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      小口徑伽馬能譜測(cè)井裝置及數(shù)據(jù)采集傳輸和自穩(wěn)方法

      文檔序號(hào):8222670閱讀:709來(lái)源:國(guó)知局
      小口徑伽馬能譜測(cè)井裝置及數(shù)據(jù)采集傳輸和自穩(wěn)方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001] 本發(fā)明涉及測(cè)井領(lǐng)域,尤其涉及高精度測(cè)量放射性礦物含量的小口徑伽馬能譜測(cè) 井裝置。
      【背景技術(shù)】
      [0002] 自然伽馬能譜測(cè)井是在鉆孔內(nèi)對(duì)巖石自然伽馬放射線進(jìn)行能譜測(cè)量與分析,分別 測(cè)定地層內(nèi)鈾、釷、鉀含量來(lái)研宄井剖面地層性質(zhì)的測(cè)井方法。目前,國(guó)內(nèi)伽馬能譜測(cè)井儀 在石油工業(yè)的應(yīng)用主要是通過(guò)自然伽馬能譜測(cè)井所測(cè)量的U、Th、K含量來(lái)識(shí)別巖性、研宄 沉積環(huán)境、生油層,尋找儲(chǔ)集層,確定粘土含量等目的,特點(diǎn)是含量測(cè)量范圍小、測(cè)井儀直徑 大(一般大于90mm)。鈾礦勘查中由于鉆孔內(nèi)放射性物質(zhì)含量高,伽馬射線強(qiáng),目前這些測(cè) 井儀不適宜用于鈾礦勘查的測(cè)量要求。國(guó)外MountSopris、RG、Geovista等公司生產(chǎn)的自 然伽馬能譜測(cè)井儀直徑大多在50mm-60mm之間,多采用BG0、NaI和BaLr3閃爍晶體探測(cè)器。 我國(guó)一些熱液型鈾礦床屬于鈾、釷混合型礦床,對(duì)于此類礦床需要采用伽馬能譜測(cè)井方法 分別測(cè)定礦石的鈾、釷含量,才能準(zhǔn)確計(jì)算鈾的儲(chǔ)量,而且鉆孔裸眼直徑大都為60_,因此 需要開(kāi)發(fā)小口徑伽馬能譜測(cè)井儀。
      [0003] 由于測(cè)井儀口徑小,晶體尺寸小,導(dǎo)致晶體探測(cè)到的伽馬射線少。為了提高測(cè)井效 率,提出了實(shí)時(shí)連續(xù)測(cè)量的需求,對(duì)探測(cè)器探測(cè)效率、為減小死時(shí)間目的對(duì)信號(hào)高速采集、 傳輸及自穩(wěn)等提出了更高要求。伽馬能譜測(cè)井儀自動(dòng)穩(wěn)譜精度決定了核素含量的解算精 度。伽馬能譜測(cè)井不同于車載伽馬譜儀、航空伽馬譜儀,后者在自動(dòng)穩(wěn)譜方面主要針對(duì)溫度 引起的譜漂移問(wèn)題,采用天然 4°K的1. 460MeV光電峰和2°811的2. 614MeV光電峰等作為基 準(zhǔn)進(jìn)行穩(wěn)譜,優(yōu)點(diǎn)是沒(méi)有自穩(wěn)源引起的本底。而鉆孔中進(jìn)行伽馬能譜測(cè)井,晶體探測(cè)器更接 近圍巖礦體,放射性強(qiáng)度變化劇烈,要求自動(dòng)穩(wěn)譜反應(yīng)迅速,對(duì)于薄礦層尤其如此。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0004] 本發(fā)明的目的是設(shè)計(jì)小口徑伽馬能譜測(cè)井裝置及數(shù)據(jù)采集、傳輸和自穩(wěn)方法,用 于測(cè)量礦床中放射性物質(zhì)的含量。本發(fā)明要解決的另一個(gè)技術(shù)問(wèn)題是減小儀器的死時(shí)間和 快速自穩(wěn)。
      [0005] 技術(shù)方案
      [0006] 本發(fā)明的小口徑伽馬能譜測(cè)井裝置的原理方框圖如圖1所示,具有:BG0閃爍晶體 探測(cè)器、mBa自穩(wěn)源、光電倍增管、第一放大器、極零相消電路、第二放大器、基線恢復(fù)電路、 高壓模塊、自穩(wěn)電路、采樣保持電路、閾值比較電路、A/D轉(zhuǎn)換電路、地址鎖存器、第一微處理 器、雙端口RAM、第二微處理器、時(shí)基電路、溫度探測(cè)單元。
