4可以包括或基本包括以下中的至少一項:金屬、介電材料、壓電材料、壓阻材料和鐵電材料。根據(jù)各種實施例，第一導電層104可以實現(xiàn)為薄膜結構。根據(jù)各種實施例，第一導電層104可以實現(xiàn)為隔膜結構。
[0043]根據(jù)各種實施例，第一間隔層106可以借助于各種制造技術被形成在第一導電層104的頂表面104a的至少部分之上，例如物理氣相沉積、電化學沉積、化學氣相沉積和分子束外延。根據(jù)各種實施例，第一間隔層106的至少部分可以布置在電極元件108的底表面108b與第一導電層104的頂表面104a之間。
[0044]根據(jù)各種實施例，第一間隔層106可以包括或基本包括各種電介質，諸如氧化硅、氮化硅、原硅酸四乙酯、硼磷硅玻璃和各種等離子體氧化物。根據(jù)各種實施例，第一間隔層106的厚度可以例如在從約300nm到約10 μ m的范圍內，例如在從約300nm到約400nm的范圍內，例如在從約400nm到約500nm的范圍內，例如在從約500nm到約I μ m的范圍內，例如在從約Iym到約3 μπι的范圍內，例如在從約3 μπι到約5 μπι的范圍內，例如在從約5 μπι到約10 μ m的范圍內。
[0045]根據(jù)各種實施例，第二間隔層110可以借助于各種制造技術被形成在電極元件108的頂表面108a的至少部分之上，例如物理氣相沉積、電化學沉積、化學氣相沉積和分子束外延。根據(jù)各種實施例，第二間隔層110的至少部分可以布置在電極元件108的頂表面108a與第二導電層112的底表面112b之間。
[0046]根據(jù)各種實施例，第二間隔層110可以包括或基本包括各種電介質，諸如氧化硅、氮化硅、原硅酸四乙酯、硼磷硅玻璃和各種等離子體氧化物。根據(jù)各種實施例，第二間隔層110的厚度可以例如在從約300nm到約10 μ m的范圍內，例如在從約300nm到約400nm的范圍內，例如在從約400nm到約500nm的范圍內，例如在從約500nm到約I μ m的范圍內，例如在從約Iym到約3 μπι的范圍內，例如在從約3 μπι到約5 μπι的范圍內，例如在從約5 μπι到約10 μ m的范圍內。
[0047]根據(jù)各種實施例，第一間隔層106和第二間隔層110可以由相同材料組成。
[0048]根據(jù)各種實施例，第二導電層112可以具有厚度T2，厚度T2例如在從約300nm到約10 μ m的范圍內，例如在從約300nm到約400nm的范圍內，例如在從約400nm到約500nm的范圍內，例如在從約500nm到約I μ m的范圍內，例如在從約I μ m到約3 μ m的范圍內，例如在從約3 μ m到約5 μ m的范圍內，例如在從約5 μ m到約10 μ m的范圍內。
[0049]根據(jù)各種實施例，第二導電層112可以包括或基本包括諸如硅的半導體材料。根據(jù)各種實施例，第二導電層112可以包括或基本包括給定應用所期望的其它半導體材料，諸如鍺、鍺硅、碳化硅、氮化鎵、銦、氮化銦鎵、砷化銦鎵、氧化銦鎵鋅或其它元素和/或化合物半導體(例如諸如砷化鎵或磷化銦之類的II1-V化合物半導體，或者I1-VI化合物半導體或三元化合物半導體或四元化合物半導體)。第二導電層112可以包括或基本包括以下中的至少一項:金屬、介電材料、壓電材料、壓阻材料和鐵電材料。根據(jù)各種實施例，第二導電層112可以實現(xiàn)為薄膜結構。根據(jù)各種實施例，第二導電層112可以實現(xiàn)為隔膜結構。
[0050]根據(jù)各種實施例，第一導電層104、電極元件108、第二導電層112以及間隔層106和110可以布置成疊置結構。第一導電層104、電極元件108、第二導電層112以及間隔層106和110可以實現(xiàn)為層疊結構類型。
[0051]根據(jù)各種實施例，如圖1B所示，電極元件108可以包括第一傳導元件108c、電隔離元件108d和第二傳導元件108e。根據(jù)各種實施例，第一傳導元件108c和第二傳導元件1Se可以包括或基本包括相同的傳導材料。根據(jù)各種實施例，第一傳導元件108c和第二傳導元件1Se可以包括或基本包括不同的傳導材料。
