本發(fā)明涉及一種低電壓弱場(chǎng)加速離子成像式小型光解碎片平動(dòng)速度譜儀，涉及分子反應(yīng)動(dòng)力學(xué)技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

分子反應(yīng)動(dòng)力學(xué)在原子、分子層次上，研究化學(xué)反應(yīng)中的分子動(dòng)態(tài)結(jié)構(gòu)、反應(yīng)過程、反應(yīng)速率和反應(yīng)機(jī)理。精確測(cè)量產(chǎn)物分子的速度在三維空間中的分布(速率分布和角分布)是分子反應(yīng)動(dòng)力學(xué)的重要研究?jī)?nèi)容，能夠揭示分子化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)通道、能量分配、產(chǎn)物量子態(tài)分布和反應(yīng)過渡態(tài)等信息，以深入理解反應(yīng)機(jī)理和調(diào)控化學(xué)反應(yīng)。李遠(yuǎn)哲教授因使用交叉分子束實(shí)驗(yàn)方法研究分子碰撞反應(yīng)動(dòng)力學(xué)獲得諾貝爾化學(xué)獎(jiǎng)。

分子光解反應(yīng)又稱半碰撞反應(yīng)，是重要的單分子反應(yīng)，又是光化學(xué)反應(yīng)的基礎(chǔ)。在氣體分子光解反應(yīng)動(dòng)力學(xué)的研究中，測(cè)量光解碎片的速度分布(速率分布和角分布)非常重要，能夠得到分子光解的反應(yīng)通道、能量分配、光解碎片的量子態(tài)分布、反應(yīng)過渡態(tài)和反應(yīng)機(jī)理。1970年，wilson等人建成了第一臺(tái)分子束-激光光解碎片平動(dòng)能譜儀(pts)，檢測(cè)一固定方向的光解碎片的速率分布。1981～1985年前后，李遠(yuǎn)哲教授實(shí)驗(yàn)室、曼徹斯特大學(xué)及中國(guó)科學(xué)院化學(xué)研究所，先后建成分子束方向可改變的光解碎片平動(dòng)能譜儀。上述光解碎片平動(dòng)能譜儀可先后測(cè)量在不同角度的光解碎片速率分布，如圖1所示，但是其結(jié)構(gòu)復(fù)雜、又需要超高真空。1987年，chandler和houston利用離子成像技術(shù)同時(shí)測(cè)量分子光解碎片的速率分布和角分布。其工作原理是先將一種光解碎片用激光電離成離子，并用強(qiáng)電場(chǎng)加速離子，再使其自由飛行，最后飛向位置敏感的微通道板(mcp)，其后設(shè)置熒光屏和ccd相機(jī)進(jìn)行攝像記錄。此二維環(huán)形平面圖像，可用阿貝爾反變換轉(zhuǎn)換成三維牛頓球，故可同時(shí)得到光解碎片的速率分布和角分布，該儀器結(jié)構(gòu)如圖2所示。1997年，eppink和parker提出速度成像的概念，其采用兩級(jí)電場(chǎng)加速時(shí)，電極板中空，不加?xùn)啪W(wǎng)，使電極加速離子時(shí)還具有聚焦作用，這顯著提高了離子速度圖像的空間分辨，其結(jié)構(gòu)如圖3所示，此技術(shù)得到了推廣。為了進(jìn)一步提高圖像的分辨，本世紀(jì)初又有采用時(shí)間切片技術(shù)(slicing)，直接測(cè)量產(chǎn)物離子形成的牛頓球中間部分的方法，此舉可獲得分辨更高的圖像。