      [0007] BG0閃爍晶體探測(cè)器探測(cè)周圍礦體產(chǎn)生的天然伽馬射線和133Ba自穩(wěn)源放出的伽 馬射線,產(chǎn)生的信號(hào)經(jīng)過(guò)光電倍增管放大,傳輸?shù)降谝环糯笃鞣糯蠛?,傳輸?shù)綐O零相消電路 后,再經(jīng)第二放大器放大,到達(dá)基線恢復(fù)電路。經(jīng)過(guò)基線恢復(fù)后,信號(hào)分兩路,分別到達(dá)采樣 保持電路和閾值比較電路。閾值比較電路將輸入信號(hào)與設(shè)定的閾值進(jìn)行比較,若信號(hào)大于 閾值,則閾值比較電路產(chǎn)生選通脈沖,觸發(fā)采樣保持電路采集信號(hào)并整形。采樣整形信號(hào)傳 輸?shù)紸/D轉(zhuǎn)換器,將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào),根據(jù)信號(hào)幅度通過(guò)地址鎖存器映射到存儲(chǔ) 器相應(yīng)的地址存儲(chǔ)單元。采樣保持電路、閾值比較電路、A/D轉(zhuǎn)換電路、地址鎖存電路等構(gòu) 成一個(gè)硬件閉環(huán)系統(tǒng)。
      [0008] 采用雙端口RAM存儲(chǔ)器和雙CPU,分工協(xié)同完成高速伽馬脈沖采集、數(shù)據(jù)讀取以及 自動(dòng)穩(wěn)譜等功能,并實(shí)時(shí)將譜數(shù)據(jù)發(fā)送到地面系統(tǒng)。
      [0009] 具體地,第一微處理器負(fù)責(zé)高速采集伽馬脈沖,包含自穩(wěn)峰脈沖。其工作流程如圖 2所示。
      [0010] 第一步,開(kāi)機(jī),初始化;
      [0011] 第二步,延時(shí),使第二微處理器清空雙端口RAM的譜數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)和設(shè)定譜采集時(shí) 間;
      [0012] 第三步,判斷A/D轉(zhuǎn)換器是否有伽馬脈沖轉(zhuǎn)換完成中斷輸入?若無(wú),則反復(fù)第三 步;若有,則進(jìn)行第四步;
      [0013] 第四步,讀取A/D轉(zhuǎn)換器的數(shù)據(jù);
      [0014] 第五步,根據(jù)讀取的A/D轉(zhuǎn)換結(jié)果將其映射到雙端口RAM的相應(yīng)譜道存儲(chǔ)區(qū)進(jìn)行 累加1 ;
      [0015] 第六步,判斷譜采集時(shí)間是否結(jié)束?若否,則返回到第三步;若是,則進(jìn)行第七 步;
      [0016] 第七步,切換能譜數(shù)據(jù)幀后,返回到第三步。
      [0017] 第二微處理器負(fù)責(zé)讀取并傳輸雙端口RAM存儲(chǔ)器中的譜數(shù)據(jù)及實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)自穩(wěn)控 制。第二微處理器的工作流程如圖3所示。
      [0018] 第一步,開(kāi)機(jī),初始化;
      [0019] 第二步,清空雙端口RAM譜數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū);
      [0020] 第三步,設(shè)定譜采集時(shí)間;
      [0021] 第四步,依據(jù)溫度探測(cè)單元讀數(shù)設(shè)定光電倍增管PMT的高壓初值;
      [0022] 第五步,判斷譜采集時(shí)間是否結(jié)束?若否,反復(fù)第五步;若是,進(jìn)行第六步;
      [0023] 第六步,讀取并傳輸譜數(shù)據(jù),清空相應(yīng)數(shù)據(jù)幀存儲(chǔ)區(qū);累計(jì)自穩(wěn)峰數(shù)據(jù);
      [0024] 第七步,判斷自穩(wěn)周期是否結(jié)束?若否,則返回第五步,若是,則進(jìn)行第八步;
      [0025] 第八步,計(jì)算自穩(wěn)峰漂移;
      [0026] 第九步,判斷自穩(wěn)蜂漂移是否超過(guò)設(shè)定值?若是,則進(jìn)行第十步;若否,則進(jìn)行第 i^一步;
      [0027] 第十步,調(diào)整光電倍增管PMT的高壓HV輸出;
      [0028] 第十一步,清空自穩(wěn)譜數(shù)據(jù)區(qū),并返回步驟五。
