本發(fā)明涉及表面損傷探測領(lǐng)域，特別涉及一種CaF₂光學(xué)基底表面和亞表面損傷探測方法。

背景技術(shù)：

近年來，包括ArF(氟化氬)準(zhǔn)分子激光在內(nèi)的深紫外激光技術(shù)和應(yīng)用獲得了快速的發(fā)展，尤其是在極大規(guī)模集成電路光刻制備領(lǐng)域，具有十分重大的社會和經(jīng)濟(jì)價值。

光學(xué)薄膜與元件的激光損傷與壽命問題一直是制約深紫外激光器向更高能量和功率發(fā)展，影響深紫外激光應(yīng)用系統(tǒng)使用壽命與成本的主要因素。近年來，隨著極大規(guī)模集成電路光刻制備技術(shù)的快速發(fā)展，對ArF準(zhǔn)分子激光元件的性能及長期穩(wěn)定性要求提出了持續(xù)的挑戰(zhàn)，尤其是ArF準(zhǔn)分子激光元件的在高重頻、低能量密度輻照下的損傷與長期使用壽命問題顯得愈發(fā)突出。

對于較高激光能量密度和要求長使用壽命的深紫外激光應(yīng)用中多數(shù)都采用CaF₂(氟化鈣)光學(xué)基底。但在實(shí)際應(yīng)用中，CaF₂光學(xué)元件的性能退化與損傷依然是當(dāng)前以及未來制約ArF激光器在大規(guī)模集成電路制備技術(shù)應(yīng)用的主要問題之一。導(dǎo)致CaF₂光學(xué)元件性能退化與損傷的實(shí)際因素非常復(fù)雜，主要包括三個方面的因素：首先是CaF₂光學(xué)晶體材料生長過程中引入的痕量雜質(zhì)和缺陷；其次是CaF₂光學(xué)基底切割、研磨、表面精拋和清洗等過程中在表面和亞表面層中引入的雜質(zhì)和缺陷；還與光學(xué)元件應(yīng)用的具體環(huán)境存在顯著關(guān)聯(lián)。所述的上面三種因素幾乎會同時存在，使得導(dǎo)致CaF₂光學(xué)元件性能退化與損傷的原因顯得錯綜復(fù)雜，這極大地制約了CaF₂光學(xué)元件長期性能穩(wěn)定性及壽命的提高。

在以往對CaF₂光學(xué)元件的表面損傷研究中，一般是采用直接表面觀察或表征的方法，如微分干涉顯微鏡法或掃描電子顯微鏡進(jìn)行表征。在實(shí)際應(yīng)用中，這兩種方法均存在一定的不足。例如微分干涉顯微鏡法，存在下面的不足：當(dāng)樣品的輻射點(diǎn)損傷不明顯時，其損傷形貌難于在離線顯微鏡中被準(zhǔn)確定位；由于其照明強(qiáng)度相對較弱及觀察面聚焦的問題，當(dāng)放大倍率超過100倍時，顯微成像的清晰度將退化，使得表面形貌的觀察和準(zhǔn)確判斷存在困難，難于觀察判別尺寸更小或微弱的損傷形貌。而掃描電子顯微鏡的分辨率雖然不存在問題，但是其定位以及便利程度都存在不足之處。更重要的是，上述方法均是屬于表面表觀的檢測方法，無法反映CaF₂光學(xué)元件表面和亞表面損傷的內(nèi)在情況。

從ArF激光在大規(guī)模集成電路制備技術(shù)的應(yīng)用實(shí)際情況來看，對ArF激光的要求是激光的工作重頻不斷增大、能量密度逐漸降低、壽命越來越長。典型的情況是CaF₂等光學(xué)元件需要承受高重頻、低能量密度激光輻照幾十億次之后，光學(xué)元件才出現(xiàn)微分干涉顯微法可觀測到的表面和亞表面損傷，在此之前則缺乏有效的手段進(jìn)行客觀檢測和評價。此外，從導(dǎo)致CaF₂光學(xué)元件損傷的主要因素來看，CaF₂光學(xué)基底在解理、研磨、拋光、清洗等加工過程中產(chǎn)生的表面和亞表面的微缺陷或損傷是其中最主要的內(nèi)在因素之一。因此，對CaF₂光學(xué)基底加工和使用過程中的表面和亞表面損傷進(jìn)行高靈敏檢測，對于提高CaF₂光學(xué)元件的加工和應(yīng)用水平具有重要的現(xiàn)實(shí)意義。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在克服現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

