本發(fā)明涉及局部放電信號標準化，更具體地，涉及一種用于局部放電信號標準化的現(xiàn)場可編程門陣列以及包含所述現(xiàn)場可編程門陣列的主單元。

背景技術(shù)：

局部放電是裝置(例如，電機)的電氣絕緣系統(tǒng)中的一部分在高電壓作用(high voltage stress)下的局部電介質(zhì)擊穿而產(chǎn)生的。在絕緣系統(tǒng)中的一個或多個裂隙(crack)、孔洞(void)或內(nèi)含物(inclusion)會引起局部電介質(zhì)擊穿。局部放電會損害裝置，并表明絕緣系統(tǒng)不合格，這會進一步導(dǎo)致對該裝置的災(zāi)難性損害。因此，最好是檢測出局部放電，從而可在對裝置造成任何損害之前維修或替換絕緣系統(tǒng)。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

在此的實施例涉及一種檢測數(shù)字信號中的局部放電并使局部放電標準化的現(xiàn)場可編程門陣列。所述現(xiàn)場可編程門陣列包括濾波器，濾波器接收數(shù)字信號，并從所述數(shù)字信號隔離出高頻信息。隨后，所述現(xiàn)場可編程門陣列通過補償值使高頻信息標準化以產(chǎn)生標準化信號。此外，所述現(xiàn)場可編程門陣列的比較器可確定標準化信號是否超過閾值輸入。接下來，所述現(xiàn)場可編程門陣列的計數(shù)器根據(jù)每一次標準化信號超過所述閾值輸入的判斷結(jié)果，增加計數(shù)值。

通過本發(fā)明的技術(shù)可實現(xiàn)其它特征和好處。在此將詳細描述本公開的其它實施例和多個方面。為了更好的理解本公開的這些好處和特征，請參照說明書和附圖。

附圖說明

在申請文件的開始處的權(quán)利要求書中具體指出并清楚地要求保護本發(fā)明的主題。通過以下結(jié)合附圖的詳細描述，本發(fā)明的前述部分和其它特征以及優(yōu)點將是清楚的，其中：

圖1是根據(jù)本發(fā)明的實施例的用于檢測局部放電的系統(tǒng)的示意圖；

圖2是根據(jù)本發(fā)明的實施例的系統(tǒng)的局部放電檢測板的示意圖；

圖3是根據(jù)本發(fā)明的實施例的用于對補償值進行校準的流程圖。

具體實施方式

在此描述的實施例涉及局部放電信號標準化。更具體地說，描述在此的實施例涉及在多個分壓器/電壓衰減設(shè)置之間進行局部放電分析的數(shù)字信號標準化。

局部放電檢測由于在主測量單元和激勵沖擊行波(stimulating surge impulse)強度的差異而難以按照一致的方式在不同裝置之間進行測量。此外，不同裝置的不同檢測操作基于捕捉并分析的信號頻率而導(dǎo)致不同結(jié)果。例如，同一時期下，采用天線、硬線耦合電容器或硬線電流互感器(current transformer)在不同裝置之間并未顯示一致結(jié)果，這是因為天線與發(fā)射拾取相關(guān)的定向性以及硬線耦合電容器或電流互感器包括已確定的頻率參數(shù)，該頻率參數(shù)在分析之前已消除大量信號信息。

描述在此的實施例建立補償啟發(fā)方法(compensation heuristic)，該方法從反射波形開始調(diào)整局部放電值，使得具有局部放電功能的主單元將顯示近似相同的結(jié)果，不管特定主單元的設(shè)置或最大電壓如何。接下來，不同的主單元可在信息在開始階段和消失階段的完整性以及測試單元正在測試的局部放電的安全性沒有損失的情況下時，測試同一裝置(例如，線圈)。

