本發(fā)明涉及一種傳感器裝置以及一種用于校準(zhǔn)傳感器裝置的方法。本發(fā)明尤其涉及一種具有溫度補(bǔ)償?shù)膫鞲衅餮b置。

背景技術(shù)：

傳感器、尤其是基于微機(jī)電結(jié)構(gòu)(MEMS)的傳感器是已知的并且被使用在很多應(yīng)用領(lǐng)域中。例如可使用MEMS傳感器來(lái)探測(cè)加速度、轉(zhuǎn)速以及其他多種參數(shù)。也已知的是用于探測(cè)氣體或探測(cè)混合氣體中物質(zhì)濃度的MEMS傳感器。

例如，德國(guó)專利申請(qǐng)DE102008002606A1描述了一種微機(jī)械加速度傳感器，其中，震動(dòng)質(zhì)量靠近質(zhì)心地與襯底錨接并且可運(yùn)動(dòng)的電極布置在震動(dòng)質(zhì)量的外側(cè)上。

在此，傳感器、尤其是MEMS傳感器一般具有溫度變化。因此傳感器信號(hào)隨波動(dòng)的溫度而改變。為了補(bǔ)償溫度變化，可在制造過(guò)程結(jié)束時(shí)在不同的溫度下測(cè)量傳感器?；谶@樣獲得的測(cè)量結(jié)果可通過(guò)對(duì)傳感器原始信號(hào)的修正來(lái)進(jìn)行對(duì)溫度變化的補(bǔ)償。

為了在不同的溫度下測(cè)量傳感器，在此一般必須將整個(gè)傳感器系統(tǒng)調(diào)溫到限定的溫度上。這例如可通過(guò)下述方式進(jìn)行：待測(cè)量的傳感器連同位于測(cè)量環(huán)境中的部件在內(nèi)必須被相應(yīng)地調(diào)溫。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

因此，為了校準(zhǔn)傳感器裝置而存在對(duì)簡(jiǎn)單的、成本有利的并且可靠的調(diào)溫的需求。

為此，根據(jù)第一方面，本發(fā)明提供一種具有獨(dú)立權(quán)利要求1特征的傳感器裝置。

據(jù)此，本發(fā)明提供了一種具有溫度補(bǔ)償?shù)膫鞲衅餮b置，其具有第一傳感器、集成電路元件(integrierten Schaltelement)、載體襯底、電流源、和校準(zhǔn)裝置。第一傳感器設(shè)計(jì)用于提供傳感器值。集成電路元件包括至少一個(gè)溫度傳感器、校準(zhǔn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器和計(jì)算裝置。所述集成電路元件的溫度傳感器設(shè)計(jì)用于提供與溫度相對(duì)應(yīng)的溫度值。所述校準(zhǔn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)用于存儲(chǔ)校準(zhǔn)數(shù)據(jù)。所述集成電路元件的計(jì)算裝置設(shè)計(jì)用于在常規(guī)運(yùn)行模式下基于由溫度傳感器提供的溫度值和存儲(chǔ)在校準(zhǔn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器中的校準(zhǔn)數(shù)據(jù)來(lái)適配由第一傳感器提供的傳感器值。所述傳感器裝置的載體襯底包括電加熱元件。此外，所述傳感器裝置的載體襯底與集成電路元件熱耦合。所述傳感器裝置的電流源設(shè)計(jì)用于給載體襯底的電加熱元件提供電流。所述傳感器裝置的校準(zhǔn)裝置設(shè)計(jì)用于在校準(zhǔn)模式中將由電流源提供的電流調(diào)整到預(yù)先確定的值。此外，校準(zhǔn)裝置設(shè)計(jì)用于在校準(zhǔn)模式中基于由所述溫度傳感器提供的溫度值和由第一傳感器提供的傳感器值來(lái)求取校準(zhǔn)數(shù)據(jù)并且將求取的校準(zhǔn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在校準(zhǔn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器中。

根據(jù)另一方面，本發(fā)明提供一種具有權(quán)利要求11特征的用于校準(zhǔn)根據(jù)本發(fā)明的傳感器裝置的方法。

據(jù)此，本發(fā)明提供一種用于校準(zhǔn)根據(jù)本發(fā)明的傳感器裝置的方法，該方法具有以下步驟：給載體襯底的電加熱元件提供電流；借助集成電路元件的溫度傳感器感測(cè)溫度值；通過(guò)第一傳感器感測(cè)傳感器值；基于所感測(cè)的溫度值和所感測(cè)的傳感器值求取校準(zhǔn)數(shù)據(jù)；將所求取的校準(zhǔn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在集成電路元件的校準(zhǔn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器中。

