本公開涉及地層信息處理，尤其涉及地層電阻率檢測方法、裝置、電子設(shè)備及介質(zhì)。

背景技術(shù)：

1、隨著勘探技術(shù)的快速發(fā)展，關(guān)于獲取地層各項數(shù)據(jù)，產(chǎn)生了有越來越多的獲取方法。瞬變電磁法便是其中一種在鋼套管井中用于測量套管外地層電阻率的方法。瞬變電磁法利用發(fā)射線圈發(fā)射一次脈沖磁場，在一次脈沖磁場間歇期間，利用接收線圈觀測二次渦流場，并記錄二次場電壓信號基于時間的變化特征，進(jìn)而提取周圍介質(zhì)電性信息，最終獲取地層電阻率的方法。

2、儀器采用單發(fā)單收的線圈系模式時，接收電壓曲線是井周圍多種介質(zhì)的綜合響應(yīng)，并且在時間上是重合的，無法采取延時方式區(qū)分不同介質(zhì)。當(dāng)采取單發(fā)雙收線圈系模式時，接收信號經(jīng)歷加法電路運(yùn)算后，可有效消除套管介質(zhì)信號，儀器記錄純地層信號進(jìn)行后期電阻率的獲取。在鋼套管井中進(jìn)行測井，在數(shù)據(jù)處理過程現(xiàn)有技術(shù)通常每隔固定時間(如1毫秒)取一個實時電壓數(shù)值，并進(jìn)行后續(xù)計算。由于采取單個時間道的電壓值，使得用于計算的數(shù)據(jù)偏少，導(dǎo)致對目標(biāo)地層電阻率的檢測精度較低。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本公開實施例提供了地層電阻率檢測方法、裝置、電子設(shè)備及介質(zhì)，以解決現(xiàn)有技術(shù)中由于用于計算的數(shù)據(jù)較少，導(dǎo)致對目標(biāo)地層電阻率的檢測精度較低的問題。

2、本公開實施例的第一方面，提供了一種地層電阻率檢測方法，包括：

3、基于目標(biāo)地層與對比地層之間的電壓信號，生成基于時間電壓坐標(biāo)系的目標(biāo)電壓曲線；

4、基于目標(biāo)電壓曲線，生成目標(biāo)包絡(luò)面積；

5、基于預(yù)設(shè)的電阻率計算模型和目標(biāo)包絡(luò)面積，生成目標(biāo)地層的電阻率。

6、在一些實施例中，基于目標(biāo)電壓曲線，生成目標(biāo)包絡(luò)面積，包括：

7、對目標(biāo)電壓曲線進(jìn)行歸一化處理，得到歸一電壓曲線；

8、基于預(yù)設(shè)的時間劃分指標(biāo)，將歸一電壓曲線劃分為多個時間差值相等的子曲線，其中，時間差值與時間劃分指標(biāo)相等；

9、基于每個子曲線的第一電壓數(shù)據(jù)和時間切割指標(biāo)，生成多個子曲線面積；

10、基于多個子曲線面積，生成目標(biāo)包絡(luò)面積。

11、在一些實施例中，對目標(biāo)電壓曲線進(jìn)行歸一化處理，得到歸一電壓曲線，包括：

12、獲取磁場發(fā)射設(shè)備的發(fā)射電流數(shù)據(jù)、發(fā)射線圈面積和發(fā)射線圈匝數(shù)；

13、基于發(fā)射電流數(shù)據(jù)、發(fā)射線圈面積、發(fā)射線圈匝數(shù)以及目標(biāo)電壓曲線的每個電壓數(shù)據(jù)，生成歸一電壓曲線。

