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      一種鍍銀層厚度標(biāo)準(zhǔn)試片的制作方法與流程

      文檔序號(hào):11651945閱讀:2336來(lái)源:國(guó)知局

      本發(fā)明涉及電力設(shè)備檢測(cè)領(lǐng)域,具體涉及一種鍍銀層厚度標(biāo)準(zhǔn)試片的制作方法。



      背景技術(shù):

      目前,運(yùn)行于全國(guó)35~500kv各電網(wǎng)中的高壓隔離開(kāi)關(guān)普通存在觸頭發(fā)熱問(wèn)題,從而導(dǎo)致導(dǎo)電部分受損,引起電氣性能下降,分析原因?yàn)殄冦y層厚度不夠。因此,按照dl/t1424-2015《電網(wǎng)金屬技術(shù)監(jiān)督規(guī)程》要求,室內(nèi)導(dǎo)電回路動(dòng)接觸部位鍍銀層厚度不宜小于8μm,室外導(dǎo)電回路動(dòng)接觸部位鍍銀厚度不宜小于20μm。

      針對(duì)標(biāo)準(zhǔn)要求,高壓隔離開(kāi)關(guān)觸頭鍍銀層檢測(cè)通常采用x射線熒光光譜儀檢測(cè)。檢測(cè)前需采用標(biāo)準(zhǔn)試片對(duì)儀器進(jìn)行校核和調(diào)試。標(biāo)準(zhǔn)試片一般采用購(gòu)置國(guó)外進(jìn)口標(biāo)準(zhǔn)試片,單片標(biāo)準(zhǔn)試片價(jià)格在人民幣5000元以上,而調(diào)試設(shè)備通常需要3片及以上,導(dǎo)致成本極高。因此,開(kāi)發(fā)簡(jiǎn)易、快速、低成本的鍍銀層厚度標(biāo)準(zhǔn)試片十分必要。



      技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

      為了解決上述問(wèn)題,本發(fā)明提供了一種鍍銀層厚度標(biāo)準(zhǔn)試片的制作方法,具體技術(shù)方案如下:

      一種鍍銀層厚度標(biāo)準(zhǔn)試片的制作方法包括以下步驟:

      (1)購(gòu)置銅片、銀靶,并將銀靶安裝在離子濺射儀的安裝靶材的位置上以為銅片鍍銀提供原料;

      (2)將銅片進(jìn)行裁切成直徑為8~15mm的圓形或者邊長(zhǎng)為8~15的正方形;

      (3)將裁切后的銅片放入離子濺射儀中進(jìn)行鍍銀;

      (4)采用校驗(yàn)合格的光學(xué)顯微鏡測(cè)量鍍銀后的銅片四周銀層的厚度;

      (5)采用校驗(yàn)合格的x射線熒光鍍層厚度測(cè)量?jī)x和元素含量分析儀測(cè)量步驟(4)中鍍銀后的銅片中間位置銀層的厚度;

      (6)比較步驟(4)和步驟(5)中對(duì)鍍銀后的銅片的測(cè)量結(jié)果,如果結(jié)果不一致時(shí),則重新放入離子濺射儀中進(jìn)行鍍銀;

      (7)如果步驟(4)和步驟(5)中對(duì)鍍銀后的銅片的測(cè)量結(jié)果一致時(shí),做好試片厚度標(biāo)識(shí)。

      進(jìn)一步,所述步驟(1)中銅片的材質(zhì)為青銅、紫銅中的1種或者2種。

      進(jìn)一步,所述步驟(1)中銅片的厚度為3~10mm。

      進(jìn)一步,所述步驟(1)銀靶中的銀的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為99.9%及以上。

      進(jìn)一步,所述步驟(3)中鍍銀的時(shí)間為5h以上。

      采用本發(fā)明提供的一種鍍銀層厚度標(biāo)準(zhǔn)試片的制作方法,可以簡(jiǎn)易快速制作鍍銀層厚度標(biāo)準(zhǔn)的試片,制作簡(jiǎn)單方便,價(jià)格便宜,采用本方法制作250片標(biāo)準(zhǔn)試片成本相當(dāng)于向國(guó)外購(gòu)買(mǎi)1片標(biāo)準(zhǔn)試片的成本,解決了購(gòu)買(mǎi)標(biāo)準(zhǔn)試片成本高的問(wèn)題,同時(shí)滿(mǎn)足電力設(shè)備隔離開(kāi)關(guān)觸頭鍍銀層厚度檢測(cè)儀器校準(zhǔn)或調(diào)試要求。

      購(gòu)買(mǎi)標(biāo)準(zhǔn)試片的成本的計(jì)算方法:購(gòu)買(mǎi)1片a4紙大小厚度為10mm銅片價(jià)格在500元,可以裁切500個(gè)直徑為10mm的圓形試片或邊長(zhǎng)為10mm的正方形試片,單個(gè)銀靶價(jià)格為980元,噴涂500個(gè)圓形試片需要6~8個(gè)銀靶,因此包含裁切費(fèi)用等其他費(fèi)用估計(jì)總共10000元,向國(guó)外購(gòu)買(mǎi)500個(gè)標(biāo)準(zhǔn)試片價(jià)格在2500000元。