本發(fā)明提供了一種CaF₂光學(xué)基底表面和亞表面損傷探測方法，所述CaF₂光學(xué)基底表面和亞表面損傷探測方法包括步驟：

S1，對被測試CaF₂光學(xué)基底樣品表面進(jìn)行處理；

S2，采用激光共聚焦拉曼(Raman)光譜儀進(jìn)行顯微Raman光譜測試，對該測試區(qū)域表面和亞表面的損傷變化情況進(jìn)行判斷分析；

S3，對所測CaF₂光學(xué)元件表面的所有有效區(qū)域進(jìn)行表面映射(Mapping)掃描測試，并對測試結(jié)果進(jìn)行綜合分析，判斷所測CaF₂光學(xué)元件表面和亞表面的損傷情況。

一些實(shí)施例中，所述方法還包括步驟S4，將被測樣品表面進(jìn)行清潔處理，使樣品表面恢復(fù)到測試前的潔凈狀態(tài)。

一些實(shí)施例中，所述步驟S1，對被測試CaF₂光學(xué)基底樣品表面進(jìn)行處理具體為：將納米金屬溶膠滴在被測CaF₂光學(xué)基底樣品表面并進(jìn)行低速旋涂，然后將其靜置使水溶劑揮發(fā)干凈。

一些實(shí)施例中，所述納米金屬溶膠的顆粒直徑為10nm。

一些實(shí)施例中，所述步驟S2，采用激光共聚焦Raman光譜儀進(jìn)行顯微Raman光譜測試，對該測試區(qū)域表面和亞表面的損傷變化情況進(jìn)行判斷分析具體為：采用激光共聚焦Raman光譜儀，選擇Raman測試模式及測試參數(shù)，進(jìn)行顯微Raman光譜測試，根據(jù)所述Raman光譜中CaF₂的特征Raman峰的強(qiáng)弱變化及其它雜質(zhì)組分結(jié)構(gòu)的Raman光譜峰的強(qiáng)弱變化，對該測試區(qū)域表面和亞表面的損傷變化情況進(jìn)行判斷，并具體分析損傷機(jī)理。

一些實(shí)施例中，所述測試參數(shù)包括激發(fā)激光波長，顯微物鏡的放大倍率，共聚焦針孔大小，光柵的刻線，Raman光譜的測試范圍，測試的積分時間和平均次數(shù)。

一些實(shí)施例中，所述激發(fā)激光波長為785nm，所述顯微物鏡的放大倍率為10x-40x，所述共聚焦針孔大小為200μm，所述光柵的刻線為600I/mm，Raman光譜的測試范圍為100cm^-1-1500cm^-1之間，所述測試的積分時間為5s，所述測試的平均次數(shù)為2次。

