溫儀，型號(hào)為SCIT-2MK2A，測(cè)溫范圍為 600°C -2000°C，瞄準(zhǔn)方式為光學(xué)目視；它通過螺栓固定在上法蘭盤6上。由于紅外測(cè)溫儀3 只能測(cè)一點(diǎn)的溫度，可能導(dǎo)致測(cè)量結(jié)果有很大的誤差，本實(shí)用新型采用多角度測(cè)量，用螺栓 將紅外線測(cè)溫儀固定在軸承上，可以測(cè)量多個(gè)方向的溫度，每隔15度測(cè)量一次，并將測(cè)量 值取平均作為腔體內(nèi)的氣體溫度。
[0037] 所述氣體充放與回收單元1通過氣管2與氣體封閉室7內(nèi)腔連通，用于氣體的充 放、氣體的回收和氣體封閉室的抽真空處理；為防止充氣和抽真空時(shí)氣體漏出，本實(shí)施方式 中氣體充放與回收單元1通過在上法蘭盤6上接出一個(gè)有螺紋的不銹鋼氣管2與氣體封閉 室內(nèi)腔連通，用于實(shí)驗(yàn)時(shí)，將一定氣壓的氣體充入氣體封閉室內(nèi)；當(dāng)實(shí)驗(yàn)結(jié)束后，將氣體封 閉室內(nèi)的氣體抽真空以防止有害氣體污染。
[0038] 為防止充氣和抽真空時(shí)氣體漏出，本實(shí)施方式中氣體充放與回收單元1通過氣管 2與氣體封閉室7連接，氣管2表面有螺紋，它與氣體封閉室7上法蘭盤6接出的不銹鋼管 緊密連接；實(shí)驗(yàn)時(shí)，將一定氣壓的氣體充入氣體封閉室7內(nèi)，實(shí)驗(yàn)結(jié)束后，將氣體封閉室7內(nèi) 的氣體抽真空以防止有害氣體污染；氣體充放與回收單元1包括抽真空裝置和充氣裝置； 抽真空部分包括氣體回收罐25、真空計(jì)19、真空泵24、氣壓表22、閥20、閥21和閥23,如圖 3(a)所示，氣體封閉室7抽真空時(shí)，閥20、閥21、閥23打開，氣體通過真空泵24抽出，最高 真空度為l〇Pa;充氣部分包括儲(chǔ)氣罐29、過濾器28、壓縮機(jī)27、氣壓表26以及閥30,如圖 3 (b)所示，氣體封閉室7充氣時(shí)，儲(chǔ)氣罐26的氣體通過過濾器28和壓縮機(jī)27充入氣體封 閉室7內(nèi)，最高壓強(qiáng)為3.8Mpa;
[0039] 所述電壓源12的兩個(gè)輸出端分別連接電阻絲13的兩個(gè)接線端，用于為電阻絲13 供電，使電阻絲13發(fā)熱，使氣體在未放電前很快的達(dá)到較高溫度；本實(shí)施方式中的電壓源 12采用的是GQ-AD型3000W可調(diào)開關(guān)電源，最大電壓1500V，最大電流2000A。
[0040] 所述VFT0產(chǎn)生單元，如圖4所示，包括脈沖觸發(fā)器組31、脈沖發(fā)生器組32和 VFT0合成電路33 ;本實(shí)施方式中脈沖觸發(fā)器組31中的η個(gè)脈沖觸發(fā)器均采用型號(hào)為 501003⑶Β(⑶3)的脈沖觸發(fā)器，脈沖發(fā)生器組32中的η個(gè)脈沖發(fā)生器均采用型號(hào)為 SPG200的全固態(tài)脈沖功率源的脈沖發(fā)生器；
[0041] 所述脈沖觸發(fā)器組31包括η個(gè)脈沖觸發(fā)器，用于控制脈沖發(fā)生器組32的輸出頻 率；所述脈沖發(fā)生器組32包括η個(gè)脈沖發(fā)生器，用于產(chǎn)生一定頻率的脈沖信號(hào)；所述脈沖 觸發(fā)器組31中的各個(gè)脈沖觸發(fā)器的輸入端分別與計(jì)算機(jī)15的不同輸出端連接；所述脈沖 觸發(fā)器組31中的各個(gè)脈沖觸發(fā)器的輸出端分別與脈沖發(fā)生器組32中的各個(gè)脈沖發(fā)生器的 輸入端連接；所述脈沖發(fā)生器組32中的各個(gè)脈沖發(fā)生器的輸出端分別連接VFT0合成電路 33的各個(gè)輸入端，VFT0合成電路33的輸出端作為VFT0產(chǎn)生單元11的輸出端通過電流表 16與陽(yáng)極電極板14和氣體封閉室7的連接端相連接；所述VFT0產(chǎn)生單元11的零電位端 與陰極電極板8和氣體封閉室7的連接端相連接；
[0042] 所述VFT0合成電路33的各個(gè)輸入端與第一級(jí)運(yùn)算放大器34的負(fù)輸入端之間分 別串聯(lián)有電阻R1、電阻R2、···、電阻Rn，如圖4所示，第一級(jí)運(yùn)算放大器34的負(fù)輸入端與其 輸出端之間并聯(lián)有電阻Rn+Ι，第一級(jí)運(yùn)算放大器34的正輸入端通過電阻Rn+2接地，第一級(jí) 運(yùn)算放大器34的輸出端通過電阻Rn+3連接第二級(jí)運(yùn)算放大器35的負(fù)輸入端，第二級(jí)運(yùn)算 放大器35的負(fù)輸入端與其輸出端之間并聯(lián)有電阻Rn+4,第二級(jí)運(yùn)算放大器35的正輸入端 通過電阻Rn+5接地。
