技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種界面陷阱能級分布的光電導(dǎo)分析方法，其包括：測量界面IV曲線，并研判該界面是否具有阻變特性；由dG/dV?V曲線定位界面陷阱能級的加權(quán)平均中心位置；測量阻變界面所涉及功能介質(zhì)材料不同溫度下的光電導(dǎo)特性，并據(jù)此分析具體是介質(zhì)中的載流子陷阱能級分布特征；結(jié)合肖特基發(fā)射模型給出介質(zhì)/電極界面陷阱能級分布。本發(fā)明光電導(dǎo)測量制樣簡單，可在大氣環(huán)境下進(jìn)行，且實(shí)驗(yàn)結(jié)果處理過程較簡便，對不同寬度陷阱能級分布的情形都適用。

技術(shù)研發(fā)人員：田野;張建明;劉前
受保護(hù)的技術(shù)使用者：蘇州華維納納米科技有限公司
文檔號(hào)碼：201510142105
技術(shù)研發(fā)日：2015.03.30
技術(shù)公布日：2017.10.10