在國(guó)內(nèi)，中國(guó)科學(xué)院大連化學(xué)物理研究所、武漢物理與數(shù)學(xué)研究所、清華大學(xué)、中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)、中國(guó)臺(tái)灣原子分子科學(xué)研究所等單位，均建有離子成像式光解碎片平動(dòng)能譜儀實(shí)驗(yàn)裝置。目前國(guó)內(nèi)外離子成像式pts都采用高電壓(650v～1800v)加速產(chǎn)物離子，需要經(jīng)過較長(zhǎng)的飛行距離(38～105cm)。已建成的離子成像式pts，很多宣稱速度分辨能力能達(dá)到δv/v≈1％，但是從文獻(xiàn)報(bào)道的實(shí)驗(yàn)結(jié)果來看，只有少數(shù)實(shí)驗(yàn)譜圖達(dá)到這一指標(biāo)。對(duì)于測(cè)量速度的儀器，較強(qiáng)的外加電場(chǎng)會(huì)對(duì)測(cè)量的精確度造成不利影響。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)上述問題，本發(fā)明的目的是提供一種使用低電壓弱場(chǎng)加速離子，且能夠提高測(cè)量精度和儀器分辨能力的離子成像式小型光解碎片平動(dòng)速度譜儀。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采取以下技術(shù)方案：一種低電壓弱場(chǎng)加速離子成像式小型光解碎片平動(dòng)速度譜儀，其特征在于，該平動(dòng)速度譜儀包括源室、反應(yīng)室、真空泵系統(tǒng)、脈沖閥、準(zhǔn)直器、光解激光和電離激光、低電壓弱場(chǎng)離子加速和聚焦系統(tǒng)、微通道板、熒光屏、數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)、時(shí)序控制系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)；所述時(shí)序控制系統(tǒng)用于控制所述脈沖閥、光解激光和電離激光、以及數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的時(shí)序；所述真空泵系統(tǒng)用于維持所述源室和反應(yīng)室的高真空度，所述脈沖閥固定設(shè)置在所述源室內(nèi)；所述脈沖閥將樣品分子噴向所述源室內(nèi)被超聲冷卻，冷卻后的樣品分子經(jīng)設(shè)置在所述源室內(nèi)的所述準(zhǔn)直器準(zhǔn)直后形成超聲分子束到達(dá)所述反應(yīng)室，被超聲冷卻的所述超聲分子束與設(shè)置在光解區(qū)域的所述光解激光垂直相交使一部分分子光解，光解分子的某一選定碎片被所述電離激光共振增強(qiáng)多光子電離形成離子，離子被所述低電壓弱場(chǎng)離子加速和聚焦系統(tǒng)二級(jí)加速并聚焦到所述微通道板前的檢測(cè)柵網(wǎng)，當(dāng)離子撞擊所述微通道板產(chǎn)生的電子經(jīng)所述微通道板倍增后得到大量具有位置信息的次級(jí)電子，次級(jí)電子高速撞擊所述熒光屏發(fā)出熒光經(jīng)所述數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)發(fā)送到所述計(jì)算機(jī)。

進(jìn)一步，若樣品分子所對(duì)應(yīng)的所述電離激光的波長(zhǎng)恰好在所述光解激光的光解波長(zhǎng)的范圍內(nèi)，則采用同一束激光同時(shí)進(jìn)行光解和電離的操作；若樣品分子所對(duì)應(yīng)的所述電離激光的波長(zhǎng)不在所述光解激光的光解波長(zhǎng)的范圍內(nèi)，則采用兩束激光分別進(jìn)行光解和電離，所述光解激光和電離激光分別與樣品分子束垂直相交。

進(jìn)一步，所述低電壓弱場(chǎng)離子加速和聚焦系統(tǒng)是由一系列中心帶孔但不加?xùn)啪W(wǎng)的金屬極板組成，所述金屬極板分別為推斥極、加速極和接地極，所述推斥極與加速極之間相距14.5毫米，所述加速極與接地極相距14.5毫米，所述推斥極中心孔徑為2毫米，所述加速極的中心孔徑為26毫米，所述接地極的中心孔徑為45毫米，所述推斥極和加速極之間連接一可變電阻，所述加速極與接地極之間連接一固定電阻，所述推斥極和加速極之間的電壓u1與所述加速極和接地極之間的電壓u2的比值u1/u2影響著離子聚焦的效果，通過調(diào)整所述可變電阻的阻值以改變總電壓在u1和u2上的分配，進(jìn)而影響著離子的聚焦效果。

