一種單層片式瓷介電容器高頻s參數(shù)測(cè)試夾具的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種電容測(cè)試夾具，具體地說(shuō)涉及一種單層片式瓷介電容器高頻S參數(shù)測(cè)試夾具。
【背景技術(shù)】
[0002]單層片式瓷介電容器具有體積小、型號(hào)多、應(yīng)用頻率高等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用在電子對(duì)抗、雷達(dá)、導(dǎo)航、制導(dǎo)和衛(wèi)星通訊等方面。用戶(hù)或設(shè)計(jì)師在選用時(shí)比較關(guān)注單層片式瓷介電容器的高頻性能，這就要求單層片式瓷介電容器生產(chǎn)廠家對(duì)不同型號(hào)的產(chǎn)品進(jìn)行高頻性能測(cè)量和監(jiān)控。然而，單層片式瓷介電容器高頻S參數(shù)測(cè)量精確一直是個(gè)難點(diǎn)，業(yè)內(nèi)還沒(méi)統(tǒng)一的測(cè)試方法以及測(cè)試的設(shè)備。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種單層片式瓷介電容器高頻S參數(shù)測(cè)試夾具，滿(mǎn)足不同型號(hào)尺寸的單層片式瓷介電容器高頻S參數(shù)測(cè)量，解決單層片式瓷介電容器專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)難題。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供一種單層片式瓷介電容器高頻S參數(shù)測(cè)試夾具，包括夾具主體和底座，所述底座上設(shè)有上壓板和下壓板，所述上壓板設(shè)有第一連接器和彈性傳輸線(xiàn)，所述第一連接器連接所述彈性傳輸線(xiàn);所述下壓板設(shè)有測(cè)試載片和第二連接器，所述測(cè)試載片與所述第二連接器連接;所述上壓板與壓塊連接;所述壓塊通過(guò)導(dǎo)軌與手柄連接。
[0005]優(yōu)選地，所述測(cè)試載片數(shù)量為5個(gè)，型號(hào)各不相同，5組測(cè)試分夾具滿(mǎn)足不同型號(hào)尺寸的單層片式瓷介電容器高頻S參數(shù)測(cè)量。
[0006]優(yōu)選地，所述第一連接器和第二數(shù)連接器的數(shù)量各為5個(gè)，滿(mǎn)足不同電容測(cè)量時(shí)候連接方便。
[0007]本實(shí)用新型的有益效果是:1、應(yīng)用廣泛、方便使用，5組測(cè)試分夾具滿(mǎn)足不同型號(hào)尺寸的單層片式瓷介電容器高頻S參數(shù)測(cè)量。2、采用TRL校準(zhǔn)，把參考面校準(zhǔn)到待測(cè)件兩端保證測(cè)試精確;3、采用垂直下壓模式定位產(chǎn)品，測(cè)試重復(fù)性好;測(cè)試精度高，重復(fù)性好。
【附圖說(shuō)明】

[0008]附圖用來(lái)提供對(duì)本實(shí)用新型的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說(shuō)明書(shū)的一部分，與本實(shí)用新型的實(shí)施例一起用于解釋本實(shí)用新型，并不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型的限制。在附圖中:
[0009]圖1為本實(shí)用新型單層片式瓷介電容器高頻S參數(shù)測(cè)試夾具的立體圖；
[0010]圖2為本實(shí)用單層片式瓷介電容器高頻S參數(shù)測(cè)試夾具的局部放大圖；
[0011 ]圖3為為本實(shí)用新型單層片式瓷介電容器高頻S參數(shù)測(cè)試夾具使用示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0012]以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明，應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的優(yōu)選實(shí)施例僅用于說(shuō)明和解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。
[0013]如圖1至圖2所示，本實(shí)用新型一種單層片式瓷介電容器高頻S參數(shù)測(cè)試夾具，包括夾具主體I和底座2，所述底座2上設(shè)有上壓板3和下壓板4，所述上壓板3設(shè)有第一連接器5和彈性傳輸線(xiàn)6，所述第一連接器5連接所述彈性傳輸線(xiàn)6;所述下壓板4設(shè)有測(cè)試載片7和第二連接器55，所述測(cè)試載片7與所述第二連接器55連接;所述上壓板3與壓塊8連接;所述壓塊8通過(guò)導(dǎo)軌9與手柄10連接。
[0014]測(cè)試不同尺寸規(guī)格的電容器時(shí)，只需要把相應(yīng)的載片旋轉(zhuǎn)至面前把待測(cè)件直接放在測(cè)試載片上，拉動(dòng)手柄，使得壓塊下沉，壓塊下部有彈性的彈性傳輸線(xiàn)就可以把待測(cè)件壓緊在測(cè)試載片上，不需要螺釘固定或焊接，同時(shí)完成射頻連接。