一些實(shí)施例中，所述步驟S4，將被測樣品表面進(jìn)行清潔處理，使樣品表面恢復(fù)到測試前的潔凈狀態(tài)，具體為：

將被測樣品表面采用去離子水進(jìn)行兆聲清洗，同時將所述去離子水進(jìn)行加熱，然后重復(fù)上述步驟3次以上后更換去離子水。

一些實(shí)施例中，所述對所述去離子水進(jìn)行加熱的溫度為60度-80度。

一些實(shí)施例中，所述對所述去離子水進(jìn)行兆聲清洗的時間為10分鐘。

本發(fā)明提供的CaF₂光學(xué)基底表面和亞表面損傷探測方法采用激光共聚焦顯微Raman光譜儀進(jìn)行顯微Raman光譜測試，對該測試區(qū)域表面和亞表面的損傷變化情況進(jìn)行判斷分析可以大大提高所測光譜信號中來自表面和亞表面的信號的比重，從而可以進(jìn)一步提高對損傷區(qū)域的探測靈敏度和準(zhǔn)確性。通過對被測試CaF₂光學(xué)基底樣品表面進(jìn)行處理可以將損傷區(qū)域Raman散射信號與未損傷區(qū)域Raman散射信號的差異進(jìn)行放大，進(jìn)一步提高損傷區(qū)域和未損傷區(qū)域的探測信號對比度，極大地提高探測的靈敏度和準(zhǔn)確性。

附圖說明

圖1為本發(fā)明一個實(shí)施例的一種CaF₂光學(xué)基底表面和亞表面損傷探測方法的流程示意圖；

圖2為本發(fā)明一個實(shí)施例的一種CaF₂光學(xué)基底表面和亞表面損傷探測裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及具體實(shí)施例，對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅用以解釋本發(fā)明，而不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。

下面參考圖1至圖2來對本發(fā)明實(shí)施例的CaF₂光學(xué)基底表面和亞表面損傷探測方法進(jìn)行詳細(xì)說明。

Raman光譜是材料及表面研究相對成熟的技術(shù)，廣泛地應(yīng)用于各種材料及表面的表征。但是對于CaF₂光學(xué)基底表面和亞表面損傷，不僅損傷程度比較微弱，在區(qū)域上也往往是局部的微小區(qū)域，普通的Raman光譜測試往往無法探測出在這些區(qū)域的Raman光譜信號的變化，其測試結(jié)果的可靠性存在較大不確定性。

基于上述背景分析，本專利通過采用表面增強(qiáng)激光顯微Raman光譜的方法，對CaF₂光學(xué)基底在解理、研磨、拋光、清洗等加工過程及被激光輻照后的表面和亞表面損傷進(jìn)行高靈敏檢測，有效彌補(bǔ)目前所采用的表觀觀察方法的不足。

如圖1所示，是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種CaF₂光學(xué)基底表面和亞表面損傷探測方法，所述CaF₂光學(xué)基底表面和亞表面損傷探測方法包括步驟：

S1，對被測試CaF₂光學(xué)基底樣品表面進(jìn)行處理；

S2，采用激光共聚焦Raman光譜儀進(jìn)行顯微Raman光譜測試，對該測試區(qū)域表面和亞表面的損傷變化情況進(jìn)行判斷分析；

S3，對所測CaF₂光學(xué)元件表面的所有有效區(qū)域進(jìn)行表面Mapping掃描測試，并對測試結(jié)果進(jìn)行綜合分析，判斷所測CaF₂光學(xué)元件表面和亞表面的損傷情況。

在該實(shí)施例中，所述方法還包括步驟S4，將被測樣品表面進(jìn)行清潔處理，使樣品表面恢復(fù)到測試前的潔凈狀態(tài)。

對于CaF₂光學(xué)基底表面和亞表面損傷，不僅損傷的程度上比較微弱，在區(qū)域上也往往是局部的微小區(qū)域，在這些區(qū)域，采用常規(guī)Raman光譜儀獲得的光譜與未損傷區(qū)域的光譜幾乎一樣，所得到的信息無法反映出這些區(qū)域存在的表面和亞表面損傷。為此，本發(fā)明實(shí)施例采用激光共聚焦顯微Raman技術(shù)，區(qū)別于常規(guī)Raman光譜儀，激光共聚焦顯微Raman光譜儀可以對被測試區(qū)域進(jìn)行精確選擇和定位，即不僅可以對橫向進(jìn)行選擇限定，也可以對縱向進(jìn)行選擇限定。這將帶來兩方面的好處：通過對測試區(qū)域縱向上的選擇聚焦，可以大大提高所測光譜信號中來自表面和亞表面的信號的比重；通過對測試區(qū)域水平方向的定位，將測試表面區(qū)域進(jìn)行細(xì)分，降低損傷信號與未損傷信號之間的混疊效應(yīng)，使發(fā)生損傷區(qū)域與沒有發(fā)生損傷區(qū)域區(qū)分開來，從而可以進(jìn)一步提高對損傷區(qū)域的探測靈敏度和準(zhǔn)確性。