進(jìn)一步，所述源室和反應(yīng)室腔體總尺寸為長(zhǎng)度60cm×寬度30cm×高度40cm。

進(jìn)一步，光解點(diǎn)到所述微通道板的距離為12cm。

本發(fā)明由于采取以上技術(shù)方案，而具有以下優(yōu)點(diǎn)：

1、本發(fā)明的低電壓弱場(chǎng)加速離子成像式小型光解碎片平動(dòng)速度譜儀(pts)創(chuàng)新地采用弱電場(chǎng)(10～30v/cm)對(duì)分子碎片離子進(jìn)行二級(jí)加速和聚焦，由于使用低電壓弱場(chǎng)加速，對(duì)檢測(cè)的碎片離子速度vcm干擾小，使檢測(cè)精確度高，分辨能力強(qiáng)，通過實(shí)驗(yàn)表明本發(fā)明光解碎片離子成像譜圖的速度分辨(δv/v)達(dá)到1～2％，能量分辨(δet/et)達(dá)到2～4％，可以適用于小分子光解動(dòng)力學(xué)研究。

2、本發(fā)明由于采用低電壓弱場(chǎng)加速，離子飛行的距離僅約為12cm，故實(shí)驗(yàn)腔體只有強(qiáng)場(chǎng)加速方案的一半左右，體積小型化，結(jié)構(gòu)精簡(jiǎn)，便于操作。

3、本發(fā)明結(jié)合脈沖分子束技術(shù)、激光光解技術(shù)、激光電離技術(shù)、離子成像檢測(cè)技術(shù)、以及時(shí)間切片采樣技術(shù)等實(shí)驗(yàn)手段，能夠同時(shí)測(cè)量分子光解碎片的速率分布和角分布，利于進(jìn)一步探索光解反應(yīng)中碎片空間分布不對(duì)稱的現(xiàn)象，獲得分子光解態(tài)―態(tài)反應(yīng)更豐富的信息。

4、本發(fā)明使用低電壓弱場(chǎng)加速，并實(shí)現(xiàn)了離子聚焦的效果，與強(qiáng)電場(chǎng)加速相比，定態(tài)的離子牛頓球的短軸時(shí)間δt有了較大程度的增加，這樣更利于時(shí)間脈沖切片操作。

綜上所述，本發(fā)明能夠滿足處于基態(tài)或振動(dòng)激發(fā)態(tài)的母分子光解動(dòng)力學(xué)研究，在實(shí)驗(yàn)中能夠采用單束(光解同時(shí)光電離)、雙束(光解+光電離)或三束(紅外泵浦+紫外光解+紫外光電離)激光進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，能夠?yàn)楣饨鈩?dòng)力學(xué)的研究提供更精確、更簡(jiǎn)便、更高效的實(shí)驗(yàn)手段。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的分子束可轉(zhuǎn)動(dòng)的光解碎片平動(dòng)能譜儀結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是現(xiàn)有技術(shù)中的離子成像裝置示意圖；

圖3是現(xiàn)有技術(shù)中帶離子聚焦的速度成像裝置示意圖；

圖4是本發(fā)明的低電壓弱場(chǎng)加速離子成像式小型光解碎片平動(dòng)速度譜儀的原理示意圖；

圖5是本發(fā)明的低電壓弱場(chǎng)加速離子成像式小型光解碎片平動(dòng)速度譜儀的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)方塊圖；

圖6是本發(fā)明的低電壓弱場(chǎng)離子加速與聚焦系統(tǒng)示意圖；

圖7是本發(fā)明的離子聚焦效果模擬圖；

圖8是本發(fā)明實(shí)施例cf3i在277.38nm光解的激發(fā)態(tài)碘的離子成像示意圖。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖來對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)的描繪。然而應(yīng)當(dāng)理解，附圖的提供僅為了更好地理解本發(fā)明，它們不應(yīng)該理解成對(duì)本發(fā)明的限制。

如圖4、圖5所示，本發(fā)明提供的低電壓弱場(chǎng)加速離子成像式小型光解碎片平動(dòng)速度譜儀，包括源室1、反應(yīng)室2、真空泵系統(tǒng)3、脈沖閥4、準(zhǔn)直器5、mcp(雙層微通道板)6、熒光屏7、數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)8、時(shí)序控制系統(tǒng)9和計(jì)算機(jī)10，數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)可以為ccd相機(jī)8。