將理解的是，描述在此的實施例能夠?qū)y試已知負載的不同主單元進行補償，使得不同主控制器可針對接收到的局部放電信息來顯示相同值。這種標準化還考慮到衰減電路的可變性，從而針對低電壓應(yīng)用或15千伏以及更低電壓的主單元正檢測相同線圈的應(yīng)用，減少成本和材料費用。

現(xiàn)在返回圖1，根據(jù)本發(fā)明的實施例的用于檢測局部放電的系統(tǒng)100的示意圖總體上顯示為包括裝置110和主單元115。

裝置110是局部放電測試下的包括電氣絕緣的組件。裝置110的一個示例是電機定子(motor stator)。在應(yīng)用中，電機定子可用在機車發(fā)動機、發(fā)電站、發(fā)電機等中。電機定子可設(shè)置為開放式(open frame)或封閉式(encased)設(shè)計，而轉(zhuǎn)子可以安裝或不安裝。例如，電機定子可包括模繞線圈(form wound coil，或稱“形式(繞組)線圈”)，其中，線圈在插入電機定子的插槽并在端部接通之前形成、下沉并絕緣。電機測試(即，測試局部放電)通常針對電動定子的制造或維修。此外，測試可在電機定子或者整個裝置110的個體線圈上進行。

主單元115是被設(shè)置為執(zhí)行裝置110的離線局部放電測試的測試組件。主單元115包括繼電器矩陣(relay matrix)120、行波盤(surge board，又稱“行波發(fā)生器”)130和局部放電檢測板150。主單元115利用高壓線連接到裝置110，如測試引線A、B、C和線路側(cè)連接D(接地線)所示。此外，主單元115的元件在內(nèi)部例如通過線連接E來連接。

在操作中，主單元115將沖擊行波施加到裝置110，而裝置110處于離線狀態(tài)(例如，通過測試引線A、B或C施加沖擊行波，而剩余兩個引線接地至線路側(cè)連接D)。沖擊行波可包括從0千伏至15千伏的電壓，該電壓可被存儲并從電容器放電。在一個示例中，可在小于或等于100毫微秒內(nèi)達到15千伏沖擊行波。沖擊行波的應(yīng)用導(dǎo)致反射波形，主單元115通過提供脈沖的測試引線A、B或C從裝置110接收所述反射波形。

反射波形(在一個示例中，是阻尼正弦波(damped sinusoid))包括由行波沖擊引發(fā)的局部放電。也就是說，反射波形可以包含對應(yīng)行波沖擊峰值電壓(peak voltage of the surge impulse)的尖峰電壓(spike voltage)，其后跟隨以響應(yīng)電壓(ring voltages，又稱“震蕩電壓”，意為電路在接受激勵性輸入以后，其中產(chǎn)生的衰減性的震蕩波形電壓)。局部放電可在峰值電壓內(nèi)被檢測到。此外，響應(yīng)電壓也可以包含從中可檢測出后續(xù)局部放電的后續(xù)尖峰電壓。注意，響應(yīng)電壓響應(yīng)于峰值電壓，可持續(xù)數(shù)百微秒，相對而言比峰值電壓要長，取決于具體裝置110。

繼電器矩陣120是主單元115的元件，可包括一個或更多個矩陣。繼電器矩陣120被設(shè)置為在測試引線A、B、C之間切換以連接到裝置110。例如，如圖1所示，繼電器矩陣120可在三個測試引線A、B、B之間切換以說明裝置110的三個電相(electrical phase)。測試引線A、B、C可包括鱷魚夾(alligator clip)，所述鱷魚夾可直接附著在裝置110和主單元115的端部。在模繞線圈的情況下，測試引線可直接附著在這些線圈本身。注意，在物理上附著在裝置110和主單元115的同時，測試引線通過繼電器矩陣分別(例如，每次一個)電連接到裝置110，使得沖擊行波通過單通路到達裝置110。繼電器矩陣120還是線側(cè)連接D(作為接地連接)的接收點，在操作中，不管測試引線A、B或C中的哪一個激活，繼電器矩陣120都可通過同一測試引線接收由沖擊行波導(dǎo)致的任何反射波形。按照這種方式，繼電器矩陣120可經(jīng)由線連接E將反射波形供應(yīng)到局部放電檢測板150。