      附圖說(shuō)明

      附圖1是本發(fā)明的步驟流程圖。

      具體實(shí)施方式

      為了更好的理解本發(fā)明,下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明:

      實(shí)施例1:

      一種鍍銀層厚度標(biāo)準(zhǔn)試片的制作方法包括以下步驟:

      (1)購(gòu)置銅片、銀靶,并將銀靶安裝在離子濺射儀的安裝靶材的位置上以為銅片鍍銀提供原料;銅片為黃銅,厚度為3mm;銀靶中的銀的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為99.9%及以上;

      (2)將銅片進(jìn)行裁切成直徑為10mm的圓形;

      (3)將裁切后的銅片放入離子濺射儀中進(jìn)行鍍銀,鍍銀的時(shí)間為5h;

      (4)采用校驗(yàn)合格的光學(xué)顯微鏡測(cè)量鍍銀后的銅片四周銀層的厚度;

      (5)采用校驗(yàn)合格的x射線熒光鍍層厚度測(cè)量?jī)x和元素含量分析儀測(cè)量步驟(4)中鍍銀后的銅片中間位置銀層的厚度;

      (6)比較步驟(4)和步驟(5)中對(duì)鍍銀后的銅片的測(cè)量結(jié)果,如果結(jié)果不一致時(shí),則重新放入離子濺射儀中進(jìn)行鍍銀;

      (7)如果步驟(4)和步驟(5)中對(duì)鍍銀后的銅片的測(cè)量結(jié)果一致時(shí),做好試片厚度標(biāo)識(shí)。

      實(shí)施例2:

      (1)購(gòu)置銅片、銀靶,并將銀靶安裝在離子濺射儀的安裝靶材的位置上以為銅片鍍銀提供原料;銅片為紫銅,厚度為10mm;銀靶中的銀的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為99.9%及以上;

      (2)將銅片進(jìn)行裁切成邊長(zhǎng)為10mm的正方形;

      (3)將裁切后的銅片放入離子濺射儀中進(jìn)行鍍銀,鍍銀的時(shí)間為6h;

      (4)采用校驗(yàn)合格的光學(xué)顯微鏡測(cè)量鍍銀后的銅片四周銀層的厚度;

      (5)采用校驗(yàn)合格的x射線熒光鍍層厚度測(cè)量?jī)x和元素含量分析儀測(cè)量步驟(4)中鍍銀后的銅片中間位置銀層的厚度;

      (6)比較步驟(4)和步驟(5)中對(duì)鍍銀后的銅片的測(cè)量結(jié)果,如果結(jié)果不一致時(shí),則重新放入離子濺射儀中進(jìn)行鍍銀;

      (7)如果步驟(4)和步驟(5)中對(duì)鍍銀后的銅片的測(cè)量結(jié)果一致時(shí),做好試片厚度標(biāo)識(shí)。

      本發(fā)明不局限于以上所述的具體實(shí)施方式,以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施案例而已,并不用以限制本發(fā)明,凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。



      技術(shù)特征:

      技術(shù)總結(jié)
      本發(fā)明涉及電力設(shè)備檢測(cè)領(lǐng)域,具體涉及一種鍍銀層厚度標(biāo)準(zhǔn)試片的制作方法,本發(fā)明通過(guò)將銅片放在離子濺射儀里鍍銀,并用光學(xué)顯微鏡測(cè)量鍍銀后的銅片四周的銀層厚度,再用X射線熒光鍍層厚度測(cè)量?jī)x和元素含量分析儀測(cè)量鍍銀后的銅片中間的銀層厚度,如果銅片四周的銀層厚度與銅片中間的銀層厚度不一致再將銅片放入離子濺射儀里鍍銀,直到銅片四周的銀層厚度與銅片中間的銀層厚度一致為止。采用本發(fā)明提供的一種鍍銀層厚度標(biāo)準(zhǔn)試片的制作方法,可以簡(jiǎn)易快速制作鍍銀層厚度標(biāo)準(zhǔn)的試片,制作簡(jiǎn)單方便,價(jià)格便宜,同時(shí)滿(mǎn)足電力設(shè)備隔離開(kāi)關(guān)觸頭鍍銀層厚度檢測(cè)儀器校準(zhǔn)或調(diào)試要求。

      技術(shù)研發(fā)人員:邊美華;梁世容;劉桂嬋
      受保護(hù)的技術(shù)使用者:廣西電網(wǎng)有限責(zé)任公司電力科學(xué)研究院
      技術(shù)研發(fā)日:2017.05.17
      技術(shù)公布日:2017.07.28
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