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      一種GIS內(nèi)部高頻暫態(tài)電壓的測(cè)量系統(tǒng)及方法與流程

      文檔序號(hào):11110727閱讀:385來源:國(guó)知局
      一種GIS內(nèi)部高頻暫態(tài)電壓的測(cè)量系統(tǒng)及方法與制造工藝

      本發(fā)明屬于高壓測(cè)量技術(shù)研究領(lǐng)域,特別涉及一種GIS內(nèi)部高頻暫態(tài)電壓的測(cè)量系統(tǒng)及方法。



      背景技術(shù):

      氣體絕緣變電站(Gas Insulated Substation)因其受環(huán)境影響因素小、占用空間小、運(yùn)行可靠性高、很少維修等優(yōu)點(diǎn)在近二、三十年中得到了日益廣泛的應(yīng)用。隨著運(yùn)行電壓和GIS內(nèi)氣壓的提高,因隔離開關(guān)、接地開關(guān)和斷路器的操作而引起的快速暫態(tài)過程將會(huì)更加明顯和嚴(yán)重,并可能對(duì)系統(tǒng)引起若干不良影響,尤其是隔離開關(guān)切合空載母線時(shí),因其操作的概率和頻數(shù)比較大,操作周期比較長(zhǎng),造成過電壓現(xiàn)象和電磁兼容問題不可避免,越來越引起世人的關(guān)注。

      GIS中由開關(guān)操作引起的電磁暫態(tài)現(xiàn)象主要表現(xiàn)為:GIS母線套管上的快速暫態(tài)過電壓(VFTO)、GIS殼體上的暫態(tài)地電位升高(TEV),以及由于GIS內(nèi)部產(chǎn)生高頻特快速暫態(tài)電流(VFTC),而在GIS周圍空間產(chǎn)生暫態(tài)電磁場(chǎng)(TEM)和電磁干擾(EMI),造成對(duì)二次設(shè)備的無(wú)干擾,如圖1所示。

      其中,快速暫態(tài)過電壓VFTO和VFTC是GIS中最典型、危害最嚴(yán)重的一種電磁暫態(tài)現(xiàn)象。隔離開關(guān)在操作過程中,由于其切換速度慢,觸頭間隙會(huì)發(fā)生多次重燃,產(chǎn)生極陡的行波并在GIS管線內(nèi)迅速發(fā)生折射、反射和疊加,產(chǎn)生高頻振蕩的快速暫態(tài)過電壓即VFTO和VFTC。典型的VFTO和VFTC的波形,如圖2和圖3所示。

      根據(jù)電磁場(chǎng)原理,VFTC和VFTO具有一定的相關(guān)性,VFTO產(chǎn)生暫態(tài)過電壓的同時(shí)就會(huì)產(chǎn)生暫態(tài)過電流,根據(jù)實(shí)驗(yàn)表明,VFTO具有以下特點(diǎn):

      1)波前很陡,上升時(shí)間短(3~20ns),電壓上升率高,可達(dá)40MV/s;

      2)頻率高,主要集中在0.5~150MHz范圍內(nèi),最高可達(dá)300MHz;

      3)幅值不高,典型值為1.5~2.0p.u.,最高可達(dá)2.5p.u.。

      VFTO主要作用于GIS內(nèi)部導(dǎo)體與殼體之間,危及GIS內(nèi)部設(shè)備,尤其是對(duì)盆式絕緣子的絕緣危害非常大。當(dāng)GIS內(nèi)的VFTO以行波方式沿母線傳播時(shí),高頻電流的肌膚效應(yīng)使電流沿母線的外表面及外殼的內(nèi)表面流動(dòng),到達(dá)套管后,一部分沿著架空線傳播,對(duì)與之相連的電氣設(shè)備(如變壓器、架空線路)造成直接的絕緣損壞;另一部分則耦合到殼體與地之間,使GIS殼體上形成暫態(tài)地電位升高,即TGPR,幅值范圍一般在0.1~0.25p.u.之間。數(shù)十到上百千伏的TGPR具有持續(xù)時(shí)間短、頻率高和陡度大的特點(diǎn),對(duì)二次設(shè)備構(gòu)成過電壓威脅。

      目前,國(guó)內(nèi)外對(duì)VFTO特性的研究,可以看出,對(duì)VFTO和VFTC特性的研究主要存在如下問題:

      (1)現(xiàn)有對(duì)快速暫態(tài)過電壓的研究較多,但對(duì)快速暫態(tài)過電流特性研究較少,由于在高電位情況下電流測(cè)量較困難,且外部對(duì)電流干擾較大,屏蔽問題較難解決。

