專利名稱：反射電橋的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬電子測(cè)量?jī)x器中的同軸元件，作為反射系數(shù)的傳感器，用于射頻矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀中。
目前國(guó)內(nèi)只有駐波電橋，駐波電橋由于已經(jīng)檢過(guò)波丟掉了相位信息，只能用于標(biāo)量反射儀中，而矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀都必須用由平衡器將誤差電壓引出的反射電橋，輸出仍為原來(lái)頻率，因此，相位信息未被丟失。
因此能否作出寬頻帶的反射電橋，關(guān)鍵在于能否作出寬頻帶，高度電對(duì)稱的平衡器。
反射電橋的主要指標(biāo)為定向性，一般要求40分貝，也有46分貝的。進(jìn)口橋的平衡器采用四個(gè)磁環(huán)，用細(xì)的同軸線繞成四個(gè)結(jié)圈，以增加并聯(lián)的電抗值以實(shí)現(xiàn)高頻帶。
由于國(guó)內(nèi)沒(méi)有細(xì)的半硬同軸線，只有細(xì)的軟同軸電纜，作成的平衡器雖然也能滿足要求，但調(diào)試?yán)щy，不易固定，一致性較差，從原理上來(lái)看，采用對(duì)稱式雙線平衡器是很容易取得平衡或?qū)ΨQ的，但由于頻帶太寬，滿足高頻端要求后，低頻端由于并聯(lián)的電感值太小而形成了短路，為了提高低頻端的電抗值，可采用兩種方法一是引入磁芯，二是繞成線圈，或者兩法結(jié)合起來(lái)，這是進(jìn)口產(chǎn)品的作法。
本實(shí)用新型的目的是在30兆赫～1400兆赫頻段范圍內(nèi)，實(shí)現(xiàn)定向性≥40分貝的反射電橋，以便與網(wǎng)絡(luò)分析儀配套。
本實(shí)用新型技術(shù)解決方案一種反射電橋，其特征在于電橋中部誤差電壓引出端與輸出插座間接有多個(gè)磁芯直線排列作成的雙線式平衡器。
本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)本實(shí)用新型制造簡(jiǎn)單，調(diào)試量小，牢靠，并且解決了φ0.4的半硬同軸線的代用問(wèn)題(這種線國(guó)內(nèi)尚未試制成功)。由于不繞線圈，只是直線排列，所以線徑可加粗到φ1.2以上(粗的線磁芯要多加一些，體積要更大一些)，這樣就容易作得對(duì)稱，因此調(diào)試工作量小，線粗后兩端焊后自然比軟電纜牢靠。


圖1是本實(shí)用新型示意圖。
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述磁芯3為多個(gè)直線排列的雙孔(或四孔)磁芯，孔內(nèi)穿有半硬同軸線(或軟同軸電纜)1，相對(duì)方向的孔內(nèi)穿有對(duì)稱線2，它可用與同軸線1相同的材料作成，或與同軸線1同直徑的光銅線作成。同軸線1、對(duì)稱線2、磁芯3三者組成一個(gè)對(duì)稱式平衡器，它的左端接在電橋中部的誤差電壓引出點(diǎn)上，右端接到輸出插座4上。
本例中平衡器采用三枚雙孔或四孔磁芯作介質(zhì)，同軸線型號(hào)為半硬同軸線SFT－50－1.2。
權(quán)利要求1.一種反射電橋，其特征在于電橋中部誤差電壓引出端與輸出插座間接有由多個(gè)磁芯直線排列作成的雙線式平衡器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反射電橋，其特征在于平衡器采用雙孔磁芯或四孔磁芯作介質(zhì)，半硬同軸線或軟同軸電纜作引線。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的反射電橋，其特征在于平衡器采用三枚雙孔或四孔磁芯作介質(zhì)，用SFT－50－1.2半硬同軸線作引線。
專利摘要本實(shí)用新型屬電子測(cè)量?jī)x器中的同軸元件，作為反射系數(shù)的傳感器，用于射頻矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀中，本實(shí)用新型在30兆赫～1400兆赫頻段范圍內(nèi)，實(shí)現(xiàn)定向性≥40分貝，并且解決了Φ0.4的半硬同軸線的代用問(wèn)題。本實(shí)用新型特征在于電橋中部誤差電壓引出端與輸出插座間接有由多個(gè)磁芯直線排列作成的雙線式平衡器。
文檔編號(hào)G01R1/00GK2108365SQ9123057
公開日1992年6月24日 申請(qǐng)日期1991年11月23日 優(yōu)先權(quán)日1991年11月23日
發(fā)明者胡樹豪 申請(qǐng)人:國(guó)營(yíng)第七二零廠