一些實(shí)施例中，所述步驟S1，對被測試CaF₂光學(xué)基底樣品表面進(jìn)行處理具體為：將納米金屬溶膠滴在被測CaF₂光學(xué)基底樣品表面并進(jìn)行低速旋涂，然后將其靜置使水溶劑揮發(fā)干凈。

一些實(shí)施例中，所述納米金屬溶膠的顆粒直徑為10nm。

通過對被測樣品表面進(jìn)行處理，從而增強(qiáng)表面Raman光譜信號。在進(jìn)行激光共聚焦顯微Raman光譜測試之前，在被測樣品表面涂覆特定的納米金屬溶膠層。通過在樣品表面應(yīng)用納米金屬溶膠，通過增強(qiáng)CaF₂的Raman散射信號，可以將損傷區(qū)域Raman散射信號與未損傷區(qū)域Raman散射信號的差異進(jìn)行放大。提高損傷區(qū)域和未損傷區(qū)域的探測信號對比度，極大地提高探測的靈敏度和準(zhǔn)確性。

一些實(shí)施例中，所述步驟S2，采用激光共聚焦Raman光譜儀進(jìn)行顯微Raman光譜測試，對該測試區(qū)域表面和亞表面的損傷變化情況進(jìn)行判斷分析具體為：采用激光共聚焦Raman光譜儀，選擇Raman測試模式及測試參數(shù)，進(jìn)行顯微Raman光譜測試，根據(jù)所述Raman光譜中CaF₂的特征Raman峰的強(qiáng)弱變化及其它雜質(zhì)組分結(jié)構(gòu)的Raman光譜峰的強(qiáng)弱變化，對該測試區(qū)域表面和亞表面的損傷變化情況進(jìn)行判斷，并具體分析損傷機(jī)理。

一些實(shí)施例中，所述測試參數(shù)包括激發(fā)激光波長，顯微物鏡的放大倍率，共聚焦針孔大小，光柵的刻線，Raman光譜的測試范圍，測試的積分時間和平均次數(shù)。

一些實(shí)施例中，所述激發(fā)激光波長為785nm，所述顯微物鏡的放大倍率為10x-40x，所述共聚焦針孔大小為200μm，所述光柵的刻線為600I/mm，Raman光譜的測試范圍為100cm^-1-1500cm^-1之間，所述測試的積分時間為5s，所述測試的平均次數(shù)為2次。

一些實(shí)施例中，所述步驟S4，將被測樣品表面進(jìn)行清潔處理，使樣品表面恢復(fù)到測試前的潔凈狀態(tài)，具體為：

將被測樣品表面采用去離子水進(jìn)行兆聲清洗，同時將所述去離子水進(jìn)行加熱，然后重復(fù)上述步驟3次以上后更換去離子水。

一些實(shí)施例中，所述對所述去離子水進(jìn)行加熱的溫度為60度-80度。

一些實(shí)施例中，所述對所述去離子水進(jìn)行進(jìn)行兆聲清洗的時間為10分鐘。

參考圖2所示，為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種CaF₂光學(xué)基底表面和亞表面損傷探測裝置結(jié)構(gòu)示意圖。所述CaF₂光學(xué)基底表面和亞表面損傷探測裝置100包括：激光器1、干涉濾光片2、功率衰減片3、反射鏡4、顯微鏡5、反射鏡6、物鏡7、樣品8、載物臺9、瑞利濾光片10、共聚焦針孔11、狹縫12、棱鏡13、光柵14、CCD探測器15。

