3，可選地，所述壓力傳感膜203選用SiGe。
[0079]其中位于所述壓力傳感器犧牲材料層上的壓力傳感膜203用于形成頂部電極，結(jié)合所述壓力傳感器底部電極202形成壓力傳感器電容，當(dāng)所述頂部電極受到壓力發(fā)生形變之后，頂部電極和壓力傳感器底部電極202之間的距離發(fā)生改變，從而電容發(fā)生改變，實(shí)現(xiàn)壓力的傳感。
[0080]蝕刻所述壓力傳感器犧牲材料層上方的壓力傳感膜203，以形成蝕刻開口，露出所述壓力傳感器犧牲材料層，然后去除所述壓力傳感器犧牲材料層，以形成壓力傳感器空腔。
[0081]可選地，沉積壓力傳感膜材料，以填充所述壓力傳感膜203中形成的蝕刻開口，得到如圖3a所示的結(jié)構(gòu)，需要說明的是上述方法僅僅為示例性的，形成壓力傳感器的方法并不局限于上述示例，還可以選用本領(lǐng)常用的其他方法。
[0082]執(zhí)行步驟203，在所述壓力傳感膜203上形成蝕刻停止層204，以覆蓋所述壓力傳感膜203。
[0083]具體地，如圖3b所示，在該步驟中，所述蝕刻停止層204包括依次形成無定形碳層和硬掩膜層，以在后續(xù)的工藝中作為蝕刻終點(diǎn)信號。
[0084]其中，所述蝕刻停止層204必須與所述覆蓋層和所述壓力傳感膜203具有較大的蝕刻選擇比，以獲得準(zhǔn)確的蝕刻終點(diǎn)信號，同時避免在去除過程中對所述壓力傳感膜203造成損害。
[0085]其中，所述無定形碳層的厚度為2000-3000埃。
[0086]所述硬掩膜層可以選用氮化物或者氧化物，例如他S12或者SiN等，其厚度為800-1200埃，可選為1000埃。
[0087]需要說明的是在本發(fā)明中所述蝕刻停止層204還可以選用無定形碳層的替換材料，并不局限于所述無定形碳層，但是當(dāng)所述壓力傳感膜203選用SiGe時，選用無定形碳層作為蝕刻停止層，并且選用灰化法去除所述蝕刻停止層，通過所述方法不僅可以獲得準(zhǔn)確的蝕刻終點(diǎn)信號，而且在去除過程中還可以避免對所述壓力傳感膜203造成損害。
[0088]執(zhí)行步驟204，在所述蝕刻停止層上形成圖案化的掩膜層205，所述掩膜層中形成有柱形圖案。
[0089]具體地，如圖3c所示，其中所述掩膜層205可以選用本領(lǐng)常用的掩膜，例如光刻膠層或者由光刻膠層、底部抗反射層等組成的疊層等。
[0090]所述柱形圖案定義了所要形成的蝕刻停止層204的形狀以及關(guān)鍵尺寸。
[0091]執(zhí)行步驟205，以所述掩膜層205為掩膜蝕刻所述蝕刻停止層204，以將圖案轉(zhuǎn)移至所述蝕刻停止層204中，以在壓力傳感膜上擬形成開口的區(qū)域形成蝕刻停止層204。
[0092]具體地，如圖3d所示，在該步驟中將所述掩膜層205中的圖案轉(zhuǎn)移至所述蝕刻停止層204中，以形成蝕刻停止疊層。
[0093]在該步驟中，可以分為兩個步驟，首先，以所述掩膜層205為掩膜蝕刻所述硬掩膜層，以打開所述硬掩膜層，露出所述無定形碳層；在該步驟中蝕刻所述硬掩膜層的氣氛包括SF6、CF4、CHF3 和 Ar。
[0094]進(jìn)一步,所述SF6、CF4、CHF3 和 Ar 的流量分別為 15-35sccm、30_50sccm、10_40sccm和200-400sccm ;所述蝕刻壓力為120_160mtorr，源功率為1500_1900w，偏執(zhí)功率為300-700wo
[0095]可選地，所述SF6λ CF4A CHF3 和 Ar 的流量分別為 25sccm、40sccm、25sccm 和300sccm ;所述蝕刻壓力為140mtorr，源功率為1700w，偏執(zhí)功率為500w。
[0096]在第二步中，以所述硬掩膜層為掩膜蝕刻所述無定形碳層，以將圖案轉(zhuǎn)移至所述無定形碳層中，以在所述壓力傳感膜203上形成圖案化的所述蝕刻停止層204 ;在該步驟中蝕刻所述無定形碳層的氣氛包括O2和CO。