形波盤130是主單元115的元件，被設(shè)置為將沖擊行波施加到裝置110(例如，經(jīng)由線連接E、繼電器矩陣120和連接的測試引線A、B或C)。在某些實施例中，形波盤130可包括由高壓電源進行充電的高壓電容器。形波盤130還可包括觸發(fā)高壓電容器的高壓堆(high voltage stack)。例如，一旦通過高壓電源將高壓電容器完全充電到峰值電壓，則高壓堆觸發(fā)高壓電容器以通過線連接E、繼電器矩陣20和連接的測試引線A、B或C對裝置110快速放電，從而傳遞沖擊行波。如上所示，沖擊行波導(dǎo)致反射波形，反射波形通過連接的測試引線A、B或C、繼電器矩陣120和線連接E運行至局部放電檢測板150。

局部放電檢測板150是主單元115的組件，被設(shè)置為接收并處理反射波形以檢測局部放電。局部放電檢測板150可包括現(xiàn)場可編程門陣列158?，F(xiàn)場可編程門陣列158是經(jīng)由可編程邏輯塊的陣列(an array of programmable logic blocks)和分層次的重構(gòu)互連(a hierarchy of reconfigurable interconnects)而設(shè)置的集成電路，所述分層次的重構(gòu)互連允許可編程邏輯塊的陣列“連接在一起(wired together)”。例如，現(xiàn)場可編程門陣列158可被設(shè)置為包括補償啟發(fā)方法(compensation heuristic)，所述補償啟發(fā)方法調(diào)整反射波形內(nèi)的局部放電值。總地來說，補償啟發(fā)方法可被裝入不同主單元的現(xiàn)場可編程門陣列，能夠進行補償設(shè)置(例如，能夠?qū)植糠烹娦盘枠藴驶?以測試裝置110。局部放電檢測板150也可包括形成分壓器(例如，電阻分壓器)的一個或多個電阻、一個或多個放大器以及將這些項中的每一項彼此之間互連并且與微控制器之間互連的總線。

現(xiàn)在將針對圖2來描述局部放電檢測板150。在圖2中，局部放電檢測板150的高壓電阻分壓器220接收輸入信號(諸如，反射波形)。在接收到反射波形時，高壓電阻分壓器220將反射波形降低至局部放電檢測板150的低壓組件可用且安全的電壓等級。電壓等級(例如，衰減的等級)也可由受局部放電檢測板150的繼電器控制的增益級(gain stage)來確定(例如，局部放電檢測板150可包括使反射波形衰減的四個增益級)。例如，局部放電檢測板150被設(shè)置為識別反射波形是否為對于局部放電檢測板150的低壓組件過大的信號并基于該識別結(jié)果自動地切換至增益級之間以使反射波形進一步衰減。

接下來，局部放電檢測板150的運算放大器230(例如，整體增益運算放大器)用作緩沖器并將從局部放電反射板150的剩余部分隔離出反射波形。接下來，運算放大器230可向反射波形提供上限(諸如，受限于帶寬235兆赫茲)。

隨后，反射波形傳遞到模數(shù)電路240以進行模數(shù)采樣。模數(shù)電路240包括模數(shù)驅(qū)動電路和模數(shù)轉(zhuǎn)換器，模數(shù)驅(qū)動電路和模數(shù)轉(zhuǎn)換器一起將反射波形處理為現(xiàn)場可編程門陣列158可接受的數(shù)字信號。注意，在模數(shù)采樣之前，晶體振蕩器245設(shè)定了模數(shù)電路240的采樣率。為了設(shè)定采樣率，晶體振蕩器245利用振蕩晶體的機械共振，以允許模數(shù)電路240按照該晶體的共振頻率以數(shù)字形式重建反射波形。注意，在模數(shù)采樣之前沒有執(zhí)行濾波。例如，晶體振蕩器245對高達235兆赫茲的所有頻率進行訓(xùn)練。此外，注意，在此階段，局部放電檢測板150由于奈圭斯特頻率以上的信號混疊，無法區(qū)分除了大小之外的頻率信息(也就是說，可基于采樣率在頻譜上設(shè)置頻率的上限，諸如，采樣率的一半)。