激光器1用于激發(fā)被測試區(qū)域，可根據(jù)需要提供不同波長的激光器，可包括532nm激光器、633nm激光器、785nm激光器等。干涉濾光片2用于對不同波長的激光進(jìn)行光譜純化、濾除雜光。功率衰減片3和反射鏡4用于對激光功率和傳輸方向進(jìn)行調(diào)節(jié)。顯微物鏡6用于根據(jù)光譜激發(fā)激光器的波長及所需的測試區(qū)域大小，可提供不同工作波段和不同放大倍率的顯微物鏡。載物臺9用于實(shí)現(xiàn)對樣品被測試區(qū)域的選擇定位，包括三個高精度的平移臺，可分別進(jìn)行xyz三維的精密移動定位，可程序?qū)崿F(xiàn)xyz三維方向的Mapping定位，定位精度可達(dá)到微米量級。瑞利濾光片10用于過濾樣品被激發(fā)光中的瑞利散射光等。共聚焦針孔11用于將顯微物鏡焦點(diǎn)之外被激發(fā)的光擋住，而只讓焦點(diǎn)處的光會聚通過該針孔，從而大大提高測試的空間分辨率。狹縫12用于控制進(jìn)入光柵的光信號強(qiáng)度。棱鏡13和光柵14用于將光譜中不同波長或波數(shù)的信號光分開。CCD探測器15用于探測光譜信號的強(qiáng)度。

所述步驟S1中對被測試CaF₂光學(xué)基底樣品進(jìn)行表面納米金屬溶膠層處理的具體過程如下：

1)根據(jù)激發(fā)波長，計(jì)算所需金銀鈉米顆粒的最佳直徑范圍；

2)選擇顆粒直徑分布在上述范圍內(nèi)的鈉米銀溶膠；

3)將鈉米銀溶膠滴在被測CaF₂光學(xué)基底樣品表面，采用低速旋涂，之后靜置，待水溶劑基本揮發(fā)干凈為止。

所述步驟S2的微區(qū)Raman光譜測試具體過程如下：

1)選擇Raman光譜測試模式，激光器1選擇785nm激光，這樣可以避免采用更短波長激發(fā)時產(chǎn)生的熒光信號對Raman信號的影響，同時滿足表面等離子體共振激發(fā)的要求；

2)選擇近紅外波段顯微物鏡，放大倍率可根據(jù)測試樣品的情況，選擇10x-20x之間，放大倍率越大，測試區(qū)域越?。?/p>

3)共聚焦針孔大小選擇200μm左右；

4)將上述步驟S1制備的被測樣品置于載物臺，調(diào)節(jié)載物臺，先對被測試區(qū)域表面和亞表面進(jìn)行水平位置的定位，然后調(diào)節(jié)縱向高度，使激發(fā)光焦點(diǎn)縱向中心剛好位于樣品水平表面或者略高于樣品水平表面，在保證Raman信號強(qiáng)度滿足一定要求的前提下，使樣品非表面和亞表面層的內(nèi)部層的Raman信號盡可能弱；

5)選擇光柵的刻線為600I/mm，雖然光譜的分辨率有所下降，但是獲得的Raman光譜信號更強(qiáng)；

6)Raman光譜的測試范圍為100cm^-1-1500cm^-1之間，這樣既可以包含CaF₂晶體的特征Raman散射譜線，也可以包含CaO(氧化鈣)、CaCO₃(碳酸鈣)、及有機(jī)物等的特征Raman光譜；

