所述礦熱爐的爐內(nèi)溫 度不低于1925K，最終使得所述礦熱爐內(nèi)的所述混合料料層表面形成保溫層，出鐵時讓電流 由100A下降50A保持5分鐘，為渣鐵分離提供時間，爐渣分析堿度在1. 8,鉻的回收率達到 86%，鐵的收率達到97%。這種情況下產(chǎn)出的中低碳鉻鐵中Cr彡60%，CS 1.9%。
[0047] 其中，礦熱爐的電極為石墨電極。將礦熱爐的自焙電極換成石墨電極，降低產(chǎn)品中 的滲碳量。
[0048] 首先，將所述鉻精礦與所述多晶硅廢料混合后壓制成硅鉻球或硅鉻塊，可增加爐 況透氣性和材料利用率，降低粉塵；其次，混合料中配入高熔點的鉻塊礦，提高熔點，爐況中 形成冷料層、預熱層、還原層形成有效的保溫效果，實現(xiàn)埋弧冶煉。
[0049] 實施例3 :利用多晶硅廢料一步法冶煉中低碳鉻鐵的工藝，其包括如下步驟：（1) 測定鉻礦成分及含量；（2)計算鉻礦與多晶硅廢料的添加比例；（3)按計算比例配料；（4) 冶煉制得成品；
[0050] (1)測定鉻礦成分及含量，由表1所示；
[0051] (2)計算鉻礦與多晶硅廢料的添加比例：利用步驟⑴測得的結果，結合如下化學 反應式計算鉻礦與多晶硅廢料的添加比例；化學反應式如下：
[0052] 2Cr203+3Si = 4Cr+3Si02 (a)
[0053] Cr203+SiC = 2Cr+C0+Si02 (b)
[0054] 2Fe0+Si = 2Fe+Si02 (c)
[0055] 3Fe0+SiC = 3Fe+C0+Si (d)
[0056] (3)按計算比例配料：按所述步驟（2)計算得到的添加比例配制鉻礦與多晶硅廢 料的混合料；混合料中，硅鉻球：100份，鉻塊礦130份，Ca0>85%的石灰140份；硅鉻球中， 多晶硅切割廢料與鉻精礦的質量比為22 :10,鉻精礦的Cr/Fe比為1. 82 ;鉻塊礦中Cr/Fe為 2. 1，Cr2O3的質量百分含量為35. 69%。
[0057] (4)冶煉制得成品：將所述步驟（3)配制的所述混合料，均勻連續(xù)的投入礦熱爐 中，在冶煉時間260分鐘內(nèi)，向所述礦熱爐內(nèi)投加22噸所述混合料。所述礦熱爐的爐內(nèi)溫 度不低于1925K，最終使得所述礦熱爐內(nèi)的所述混合料料層表面形成保溫層，出鐵時讓電 流由100A下降50A保持5分鐘，為渣鐵分離提供時間，爐渣分析堿度在1. 85，鉻的回收率達 到85%，鐵的收率達到96%。這種情況下產(chǎn)出的中低碳鉻鐵中Cr彡60%，C彡1.45%。
[0058] 實施例4 :利用多晶硅廢料一步法冶煉中低碳鉻鐵的工藝，其包括如下步驟：（1) 測定鉻礦成分及含量；（2)計算鉻礦與多晶硅廢料的添加比例；（3)按計算比例配料；（4) 冶煉制得成品；
[0059] (1)測定鉻礦成分及含量，由表1所示；
[0060] (2)計算鉻礦與多晶硅廢料的添加比例：利用步驟（1)測得的結果，結合如下化學 反應式計算鉻礦與多晶硅廢料的添加比例；化學反應式如下：
[0061] 2Cr203+3Si = 4Cr+3Si02 (a)
[0062] Cr203+SiC = 2Cr+C0+Si02 (b)
[0063] 2Fe0+Si = 2Fe+Si02 (c)
[0064] 3Fe0+SiC = 3Fe+C0+Si (d)
[0065] (3)按計算比例配料：按所述步驟⑵計算得到的添加比例配制鉻礦與多晶硅廢 料的混合料；混合料中，硅鉻塊：100份，鉻塊礦130份，Ca0>85%的石灰160份；硅鉻塊中， 多晶硅切割廢料與鉻精礦的質量比為22 :10,鉻精礦的Cr/Fe比為1. 82 ;鉻塊礦中Cr/Fe為 2. 1，Cr2O3的質量百分含量為35. 69%。