真空泵系統(tǒng)3用于維持源室1和反應(yīng)室2的高真空，脈沖閥4用一套筒固定在源室1的內(nèi)壁上，樣品分子在載氣(例如氬氣或氪氣)的載帶下從脈沖閥4噴入源室1并因快速膨脹而超聲冷卻，超聲冷卻后的樣品氣體的一部分穿過安裝在源室1壁上的準(zhǔn)直器5的小孔后形成超聲脈沖分子束進(jìn)入反應(yīng)室2。超聲脈沖分子束與照射到光解區(qū)域的紫外光解激光束(photolysislaserbeam)垂直相交，使分子發(fā)生光解，光解分子的某一選定碎片，被同一束或另一束紫外激光(rempilaser)共振增強(qiáng)多光子電離而形成離子，離子經(jīng)低電壓弱場(chǎng)離子加速和聚焦系統(tǒng)二級(jí)加速和聚焦后到達(dá)mcp6前的一檢測(cè)柵網(wǎng)，當(dāng)離子再被脈沖高壓加速后撞擊mcp6，撞擊產(chǎn)生的電子經(jīng)mcp6倍增后得到大量具有位置信息的次級(jí)電子，次級(jí)電子高速撞擊熒光屏7發(fā)出熒光并被ccd相機(jī)8記錄，檢測(cè)得到分子光解碎片的速率分布和角分布，并發(fā)送到計(jì)算機(jī)10。另外，時(shí)序控制系統(tǒng)9用于控制脈沖閥4、光解紫外激光photolysislaser和光電離紫外激光rempilaser、時(shí)間切片脈沖以及ccd相機(jī)8的時(shí)序，使得分子束和激光能夠在同一時(shí)刻到達(dá)光解區(qū)，完成光解和電離，以及圖像數(shù)據(jù)采集。計(jì)算機(jī)10用于采集和處理經(jīng)ccd相機(jī)8傳輸?shù)臄?shù)字信息，并顯示最終圖像和數(shù)據(jù)。

在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，超聲冷卻是由于脈沖閥4內(nèi)部壓強(qiáng)比真空源室壓強(qiáng)大很多，分子的自由程遠(yuǎn)小于脈沖閥4噴嘴直徑，氣體樣品在噴出后分子仍劇烈碰撞，使分子的速度趨于一致，即在膨脹過程中無規(guī)則運(yùn)動(dòng)減弱而定向運(yùn)動(dòng)增強(qiáng)，無規(guī)則運(yùn)動(dòng)的減少導(dǎo)致平動(dòng)溫度的降低。

在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，低電壓弱場(chǎng)離子加速和聚焦系統(tǒng)是由一系列中心帶孔但不加?xùn)啪W(wǎng)的金屬極板組成，在各金屬極板上施加不同的電壓，在適當(dāng)?shù)臉O板電位設(shè)定下，離子到達(dá)mcp6的位置只與離子的初始速度vcm有關(guān)，而與離子初始位置無關(guān)，碎片離子可以產(chǎn)生在較大的空間范圍，大大降低了單位空間的離子數(shù)密度，有效地解決了空間電荷效應(yīng)帶來的圖像扭曲問題，具有相同速度的離子可以聚焦到mcp6的同一點(diǎn)上。本發(fā)明的離子加速和聚焦系統(tǒng)在低電壓弱場(chǎng)下工作，首先通過simion軟件模擬并對(duì)極板幾何尺寸進(jìn)行優(yōu)化，證實(shí)在低電壓弱場(chǎng)的條件下，離子加速系統(tǒng)也能達(dá)到很好的聚焦效果。

如圖6所示，上述金屬極板分別為推斥極e1、加速極e2及接地極e3，推斥極e1與加速極e2相距14.5毫米，加速極e2與接地極相距14.5毫米。接地極e3后的近無場(chǎng)空間長(zhǎng)91毫米。推斥極e1中心孔徑為2毫米，加速極e2孔徑為26毫米，接地極e3的孔徑為45毫米。在推斥極e1和接地極e3之間接入總電壓以加速離子，總電壓的數(shù)值決定了離子牛頓球在mcp6上的尺寸，如果離子牛頓球過大飛出了mcp，需要加大電壓來縮短離子飛行時(shí)間，如果離子牛頓球過小，未有效利用mcp，則需要減小電壓來增加離子飛行時(shí)間。