      [0029] 開(kāi)機(jī)后,在時(shí)基電路協(xié)同下,第一微處理器和第二微處理器分別按照?qǐng)D2和3所示 流程操作。具體為,第一微處理器和第二微處理器分別進(jìn)行第一步,初始化。然后第一微處 理器進(jìn)行第二步,延時(shí),等待第二微處理器完成第二步至第四步,即,第二步清空雙端口RAM 的譜數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū),第三部設(shè)定譜采集時(shí)間,第四步依據(jù)溫度探測(cè)單元讀數(shù)設(shè)定光電倍增管 PMT的高壓初值。然后,第一微處理器從第三步開(kāi)始采集伽馬脈沖數(shù)據(jù)。具體為在一個(gè)譜采 集時(shí)間內(nèi),A/D轉(zhuǎn)換器有伽馬中斷輸入時(shí),第一微處理器讀取A/D轉(zhuǎn)換器的數(shù)據(jù),并根據(jù)讀 取的A/D轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)映射到雙端口RAM相應(yīng)譜道存儲(chǔ)區(qū),進(jìn)行累加1操作。在第六步,判斷 譜采集時(shí)間結(jié)束時(shí),第一微處理器切換下一幀繼續(xù)進(jìn)行伽馬脈沖信號(hào)采集。
      [0030] 第二微處理器在完成如3所示流程中的第一至第四步之后,等待第一微處理器完 成第一幀譜采集。即,在第五步,判斷譜采集時(shí)間結(jié)束時(shí),也就是第一微處理器完成第一幀 譜采集時(shí),第二微處理器進(jìn)行第六步,即讀取第一幀譜采集數(shù)據(jù)并傳輸譜數(shù)據(jù),同時(shí)清空數(shù) 據(jù)第一幀譜數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)。在第一微處理器完成第二幀譜數(shù)據(jù)采集時(shí),第二微處理器反復(fù)上 述數(shù)據(jù)讀取操作。這樣第一微處理器完成高速伽馬脈沖數(shù)據(jù)采集,寫(xiě)入雙端口RAM中,第二 微處理器完成把第一微處理器最先存入雙端口RAM中的譜數(shù)據(jù)幀首先讀出并傳輸出去,實(shí) 現(xiàn)高速伽馬信號(hào)采集和傳輸并行處理,提高了數(shù)據(jù)采集和傳輸?shù)乃俾省?br>[0031] 第一和第二微處理器還協(xié)同完成自穩(wěn)控制。具體為,第一微處理器采集的譜數(shù)據(jù) 中包含自穩(wěn)峰譜數(shù)據(jù)。第二微處理器在一個(gè)自穩(wěn)周期內(nèi),把讀出的譜數(shù)據(jù)中的自穩(wěn)峰譜數(shù) 據(jù)累計(jì)。在自穩(wěn)周期結(jié)束時(shí),計(jì)算自穩(wěn)峰譜漂移,并判斷自穩(wěn)峰漂移是否超過(guò)設(shè)定值。若自 穩(wěn)峰漂移超過(guò)設(shè)定值,則傳輸?shù)阶苑€(wěn)電路,自穩(wěn)電路根據(jù)自穩(wěn)峰漂移參數(shù)控制光電倍增管 PMT的高壓模塊的輸出電壓,產(chǎn)生相應(yīng)的高壓信號(hào),實(shí)現(xiàn)自穩(wěn)目的。若自穩(wěn)蜂漂移未超過(guò)設(shè) 定值,則清空自穩(wěn)峰譜數(shù)據(jù),并重復(fù)進(jìn)行自穩(wěn)操作步驟。這樣,第一和第二微處理器協(xié)同完 成自穩(wěn)控制。
      [0032] 根據(jù)本發(fā)明的小口徑伽馬能譜測(cè)井裝置,其中閥值比較電路中設(shè)定的閥值為 30-150Kev,較好為 30-100Kev,最好為 30Kev。
      [0033] 根據(jù)本發(fā)明的小口徑伽馬能譜測(cè)井裝置,幀譜采集時(shí)間為250ms-5s,較好為 500-1000ms,最好為 800ms。
      [0034] 根據(jù)本發(fā)明的小口徑伽馬能譜測(cè)井裝置,自穩(wěn)周期為2_8s,較好為3_5s,最好為 4s〇
      [0035] 根據(jù)本發(fā)明的小口徑伽馬能譜測(cè)井裝置,自穩(wěn)譜漂設(shè)定值為0.5-10%,最好為
      [0036] 根據(jù)本發(fā)明的小口徑伽馬能譜測(cè)井裝置,BGO晶體探測(cè)器外設(shè)置有Pb-Sn組合屏。
      [0037] 根據(jù)本發(fā)明的小口徑伽馬能譜測(cè)井裝置數(shù)據(jù)采集和傳輸方法,使用雙微處理器和 雙口RAM。第一微處理器按照如圖2所示流程完成伽馬譜數(shù)據(jù)幀采集并存儲(chǔ)在雙端口RAM 中,第二微處理器按照如圖3所示流程讀取并傳輸伽馬譜幀數(shù)據(jù)。
      [0038] 根據(jù)本發(fā)明的小口徑伽馬能譜測(cè)井裝置數(shù)據(jù)采集和傳輸方法,幀譜采集時(shí)間為 250ms-5s,較好為 500-1000ms,最好為 800ms。
      [0039] 根據(jù)本發(fā)明的小口徑伽馬能譜測(cè)井裝置自穩(wěn)方法,使用雙微處理器和雙端口RAM。 第一微處理器按照如圖2所示流程完成自穩(wěn)峰譜數(shù)
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