[0052]根據(jù)各種實施例，電極元件108的第一傳導元件108c可以包括或基本包括各種金屬，例如鋁、銀、銅、鎳以及諸如鋁銀和鎳銅之類的各種合金。
[0053]根據(jù)各種實施例，電極元件108的第一傳導元件108c可以包括或基本包括各種半導體材料，這些半導體材料可以被摻雜使得它們是導電的，例如被重摻雜有硼、磷或砷的多晶娃層。
[0054]根據(jù)各種實施例，電極元件108的第一傳導元件108c可以具有范圍從約500nm到約5 μ m的厚度，例如在從約500nm到約I μ m的范圍內，例如在從約I μ m到約2 μ m的范圍內，例如在從約2 μ m到約3 μ m的范圍內，例如在從約3 μ m到約4 μ m的范圍內，例如在從約4 μ m到約5 μ m的范圍內。
[0055]根據(jù)各種實施例，電極元件108的電隔離元件108d可以包括或基本包括各種介電材料，諸如氧化硅、氮化硅、原硅酸四乙酯、硼磷硅玻璃和各種等離子體氧化物。根據(jù)各種實施例，電隔離元件108d可以包括或基本包括給定應用所期望的各種半導體材料，諸如二氧化娃、鍺、鍺娃、碳化娃、氮化鎵、銦、氮化銦鎵、砷化銦鎵、氧化銦鎵鋅或其它元素和/或化合物半導體(例如，諸如砷化鎵或磷化銦之類的II1-V化合物半導體，或者I1-VI化合物半導體或三元化合物半導體或四元化合物半導體)。電隔離元件1Sd的厚度可以在例如從約10nm到約I μπι的范圍內，例如在從約10nm到約200nm的范圍內，例如在從約200nm到約500nm的范圍內，例如在從約500nm到約I μ m的范圍內。
[0056]根據(jù)各種實施例，電極元件108的第二傳導元件108e可以包括或基本包括各種金屬，例如鋁、銀、銅、鎳以及諸如鋁銀和鎳銅之類的各種合金。
[0057]根據(jù)各種實施例，電極元件108的第二傳導元件108e可以包括或基本包括可以被摻雜使得它們導電的各種半導體材料，例如重摻雜有硼、磷或砷的多晶硅層。
[0058]根據(jù)各種實施例，電極元件108的第二傳導元件108e的厚度可以在從約500nm到約5 μ m的范圍內，例如在從約500nm到約I μ m的范圍內，例如在從約I μ m到約2 μ m的范圍內，例如在從約2 μ m到約3 μ m的范圍內，例如在從約3 μ m到約4 μ m的范圍內，例如在從約4 μ m到約5 μ m的范圍內。
[0059]根據(jù)各種實施例，可以將電極元件108的頂表面108a與第二導電層112的底表面112b之間的距離定義為第一感測間隙SI。
[0060]根據(jù)各種實施例，第一感測間隙SI可以在例如從約300nm到約10 μπι的范圍內，例如在從約300nm到約400nm的范圍內，例如在從約400nm到約500nm的范圍內，例如在從約500nm到約I μ m的范圍內，例如在從約I μ m到約3 μ m的范圍內，例如在從約3 μ m到約5 μπι的范圍內，例如在從約5 μπι到約10 μπι的范圍內。
[0061]根據(jù)各種實施例，可以將電極元件108的底表面108b與第一導電層104的頂表面104a之間的距離定義為第二感測間隙S2。
[0062]根據(jù)各種實施例，第二感測間隙S2可以在例如從約300nm到約10 μπι的范圍內，例如在從約300nm到約400nm的范圍內，例如在從約400nm到約500nm的范圍內，例如在從約500nm到約I μ m的范圍內，例如在從約I μ m到約3 μ m的范圍內，例如在從約3 μ m到約5 μπι的范圍內，例如在從約5 μπι到約10 μπι的范圍內。
[0063]根據(jù)各種實施例，第一柱結構118可以布置在第二導電層112的底表面112b與第一導電層104的頂表面104a之間。
[0064]根據(jù)各種實施例，可以通過各種制造技術，例如物理氣相沉積、電化學沉積、化學氣相沉積和分子束外延，將第一柱結構118形成在第一導電層104的頂表面104a之上。