[0043] 本實(shí)施方式中計(jì)算機(jī)15仿真計(jì)算出某GIS中隔離開關(guān)操作時(shí)產(chǎn)生的VFT0,并將 該VFT0分解為η個(gè)不同幅值、不同頻率的納秒級(jí)脈沖信號(hào)；計(jì)算機(jī)15將分解出的各個(gè)脈 沖信號(hào)的頻率值分別設(shè)定在脈沖觸發(fā)器組31中的各個(gè)脈沖觸發(fā)器中，脈沖觸發(fā)器組31中 的各個(gè)脈沖觸發(fā)器分別按照所設(shè)定的脈沖信號(hào)頻率值觸發(fā)脈沖發(fā)生器組32中的各個(gè)脈沖 發(fā)生器分別產(chǎn)生脈沖信號(hào)，脈沖發(fā)生器組32中的各個(gè)脈沖發(fā)生器分別將脈沖信號(hào)傳送至 VFTO合成電路33的各個(gè)輸入端，VFTO合成電路33中的電阻R1、R2、...、Rn按照計(jì)算機(jī)15 分解出的各個(gè)脈沖信號(hào)幅值分別對(duì)接收到的各個(gè)脈沖信號(hào)的幅值進(jìn)行調(diào)節(jié)，經(jīng)過電阻R1、 R2、…、Rn調(diào)節(jié)后的η個(gè)脈沖信號(hào)經(jīng)過第一級(jí)運(yùn)算放大器34疊加和第二級(jí)運(yùn)算放大器35 調(diào)節(jié)相位后在VFTO合成電路33輸出端out端獲得所需的VFTO,即與計(jì)算機(jī)15仿真計(jì)算出 的VFTO相同或相接近。
[0044] 脈沖發(fā)生器組32中的各個(gè)脈沖發(fā)生器分別產(chǎn)生的納秒級(jí)脈沖信號(hào)的頻率分別為 fl、f2、…、包，其電壓分別為Ul、u2、…、un，經(jīng)過第一級(jí)運(yùn)算放大器34疊加后得到u n+1，

【權(quán)利要求】
1. 一種VFTO下高溫氣體擊穿特性檢測(cè)裝置，其特征在于：包括： 氣體封閉室、加熱單元、放電單元、光譜儀、測(cè)溫儀、氣體充放與回收單元、電壓源、VFT0 產(chǎn)生單元、電流表和計(jì)算機(jī)； 所述氣體封閉室為封閉的圓柱桶形結(jié)構(gòu)，采用絕熱的透明材料，用于盛裝氣體； 所述加熱單元包括電阻絲和陶瓷片；所述電阻絲安裝在氣體封閉室內(nèi)腔底部位置上； 所述陶瓷片鋪設(shè)在電阻絲表面上； 所述放電單元包括陽(yáng)極電極板和陰極電極板；所述陽(yáng)極電極板和陰極電極板分別安裝 在氣體封閉室內(nèi)腔壁的中間位置上，且陽(yáng)極電極板和陰極電極板相對(duì)放置； 所述光譜儀的探頭插入到氣體封閉室內(nèi)腔中并置于陽(yáng)極電極板和陰極電極板之間，光 譜儀的輸出端連接計(jì)算機(jī)的一個(gè)輸入端； 所述測(cè)溫儀安裝在氣體封閉室內(nèi)腔頂部位置上； 所述氣體充放與回收單元通過氣管與氣體封閉室內(nèi)腔連通； 所述電壓源的兩個(gè)輸出端分別連接電阻絲的兩個(gè)接線端； 所述VFT0產(chǎn)生單元包括脈沖觸發(fā)器組、脈沖發(fā)生器組和VFT0合成電路；所述脈沖觸發(fā) 器組包括多個(gè)脈沖觸發(fā)器；所述脈沖發(fā)生器組包括多個(gè)脈沖發(fā)生器；所述脈沖觸發(fā)器組中 的各個(gè)脈沖觸發(fā)器的輸入端分別與所述計(jì)算機(jī)的不同輸出端連接；所述脈沖觸發(fā)器組中的 各個(gè)脈沖觸發(fā)器的輸出端分別與脈沖發(fā)生器組中的各個(gè)脈沖發(fā)生器的輸入端連接；所述脈 沖發(fā)生器組中的各個(gè)脈沖發(fā)生器的輸出端分別連接VFT0合成電路的各個(gè)輸入端，VFT0合 成電路的輸出端作為VFT0產(chǎn)生單元的輸出端通過電流表與陽(yáng)極電極板和氣體封閉室的連 接端相連接；所述VFT0產(chǎn)生單元的零電位端與陰極電極板和氣體封閉室的連接端相連接。
【文檔編號(hào)】G01R31/12GK203838292SQ201420200753
【公開日】2014年9月17日 申請(qǐng)日期:2014年4月23日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月23日
【發(fā)明者】李鑫濤, 林莘, 楊壯壯, 曹辰, 徐建源, 張明理 申請(qǐng)人:沈陽(yáng)工業(yè)大學(xué)