      (2)實(shí)際運(yùn)行中的GIS隔離開關(guān)速度較低,速度單一,難以改變隔離開關(guān)的分合鬧速度,研究在多種不同隔離關(guān)速度情況下對(duì)產(chǎn)生VFTO和VFTC的影響較為困難。對(duì)于隔離關(guān)分合閘速度對(duì)VFTO的影響,隔離開關(guān)運(yùn)動(dòng)速度越慢,分閘的時(shí)候重?fù)舸┑拇螖?shù)則越多,那么空載母線上的殘余電荷就會(huì)越少,下一次合鬧過程中所產(chǎn)生的VFTO的幅值也就越低,并沒有給出實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。重合鬧次數(shù)越多,殘余電荷會(huì)越少,沒有理論方面的解釋。

      (3)對(duì)隔離開關(guān)高頻電弧特性的研究不夠準(zhǔn)確,對(duì)一次擊穿中弧道電阻的確定缺乏依據(jù),不能確定弧道電阻是回路的電阻值還是一次燃弧的弧阻值。

      由于電壓可以在GIS外部測(cè)試,因此目前對(duì)于GIS暫態(tài)過電壓VFTO的測(cè)量方法較多。GIS電流探頭是用于測(cè)量GIS內(nèi)部導(dǎo)體暫態(tài)電流的傳感器。在GIS隔離開關(guān)分合過程中,其暫態(tài)電流頻率特性與快速暫態(tài)過電壓(VFTO)特性類似,其電流高頻部分頻率上限達(dá)到100MHz,其低頻部分在數(shù)百kHz。測(cè)量高頻暫態(tài)電流的基本方法是采用羅氏線圈測(cè)量。測(cè)量較高頻率電流的羅氏線圈,其體積尺寸都較小,所以測(cè)量電流的導(dǎo)體不能太大,此外還存在測(cè)量絕緣問題。因此用羅氏線圈測(cè)量電流,需解決和測(cè)量導(dǎo)體尺寸配合、測(cè)量絕緣問題。根據(jù)初步研究分析,采用羅氏線圈測(cè)量電流其結(jié)構(gòu)復(fù)雜難度較大,解決成本也大。

      因此,目前對(duì)GIS內(nèi)部VFTC的測(cè)量是一個(gè)行業(yè)難題,急需一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、測(cè)試安全,且精度高的測(cè)量系統(tǒng)及方法,對(duì)GIS的電磁暫態(tài)現(xiàn)象進(jìn)行研究。



      技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

      本發(fā)明的目的在于提供一種GIS內(nèi)部高頻暫態(tài)電壓的測(cè)量系統(tǒng)及方法,以解決上述技術(shù)問題。本發(fā)明方法是一種電流測(cè)量范圍為50kV~500kV,測(cè)量帶寬為50Hz~100MHz(-3db),測(cè)量誤差≤3%,電壓測(cè)量響應(yīng)時(shí)間≤2ns的GIS內(nèi)部高頻暫態(tài)電流的測(cè)量方法,安裝方便、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單與測(cè)試安全、精度高為一體的用于GIS內(nèi)部特快速暫態(tài)電流VFTO測(cè)量的方法,為GIS內(nèi)部高頻暫態(tài)電壓的測(cè)量提供一種簡(jiǎn)單、高效的方法。

      為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:

      一種GIS內(nèi)部高頻暫態(tài)電壓的測(cè)量系統(tǒng),包括手孔蓋板、聚四氟乙烯絕緣套、聚四氟乙烯絕緣薄膜和中間極板;手孔蓋板與中間極板之間設(shè)有一層聚四氟乙烯絕緣薄膜,保持手孔蓋板與中間極板之間的絕緣;中間極板為平板結(jié)構(gòu);中間極板通過若干螺釘固定在手孔蓋板的內(nèi)側(cè)面,所述若干螺釘與中間極板之間設(shè)有絕緣套絕緣;手孔蓋板的外側(cè)面上固定有BNC探頭輸出座,中間極板中心設(shè)有中間極板同軸導(dǎo)體,BNC探頭輸出座的電極芯與中間極板同軸導(dǎo)體電性連接。

      進(jìn)一步的,BNC探頭輸出座通過螺紋緊固于手孔蓋板上。

      進(jìn)一步的,還包括電壓探頭輸出端密封罩,電壓探頭輸出端密封罩通過鋼制緊固螺絲固定在手孔蓋板外表面上,并罩住BNC探頭輸出座;電壓探頭輸出端密封罩和手孔蓋板之間通過密封圈密封。

      進(jìn)一步的,所述一種GIS內(nèi)部高頻暫態(tài)電壓的測(cè)量系統(tǒng)安裝于GIS設(shè)備的手孔中,中間極板置于GIS中高壓導(dǎo)體與手孔蓋板之間,高壓導(dǎo)體與中間極板之間形成電容C1,中間極板與手孔蓋板之間形成電容C2,C1與C2組成一個(gè)電容分壓器。