一旦反射波形通過模數(shù)電路240被轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號，則該數(shù)字信號被傳遞到現(xiàn)場可編程門陣列158。現(xiàn)場可編程門陣列158可包括實現(xiàn)補償啟發(fā)方法的虛擬組件，諸如，濾波器250、微控制器255、比較器260和計數(shù)器270。數(shù)字信號可經(jīng)由總線(諸如，12比特總線)在模數(shù)電路240與現(xiàn)場可編程門陣列15之間傳遞。

注意，傳遞到現(xiàn)場可編程門陣列158的信號取決于將在裝置110上執(zhí)行的具體測試所獨有的多個因素。所述多個因素是一組不同增益和未知因素，令同一波形在不同條件下產(chǎn)生不同的信號振幅。所述多個因素的示例可包括正運行的測試的最大電壓、高壓衰減阻抗(例如，12千伏或更低的檢測器的100千歐姆、15千伏檢測器的200千歐姆)、分頻器的低壓階段的增益(由現(xiàn)場可編程門陣列158基于來自模數(shù)轉(zhuǎn)換器的溢出信號(overflow signal)設(shè)置的增益)、局部放電檢測板150的元件之間的任何不相容等。

當(dāng)數(shù)字信號傳遞到現(xiàn)場可編程門陣列158時，該數(shù)字信號是噪聲。接下來，現(xiàn)場可編程門陣列158的濾波器250從噪聲數(shù)字信號隔離出高頻信息，使得該高頻信息可經(jīng)過現(xiàn)場可編程門陣列158以進行進一步分析。例如，在沖擊行波的上沿時間100毫微秒內(nèi)，在20兆赫茲至235兆赫茲之間變化的射頻分量可通過現(xiàn)場可經(jīng)過編程門陣列158以進行進一步分析。此外，通過利用截止頻率設(shè)置為20兆赫茲的數(shù)字100-極點有限脈沖響應(yīng)高通濾波器(digital 100-pole finite impulse response high pass filter)作為濾波器250，低于20兆赫茲的任何波形被完全消除。

在過濾之后，現(xiàn)場可編程門陣列158可利用來自微控制器255的輸入以將從濾波器250接收到的數(shù)字信號進行標準化。所述輸入可以是補償輸入因子(compensation input multiplier)(也可稱為補償值)，所述補償輸入因子是用戶在局部放電檢測板150的校準操作期間所設(shè)定的。在校準操作期間設(shè)定或設(shè)置補償值因子確保局部放電的毫伏在經(jīng)過多個主單元的過程中看起來相同，這將在下面針對圖3進行進一步描述。

現(xiàn)場可編程門陣列158還可利用比較器260來檢測數(shù)字信號的級別，數(shù)字信號的級別是基于微控制器255的補償輸入因子與從濾波器250所隔離的高頻信息的組合。比較器260被設(shè)置為通過將每個級別與閾值輸入相比較來檢查數(shù)字信號的級別。當(dāng)比較器260確定數(shù)字信號的級別超過閾值輸入時，比較器260將信號發(fā)送至現(xiàn)場可編程門陣列158的計數(shù)器270，這導(dǎo)致計數(shù)器270計數(shù)增加。每次增加都與在從濾波器250接收到的數(shù)字信號的范圍內(nèi)檢測到局部放電對應(yīng)。計數(shù)器的值是傳遞到局部放電檢測板150的微控制器255的標準化信號。

