專利名稱：門極可關(guān)斷晶閘管關(guān)斷特性測試裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請涉及一種門極可關(guān)斷晶閘管關(guān)斷特性測試裝置，該裝置是電力電子器件的一種檢測工具，專門用于測試門極可關(guān)斷晶閘管(GateTurn－offThyristor，簡稱GTO)的關(guān)斷特性。
GTO是新一代的電力半導(dǎo)體器件，也是當(dāng)前工作容量最大的自關(guān)斷電力半導(dǎo)體器件。對比普通可控硅裝置，用GTO組成的電力電子裝置具有體積小、重量輕、能耗低、噪聲小、線路簡單、工作可靠、使用工作頻率高等一系列優(yōu)點(diǎn)。GTO技術(shù)在國民經(jīng)濟(jì)各領(lǐng)域(特別是在電力、交通、機(jī)械和冶金等行業(yè))有廣泛的用途，尤其對于機(jī)電行業(yè)技術(shù)改造、實(shí)現(xiàn)機(jī)電一體化有重大意義。GTO器件及其裝置，在國內(nèi)外都具有巨大的潛在和實(shí)在的市場。而GTO的關(guān)斷特性，又是該器件最為關(guān)鍵的技術(shù)指標(biāo)。在研究、生產(chǎn)和應(yīng)用GTO時(shí)，都必不可少地需要了解其關(guān)斷特性。
目前，國內(nèi)還未有GTO關(guān)斷特性測試設(shè)備的產(chǎn)品。國內(nèi)外所報(bào)導(dǎo)的GTO關(guān)斷特性測試裝置均采用電阻負(fù)載型線路(參見附

圖1)。在該線路中，在電源電壓固定的條件下，要改變放電電流，只能依靠改變負(fù)載電阻，而負(fù)載電阻又是裝置中的主要耗能元件，這使得裝置的結(jié)構(gòu)復(fù)雜、工藝要求高。電阻負(fù)載型裝置還是一種體積龐大、能耗較大的測試設(shè)備，以電源電壓700V，放電電流500A，導(dǎo)通持續(xù)時(shí)間100μs，重復(fù)測試頻率50Hz的裝置為例，其電源容量需要1.75KW。若增加導(dǎo)通時(shí)間，則電源容量與之成比例增加。
本申請的目的在于設(shè)計(jì)一種新型的測試裝置，使之生產(chǎn)成本、體積、重量、電源功耗等方面都可比電阻負(fù)載型裝置大大降低。
本申請的方案如圖2所示。主回路、門控回路、脈沖控制回路是其三個(gè)基本部份，其中主回路是其主要部份?，F(xiàn)參照附圖對三個(gè)基本部份分別敘述如下圖2為本發(fā)明創(chuàng)造的方框圖，其中1——手控；2——脈沖源；3——脈沖門；4——正脈沖；5——延時(shí)；6——同步；7——負(fù)脈沖；8——門控回路；9——主電源；10——主回路；11——示波器；12——儀器電源。
主回路的發(fā)明分為兩個(gè)部份(1)測試主回路基本型(Ⅰ型)測試主回路基本型如附圖3所示。主回路由LC諧振放電回路、主電源、充電支路、能量回饋支路等構(gòu)成LC串聯(lián)支路并上GTO以及吸收回路(Ds、Cs、Rs)構(gòu)成諧振放電回路，可調(diào)直流穩(wěn)壓電源E串接R1后并接Ce構(gòu)成主電源，主電源與充電支路R、LC支路構(gòu)成另一回路，主電源與充電支路的連接點(diǎn)上還接有能量回饋支路D的一端，D的方向與能量回饋方向一致。在基本型中，D與R相并聯(lián)。
線路在工作時(shí)，由供電回路通過R、L對C充上電壓E。由門控回路的門極正脈沖觸發(fā)GTO導(dǎo)通，C上電荷通過L、GTO陰、陽極釋放。選擇LC的參數(shù)，可以得到所需的放電電流和振蕩周期T。由門控回路的門極負(fù)脈沖觸發(fā)GTO，可使GTO關(guān)斷。當(dāng)關(guān)斷時(shí)刻選在LC振蕩開始后的T／4處，可以使導(dǎo)通電流在關(guān)斷前變化最少。GTO關(guān)斷后，貯藏在L上的電磁能通過能量回饋支路D饋送回供電回路。接著電路進(jìn)入下一個(gè)周期，C重新開始充電。