本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)

本發(fā)明基于以下構(gòu)思：為了傳感器裝置的溫度校準(zhǔn)，給該傳感器裝置自身配備合適的加熱元件。為此，將電加熱元件集成到傳感器裝置的載體襯底中。因此，基于傳感器裝置的載體襯底與具有溫度變化過(guò)程的其他部件的熱耦合，可簡(jiǎn)單地在校準(zhǔn)過(guò)程期間對(duì)傳感器裝置的與溫度有關(guān)的部件進(jìn)行符合目的地調(diào)溫。在此，可使用已存在于傳感器裝置中的溫度傳感器來(lái)用于調(diào)節(jié)電加熱元件的熱流。

通過(guò)該方式，可用很小的耗費(fèi)實(shí)現(xiàn)對(duì)傳感器裝置的精準(zhǔn)調(diào)溫。因?yàn)榻柚d體襯底中的加熱元件對(duì)傳感器裝置進(jìn)行的加熱在此符合目的地對(duì)所述傳感器裝置的與該傳感器裝置的溫度敏感的結(jié)構(gòu)元件熱耦合的區(qū)域進(jìn)行調(diào)溫，所以可用低的能量耗費(fèi)很迅速地實(shí)現(xiàn)希望的調(diào)溫。

因此在校準(zhǔn)過(guò)程期間不需要對(duì)整個(gè)測(cè)量環(huán)境進(jìn)行費(fèi)事的調(diào)溫。校準(zhǔn)過(guò)程可特別快地并且特別有效地被實(shí)施。因?yàn)椴恍枰蟮目照{(diào)室或測(cè)量腔來(lái)對(duì)根據(jù)本發(fā)明的傳感器裝置進(jìn)行調(diào)溫，所以校準(zhǔn)過(guò)程也可以在近乎任何環(huán)境中進(jìn)行。

根據(jù)所述傳感器裝置的一種實(shí)施方式，所述第一傳感器、所述電流源和/或所述校準(zhǔn)裝置集成在所述傳感器裝置的集成電路元件中。所述集成電路元件例如可涉及專用集成電路(AS1C)。通過(guò)該方式可將為根據(jù)本發(fā)明的傳感器裝置的溫度變化過(guò)程的校準(zhǔn)所需的所有部件組合在一個(gè)結(jié)構(gòu)元件中。

根據(jù)另一實(shí)施方式，所述集成電路元件實(shí)施為焊球陣列封裝(BGA)或柵格陣列封裝(LGA)。具有這種接觸元件的開(kāi)關(guān)元件使得電接頭能特別有效地接觸。此外，作為基于襯底的封裝的這種結(jié)構(gòu)元件也能良好地與布置在載體襯底中的電導(dǎo)線熱耦合。

根據(jù)另一實(shí)施方式，所述電流源設(shè)計(jì)用于在校準(zhǔn)模式中根據(jù)由所述溫度傳感器提供的溫度值來(lái)適配所提供的電流。通過(guò)該方式可實(shí)現(xiàn)特別簡(jiǎn)單且有效的調(diào)節(jié)，用于將傳感器裝置調(diào)溫到預(yù)先確定的溫度值。

根據(jù)另一實(shí)施方式，所述載體襯底包括第一襯底層和第二襯底層。電加熱元件在此布置在第一襯底層和第二襯底層之間。通過(guò)該方式，電加熱元件在載體襯底的兩個(gè)襯底層之間針對(duì)可能的損害很好地受到保護(hù)。此外，通過(guò)這種構(gòu)造方式也可獲得特別好的并且特別均勻的加熱。載體襯底例如尤其可涉及合適的有機(jī)襯底，其中，第一襯底層和第二襯底層實(shí)施為電絕緣的襯底層并且所述電加熱元件包括導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。

根據(jù)另一實(shí)施方式，所述電加熱元件可包括多個(gè)加熱區(qū)段。通過(guò)該方式可符合目的地適配對(duì)載體襯底的調(diào)溫并從而適配對(duì)整個(gè)傳感器裝置的調(diào)溫。尤其是也可通過(guò)該方式實(shí)現(xiàn)溫度變化過(guò)程或溫度梯度。