[0015]測(cè)試載片數(shù)量為5個(gè)型號(hào)各不相同，為了與測(cè)試載片對(duì)應(yīng)連接，所述第一連接器和第二數(shù)連接器的數(shù)量各為5個(gè);5組測(cè)試分夾具滿(mǎn)足不同型號(hào)尺寸的單層片式瓷介電容器高頻S參數(shù)測(cè)量。
[0016]具體使用的操作步驟如下(如圖2和圖3所示):
[00?7] 第I步:測(cè)量校準(zhǔn):確定產(chǎn)品尺寸，選擇校準(zhǔn)件(open、short和through校準(zhǔn)件)對(duì)網(wǎng)絡(luò)分析儀進(jìn)行校準(zhǔn)，查看through狀態(tài)，是否校準(zhǔn)好。
[0018]第2步:抬起手柄，選擇合適的分夾具，將待測(cè)產(chǎn)品放置到對(duì)應(yīng)測(cè)試分夾具的載片中間位置。
[0019]第3步:用接在網(wǎng)絡(luò)分析儀端口電纜連接至測(cè)試分夾具端口，固定好。
[0020]第4步:進(jìn)行單層片式瓷介電容器高頻S參數(shù)測(cè)量，從網(wǎng)絡(luò)分析儀上讀取S參數(shù)；
[0021 ]第5步:保存測(cè)得S參數(shù)數(shù)據(jù)或S2P文件。
[0022]對(duì)該實(shí)用新型結(jié)構(gòu)描述:
[0023]該結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)主要由以下2個(gè)方面考慮:
[0024]1、方便使用
[0025]因?yàn)榭蛻?hù)所需測(cè)試的產(chǎn)品涉及到大量的試驗(yàn)和篩選，因此要求待測(cè)件在夾具上的連接方便快捷，不能使用螺釘固定或焊接。該結(jié)構(gòu)可以把待測(cè)件直接放在測(cè)試載片上，拉動(dòng)手柄，使得壓塊下沉，壓塊下部有彈性的彈性傳輸線(xiàn)就可以把待測(cè)件壓緊在測(cè)試載片上，同時(shí)完成射頻連接。因待測(cè)電容尺寸種類(lèi)較多，本方案設(shè)定5種規(guī)格尺寸的載片覆蓋全部尺寸范圍的芯片測(cè)試。測(cè)試不同尺寸規(guī)格的電容時(shí)，只需要把相應(yīng)的載片旋轉(zhuǎn)至面前和待測(cè)件的連接處參見(jiàn)圖3。
[0026]2、測(cè)試精確，重復(fù)性
[0027]因客戶(hù)是進(jìn)行批量測(cè)試，對(duì)產(chǎn)品做大量試驗(yàn)和篩選，因此對(duì)測(cè)試精度，尤其是重復(fù)性要求較高。該結(jié)構(gòu)采用垂直下壓模式，使用導(dǎo)軌從夾具主體到測(cè)試載片定位，使得壓塊下壓時(shí)橫向移動(dòng)分量在微米級(jí)，保證了每次連接的一致性。同時(shí)采用TRL校準(zhǔn)，把參考面校準(zhǔn)到待測(cè)件兩端;待測(cè)件周邊的材料選用介電常數(shù)盡量低的絕緣材料，將其影響降到最低。
[0028]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種單層片式瓷介電容器高頻S參數(shù)測(cè)試夾具，包括夾具主體(I)和底座(2)，其特征在于:所述底座(2)上設(shè)有上壓板(3)和下壓板(4)，所述上壓板(3)設(shè)有第一連接器(5)和彈性傳輸線(xiàn)(6)，所述第一連接器(5)連接所述彈性傳輸線(xiàn)(6);所述下壓板(4)設(shè)有測(cè)試載片(7)和第二連接器(55)，所述測(cè)試載片(7)與所述第二連接器(55)連接;所述上壓板(3)與壓塊(8)連接;所述壓塊(8)通過(guò)導(dǎo)軌(9)與手柄(10)連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述單層片式瓷介電容器高頻S參數(shù)測(cè)試夾具，其特征在于，所述測(cè)試載片(7)數(shù)量為5個(gè)，型號(hào)各不相同。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述單層片式瓷介電容器高頻S參數(shù)測(cè)試夾具，其特征在于，所述第一連接器(5)和第二數(shù)連接器(55)的數(shù)量各為5個(gè)。
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種單層片式瓷介電容器高頻S參數(shù)測(cè)試夾具，包括夾具主體和底座，所述底座上設(shè)有上壓板和下壓板，所述上壓板設(shè)有第一連接器和彈性傳輸線(xiàn)，所述第一連接器連接所述彈性傳輸線(xiàn)；所述下壓板設(shè)有測(cè)試載片和第二連接器，所述測(cè)試載片與所述第二連接器連接；所述上壓板與壓塊連接；所述壓塊通過(guò)導(dǎo)軌與手柄連接。本實(shí)用新型應(yīng)用廣泛、方便使用；采用TRL校準(zhǔn)，把參考面校準(zhǔn)到待測(cè)件兩端保證測(cè)試精確；采用垂直下壓模式定位產(chǎn)品，測(cè)試重復(fù)性好，測(cè)試精度高。
【IPC分類(lèi)】G01R1/04
【公開(kāi)號(hào)】CN205384297
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201620159856
【發(fā)明人】劉劍林, 韓玉成, 潘甲東, 張烽, 嚴(yán)勇, 王利凱, 溫占福, 尚超紅, 魏栩曼, 孫鵬遠(yuǎn)
【申請(qǐng)人】中國(guó)振華集團(tuán)云科電子有限公司
【公開(kāi)日】2016年7月13日
【申請(qǐng)日】2016年3月3日