該裝置的重復(fù)測試頻率與脈沖控制回路的脈沖重復(fù)頻率fz一致。1／fz為GTO的工作周期。
門極負(fù)脈沖可在LC回路振蕩至四分之一周期附近時(shí)加上。GTO的導(dǎo)通時(shí)間(即LC振蕩周期T的四分之一)應(yīng)遠(yuǎn)大于GTO器件中少數(shù)載流子的壽命τ(即T／4＞＞τ)，宜大于五倍。
電阻型充電支路的RC時(shí)間常數(shù)應(yīng)遠(yuǎn)大于GTO的導(dǎo)通時(shí)間和遠(yuǎn)小于GTO的工作周期(即T／4＜＜RC＜＜1／fz，可取10T／4＜RC
1／5fz)，宜取五分之一左右的GTO工作周期(即1／5fz)。
為保證能量回饋效率，要求Ce遠(yuǎn)大于C(即Ce＞＞C，可取Ce＝5～10C)、R1Ce時(shí)間常數(shù)遠(yuǎn)大于GTO的導(dǎo)通時(shí)間(即R1Ce＞＞T／4，可取R1Ce＞10T／4)。Ce允許是低頻電容。
R1上的平均電壓降VR1不應(yīng)過大，應(yīng)遠(yuǎn)低于E(宜取VR1≈E·1％)。
在吸收回路中，Cs由GTO測試容量而定，RsCs時(shí)間常數(shù)應(yīng)遠(yuǎn)小于GTO的導(dǎo)通時(shí)間(即RsCs＜＜T／4，可取RsCs
T／20)，宜取為其五分之一以下。
測試時(shí)，GTO的電壓信號直接輸出至示波器，電流信號則用高頻電流互感器變換取出。
在這種線路中，放電回路能量消耗較少，電源功耗主要發(fā)生在充電支路R上?；拘偷奶攸c(diǎn)是結(jié)構(gòu)比較簡單，改量程比較方便，但其功耗仍然較大。
(2)測試主回路的改進(jìn)型(2a)用電感充電的測試主回路(Ⅱ型)參見附圖4當(dāng)基本型(參見附圖3)中的充電支路R改由串聯(lián)的Le、De擔(dān)任，就可構(gòu)成改進(jìn)型的主回路(Ⅱ型)。在這種改進(jìn)型主回路中，充電支路須連接LC支路中C的一端；De的方向與充電方向一致；D的第二端與L、C的結(jié)點(diǎn)相連接；C的兩端并有相串聯(lián)的Dr、Rr，Dr的方向與C的充電電壓方向相反。
該線路工作時(shí)，利用LeC的振蕩對C充電至電源電壓的兩倍，并用De阻止C通過Le放電，可以使充電支路的能耗遠(yuǎn)低于基本型。為防止GTO關(guān)斷時(shí)在C上可能殘存負(fù)壓，引起LeC振蕩充電時(shí)使C過充電，在C上并聯(lián)Rr、Dr支路是必要的。該線路的能耗主要發(fā)生在吸收回路上。
電感型充電支路中Le的參數(shù)可按充電時(shí)間(LeC振蕩周期的一半)遠(yuǎn)大于GTO導(dǎo)通周期和小于GTO的工作周期選取(即T／4＜＜πLeC＜1／fz，可取3T／4＜πLeC＜1／fz)，宜取稍小于GTO的工作周期。
RrC的時(shí)間常數(shù)應(yīng)遠(yuǎn)大于GTO導(dǎo)通周期和遠(yuǎn)小于LeC的振蕩周期(即T／4＜＜RrC＜＜2πLeC，可取3T／4＜RrC＜2πLeC／3)，宜取五分之一左右的GTO工作周期。
(2b)用電感升壓的測試主回路(Ⅲ型)在這一線路中，GTO(并上吸收回路)串聯(lián)Ll后再與LC支路并聯(lián)(參見附圖5)。該線路的特點(diǎn)是如果測試時(shí)，對GTO關(guān)斷的尾部時(shí)間后不要求有較高的維持電壓(在簡易測試中這是允許的)，則只要在測試回路中串一電感Ll，便可以達(dá)到既降低電源電壓、又不影響GTO關(guān)斷過程電壓抬高的目的，使電源電壓可以大為降低。GTO上超過電源的電壓值可由Ll將能量轉(zhuǎn)移到Cs上來計(jì)算。