根據(jù)另一實(shí)施方式，所述電流源包括多個(gè)電流驅(qū)動(dòng)器。這些電流驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于給所述多個(gè)加熱區(qū)段提供各一個(gè)能個(gè)體化地適配的電流。通過(guò)該方式可個(gè)體化地調(diào)溫所述加熱元件的每個(gè)加熱區(qū)段。

根據(jù)另一實(shí)施方式，所述集成電路元件包括多個(gè)溫度傳感器。所述加熱元件的每個(gè)加熱區(qū)段在此可配屬有一個(gè)單獨(dú)的溫度傳感器。因此，可對(duì)加熱元件的每個(gè)加熱區(qū)段個(gè)體化地感測(cè)產(chǎn)生的溫度，并且，針對(duì)每個(gè)加熱區(qū)段的個(gè)體化調(diào)溫調(diào)節(jié)是可能的。

根據(jù)另一實(shí)施方式，所述載體襯底中的加熱元件實(shí)施為線圈。如果電流流過(guò)這種線圈，則在此產(chǎn)生磁場(chǎng)。這種磁場(chǎng)例如可耦入到磁場(chǎng)傳感器中。通過(guò)該方式可實(shí)現(xiàn)磁場(chǎng)傳感器的對(duì)比或可實(shí)現(xiàn)對(duì)作用于磁場(chǎng)傳感器上的磁場(chǎng)進(jìn)行補(bǔ)償。

根據(jù)另一方面，本發(fā)明提供一種微機(jī)電構(gòu)件，其具有根據(jù)本發(fā)明的傳感器裝置。

附圖說(shuō)明

本發(fā)明的其他實(shí)施方式和優(yōu)點(diǎn)由后面參照附圖進(jìn)行的描述得到。附圖示出：

圖1：根據(jù)一種實(shí)施方式的傳感器裝置的示意圖；

圖2：根據(jù)一種實(shí)施方式的傳感器裝置的加熱元件的示意圖；

圖3：根據(jù)另一實(shí)施方式的傳感器裝置的加熱裝置的俯視示意圖；

圖4：根據(jù)又一實(shí)施方式的傳感器裝置的示意圖；以及

圖5：流程圖的示意圖，所述流出圖是如根據(jù)一種實(shí)施方式的用于校準(zhǔn)傳感器裝置的方法所基于的那種流程圖。

具體實(shí)施方式

圖1示出根據(jù)一種實(shí)施方式的傳感器裝置1的示意圖。該傳感器裝置1包括載體襯底20和集成電路元件10。該集成電路元件10和該載體襯底20在此相互連接并且相互熱耦合。載體襯底20包括至少一個(gè)電加熱元件21。該電加熱元件21例如可布置在載體襯底的第一層體20a和另一層體20b之間。然而在原則上也可能的是，將載體襯底20布置在面向集成電路元件10的一側(cè)上或布置在背離集成電路元件10的一側(cè)上。載體襯底20構(gòu)造成多于兩層也是可能的。在該情況下，電加熱元件21可或者僅布置在多層式載體襯底20的兩個(gè)相鄰的層之間，或者，加熱元件21替代地可布置在載體襯底的相鄰的層之間的多個(gè)中間層體中。

集成電路元件10包括至少一個(gè)溫度傳感器11、校準(zhǔn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器13和計(jì)算裝置12。所述集成電路元件10可涉及具有所需部件的任意集成電路元件。尤其可能的是例如所謂的專用集成電路(AS1C)。這種AS1C使得能實(shí)現(xiàn)個(gè)體化的集成電路元件。此外，在必要時(shí)可小批量地或大批量地制造和出售的其他集成電路元件也是可能的。

集成電路元件10的溫度傳感器11感測(cè)該集成式開(kāi)關(guān)電路10的預(yù)先確定的部位上的溫度并且提供與所感測(cè)的溫度相對(duì)應(yīng)的溫度值。在常規(guī)運(yùn)行中，由溫度傳感器提供的溫度值可被計(jì)算裝置12接收。計(jì)算裝置12還接收另一傳感器15的傳感器值。所述另一傳感器15可涉及集成電路元件10內(nèi)的任意傳感器，或替代地也可涉及布置在集成電路元件10之外的并且將其原始傳感器值提供給集成電路元件10的傳感器。集成電路元件10中的計(jì)算裝置12接著從校準(zhǔn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器13讀取至少一部分存儲(chǔ)在校準(zhǔn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器13中的校準(zhǔn)數(shù)據(jù)并且基于由溫度傳感器11提供的溫度值和由校準(zhǔn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器15讀取的校準(zhǔn)數(shù)據(jù)來(lái)修正所述另一傳感器15的原始傳感器值。