7)為了提高測試的準(zhǔn)確性，測試的積分時間和平均次數(shù)分別設(shè)為5s和2次；

8)測試并獲得某表面測試區(qū)域的Raman光譜。對該測試區(qū)域表面和亞表面的損傷變化情況進(jìn)行判斷分析損傷機(jī)理。

所述步驟S3，對所測CaF₂光學(xué)元件表面的所有有效區(qū)域進(jìn)行表面Mapping掃描測試，并對測試結(jié)果進(jìn)行綜合分析，判斷所測CaF₂光學(xué)元件表面和亞表面的損傷情況的具體過程如下：選擇需要測試的樣品表面，設(shè)定合適的測試間隔dx和dy，對測試區(qū)域進(jìn)行表面Mapping測試，得到每個測試點(diǎn)Raman光譜。在測試過程中，注意保持顯微物鏡相對樣品表面的距離，使得所有測試點(diǎn)的測試區(qū)域均為表面和亞表面層，從而使結(jié)果具有可比較性。對上述測試結(jié)果進(jìn)行綜合分析，比較CaF₂的Raman信號及其它雜質(zhì)Raman信號的強(qiáng)弱變化，由此判斷所測CaF₂光學(xué)元件各區(qū)域的表面和亞表面損傷情況。

所述步驟S4的處理流程如下：

1)采用去離子水進(jìn)行兆聲清洗，為了增加對樣品表面鈉米銀薄層的去除效果，在測試完之后立即進(jìn)行清洗，同時將去離子水加溫到60度-80度，增加去除效率，每次兆聲清洗時間為10分鐘。

2)更換去離子水，并重復(fù)上述步驟1)3-5次。

由于采用本專利方法可以極大地提高損傷區(qū)域和未損傷區(qū)域的探測信號對比度，具有很高的探測靈敏度和準(zhǔn)確性，因此，可以針對CaF₂光學(xué)基底在解理、研磨、拋光、清洗等加工過程及被激光輻照后等各種階段的表面和亞表面損傷進(jìn)行檢測。本專利所述的表面增強(qiáng)Raman散射光譜探測技術(shù)不限于上述實(shí)施例中所述的方法和所采用的納米金屬溶膠類型。

本發(fā)明的有益效果在于：本發(fā)明實(shí)施例采用激光共聚焦顯微Raman光譜儀進(jìn)行顯微Raman光譜測試，對該測試區(qū)域表面和亞表面的損傷變化情況進(jìn)行判斷分析可以大大提高所測光譜信號中來自表面和亞表面的信號的比重，從而可以進(jìn)一步提高對損傷區(qū)域的探測靈敏度和準(zhǔn)確性。通過對被測試CaF₂光學(xué)基底樣品表面進(jìn)行處理可以將損傷區(qū)域Raman散射信號與未損傷區(qū)域Raman散射信號的差異進(jìn)行放大，進(jìn)一步提高損傷區(qū)域和未損傷區(qū)域的探測信號對比度，極大地提高探測的靈敏度和準(zhǔn)確性。

在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語“中心”、“縱向”、“橫向”、“長度”、“寬度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”“內(nèi)”、“外”、“順時針”、“逆時針”、“軸向”、“徑向”、“周向”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。

此外，術(shù)語“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括至少一個該特征。

在本發(fā)明中，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”、“固定”等術(shù)語應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或成一體；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內(nèi)部的連通或兩個元件的相互作用關(guān)系，除非另有明確的限定。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。

在本發(fā)明中，除非另有明確的規(guī)定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接觸，或第一和第二特征通過中間媒介間接接觸。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或僅僅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或僅僅表示第一特征水平高度小于第二特征。

在本說明書的描述中，參考術(shù)語“一個實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本發(fā)明的至少一個實(shí)施例或示例中。在本說明書中，對上述術(shù)語的示意性表述不必須針對的是相同的實(shí)施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任一個或多個實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。此外，在不相互矛盾的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以將本說明書中描述的不同實(shí)施例或示例以及不同實(shí)施例或示例的特征進(jìn)行結(jié)合和組合。

盡管上面已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施例，可以理解的是，上述實(shí)施例是示例性的，不能理解為對本發(fā)明的限制，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本發(fā)明的范圍內(nèi)可以對上述實(shí)施例進(jìn)行變化、修改、替換和變型。

以上所述本發(fā)明的具體實(shí)施方式，并不構(gòu)成對本發(fā)明保護(hù)范圍的限定。任何根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思所作出的各種其他相應(yīng)的改變與變形，均應(yīng)包含在本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。