(2c)用電感抽頭升壓的測試主回路(Ⅳ型)在該線路中，D的第二端接在L的抽頭上(參見附圖6)。在電感L上抽頭接D，能使電磁能回饋時(shí)GTO陰、陽極間電壓維持比E高的水平。該線路允許使用較低電源電壓，而無Ⅲ型中的尾部時(shí)間后使維持電壓降低的缺點(diǎn)。
本申請的第二部份為門控回路參見附圖7門控回路由脈沖變壓器B及其原、副邊回路構(gòu)成。原邊繞組N1、N2分別接在功率晶體管T1、T2的輸出回路上，副邊繞組N3串接上D1及相并的磁勢平衡電路形成脈沖輸出端。磁勢平衡電路由R、C相并后與D2串聯(lián)構(gòu)成。其中D2、D1的方向分別與正、負(fù)脈沖發(fā)送的方向一致。在脈沖輸出端上并有常加負(fù)電壓支路，此支路由E0及R1構(gòu)成。
線路中，B的磁芯為鐵氧體；大功率晶體管T1、T2為雙極型器件，也可用場效應(yīng)器件。B的次級的負(fù)脈沖由D1輸出，正脈沖經(jīng)由磁勢平衡回路送出。
工作中，當(dāng)負(fù)脈沖的電壓——時(shí)間面積超過正脈沖的電壓——時(shí)間面積時(shí)，B中剩磁電流引起的正脈沖將被磁勢平衡電路所阻擋而逐漸衰減。在GTO的截止期內(nèi)，C上電壓將通過R釋放完。常加負(fù)電源E0和R1用于防止GTO在截止期產(chǎn)生誤開通。
線路中要求RC時(shí)間常數(shù)遠(yuǎn)大于GTO導(dǎo)通時(shí)間和遠(yuǎn)小于GTO工作周期(即T／4＜＜RC＜＜1／fz，可取5T／4＜＜RC＜＜1／5fz)，宜取五分之一的GTO工作周期。
C的容量要保證輸出的正脈沖有足夠的幅度和脈寬，并保證正脈沖結(jié)束后C上有適當(dāng)電壓(宜有10％以上的正脈沖幅度)。
本申請的第三部份為脈沖控制回路參見附圖2(方框1～7)。在脈沖控制回路中，由“手控”、“脈沖門”、“脈沖源”三個(gè)單元構(gòu)成能發(fā)送完整脈沖列的窄脈沖源，該脈沖源的工作受電網(wǎng)頻率同步；“正脈沖”單元受脈沖源的后沿觸發(fā)輸出矩形的正脈沖控制脈沖，該控制脈沖后沿經(jīng)“延時(shí)”單元延時(shí)后使“負(fù)脈沖”單元輸出矩形的負(fù)脈沖控制脈沖；正、負(fù)控制脈沖經(jīng)放大后送至門控回路；“同步”單元受“脈沖源”控制輸出脈沖同步信號供示波器掃描同步用。
脈沖重復(fù)頻率即GTO重復(fù)測試頻率fz，與電網(wǎng)頻率同步可以減少對穩(wěn)壓電源紋波抑制的要求，以及增強(qiáng)對電網(wǎng)其它干擾信號的抗干擾能力。測試裝置配普通示波器時(shí)，取fz為25Hz或50Hz時(shí)較適宜，這既有利于降低對電源容量需求，又有利于示波器上波形的人眼觀察。對于配存儲(chǔ)示波器，則頻率可以降低。脈沖控制回路一般主要用觸發(fā)器和邏輯門等集成電路構(gòu)成。
本發(fā)明創(chuàng)造的線路，其主回路中的元件參數(shù)(如E、L、C、Cs、Rs、R、Le)、門控回路的元件參數(shù)(如C、R1)以及脈沖控制回路的參數(shù)(如頻率、延時(shí)、脈寬)均可換檔或調(diào)節(jié)，以適應(yīng)不同量程的測試。
本發(fā)明創(chuàng)造的線路其主回路可以由各種改進(jìn)型(Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ)型取舍其不同改進(jìn)部份相互結(jié)合而構(gòu)成的。
本申請的主回路、門控回路、脈沖控制回路各為相對獨(dú)立的單元，各單元均可成為構(gòu)成新的測試線路的一部份。
本申請的測試裝置可以用于測試大功率晶體管的關(guān)斷特性。此時(shí)附圖2的脈沖控制回路中“延時(shí)”單元需將延時(shí)參數(shù)調(diào)至零，附圖7的門控回路中磁勢平衡電路可以簡化，僅用一個(gè)電阻R代換(參見附圖8)，也可以采用其它類型基極驅(qū)動(dòng)回路。