例如，校準(zhǔn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器13可為此包括所謂的查找表(Look-up-Tabelle)，在該查找表中對(duì)于所述另一傳感器15的每個(gè)原始傳感器值和相應(yīng)的溫度值存儲(chǔ)有一個(gè)修正過(guò)的傳感器值。替代地，也可僅在校準(zhǔn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器13存儲(chǔ)原始傳感器值與修正過(guò)的傳感器值的基于溫度變化的關(guān)聯(lián)的一些網(wǎng)格點(diǎn)。在該情況下，計(jì)算裝置13可基于插值或其他計(jì)算方法由原始傳感器值和溫度值算出修正過(guò)的傳感器值。同樣可能的是，在校準(zhǔn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器13中存儲(chǔ)有用于基于原始傳感器值和溫度變化過(guò)程算出修正過(guò)的傳感器值的計(jì)算方法。此外，用于在使用溫度值的情況下修正原始傳感器值的任何其他可能性在原則上都是可能的。

所述另一傳感器15可涉及任意傳感器。尤其可能的是例如基于微機(jī)電結(jié)構(gòu)(MEMS)的傳感器。如之前已說(shuō)明過(guò)的那樣，所述另一傳感器15可被集成在集成電路元件10中，或者替代地也可布置在集成電路元件10之外。如果所述另一傳感器15位于集成電路元件10之外，則所述另一傳感器15優(yōu)選也布置在載體襯底20上并且與載體襯底20熱耦合。由此可用載體襯底20中的電加熱元件21對(duì)集成電路元件10以及所述另一傳感器15均勻地加熱。

可使用任意的傳感器作為所述另一傳感器15。所述另一傳感器15例如可涉及加速度傳感器、磁場(chǎng)傳感器、轉(zhuǎn)速傳感器或任意其他傳感器。同樣也可能的是用于探測(cè)氣態(tài)或液態(tài)物質(zhì)的或用于確定液體或氣體中一種物質(zhì)的濃度的傳感器。

在原則上，本發(fā)明也不局限于使用一個(gè)另外的傳感器15。同樣可能的是，通過(guò)計(jì)算裝置13基于通過(guò)溫度傳感器11求取的溫度來(lái)修正多個(gè)另外的傳感器15的傳感器信號(hào)。

為了確定校準(zhǔn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器13中的校準(zhǔn)數(shù)據(jù)必須對(duì)傳感器裝置1進(jìn)行校準(zhǔn)。為此，借助載體襯底20中的電加熱元件21對(duì)傳感器裝置1調(diào)溫，即設(shè)定預(yù)先確定的溫度。為了加熱載體襯底20中的電加熱元件21，通過(guò)電流源16來(lái)提供電流。通過(guò)電流源16提供的電流流過(guò)電加熱元件21，由此電加熱元件21變熱。由此，所有與載體襯底20熱耦合的結(jié)構(gòu)元件同時(shí)變熱。因此，尤其是集成電路元件10也變熱。如果所述另一傳感器15布置在集成電路元件10之外并且同樣與載體襯底20熱耦合，則外部的所述另一傳感器15以與集成電路元件10相同的尺度變熱。為了符合目的地對(duì)傳感器裝置1調(diào)溫，在校準(zhǔn)模式中借助校準(zhǔn)裝置14這樣操控電流源16，使得由電流源16提供的電流在載體襯底20上并從而在集成電路元件10上產(chǎn)生預(yù)先確定的溫度。為此，校準(zhǔn)裝置14可分析處理由集成電路元件10的溫度傳感器11提供的溫度值并基于所提供的溫度值適配由電流源16提供的電流。對(duì)于電加熱元件21上的電流的調(diào)節(jié)并且因此對(duì)于產(chǎn)生的溫度的調(diào)節(jié)可使用任意的調(diào)節(jié)規(guī)則。在通過(guò)對(duì)集成電路元件10中的溫度傳感器11提供的溫度值的分析處理而探測(cè)到已達(dá)到預(yù)先確定的溫度之后，校準(zhǔn)裝置14分析處理由所述另一傳感器15提供的原始傳感器值并基于當(dāng)前的溫度值和當(dāng)前的原始傳感器值來(lái)確定所需的校準(zhǔn)數(shù)據(jù)。這樣被求取的校準(zhǔn)數(shù)據(jù)接著被存儲(chǔ)在集成電路元件10的校準(zhǔn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器13中。此外，為了求取校準(zhǔn)數(shù)據(jù)還會(huì)需要對(duì)由所述另一傳感器15感測(cè)的當(dāng)前狀態(tài)的認(rèn)知。在簡(jiǎn)單的應(yīng)用情況中可為此將傳感器裝置1在校準(zhǔn)期間引入到之前精確限定的狀態(tài)中。在該情況下，校準(zhǔn)裝置14可在知道所述預(yù)先限定的狀態(tài)的情況下使用原始傳感器值和溫度值來(lái)直接算出校準(zhǔn)數(shù)據(jù)。替代地也可能的是，在多個(gè)不同的框架條件下實(shí)施所述校準(zhǔn)。在該情況下，同樣可將關(guān)于當(dāng)前框架條件的數(shù)據(jù)或信息提供給校準(zhǔn)裝置14。接著，校準(zhǔn)裝置14可將另外的這些數(shù)據(jù)或信息一起加入校準(zhǔn)過(guò)程。