[0065]根據(jù)各種實施例，可以將第一柱結構118布置在第二導電層112的底表面112b和第一導電層104的頂表面104a之間，以將第二導電層112電耦合到第一導電層104。
[0066]根據(jù)各種實施例，可以將第一柱結構118布置在第二導電層112的底表面112b與第一導電層104的頂表面104a之間，以將第二導電層112與第一導電層104電隔離。
[0067]根據(jù)各種實施例，如圖1B所示，第一柱結構118可以具有高度Hl，高度Hl例如在從約I μπι約10 μm的范圍內，例如在從約I μπι約2 μm的范圍內，例如在從約2 μπι約2.5 μ m的范圍內，例如在從約2.5 μ m約5 μ m的范圍內，例如在從約5μηι約7μηι的范圍內，例如在從約7 ym約1ym的范圍內。根據(jù)各種實施例，第一柱結構118的厚度T3例如可以在從約300nm約10 μπι的范圍內，例如在從約300nm約400nm的范圍內，例如在從約400nm約500nm的范圍內，例如在從約500nm約I μ m的范圍內，例如在從約I μ m約3 μ m的范圍內，例如在從約3 μ m約5 μ m的范圍內，例如在從約5 μ m約10 μ m的范圍內。
[0068]根據(jù)各種實施例，第一柱結構118可以包括或基本包括諸如硅之類的半導體材料。根據(jù)各種實施例，第一柱結構118可以包括或基本包括給定應用所期望的其它半導體材料，諸如鍺、鍺硅、碳化硅、氮化鎵、銦、氮化銦鎵、砷化銦鎵、氧化銦鎵鋅或其它元素和/或化合物半導體(例如，諸如砷化鎵或磷化銦之類的II1-V化合物半導體，或者I1-VI化合物半導體或三元化合物半導體或四元化合物半導體)。根據(jù)各種實施例，第一柱結構118可以包括或基本包括金屬、電介質材料、壓電材料、壓阻材料和鐵電材料中的至少一種。
[0069]根據(jù)各種實施例，如圖1A至圖1C所示，第一柱結構118可以實現(xiàn)為在第二導電層112的底表面112b與第一導電層104的頂表面104a之間延伸的支撐結構。第一柱結構118可以實現(xiàn)為在第二導電層112的底表面112b與第一導電層104的頂表面104a之間延伸的多個柱。根據(jù)其中第一柱結構118可以實現(xiàn)為多個柱118的各種實施例，各個柱中的每一個可以是能夠支撐第二傳導層的部分的支撐結構。根據(jù)各種實施例，第一柱結構118不接觸和/或觸及電極元件108，但經由可以形成在電極元件108中的開口或孔130而穿過電極元件108。
[0070]根據(jù)各種實施例，在第一柱結構118可以實現(xiàn)為多個柱的情況下，如圖1A至圖1C所示，柱118之間的間隔LI例如可以在從約I μπι到約50 μπι的范圍內，例如在從約I μπι到約5 μ m的范圍內，例如在從約5 μ m到約10 μ m的范圍內，例如在從約10 μ m到約20 μ m的范圍內，例如在從約20 μ m到約25 μ m的范圍內，例如在從約25 μ m到約50 μ m的范圍內。
[0071]根據(jù)各種實施例，第一柱結構118可以分別與第一導電層104和第二導電層112一體形成。
[0072]根據(jù)各種實施例，第一導電層104、第二導電層112和第一柱結構118可以是由同一材料例如娃形成的一體結構。
[0073]根據(jù)各種實施例，第一導電層104、第二導電層112和第一柱結構118均可以在傳感器結構100的制造工藝期間的分立步驟中形成。
[0074]根據(jù)各種實施例，第一柱結構118可以包括或基本包括分別與第一導電層104和第二導電層112的材料不同的材料。
[0075]根據(jù)各種實施例，如圖1C所示，電極元件108可以包括可任選的密封層132，以防止第一導電層104和/或第二導電層112與電極元件108進行物理接觸。密封層132可以包括或基本包括各種電介質，諸如各種介電材料，例如氧化硅、氮化硅、原硅酸四乙酯、硼磷硅玻璃以及各種等離子體氧化物。根據(jù)各種實施例，密封層132可以包括或基本包括給定應用所期望的各種半導體材料，諸如二氧化硅、鍺、鍺硅、碳化硅、氮化鎵、銦、氮化銦鎵、砷化銦鎵、氧化銦鎵