當(dāng)測試主回路中的諧振放電回路采用較小的LC參數(shù)時(shí)，本申請的裝置可以用于測試晶體管等器件的開通特性。
參見附圖9當(dāng)主回路中C并接上由SCR、L1串聯(lián)而成的支路，SCR的方向與GTO相反，L1小于L，并在脈沖控制回路中加一路SCR的脈沖控制線路，就可以構(gòu)成測試門極輔助關(guān)斷晶閘管、逆導(dǎo)型晶閘管等器件的關(guān)斷特性測試線路。
本發(fā)明創(chuàng)造的測試裝置所需電源容量較小。仍以前述已有技術(shù)電阻負(fù)載型例子作對比說明，本申請中主回路采用Ⅰ型時(shí)功耗為1.11KW；然而采用Ⅱ型改進(jìn)充電方式后，且吸收電容Cs＝2μF，功耗僅為25W。Ⅲ型、Ⅳ型中降低了電源電壓，若取其為100V，則功耗為500W；若再結(jié)合Ⅱ型的優(yōu)點(diǎn)，則功耗也僅為25W?？梢姡刷裥?功耗約為電阻負(fù)載型的1／3)外，本申請的裝置電源功耗均遠(yuǎn)低于電阻負(fù)載型，其中Ⅲ型和Ⅳ型還具有可用較低電源電壓的特點(diǎn)。由于這些原因，本申請的裝置其體積和重量均可大為減小，電源可以采用普通定型穩(wěn)壓電源產(chǎn)品而無需特制。
在測試主回路中，LC放電回路的參數(shù)選擇靈活性較大，當(dāng)固定電源電壓時(shí)，改變L和C均可改變放電電流。由于放電回路均為基本不耗能的元件，使之對元件及裝配工藝的要求降低了。即便是采用Ⅰ型主回路，其中也僅有充電電阻為主要耗能元件，其參數(shù)選擇、工藝要求均不高(也可以使用白熾燈泡)。
本申請中的門控回路集正、負(fù)脈沖變換于一個(gè)變壓器，也是種較簡單的線路，其脈沖輸出容量也是很高的。
在GTO的研究和生產(chǎn)中需要非破壞地測試該器件在低電壓、中小電流下的關(guān)斷特性。用本申請的裝置來測試時(shí)，即使GTO關(guān)斷失敗，當(dāng)其導(dǎo)通半個(gè)周期后，由于C上電壓變負(fù)，GTO會(huì)自動(dòng)進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài)而不損壞。
此外，在電阻負(fù)載型裝置中(參見附圖1)，為保證放電平穩(wěn)，放電電容C要取得很大；而在本申請中(參見附圖3)C由放電電流和周期決定，電容值可比電阻負(fù)載型小得多。圖3中的濾波及能量回收電容Ce雖然要求比C大許多倍，但Ce是允許采用低頻電容的。
就負(fù)載特性而言，本申請屬于電感負(fù)載型裝置，對GTO測試條件而言，這是嚴(yán)于電阻負(fù)載型的。不過電感型負(fù)載在實(shí)際應(yīng)用線路中是常見的，因此通過用本申請裝置測試的器件，當(dāng)能更可靠地應(yīng)用在實(shí)際工作線路上。
本申請的測試主回路基本型實(shí)例如附圖3所示。測試500A／1400VGTO時(shí)的線路關(guān)鍵參數(shù)為E＝700V，L＝45μH，C＝23μF，Ce＝200μF，R＝220Ω，R1＝10Ω，Rs＝7Ω，Cs＝2μF。
本申請的測試主回路改進(jìn)型實(shí)例如附圖10所示，它是Ⅲ型與Ⅳ型的結(jié)合。測試500A／1400VGTO時(shí)的線路關(guān)鍵參數(shù)為E＝350V，Le＝0.17H，Rr＝220Ω，L的抽頭位于線圈的一半圈數(shù)處，其余同上述基本型實(shí)例。
本申請的門控回路實(shí)例如附圖7所示。線路關(guān)鍵參數(shù)為B的變比N1N2N3＝10401，E1＝60V，E2＝600V；測試500A GTO時(shí)，C＝50μF，R＝100Ω，R1＝2Ω，E0＝0.7V。
