本實(shí)用新型屬于傳感器技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種電容式傳感器電極。

背景技術(shù)：

電容式傳感器由于其制造簡(jiǎn)單、線性好等特點(diǎn)廣泛應(yīng)用在工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)等領(lǐng)域。傳統(tǒng)的電容式傳感器電極多采用平板電極結(jié)構(gòu)。隨著MEMS技術(shù)的發(fā)展，由于叉指電極結(jié)構(gòu)的電容式傳感器可以提供較大的電容有效面積，較短的響應(yīng)時(shí)間和和較小的尺寸，因此得到了十足的發(fā)展。但限于目前傳感器小型化集成化的要求，傳感器體積會(huì)進(jìn)一步縮小，這使得目前傳統(tǒng)的平板電極和新興的叉指電極結(jié)構(gòu)都無(wú)法滿足電容式傳感器的有效面積大、容值大和靈敏度高的要求。

有鑒于上述的缺陷，本設(shè)計(jì)人，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新型結(jié)構(gòu)的電容式傳感器電極，使其更具有產(chǎn)業(yè)上的利用價(jià)值。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型的目的是提供一種有效面積大，容值大，靈敏度高的電容式傳感器電極。

本實(shí)用新型的一種電容式傳感器電極，包括襯底和置于所述襯底上的敏感電容，所述敏感電容包括置于所述襯底上的電容一和疊置于所述電容一上的電容二，所述電容一為設(shè)置在襯底上的下電極，所述下電極呈叉指狀設(shè)置有公共叉指電極和非公共叉指電極，所述公共叉指電極與非公共叉指電極之間涂有敏感介質(zhì)，所述電容二包括所述公共叉指電極和位于所述敏感電極最外端呈平板狀的上電極，所述上電極向下設(shè)有延伸部，所述公共叉指電極上覆蓋有絕緣層，所述上電極的延伸部與非公共叉指電極導(dǎo)通，所述上電極與所述下電極之間設(shè)有敏感介質(zhì)層。

進(jìn)一步的，所述襯底還設(shè)有位于其兩側(cè)的第一焊盤和第二焊盤，所述第一焊盤和/或第二焊盤采用磁控濺射和刻蝕相結(jié)合的方式制備而成。

進(jìn)一步的，所述公共叉指電極和所述非公共叉指電極中，其中一個(gè)與所述第一焊盤連接，另一個(gè)與所述第二焊盤連接。

進(jìn)一步的，所述上電極具有供外界環(huán)境與敏感介質(zhì)導(dǎo)通的網(wǎng)狀微孔結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步的，所述襯底采用陶瓷襯底或藍(lán)寶石襯底。

進(jìn)一步的，所述敏感介質(zhì)的設(shè)置方式為旋涂或噴涂。

進(jìn)一步的，所述第一焊盤與所述第二焊盤的材料為Pt、Cr或Au。

借由上述方案，本實(shí)用新型至少具有以下優(yōu)點(diǎn)：

a)本實(shí)用新型采用兩個(gè)電容并聯(lián)的方式且其中一個(gè)電容為叉指電極結(jié)構(gòu)，另一個(gè)為平板與叉指相結(jié)合的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，使得整個(gè)電容式傳感器電極有效面積大，容值大，靈敏度高。

上述說(shuō)明僅是本實(shí)用新型技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本實(shí)用新型的技術(shù)手段，并可依照說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說(shuō)明如后。

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)用新型的立體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)分解示意圖；

圖3是本實(shí)用新型傳感器電極的剖視圖。

其中：

1是襯底、2是敏感電容、3是下電極、301是公共叉指電極、302是非公共叉指電極、4是敏感介質(zhì)、5是上電極、6是延伸部、7是絕緣層、8是第一焊盤、9是第二焊盤。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說(shuō)明本實(shí)用新型，但不用來(lái)限制本實(shí)用新型的范圍。

參見(jiàn)圖1至圖3，本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例所述的一種電容式傳感器電極，包括用陶瓷制作的用于作為傳感器基底的襯底1，傳感器電極及其他部分均位于襯底1之上，該面經(jīng)過(guò)拋光和清洗，本電容式傳感器電極還包括置于所述襯底上的敏感電容2，所述敏感電容2包括置于所述襯底1上的電容一和疊置于所述電容一上的電容二，所述電容一與所述電容二并聯(lián)設(shè)置，所述電容一為設(shè)置在襯底1上的下電極3，其電荷移動(dòng)方向?yàn)榕c襯底表面平行，該下電極3的制作方法為：先在襯底1表面采用磁控濺射法沉積傳感器金屬層，再采用刻蝕法將金屬層制備成下電極，下電極3材料為Pt，所述下電極3呈叉指狀設(shè)置有公共叉指電極301和非公共叉指電極302，兩個(gè)叉指交錯(cuò)排列，所述公共叉指電極301與非公共叉指電極302之間涂有敏感介質(zhì)4，該敏感介質(zhì)4選用介電常數(shù)與被測(cè)環(huán)境參數(shù)相關(guān)的參數(shù)，比如濕度敏感介質(zhì)、氣體敏感介質(zhì)等，所述電容二包括所述公共叉指電極301和位于所述敏感電極最外端呈平板狀的上電極5，所述上電極5向下設(shè)有延伸部6，所述公共叉指電極301上覆蓋有絕緣層7，絕緣層7與公共叉指電極301形狀相同，且通過(guò)薄膜工藝制備，所述上電極的延伸部與非公共叉指電極導(dǎo)通，所述上電極與所述下電極之間設(shè)有敏感介質(zhì)層，電容二的有效電容面積為公共叉指電極正對(duì)上電極的面積，電容二的電荷移動(dòng)方向與電容一的電荷移動(dòng)方向垂直，在所述襯底表面的豎直方向。

所述襯底還設(shè)有位于其兩側(cè)的第一焊盤8和第二焊盤9，所述第一焊盤8與所述第二焊盤9的材料為Pt、Cr或Au，所述焊盤采用磁控濺射和刻蝕相結(jié)合的方式制備而成。

一種實(shí)施方式中所述公共叉指電極301與所述第一焊盤8連接，所述非公共叉指電極302與所述第二焊盤9連接；另一種實(shí)施方式中，所述公共叉指電極301與所述第二焊盤9連接，所述非公共叉指電極302與所述第一焊盤8連接。

所述上電極5具有供外界環(huán)境與敏感介質(zhì)導(dǎo)通的網(wǎng)狀微孔結(jié)構(gòu)。

以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，并不用于限制本實(shí)用新型，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和變型，這些改進(jìn)和變型也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。