微控制器255將計數(shù)值(例如，標準局部放電信號)提供給主控制器單元以進行顯示。主控制器是包括顯示器、處理器和存儲器的計算裝置，主控制器被設(shè)置為接收并顯示標準化后的局部放電信號。按照這種方式，現(xiàn)場可編程門陣列159可將局部放電信號提供給不同的主控制單元，主控制單元針對接收到的局部放電信息，顯示相同值，而不管控制器單元的類型如何。

現(xiàn)在返至圖3，圖3顯示了根據(jù)本發(fā)明的實施例的用于校準補償值(例如，校準操作)的流程圖300?？偟貋碚f，校準操作包括局部放電板150的微控制器在制造主單元155的過程中設(shè)置補償值。

流程圖300開始于塊310，在塊310中，局部放電板150斷開高壓連接，并連接至激勵低壓脈沖產(chǎn)生器。接下來，在塊315，選擇期望值限制，并將期望值限制作為水平線顯示在主單元115的屏幕上。期望值限制是調(diào)整補償值的度量。

隨后，在塊320，激勵低壓脈沖產(chǎn)生器(例如，在主單元115外部的外部校準功能產(chǎn)生器)通過局部放電板150施加產(chǎn)生脈沖串的脈沖序列。脈沖序列可包括不超出局部放電檢測板150的最大頻率范圍的上升沿時間和下降沿時間(例如，利用設(shè)置為235兆赫茲的高帶寬緩沖放大器)。脈沖序列也可包括以下示出的可變振幅。

接下來，流程圖300繼續(xù)至塊330，在塊330中，激勵低壓脈沖產(chǎn)生器改變脈沖串的振幅。例如，激勵低壓脈沖產(chǎn)生器可在主單元115的屏幕上出現(xiàn)與脈沖串相對應(yīng)的明顯信號之前增大振幅。此外，一旦脈沖串的重復(fù)脈沖滿足期望值限制，則識別出/顯示在屏幕上的值(例如，10毫伏)除以由激勵低壓脈沖產(chǎn)生器產(chǎn)生的脈沖串的已知振幅(例如，20毫伏)。隨后，在塊340，識別出/顯示在屏幕上的值與脈沖串的已知振幅的比率被記錄為補償值(例如，比率0.5)?，F(xiàn)場可編程門陣列158接收輸入。

一旦存儲，則補償值可應(yīng)用在每個可編程增益級(注意，每個級可通過它自己的例程并可具有它自己的補償值)，并可應(yīng)用到通過系統(tǒng)100接入的每個波形。按照這種方式，每次恢復(fù)對主單元115的供電，現(xiàn)場可編程門陣列158從主單元115的微控制器接收補償值作為輸入。隨后，在客戶測試期間，根據(jù)被認為明顯(例如，15毫伏)的局部放電的振幅限制設(shè)置閾值輸入。此外，當(dāng)通過主單元115的每個信號仍然乘以存儲的補償值時，滿足或超過閾值輸入(例如，15毫伏)可被檢測到并顯示。例如，可始終顯示信號的最大值，不管最大值是否超過閾值輸入，而僅當(dāng)這些信號超過閾值輸入時，計數(shù)器可增加。

因此，補償值可用作因子以保證局部放電的毫伏在多個主單元(諸如，15千伏和更低的主單元)和/或多種增益級設(shè)置(諸如，增益級一或增益級四)之間看起來相同。例如，當(dāng)15千伏主單元和4千伏主單元用于檢測局部放電，相對應(yīng)的補償值(諸如，0.2和5)用于乘以局部放電的毫伏，使得局部放電在這些主單元之間看起來相同。

以上實施例的技術(shù)效果和優(yōu)點包括不管主單元的類型如何設(shè)置補償，從而不同的主單元可針對局部放電進行測試并針對測試的局部放電依次顯示相同值的測試結(jié)果。此外，測試結(jié)果的標準化允許衰減電路的變化，這可減少正在測試同一裝置的低壓應(yīng)用或15千伏或更低電壓的主單元的應(yīng)用的成本和材料支出。