14、在一些實施例中，基于預(yù)設(shè)的電阻率計算模型和目標(biāo)包絡(luò)面積，生成目標(biāo)地層的電阻率，包括：

15、基于預(yù)設(shè)的對比包絡(luò)面積以及目標(biāo)包絡(luò)面積，生成對比面積差；

16、將對比面積差導(dǎo)入電阻率計算模型，得到目標(biāo)電阻率差；

17、基于目標(biāo)電阻率差和對比電阻率，得到目標(biāo)電阻率。

18、在一些實施例中，電阻率計算模型的計算參數(shù)的確定步驟，包括：

19、將測試地層的電阻率設(shè)置為多個隨機(jī)的初始電阻率，并基于每個初始電阻率與對比地層電阻率，得到多個測試電阻率差值；

20、獲取每個初始電阻率對應(yīng)的測試地層與對比地層之間的多個測試電壓信號；

21、基于測試電壓信號，生成多個測試電壓曲線；

22、基于測試電壓曲線，生成多個測試包絡(luò)面積；

23、基于每個測試包絡(luò)面積與對比包絡(luò)面積，得到多個測試包絡(luò)面積差；

24、將多個包絡(luò)面積差導(dǎo)入未訓(xùn)練的電阻率計算模型進(jìn)行訓(xùn)練，得到電阻率計算模型的計算參數(shù)。

25、在一些實施例中，基于目標(biāo)地層與對比地層之間的電壓信號，生成基于時間電壓坐標(biāo)系的目標(biāo)電壓曲線，包括：

26、獲取目標(biāo)地層與對比地層之間的電壓信號；

27、對所述電壓信號進(jìn)行純凈處理，得到純凈電壓信號；

28、將所述純凈電壓信號放大，得到放大電壓信號；

29、基于預(yù)設(shè)的信號截取時間區(qū)間與放大電壓信號，生成目標(biāo)電壓曲線。

30、在一些實施例中，信號截取時間區(qū)間的獲取步驟，包括：

31、獲取預(yù)設(shè)的上限截取閾值和下限截取閾值；

32、當(dāng)放大電壓信號的幅值第一次不大于上限截取閾值時，獲取第一時間點；

33、當(dāng)放大電壓信號的幅值不大于下限截取閾值時，獲取第二時間點；

34、基于第一時間點和第二時間點，生成信號截取時間區(qū)間。

35、本公開實施例的第二方面，提供了一種地層電阻率檢測裝置，包括：

36、第一生成模塊，被配置為基于目標(biāo)地層與對比地層之間的電壓信號，生成基于時間電壓坐標(biāo)系的目標(biāo)電壓曲線；

37、第二生成模塊，被配置為基于目標(biāo)電壓曲線，生成目標(biāo)包絡(luò)面積；

38、第三生成模塊，被配置為基于預(yù)設(shè)的電阻率計算模型和目標(biāo)包絡(luò)面積，生成目標(biāo)地層的電阻率。

39、在一些實施例中，基于目標(biāo)電壓曲線，生成目標(biāo)包絡(luò)面積，包括：

40、對目標(biāo)電壓曲線進(jìn)行歸一化處理，得到歸一電壓曲線；

41、基于預(yù)設(shè)的時間劃分指標(biāo)，將歸一電壓曲線劃分為多個時間差值相等的子曲線，其中，時間差值與時間劃分指標(biāo)相等；

42、基于每個子曲線的第一電壓數(shù)據(jù)和時間切割指標(biāo)，生成多個子曲線面積；

43、基于多個子曲線面積，生成目標(biāo)包絡(luò)面積。

44、在一些實施例中，對目標(biāo)電壓曲線進(jìn)行歸一化處理，得到歸一電壓曲線，包括：

45、獲取磁場發(fā)射設(shè)備的發(fā)射電流數(shù)據(jù)、發(fā)射線圈面積和發(fā)射線圈匝數(shù)；

46、基于發(fā)射電流數(shù)據(jù)、發(fā)射線圈面積、發(fā)射線圈匝數(shù)以及目標(biāo)電壓曲線的每個電壓數(shù)據(jù)，生成歸一電壓曲線。