另一方面，推斥極e1和加速極e2之間的電壓u1與加速極e2和接地極e3之間的電壓u2的比值u1/u2影響著離子聚焦的效果。在推斥極e1和加速極e2之間連接一可變電阻r1(0～3m歐姆)，加速極e2與接地極e3之間連接固定電阻r2(3m歐姆)。通過調(diào)整可變電阻r1的阻值，可以改變總電壓在u1和u2上的分配，進(jìn)而影響著離子的聚焦效果。在推斥極e1上加可調(diào)低電壓，此加速離子的直流低電壓，可采用干電池組，既簡(jiǎn)便又穩(wěn)定。一般使用電壓(5～100v)，使用的電壓值決定于實(shí)驗(yàn)樣品分子和所測(cè)光解分子碎片平動(dòng)能的大小。此電壓比現(xiàn)有成像式pts使用的加速高電壓(650～1800v)要方便得多，也精確得多。調(diào)節(jié)可變電阻r1的阻值，可改變兩級(jí)加速的電壓比，這樣就可以調(diào)節(jié)具有相同vcm速度的離子的聚焦程度，以提高圖像的清晰度和分辨率。通過simion軟件模擬可以得出，當(dāng)總電壓為45v，r1為470.5k歐姆時(shí)，離子的聚焦效果最好，此時(shí)，u1/u2＝1：6.38，模擬結(jié)果如圖7所示。

現(xiàn)有技術(shù)普遍采用高電壓(650v～1800v)強(qiáng)場(chǎng)對(duì)離子進(jìn)行加速，平均加速場(chǎng)強(qiáng)一般在(100～350v/cm)范圍內(nèi)，離子飛行的距離也較長(zhǎng)(38cm～105cm)。以c.y.ng課題組2006年研制的儀器為例，其推斥極e1和加速極e2之間的電壓u1'＝378v，加速極e2和接地極e3之間的電壓u2'＝780v，總電壓達(dá)到1158v，加速區(qū)域的平均場(chǎng)強(qiáng)為193v/cm，較大的加速電壓導(dǎo)致飛行速度較快，為了有足夠的時(shí)間使得離子牛頓球展開以達(dá)到測(cè)量的要求，就必須增加離子飛行的距離，其離子飛行的總距離為72.5cm，這樣就使得儀器較大。

本發(fā)明中，推斥極e1和加速極e2之間的電壓u1＝6.1v，加速極e2和接地極e3之間的電壓u2＝38.9v。加速區(qū)域的平均場(chǎng)強(qiáng)約為15.5v/cm。通過模擬可知，在兩部分電場(chǎng)的綜合作用下，離子達(dá)到了較好的聚焦效果，這是世界上首次將低壓弱場(chǎng)應(yīng)用在離子加速與聚焦上，并得到了較好的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，為儀器的小型化奠定了基礎(chǔ)。

在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，時(shí)序控制系統(tǒng)9可以采用數(shù)字延時(shí)脈沖發(fā)生器例如dg535和dg645，分別控制脈沖閥4(分子束)，光解紫外激光photolysislaser和/或光電離紫外激光rempilaser及數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)8之間的時(shí)序。數(shù)字延時(shí)脈沖發(fā)生器根據(jù)初始脈沖(t0)定義所有觸發(fā)組件的延遲時(shí)間，并可以隨意調(diào)整脈沖的延遲時(shí)間，即通道a、b、c和d可單獨(dú)或組合使用。具體來說例如數(shù)字延時(shí)脈沖發(fā)生器dg535的a路觸發(fā)數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)采集飛行時(shí)間質(zhì)譜，b路觸發(fā)dg645，c路觸發(fā)激光器氙燈，d路觸發(fā)激光器q開關(guān)，dg645的a1路觸發(fā)脈沖高壓電源進(jìn)行切片操作，b1路設(shè)置脈沖高壓切片時(shí)長(zhǎng)(即切片寬度)，c1觸發(fā)ccd相機(jī)工作，d1設(shè)置ccd相機(jī)曝光時(shí)長(zhǎng)。通過調(diào)節(jié)各路的參數(shù)，可以使得分子束和激光同時(shí)到達(dá)光解區(qū)，先后完成光解和電離，且可以使得切片操作正好切在離子牛頓球的正中間部分，這對(duì)于整個(gè)成像實(shí)驗(yàn)是十分有利的。