原則上可能的是，電流源16和校準(zhǔn)裝置14實(shí)施為單獨(dú)的獨(dú)立結(jié)構(gòu)元件并且借助合適的電連接與集成電路元件10以及載體襯底20的加熱元件21耦合。在該情況下也可能的是，在校準(zhǔn)過(guò)程之后移除校準(zhǔn)裝置14和/或電流源16并且必要時(shí)為其他傳感器裝置的校準(zhǔn)重復(fù)使用它們。替代地也可能的是，校準(zhǔn)裝置14以及電流源16必要時(shí)也被集成在集成電路元件10中。這使得能實(shí)現(xiàn)特別緊湊和有效的構(gòu)造。

圖2示出載體襯底20中的加熱元件21的俯視示意圖。該加熱元件21在此可如圖2所示的那樣例如具有回形結(jié)構(gòu)。但原則上也可能是任意的其他結(jié)構(gòu)，例如螺旋形的導(dǎo)體軌延伸部(Leiterbahnfuhrung)或類似物。所述加熱元件21例如可涉及具有有限歐姆電阻的、導(dǎo)電的導(dǎo)體軌結(jié)構(gòu)。尤其可能的例如是由石墨或?qū)щ姴牧?尤其是導(dǎo)電的有機(jī)材料)制成的印制導(dǎo)體軌結(jié)構(gòu)。

圖3示出傳感器裝置1另一實(shí)施方式的載體襯底20的電加熱元件21的替代形式。如在此可看到的那樣，電加熱元件21在此包括多個(gè)加熱區(qū)段21a至21d。在這里選擇成四個(gè)的加熱區(qū)段21a至21d在此要僅示例性地去理解并且不構(gòu)成任何限制。同樣也可能的是與四個(gè)不同的任意數(shù)量的加熱區(qū)段21a至21d。例如僅兩個(gè)或三個(gè)加熱區(qū)段21a至21d也是可能的。但是也可設(shè)想五個(gè)或更多個(gè)加熱區(qū)段21a至21d。

如果加熱元件21包括多于1個(gè)的加熱區(qū)段21a至21d，則優(yōu)選其中每個(gè)加熱區(qū)段21a至21d由電流源16的一個(gè)獨(dú)立的電流驅(qū)動(dòng)器供給。通過(guò)該方法可個(gè)體化地適配每個(gè)加熱區(qū)段21a至21d。由此例如可考慮傳感器裝置1的不同區(qū)域中的不同熱特性。此外例如也可通過(guò)該方式產(chǎn)生溫度變化過(guò)程或溫度梯度或類似的。