47、在一些實施例中，基于預(yù)設(shè)的電阻率計算模型和目標(biāo)包絡(luò)面積，生成目標(biāo)地層的電阻率，包括：

48、基于預(yù)設(shè)的對比包絡(luò)面積以及目標(biāo)包絡(luò)面積，生成對比面積差；

49、將對比面積差導(dǎo)入電阻率計算模型，得到目標(biāo)電阻率差；

50、基于目標(biāo)電阻率差和對比電阻率，得到目標(biāo)電阻率。

51、在一些實施例中，電阻率計算模型的計算參數(shù)的確定步驟，包括：

52、將測試地層的電阻率設(shè)置為多個隨機(jī)的初始電阻率，并基于每個初始電阻率與對比地層電阻率，得到多個測試電阻率差值；

53、獲取每個初始電阻率對應(yīng)的測試地層與對比地層之間的多個測試電壓信號；

54、基于測試電壓信號，生成多個測試電壓曲線；

55、基于測試電壓曲線，生成多個測試包絡(luò)面積；

56、基于每個測試包絡(luò)面積與對比包絡(luò)面積，得到多個測試包絡(luò)面積差；

57、將多個包絡(luò)面積差導(dǎo)入未訓(xùn)練的電阻率計算模型進(jìn)行訓(xùn)練，得到電阻率計算模型的計算參數(shù)。

58、在一些實施例中，基于目標(biāo)地層與對比地層之間的電壓信號，生成基于時間電壓坐標(biāo)系的目標(biāo)電壓曲線，包括：

59、獲取目標(biāo)地層與對比地層之間的電壓信號；

60、對所述電壓信號進(jìn)行純凈處理，得到純凈電壓信號；

61、將所述純凈電壓信號放大，得到放大電壓信號；

62、基于預(yù)設(shè)的信號截取時間區(qū)間與放大電壓信號，生成目標(biāo)電壓曲線。

63、在一些實施例中，信號截取時間區(qū)間的獲取步驟，包括：

64、獲取預(yù)設(shè)的上限截取閾值和下限截取閾值；

65、當(dāng)放大電壓信號的幅值第一次不大于上限截取閾值時，獲取第一時間點；

66、當(dāng)放大電壓信號的幅值不大于下限截取閾值時，獲取第二時間點；

67、基于第一時間點和第二時間點，生成信號截取時間區(qū)間。

68、本公開實施例的第三方面，提供了一種電子設(shè)備，包括存儲器、處理器以及存儲在存儲器中并且可以在處理器上運(yùn)行的計算機(jī)程序，該處理器執(zhí)行計算機(jī)程序時實現(xiàn)的步驟包括：

69、基于目標(biāo)地層與對比地層之間的電壓信號，生成基于時間電壓坐標(biāo)系的目標(biāo)電壓曲線；

70、基于目標(biāo)電壓曲線，生成目標(biāo)包絡(luò)面積；

71、基于預(yù)設(shè)的電阻率計算模型和目標(biāo)包絡(luò)面積，生成目標(biāo)地層的電阻率。

72、在一些實施例中，基于目標(biāo)電壓曲線，生成目標(biāo)包絡(luò)面積，包括：

73、對目標(biāo)電壓曲線進(jìn)行歸一化處理，得到歸一電壓曲線；

74、基于預(yù)設(shè)的時間劃分指標(biāo)，將歸一電壓曲線劃分為多個時間差值相等的子曲線，其中，時間差值與時間劃分指標(biāo)相等；

75、基于每個子曲線的第一電壓數(shù)據(jù)和時間切割指標(biāo)，生成多個子曲線面積；

76、基于多個子曲線面積，生成目標(biāo)包絡(luò)面積。

77、在一些實施例中，對目標(biāo)電壓曲線進(jìn)行歸一化處理，得到歸一電壓曲線，包括：

78、獲取磁場發(fā)射設(shè)備的發(fā)射電流數(shù)據(jù)、發(fā)射線圈面積和發(fā)射線圈匝數(shù)；

79、基于發(fā)射電流數(shù)據(jù)、發(fā)射線圈面積、發(fā)射線圈匝數(shù)以及目標(biāo)電壓曲線的每個電壓數(shù)據(jù)，生成歸一電壓曲線。

80、在一些實施例中，基于預(yù)設(shè)的電阻率計算模型和目標(biāo)包絡(luò)面積，生成目標(biāo)地層的電阻率，包括：

81、基于預(yù)設(shè)的對比包絡(luò)面積以及目標(biāo)包絡(luò)面積，生成對比面積差；

82、將對比面積差導(dǎo)入電阻率計算模型，得到目標(biāo)電阻率差；

83、基于目標(biāo)電阻率差和對比電阻率，得到目標(biāo)電阻率。

84、在一些實施例中，電阻率計算模型的計算參數(shù)的確定步驟，包括：

85、將測試地層的電阻率設(shè)置為多個隨機(jī)的初始電阻率，并基于每個初始電阻率與對比地層電阻率，得到多個測試電阻率差值；

86、獲取每個初始電阻率對應(yīng)的測試地層與對比地層之間的多個測試電壓信號；

87、基于測試電壓信號，生成多個測試電壓曲線；

88、基于測試電壓曲線，生成多個測試包絡(luò)面積；

89、基于每個測試包絡(luò)面積與對比包絡(luò)面積，得到多個測試包絡(luò)面積差；

90、將多個包絡(luò)面積差導(dǎo)入未訓(xùn)練的電阻率計算模型進(jìn)行訓(xùn)練，得到電阻率計算模型的計算參數(shù)。

91、在一些實施例中，基于目標(biāo)地層與對比地層之間的電壓信號，生成基于時間電壓坐標(biāo)系的目標(biāo)電壓曲線，包括：

92、獲取目標(biāo)地層與對比地層之間的電壓信號；

93、對所述電壓信號進(jìn)行純凈處理，得到純凈電壓信號；

94、將所述純凈電壓信號放大，得到放大電壓信號；

95、基于預(yù)設(shè)的信號截取時間區(qū)間與放大電壓信號，生成目標(biāo)電壓曲線。

96、在一些實施例中，信號截取時間區(qū)間的獲取步驟，包括：

97、獲取預(yù)設(shè)的上限截取閾值和下限截取閾值；

98、當(dāng)放大電壓信號的幅值第一次不大于上限截取閾值時，獲取第一時間點；

99、當(dāng)放大電壓信號的幅值不大于下限截取閾值時，獲取第二時間點；

100、基于第一時間點和第二時間點，生成信號截取時間區(qū)間。

101、本公開實施例的第四方面，提供了一種計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，該計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)存儲有計算機(jī)程序，該計算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時實現(xiàn)的步驟包括：