在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，源室1和反應(yīng)室2的腔體總尺寸：長(zhǎng)度60cm×寬度30cm×高度40cm，離子飛行的距離僅約為12cm，實(shí)驗(yàn)腔體只有強(qiáng)場(chǎng)加速方案的一半左右。

在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，真空泵系統(tǒng)3包括第一真空泵系統(tǒng)31和第一真空泵系統(tǒng)32分別用于維持源室1和反應(yīng)室2的高真空。脈沖閥4關(guān)閉時(shí)，源室1的真空壓強(qiáng)約為5×10^-5pa，反應(yīng)室2的真空壓強(qiáng)約為2×10^-5pa；脈沖閥4供氣時(shí)，源室1的真空壓強(qiáng)升高很多,到5×10^-3pa或更高，反應(yīng)室2的真空壓強(qiáng)升高很少，仍約為2×10^-5pa。

在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，由于mcp6需要一定的高電壓才能正常工作，當(dāng)采用切片技術(shù)取樣時(shí)，在mcp6上施加的電壓由兩部分構(gòu)成：直流電壓和脈沖電壓，僅當(dāng)兩部分電壓疊加時(shí)，mcp6才能起到電子高倍增效果正常工作。通過這樣的設(shè)計(jì)，在實(shí)驗(yàn)中保持直流電壓常在，當(dāng)牛頓球最中心切片層部分的離子到達(dá)mcp6時(shí)，瞬間開啟脈沖電壓，這樣就可以測(cè)得離子在牛頓球中心部分的分布圖像，大大提高檢測(cè)的分辨能力，這就是切片操作。本發(fā)明對(duì)圖像檢測(cè)的mcp6采用短時(shí)電壓放大的信號(hào)接收工作方式，以起到時(shí)間切片取樣作用。

在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，使用紫外光解激光photolysislaser將實(shí)驗(yàn)樣品分子光解，得到的是中性的分子碎片原子或自由基，由于其不便于檢測(cè)，需要先將其電離成離子，若此電離激光rempilaser的波長(zhǎng)恰好在光解激光photolysislaser的光解波長(zhǎng)的范圍內(nèi)，可以使用同一束紫外激光同時(shí)進(jìn)行光解+電離的操作，若此電離激光rempilaser的波長(zhǎng)不在光解激光photolysislaser的光解波長(zhǎng)的范圍內(nèi)，則需要兩束紫外激光分別進(jìn)行光解和電離，紫外激光photolysislaser和電離激光rempilaser分別與樣品分子束垂直相交，紫外激光photolysislaser光解分子，電離激光rempilaser電離分子的光解碎片。

為了檢驗(yàn)本發(fā)明的低電壓弱場(chǎng)加速離子成像式小型光解碎片平動(dòng)速度譜儀的整體性能，本發(fā)明研究了cf3i在277.38nm附近的光解，實(shí)驗(yàn)結(jié)果如圖8所示，從圖8中可以很直觀地看出此光解過程中的角度分布信息，牛頓球的形狀符合典型的平行躍遷特征，同時(shí)也能分辨出不同振動(dòng)態(tài)的環(huán)形結(jié)構(gòu)，這說明本發(fā)明的平動(dòng)速度譜儀已具有較高的分辨能力，采用本發(fā)明的平動(dòng)速度譜儀能夠?yàn)楣饨鈩?dòng)力學(xué)的研究提供精確、簡(jiǎn)便、高效的實(shí)驗(yàn)手段。

上述各實(shí)施例僅用于說明本發(fā)明，其中各部件的結(jié)構(gòu)、連接方式和制作工藝等都是可以有所變化的，凡是在本發(fā)明技術(shù)方案的基礎(chǔ)上進(jìn)行的等同變換和改進(jìn)，均不應(yīng)排除在本發(fā)明的保護(hù)范圍之外。