      一種GIS內(nèi)部高頻暫態(tài)電壓的測(cè)量方法,其特征在于,基于一種GIS內(nèi)部高頻暫態(tài)電壓的測(cè)量系統(tǒng),包括以下步驟:

      1)將一種GIS內(nèi)部高頻暫態(tài)電壓的測(cè)量系統(tǒng)安裝在待測(cè)GIS設(shè)備上之前,對(duì)所述一種GIS內(nèi)部高頻暫態(tài)電壓的測(cè)量系統(tǒng)進(jìn)行試驗(yàn)標(biāo)定,確定其分壓比;

      2)將所述一種GIS內(nèi)部高頻暫態(tài)電壓的測(cè)量系統(tǒng)安裝在待測(cè)GIS設(shè)備手孔位置,中間極板置于GIS中高壓導(dǎo)體與手孔蓋板之間;

      3)高壓導(dǎo)體與中間極板之間形成電容C1,中間極板與手孔蓋板之間形成電容C2,C1與C2組成一個(gè)電容分壓器;測(cè)量時(shí),臨時(shí)拆除電壓探頭輸出端密封罩,測(cè)量BNC探頭輸出座外殼與電極芯之間的電壓,即中間極板與手孔蓋板之間的電壓,根據(jù)步驟1)確定過的分壓比,通過計(jì)算得到高壓導(dǎo)體的對(duì)地電壓。

      相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明具有以下技術(shù)效果:本發(fā)明通過在GIS設(shè)備的手孔蓋板中設(shè)置一塊中間極板,中間極板置于GIS中高壓導(dǎo)體與手孔蓋板之間,高壓導(dǎo)體與中間極板之間形成電容C1,中間極板與手孔蓋板之間形成電容C2,C1與C2組成一個(gè)電容分壓器,當(dāng)分壓比確定后,測(cè)量電容C2兩端的電壓,通過計(jì)算即可得到高壓導(dǎo)體的對(duì)地電壓。本發(fā)明安裝方便、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單與測(cè)試安全、精度高。

      本發(fā)明電流測(cè)量范圍為50kV~500kV,測(cè)量帶寬為50Hz~100MHz(-3db),測(cè)量誤差≤3%,電壓測(cè)量響應(yīng)時(shí)間≤2ns。本發(fā)明為一種用于GIS內(nèi)部特快速暫態(tài)電流VFTO測(cè)量的方法,為GIS內(nèi)部高頻暫態(tài)電壓的測(cè)量提供一種簡(jiǎn)單、高效的方法。

      本發(fā)明對(duì)GIS設(shè)備內(nèi)部的電磁暫態(tài)現(xiàn)象進(jìn)行研究,進(jìn)而通過標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn),對(duì)GIS設(shè)備的性能進(jìn)行評(píng)價(jià),另外也可應(yīng)用于對(duì)變電站中暫態(tài)電磁環(huán)境的研究,提高上述技術(shù)應(yīng)用的精度和準(zhǔn)確度。

      附圖說明

      圖1為GIS中的電磁暫態(tài)現(xiàn)象示意圖;

      圖2為GIS內(nèi)部典型VFTO波形;其中圖2(a)為隔離開關(guān)合閘時(shí)電壓波形;圖2(b)為隔離開關(guān)分閘時(shí)的波形;

      圖3為GIS內(nèi)部典型VFTC波形;其中圖3(a)為隔離開關(guān)合閘時(shí)暫態(tài)電流波形;圖3(b)為隔離開關(guān)合閘時(shí)暫態(tài)電流波形;

      圖4為GIS電壓探頭原理圖;

      圖5為GIS電壓探頭結(jié)構(gòu)圖。

      圖中,1、手孔蓋板;2、電壓探頭輸出端密封罩;3、聚四氟乙烯絕緣套;4、聚四氟乙烯絕緣薄膜;5、中間極板;11、鋼制緊固螺絲;12、密封圈;13、BNC探頭輸出座;14、中間極板同軸導(dǎo)體;15絕緣套。