102、基于目標(biāo)地層與對比地層之間的電壓信號，生成基于時間電壓坐標(biāo)系的目標(biāo)電壓曲線；

103、基于目標(biāo)電壓曲線，生成目標(biāo)包絡(luò)面積；

104、基于預(yù)設(shè)的電阻率計算模型和目標(biāo)包絡(luò)面積，生成目標(biāo)地層的電阻率。

105、在一些實施例中，基于目標(biāo)電壓曲線，生成目標(biāo)包絡(luò)面積，包括：

106、對目標(biāo)電壓曲線進(jìn)行歸一化處理，得到歸一電壓曲線；

107、基于預(yù)設(shè)的時間劃分指標(biāo)，將歸一電壓曲線劃分為多個時間差值相等的子曲線，其中，時間差值與時間劃分指標(biāo)相等；

108、基于每個子曲線的第一電壓數(shù)據(jù)和時間切割指標(biāo)，生成多個子曲線面積；

109、基于多個子曲線面積，生成目標(biāo)包絡(luò)面積。

110、在一些實施例中，對目標(biāo)電壓曲線進(jìn)行歸一化處理，得到歸一電壓曲線，包括：

111、獲取磁場發(fā)射設(shè)備的發(fā)射電流數(shù)據(jù)、發(fā)射線圈面積和發(fā)射線圈匝數(shù)；

112、基于發(fā)射電流數(shù)據(jù)、發(fā)射線圈面積、發(fā)射線圈匝數(shù)以及目標(biāo)電壓曲線的每個電壓數(shù)據(jù)，生成歸一電壓曲線。

113、在一些實施例中，基于預(yù)設(shè)的電阻率計算模型和目標(biāo)包絡(luò)面積，生成目標(biāo)地層的電阻率，包括：

114、基于預(yù)設(shè)的對比包絡(luò)面積以及目標(biāo)包絡(luò)面積，生成對比面積差；

115、將對比面積差導(dǎo)入電阻率計算模型，得到目標(biāo)電阻率差；

116、基于目標(biāo)電阻率差和對比電阻率，得到目標(biāo)電阻率。

117、在一些實施例中，電阻率計算模型的計算參數(shù)的確定步驟，包括：

118、將測試地層的電阻率設(shè)置為多個隨機(jī)的初始電阻率，并基于每個初始電阻率與對比地層電阻率，得到多個測試電阻率差值；

119、獲取每個初始電阻率對應(yīng)的測試地層與對比地層之間的多個測試電壓信號；

120、基于測試電壓信號，生成多個測試電壓曲線；

121、基于測試電壓曲線，生成多個測試包絡(luò)面積；

122、基于每個測試包絡(luò)面積與對比包絡(luò)面積，得到多個測試包絡(luò)面積差；

123、將多個包絡(luò)面積差導(dǎo)入未訓(xùn)練的電阻率計算模型進(jìn)行訓(xùn)練，得到電阻率計算模型的計算參數(shù)。

124、在一些實施例中，基于目標(biāo)地層與對比地層之間的電壓信號，生成基于時間電壓坐標(biāo)系的目標(biāo)電壓曲線，包括：

125、獲取目標(biāo)地層與對比地層之間的電壓信號；

126、對所述電壓信號進(jìn)行純凈處理，得到純凈電壓信號；

127、將所述純凈電壓信號放大，得到放大電壓信號；

128、基于預(yù)設(shè)的信號截取時間區(qū)間與放大電壓信號，生成目標(biāo)電壓曲線。

129、在一些實施例中，信號截取時間區(qū)間的獲取步驟，包括：

130、獲取預(yù)設(shè)的上限截取閾值和下限截取閾值；

131、當(dāng)放大電壓信號的幅值第一次不大于上限截取閾值時，獲取第一時間點；

132、當(dāng)放大電壓信號的幅值不大于下限截取閾值時，獲取第二時間點；

133、基于第一時間點和第二時間點，生成信號截取時間區(qū)間。

134、有益效果

135、本公開實施例與現(xiàn)有技術(shù)相比存在的有益效果至少包括：通過生成基于時間電壓坐標(biāo)系的目標(biāo)電壓曲線，生成目標(biāo)包絡(luò)面積，并基于預(yù)設(shè)的電阻率計算模型、由對比電壓曲線生成的對比包絡(luò)面積以及所述目標(biāo)包絡(luò)面積，生成目標(biāo)電阻率。通過對包絡(luò)面積進(jìn)行對比的方式，可以大大提高計算的數(shù)據(jù)量，進(jìn)而大大提高了目標(biāo)電阻率的檢測精度。