本發(fā)明可以是系統(tǒng)、方法和/或計算機程序產(chǎn)品。計算機程序產(chǎn)品可包括具有使處理器執(zhí)行本發(fā)明的多個方面的計算機可讀程序指令的計算機可讀存儲介質(zhì)。計算機可讀存儲介質(zhì)可以是可保留并存儲指令執(zhí)行裝置使用的指令的實體裝置。

計算機可讀存儲介質(zhì)可以是例如但不限于電存儲裝置、磁存儲裝置、光存儲裝置、電磁存儲裝置、半導(dǎo)體存儲裝置或前述存儲裝置中的任意組合。計算機可讀存儲介質(zhì)的更具體的示例的非窮舉列表包括以下裝置：便攜式計算機軟盤、硬盤、隨機訪問存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、可擦除可編程只讀存儲器(EPROM或閃存)、靜態(tài)隨機訪問存儲器(SRAM)、便攜式光盤只讀存儲器(CD-ROM)、數(shù)字多功能盤(DVD)、存儲棒、軟盤、機械編碼裝置(諸如，打孔卡或在記錄有指令的凹槽中的凸起結(jié)構(gòu))以及前述存儲裝置中的任意適當(dāng)?shù)慕M合。在此所用的計算機可讀介質(zhì)不應(yīng)在本質(zhì)上被解釋為臨時信號，諸如，無線電波或其它自由傳播的電磁波、通過波導(dǎo)或其它傳輸介質(zhì)傳播的電磁波(例如，通過光纖電纜傳遞的光脈沖)或通過電線傳遞的光信號。

描述在此的計算機可讀程序指令可從計算機可讀存儲介質(zhì)下載至各個計算/處理裝置或經(jīng)由網(wǎng)絡(luò)(例如，互聯(lián)網(wǎng)、局域網(wǎng)、廣域網(wǎng)或無線網(wǎng)絡(luò))下載至外部計算機或外部存儲裝置。所述網(wǎng)絡(luò)可包括銅制傳輸電纜、光傳輸光纖、無線傳輸、路由器、防火墻、交換機、網(wǎng)關(guān)計算機和/或邊緣服務(wù)器。在每個計算/處理裝置中的網(wǎng)絡(luò)適配器或網(wǎng)絡(luò)接口從網(wǎng)絡(luò)接收計算機可讀程序指令并在各個計算/處理裝置內(nèi)轉(zhuǎn)發(fā)存儲在計算機可讀存儲介質(zhì)中的計算機可讀程序指令。

用于實現(xiàn)本發(fā)明的操作的計算機可讀程序指令可以是匯編指令、指令集架構(gòu)(ISA)指令、機器指令，機器相關(guān)指令、微碼、固件指令、狀態(tài)設(shè)定數(shù)據(jù)或以一個或多個編程語言編寫的源代碼或目標代碼，一個或多個編程語言包括面向?qū)ο蟮木幊陶Z言(諸如，Smalltalk、C++等)和傳統(tǒng)的過程編程語言(諸如，“C”編程語言等編程語言)。所述計算機可讀程序指令可作為獨立的軟件包完全在用戶的計算機上執(zhí)行、部分地在用戶的計算機上執(zhí)行、部分地在用戶的計算機上且部分在遠程計算機上執(zhí)行或完全在遠程計算機或服務(wù)器上執(zhí)行。在后者中，遠程計算機可通過任何類型的網(wǎng)絡(luò)(包括局域網(wǎng)(LAN)或廣域網(wǎng)(WAN))被連接到用戶的計算機，該連接操作可由外部計算機(例如，通過使用因特網(wǎng)服務(wù)提供商的因特網(wǎng))執(zhí)行。在某些實施例中，包括例如可編程邏輯電路、現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)或可編程邏輯陣列(PLA)的電子電路可通過利用計算機可讀程序指令的狀態(tài)信息來運行計算機可讀程序指令以使電子電路定制化，并執(zhí)行本發(fā)明的多個方面。