      具體實(shí)施方式

      請(qǐng)參閱圖4所示,本發(fā)明設(shè)計(jì)出一個(gè)在GIS手孔蓋板位置安裝電壓探頭。

      圖4中中間極板和手孔蓋板為一對(duì)鋁制金屬極板。手孔蓋板為GIS罐體手孔蓋板,通過螺絲緊固于GIS殼體上,電位為地電位,可根據(jù)不同電壓等級(jí)GIS尺寸,制作不同大小手孔蓋板配套安裝。中間極板置于GIS中高壓導(dǎo)體與手孔蓋板之間,因此,高壓導(dǎo)體與中間極板之間形成電容C1,中間極板與手孔蓋板之間形成電容C2,C1與C2組成一個(gè)電容分壓器,當(dāng)分壓比確定后,測(cè)量電容C2兩端的電壓,通過計(jì)算即可得到高壓導(dǎo)體的對(duì)地電壓。實(shí)際測(cè)量是在短時(shí)間內(nèi)同時(shí)測(cè)量穩(wěn)態(tài)和暫態(tài)電壓量,以已知穩(wěn)態(tài)電壓幅值比對(duì)暫態(tài)電壓幅值,即可得到電壓暫態(tài)量。

      請(qǐng)參閱圖5所示,本發(fā)明一種GIS內(nèi)部高頻暫態(tài)電壓的測(cè)量系統(tǒng),包括手孔蓋板1、電壓探頭輸出端密封罩2、聚四氟乙烯絕緣套3、聚四氟乙烯絕緣薄膜4和中間極板5。

      手孔蓋板1與中間極板5之間設(shè)有一層聚四氟乙烯絕緣薄膜,保持手孔蓋板1與中間極板5之間的絕緣。中間極板5為平板結(jié)構(gòu);探頭輸出特性為高阻,與測(cè)量?jī)x器連接宜采用10:1或100:1高阻標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量表筆探頭連接,表筆探頭輸入阻抗為10MΩ或100MΩ。探頭輸出采用同軸傳輸系統(tǒng),使探頭具有較好的傳輸性能。為保證探頭的密封性能,探頭結(jié)構(gòu)采用雙密封結(jié)構(gòu),即圖5中3處同軸灌膠密封和密封圈12,最大限度保證探頭的密封性能。中間極板5和手孔蓋板1之間的固定螺絲與中間極板之間通過圖5中緊固螺絲與中間極板之間的絕緣套15進(jìn)行絕緣。BNC探頭輸出座13外殼通過螺紋緊固于手孔蓋板1上,其中電極芯與中間極板同軸導(dǎo)體14焊接在一起。

      電壓探頭輸出端密封罩2通過鋼制緊固螺絲11固定在手孔蓋板1外表面上;電壓探頭輸出端密封罩2和手孔蓋板1之間通過密封圈12密封。中間極板5的四周通過多個(gè)螺釘固定在手孔蓋板1的內(nèi)表面上,該等緊固螺絲與中間極板之間設(shè)有絕緣套15,手孔蓋板1與中間極板5有一層聚四氟乙烯絕緣薄膜。中間極板5的中心設(shè)有中間極板同軸導(dǎo)體14,手孔蓋板1的中心設(shè)有BNC探頭輸出座13,中間極板同軸導(dǎo)體14與BNC探頭輸出座13的電極芯連接。

      根據(jù)不同電壓等級(jí)GIS設(shè)備手孔位置和蓋板大小,加工裝配電壓探頭,這兩個(gè)探頭除蓋板尺寸有差異外,其它部分完全相同。每個(gè)做好的探頭在安裝前要通過試驗(yàn)標(biāo)定其分壓比。

      本發(fā)明一種GIS內(nèi)部高頻暫態(tài)電壓的測(cè)量方法,包括以下步驟:

      1)將一種GIS內(nèi)部高頻暫態(tài)電壓的測(cè)量系統(tǒng)安裝在待測(cè)GIS設(shè)備上之前,對(duì)所述一種GIS內(nèi)部高頻暫態(tài)電壓的測(cè)量系統(tǒng)進(jìn)行試驗(yàn)標(biāo)定,確定其分壓比;

      2)將所述一種GIS內(nèi)部高頻暫態(tài)電壓的測(cè)量系統(tǒng)安裝在待測(cè)GIS設(shè)備手孔位置,中間極板置于GIS中高壓導(dǎo)體與手孔蓋板之間;

      3)高壓導(dǎo)體與中間極板之間形成電容C1,中間極板與手孔蓋板之間形成電容C2,C1與C2組成一個(gè)電容分壓器;測(cè)量時(shí),臨時(shí)拆除電壓探頭輸出端密封罩2,測(cè)量BNC探頭輸出座13外殼與電極芯之間的電壓,即中間極板與手孔蓋板之間的電壓,根據(jù)步驟1)確定過的分壓比,通過計(jì)算得到高壓導(dǎo)體的對(duì)地電壓。

      步驟3)中實(shí)際測(cè)量是在短時(shí)間內(nèi)同時(shí)測(cè)量穩(wěn)態(tài)和暫態(tài)電壓量,以已知穩(wěn)態(tài)電壓幅值比對(duì)暫態(tài)電壓幅值,即可得到電壓暫態(tài)量。

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