本申請的脈沖控制回路實(shí)例如附圖11所示。
整個(gè)測試裝置的實(shí)例(參見附圖2)中，現(xiàn)采用SR－35雙蹤雙掃示波器，若采用數(shù)字存儲(chǔ)示波器，則效果更好(并且由于測試頻率降低，主回路電源功耗也可進(jìn)一步減少)。
本申請已成功地用于本單位的GTO開發(fā)研究，其中主回路為基本型的一種已用了兩年多，一直能可靠地用于GTO的檢測。
圖11中符號意義1為JK觸發(fā)器，2～4為與門，5～9為單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器。
權(quán)利要求1.門極可關(guān)斷晶閘管關(guān)斷特性測試裝置含有主回路、門控回路和脈沖控制回路三個(gè)基本部份，其特征是(1)主回路由LC諧振放電回路、主電源、充電支路及能量回饋支路等構(gòu)成LC串聯(lián)支路并上GTO以及吸收回路(Ds、Cs、Rs)構(gòu)成諧振放電回路，可調(diào)直流穩(wěn)壓電源E串接R1后并接Ce構(gòu)成主電源，主電源與充電支路、LC支路構(gòu)成另一回路，主電源與充電支路的連接點(diǎn)上還接有能量回饋支路D的一端，D的方向與能量回饋方向一致；(2)在主回路基本型(Ⅰ型)中，充電支路為R，D與R相并聯(lián)；(3)在主回路改進(jìn)型(Ⅱ型)中，充電支路由串聯(lián)的Le、De擔(dān)任，充電支路須連接LC支路中C的一端，De的方向與充電方向一致，D的第二端與L、C的結(jié)點(diǎn)相連接，C的兩端并有相串聯(lián)的Dr、Rr，Dr的方向與C的充電電壓方向相反；(4)在主回路的改進(jìn)型(Ⅲ型)中，GTO(并上吸收回路)串聯(lián)Ll后再與LC支路并聯(lián)；(5)在主回路的改進(jìn)型(Ⅳ型)中，D的第二端接的L的抽頭上；(6)門控回路由脈沖變壓器B及其原、副邊回路構(gòu)成，原邊繞組N1、N2分別接在功率晶體管T1、T2的輸出回路上，副邊繞組N3串接上D1及相并的磁勢平衡電路形成脈沖輸出端，磁勢平衡電路由R、C相并后與D2串聯(lián)構(gòu)成，其中D2、D1的方向分別與正、負(fù)脈沖發(fā)送的方向一致，在脈沖輸出端上并有常加負(fù)電壓支路，此支路由E0及R1構(gòu)成；(7)在脈沖控制回路中，由“手控”、“脈沖門”、“脈沖源”三個(gè)單元構(gòu)成能發(fā)送完整脈沖列的窄脈沖源，該脈沖源的工作受電網(wǎng)頻率同步，“正脈沖”單元受脈沖源的后沿觸發(fā)輸出矩形的正脈沖控制脈沖，該控制脈沖后沿經(jīng)“延時(shí)”單元延時(shí)后使“負(fù)脈沖”單元輸出矩形的負(fù)脈沖控制脈沖，正、負(fù)控制脈沖經(jīng)放大后送至門控回路，“同步”單元受“脈沖源”控制輸出脈沖同步信號供示波器作掃描同步用，當(dāng)測試裝置配普通示波器時(shí)取脈沖的重復(fù)頻率為25Hz或50Hz較適宜，對于配存儲(chǔ)示波器則頻率可以降低。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征是(1)GTO的門極負(fù)脈沖是在LC回路振蕩至四分之一周期附近時(shí)加上的，GTO的導(dǎo)通時(shí)間(即LC振蕩周期的四分之一)應(yīng)遠(yuǎn)大于GTO器件中少數(shù)載流子的壽命(宜大于五倍)；(2)電阻型充電支路的RC時(shí)間常數(shù)應(yīng)遠(yuǎn)大于GTO的導(dǎo)通時(shí)間和遠(yuǎn)小于GTO的工作周期(宜取五分之一左右的GTO工作周期，GTO的工作周期即為上述脈沖重復(fù)頻率的倒數(shù))，相應(yīng)地電感型充電支路的充電時(shí)間也要求遠(yuǎn)大于GTO的導(dǎo)通時(shí)間和小于GTO的工作周期(宜取