在此參照根據(jù)本發(fā)明的方法、設(shè)備(系統(tǒng))和計算機程序產(chǎn)品的流程圖和/或框圖描述了本發(fā)明的多個方面。將理解，可通過計算機可讀程序指令來實現(xiàn)流程圖和/或框圖中的每一塊以及在流程圖和/或框圖中的塊的組合。按照這種方式，附圖中的流程圖和框圖示出了根據(jù)本發(fā)明的各個實施例的系統(tǒng)、方法和計算機程序產(chǎn)品的可能實施方案的操作。此外，在流程圖或框圖中的每一塊可表示指令的模塊、區(qū)段或部分，每一塊可包括用于實現(xiàn)指定邏輯操作的一個或多個可執(zhí)行指令。在某些可替換的實施方案中，在塊中表示的操作可不按照附圖中的表示的順序發(fā)生。例如，連續(xù)示出的兩個塊實際中可大體上同時執(zhí)行，或者這些塊有時候可以以相反的順序執(zhí)行，這取決于所涉及的操作。還將注意，可由專用硬件系統(tǒng)實現(xiàn)框圖和/或流程圖中的每一塊以及框圖和/或流程圖中的塊的組合，專用硬件系統(tǒng)執(zhí)行特定操作或動作，或者實現(xiàn)專用硬件和計算機指令的組合。

可將計算機可讀程序指令提供給通用計算機、專用計算機或其它數(shù)據(jù)處理設(shè)備的處理器以產(chǎn)生機器，這樣經(jīng)由計算機或其它可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備的處理器運行的指令創(chuàng)建用于實現(xiàn)在流程圖和/或框圖中的一個塊或多個塊指定的操作/動作的裝置。這些計算機可讀程序指令也可存儲在計算機可讀存儲介質(zhì)中，并且能夠指導(dǎo)計算機、可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備和/或其它裝置按照特定方式進行操作，如此，存儲有指令的計算機可讀存儲介質(zhì)包括制造產(chǎn)品，所述制造產(chǎn)品包括實現(xiàn)在流程圖和/或框圖中的一個塊或多個塊中所指定的操作/動作的各方面的指令。

計算機可讀程序指令還可加載到計算機、其它可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備或其它裝置以在計算器、其它可編程設(shè)備或其它裝置上執(zhí)行一連串的操作步驟以產(chǎn)生計算機實現(xiàn)的處理，如此，在計算機、其它可編程設(shè)備或其它裝置上執(zhí)行的指令可實現(xiàn)在流程圖和/或框圖中的一個塊或多個塊中指定的操作/動作。

在此使用的術(shù)語僅為了描述具體實施例的目的，而非意圖限制本發(fā)明。如在此所使用的，除非上下文清楚地另有所示，否則單數(shù)形式意圖也包括復(fù)數(shù)形式。將進一步理解，當(dāng)在說明中使用術(shù)語“包括”時，所述術(shù)語指定存在所陳述的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或增加一個或多個其它特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組合。

雖然僅結(jié)合有限數(shù)量的實施例來詳細地描述了本發(fā)明，但是應(yīng)容易理解，本發(fā)明不受這些公開的實施例的限制。與之相反，可對本發(fā)明進行修改以包含尚未描述的任意數(shù)量的改動、變更、替換或等同布置，但這些修改與本發(fā)明的精神和范圍相稱。此外，雖然已經(jīng)描述本發(fā)明的各種實施例，但是應(yīng)理解，本發(fā)明的多個方面可僅包括所述實施例中的某些實施例。與之相對應(yīng)地，本發(fā)明不應(yīng)理解為受前述限制，而應(yīng)理解為受權(quán)利要求的范圍所限制。