此外也可能的是，加熱元件21實(shí)施為線圈。為此，加熱元件21例如可作為具有多個(gè)圈的印制導(dǎo)體軌結(jié)構(gòu)被安裝在載體襯底20中或被安裝在其上。在該情況下，當(dāng)電流流過(guò)這種線圈時(shí)，可通過(guò)該線圈產(chǎn)生磁場(chǎng)。如果所述另一傳感器15例如涉及磁場(chǎng)傳感器，則該線圈的磁場(chǎng)可用于給磁場(chǎng)傳感器提供預(yù)先確定的磁場(chǎng)。通過(guò)該方式例如可進(jìn)行磁場(chǎng)傳感器的校準(zhǔn)。此外，通過(guò)該線圈引起的磁場(chǎng)也可用于補(bǔ)償另一磁場(chǎng)。如果在此通過(guò)所述磁場(chǎng)傳感器探測(cè)到所述另一磁場(chǎng)被所述線圈的磁場(chǎng)補(bǔ)償，則接著可基于流過(guò)該線圈的電流來(lái)推斷出所述另一磁場(chǎng)的強(qiáng)度。

為了監(jiān)視加熱區(qū)段21a至21d的各個(gè)區(qū)域中的溫度，集成電路元件10也可包括多個(gè)溫度傳感器11。在該情況下，每個(gè)加熱區(qū)段21a至21d優(yōu)選可配屬有一個(gè)單獨(dú)的溫度傳感器11。由此，校準(zhǔn)裝置14可基于由多個(gè)溫度傳感器11提供的溫度值個(gè)體化地操控電流源16的各個(gè)電流驅(qū)動(dòng)器，以單獨(dú)地調(diào)節(jié)每個(gè)加熱區(qū)段21a至21d中的溫度。

圖4示出傳感器裝置1的另一實(shí)施方式的示意圖。該實(shí)施方式的傳感器裝置1包括集成電路元件10，在該集成電路元件中，除了溫度傳感器11、計(jì)算裝置12和校準(zhǔn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器13以外也還集成有校準(zhǔn)裝置14、電流源16和所述另一傳感器15。載體襯底20的電加熱元件21在此借助電連接與集成電路元件10的電流源16連接。電加熱元件21和電流源16之間的連接例如可借助所謂的鍵合線來(lái)進(jìn)行。如果電加熱元件21布置在載體襯底20的兩個(gè)層體之間，則電加熱元件21的接觸例如可在載體襯底20的邊緣進(jìn)行。替代地，載體襯底20也可具有合適的貫通接觸部(Durchkontaktierungen)，電加熱元件21與集成電路元件10的電流源16可在所述貫通接觸部上連接。此外，集成電路元件10也還可具有其他接頭，所述集成電路元件10可借助所述接頭與電壓供應(yīng)部連接以及必要時(shí)也可借助所述接頭與其他結(jié)構(gòu)元件連接。所述集成電路元件優(yōu)選可實(shí)施為焊球陣列封裝(BGA)或柵格陣列封裝(LGA)。此外，集成電路元件10在載體襯底20上也還可被附加的保護(hù)物質(zhì)30圍繞。由此可保護(hù)傳感器裝置1免受不希望的環(huán)境影響的損害。

圖5示出如用于校準(zhǔn)傳感器裝置1的方法所基于的流程圖的示意圖。在步驟S1中給載體襯底20的電加熱元件21提供電流。在步驟S2中，借助集成電路元件10的溫度傳感器11感測(cè)溫度值。在步驟S3中，感測(cè)所述另一傳感器15的原始傳感器值。在步驟S4中，基于所感測(cè)的溫度值和所感測(cè)的原始傳感器值求取校準(zhǔn)數(shù)據(jù)。必要時(shí)，為了求取校準(zhǔn)數(shù)據(jù)，也還可有其他信息一起加入到校準(zhǔn)過(guò)程中。最后在步驟S5中將求取的校準(zhǔn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在集成電路元件10的校準(zhǔn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器中。

概括地說(shuō)，本發(fā)明涉及一種具有溫度補(bǔ)償?shù)膫鞲衅餮b置，尤其是一種具有微機(jī)電傳感器的、被溫度補(bǔ)償?shù)膫鞲衅餮b置。為了校準(zhǔn)所述傳感器裝置，可借助傳感器裝置的載體襯底中的電加熱元件對(duì)傳感器裝置進(jìn)行調(diào)溫。溫度的調(diào)節(jié)在此通過(guò)適配電加熱元件中的電流來(lái)進(jìn)行。通過(guò)該方式可特別簡(jiǎn)單地求取用于傳感器元件的溫度補(bǔ)償?shù)男?zhǔn)數(shù)據(jù)。