稍小于GTO的工作周期)；(3)主回路中的Ce應(yīng)遠(yuǎn)大于C(5～10倍)，Ce用低頻電容；(4)主回路中的R1Ce時(shí)間常數(shù)應(yīng)遠(yuǎn)大于GTO的導(dǎo)通時(shí)間(10倍以上)，R1上的平均電壓降不應(yīng)過大(宜取E的百分之一左右)；(5)主回路改進(jìn)型(Ⅱ型)中的RrC時(shí)間常數(shù)應(yīng)遠(yuǎn)大于GTO導(dǎo)通周期和遠(yuǎn)小于LeC的振蕩周期(宜取五分之一左右的GTO工作周期)；(6)主回路中吸收回路的CsRs時(shí)間常數(shù)應(yīng)遠(yuǎn)小于GTO的導(dǎo)通時(shí)間(宜為其五分之一以下)；(7)門控回路中磁勢平衡電路的RC時(shí)間常數(shù)應(yīng)遠(yuǎn)大于GTO的導(dǎo)通時(shí)間和遠(yuǎn)小于GTO的工作周期(宜取五分之一左右的GTO工作周期)，C的容量既要保證輸出的正脈沖有足夠的幅度和脈寬，又要保證正脈沖過后C上存有一定電壓(宜有百分之十以上的正脈沖幅度)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征是GTO上的電流信號用高頻電流互感器取出。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征是主回路中的元件參數(shù)(如E、L、C、Cs、Rs、R、Le)、門控回路的元件參數(shù)(如C、R1)以及脈沖控制回路的脈沖參數(shù)(如頻率、延時(shí)、脈寬)均可以換檔或調(diào)節(jié)，以適應(yīng)不同量程的測試。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征為主回路是由上述各種改進(jìn)型(Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ型)取舍其不同改進(jìn)部份相互結(jié)合而構(gòu)成的。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征是主回路、門控回路、脈沖控制回路各為相對獨(dú)立的單元，各單元均可成為構(gòu)成新的測試裝置的一部份。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征是主回路用作大功率晶體管的測試時(shí)，脈沖控制回路中的“延時(shí)”單元需將延時(shí)參數(shù)調(diào)至零，而門控回路中的磁勢平衡電路僅用一個(gè)電阻R代換。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征是主回路中的C并接上由SCR、L1串聯(lián)而成的支路(SCR的方向與GTO相反，L1小于L)，并在脈沖控制回路中加一路SCR的觸發(fā)脈沖控制線路，由此構(gòu)成測試門極輔助關(guān)斷晶閘管、逆導(dǎo)型晶閘管等器件的關(guān)斷特性測試線路。
專利摘要門極可關(guān)斷晶閘管關(guān)斷特性的新型測試裝置，采用諧振放電方式測試門極可關(guān)斷晶閘管的關(guān)斷特性。與電阻負(fù)載型的測試裝置相比，本裝置具有可測容量范圍大、改變量程容易、檢測時(shí)方便可靠、功耗低、體積小、重量輕、制作簡便、造價(jià)低廉等優(yōu)點(diǎn)，而且稍作變動(dòng)后還能測試大功率晶體管等器件的關(guān)斷特性，以及一些電力電子器件的其它特性。
文檔編號G01R31/26GK2039027SQ8820703
公開日1989年6月7日 申請日期1988年6月10日 優(yōu)先權(quán)日1988年6月10日
發(fā)明者呂征宇, 汪槱生 申請人:浙江大學(xué)