[0097]進(jìn)一步，所述O2和CO的流量分別為10-30sccm和200-400sccm ;所述蝕刻壓力為50-150mtorr，源功率為 800_1200w，偏執(zhí)功率為 200_400w。
[0098]可選地，所述O2和CO的流量分別為20sccm和300sccm ;所述蝕刻壓力為10mtorr,源功率為100w,偏執(zhí)功率為300w。
[0099]執(zhí)行步驟206，在所述蝕刻停止層204和所述壓力傳感膜203上沉積覆蓋層206，以覆蓋所述基底201。
[0100]具體地，如圖3e所示，在該步驟中沉積覆蓋層206，以覆蓋所述蝕刻停止層204和所述壓力傳感膜203，所述覆蓋層206可以選用氮化物層，例如可以選用SiN。
[0101]進(jìn)一步,所述覆蓋層的厚度為2.5-4um,可選為3um,但是并不局限于該數(shù)值范圍。
[0102]執(zhí)行步驟207，圖案化所述覆蓋層206，以形成開口，露出所述蝕刻停止層204。
[0103]具體地，如圖3f所示，在該步驟中，在所述覆蓋層206上形成圖案化的第二掩膜層207，所述第二掩膜層中形成有第二開口，所述第二開口與所述蝕刻停止層204相對應(yīng)，所述第二開口位于所述柱形蝕刻停止層204的上方，而且所述第二開口的關(guān)鍵尺寸和所述柱形蝕刻停止層204的關(guān)鍵尺寸相等。
[0104]然后以所述第二掩膜層207為掩膜蝕刻所述覆蓋層206，以形成所述開口，露出所述蝕刻停止層204，如圖3g所示，所述開口用于傳感外界的壓力，因此被稱為快門(Shutter),所述圖案化工藝稱為快門蝕刻工藝(Shutter-ET process)。
[0105]進(jìn)一步，所述覆蓋層206選用SiN，所述硬掩膜層選用SiN，在該步驟中蝕刻所述覆蓋層206的過程中也會去除所述硬掩膜層，直接露出所述無定形碳層。
[0106]在該步驟中通過調(diào)節(jié)蝕刻條件控制所述無定形碳層和所述SiN具有較大的蝕刻選擇比，在蝕刻至所述無定形碳層時停止蝕刻，以所述無定形碳層為蝕刻停止層。
[0107]為了實(shí)現(xiàn)所述目的，在該步驟中蝕刻所述覆蓋層206的氣氛選用Ar、02、CF4和CHF3,或選用 SF6、CF4, CHF3 和 Ar。
[0108]進(jìn)一步，所述Ar、02、CFJPCHF3K流量分別為 100_300sccm、15-20sccm、70-90sccm和 15-40sccm ;或者所述 SF6、CF4, CHF3 和 Ar 的流量分別為 15-40sccm、30-50sccm、15-40sccm和200-400sccm ;所述蝕刻壓力為100_150mtorr，源功率為800_1200w，偏執(zhí)功率為 800-1200w。
[0109]可選地,所述AinO2XFz^P CHF3 的流量分別為 200sccm、18sccm、80sccm 和 25sccm ；或者所述SF6、CF4> CHF3和Ar的流量分別為25sccm、40sccm、25sccm和300sccm ;所述蝕刻壓力為125mtorr，源功率為lOOOw，偏執(zhí)功率為1000w。
[0110]在該步驟中以所述無定形碳層為蝕刻停止層，從而對的所述壓力傳感膜203起到保護(hù)作用，以避免所述壓力傳感膜203在蝕刻中受到損壞或者蝕刻去除量不均一的問題。
[0111]執(zhí)行步驟208，去除所述蝕刻停止層204，以露出所述壓力傳感膜203。
[0112]具體地，如圖3h所示，在該步驟中選用灰化法同時去除第二掩膜層207和所述無定形碳層。
[0113]在該步驟中通過灰化法去除所述無定形碳層，避免了蝕刻方法去除時對所述壓力傳感膜203造成影響，具體方法可以選用本領(lǐng)域常用的方法，不再贅述。
[0114]進(jìn)一步，去除所述蝕刻停止層204之后，所述方法還進(jìn)一步包括濕法清洗的步驟，以在該步驟中去除在蝕刻過程中在所述開口以及側(cè)壁上形成的聚合物。
[0115]至此，完成了本發(fā)明實(shí)施例的壓