[0066] (4)冶煉制得成品：將所述步驟⑶配制的所述混合料，均勻連續(xù)的投入礦熱爐 中，在冶煉時間250分鐘內(nèi)，向所述礦熱爐內(nèi)投加21噸所述混合料。所述礦熱爐的爐內(nèi)溫 度不低于1925K，最終使得所述礦熱爐內(nèi)的所述混合料料層表面形成保溫層，出鐵時讓電流 由IOOA下降50A保持5分鐘，為渣鐵分離提供時間，爐渣分析堿度在1. 95,鉻的回收率達到 85%，鐵的收率達到97%。這種情況下產(chǎn)出的中低碳鉻鐵中Cr彡58%，CS 3. 5%。
[0067] 其中，礦熱爐的電極為石墨電極。將礦熱爐的自焙電極換成石墨電極，降低產(chǎn)品中 的滲碳量。
[0068] 首先，將所述鉻精礦與所述多晶硅廢料混合后壓制成硅鉻球或硅鉻塊，可增加爐 況透氣性和材料利用率，降低粉塵；其次，混合料中配入高熔點的鉻塊礦，提高熔點，爐況中 形成冷料層、預熱層、還原層形成有效的保溫效果，實現(xiàn)埋弧冶煉。
[0069] 實施例5 :實施例1-4礦熱爐結構及變壓器運行負荷
[0070] 1、礦熱爐爐膛結構
[0071] 按自培鎂碳磚設計。爐膛直徑：4100mm ;爐膛深度：2000mm ;極心圓直徑1650mm。
[0072] 2、出鐵口
[0073] 出鐵口位于爐底下斜2°的平行位置，采用組合式爐口砌磚方案（國外稱"米老鼠" 形式）。
[0074] 3、溫度測量熱電偶套管埋設布置
[0075] 1)爐底測量套管分二層安置：
[0076] 第一層安置在爐底耐火磚砌磚的找平層，共3支，二支位于電極正下方，另一支正 對出鐵口方位。
[0077] 第二層安置在爐底鎂碳磚（405X2)與耐火磚之間，采用耐火磚砌磚留縫的方式， 埋測量套管，用粗縫糊搗打填充，數(shù)量3支，埋設方位與第一層相同。
[0078] 2)爐壁測量套管自爐膛底部至上口共三層（自培鎂碳磚），徑向方向按大面（兩 根電極之間）、小面（正對電極）各2支共12支。
[0079] 4、5200kVA鉻鐵變壓器運行負荷
[0080] 表3最大負荷控制表
[0081] CN 105177290 A 機切6/6 頁
【主權項】
1. 利用多晶硅廢料一步法冶煉中低碳鉻鐵的工藝，其特征在于，用多晶硅廢料為還原 劑，冶煉鉻礦，制得中低碳鉻鐵。2. 根據(jù)權利要求1所述的利用多晶硅廢料一步法冶煉中低碳鉻鐵的工藝，其特征在 于，其包括如下步驟：（1)測定鉻礦成分及含量；(2)計算鉻礦與多晶硅廢料的添加比例； (3)按計算比例配料；(4)冶煉制得成品； (1) 測定鉻礦成分及含量； (2) 計算鉻礦與多晶硅廢料的添加比例：利用步驟（1)測得的結果，結合如下化學反應 式計算鉻礦與多晶硅廢料的添加比例；化學反應式如下： 2Cr203+3Si = 4Cr+3Si02 (a) Cr203+SiC = 2Cr+CO+SiOz (b) 2FeO+Si = 2Fe+SiOz (c) 3FeO+SiC = 3Fe+C0+Si (d) (3) 按計算比例配料：按所述步驟（2)計算得到的添加比例配制所述鉻礦與所述多晶 硅廢料的混合料； (4) 冶煉制得成品：將所述步驟（3)配制的所述混合料均勻連續(xù)的投入礦熱爐中，所述 礦熱爐的爐內(nèi)溫度不低于1925K，冶煉時間控制在240-260分鐘，最終使得所述礦熱爐內(nèi)的 所述混合料料層表面形成保溫層，冶煉過程中，添加堿劑控制排出渣的堿度，將所述排出渣 堿度控制在1. 65-1. 95,最終生產(chǎn)出中低碳鉻鐵成品。3. 根據(jù)權利要求2所述的利用多晶硅廢料一步法冶煉中低碳鉻鐵的工藝，其特征在 于，所述步驟（4)向所述礦熱爐內(nèi)投加所述混合料的速度控制為在冶煉時間240-260分鐘 內(nèi)，向所述礦熱爐內(nèi)投加20-22噸所述混合料。4. 根據(jù)權利要求3所述的利用多晶硅廢料一步法冶煉中低碳鉻鐵的工藝，其特征在 于，所述堿劑為石灰。5. 根據(jù)權利要求4所述的利用多晶硅廢料一步法冶煉中低碳鉻鐵的工藝，其特征在 于，所述礦熱爐的電極為石墨電極。6. 根據(jù)權利要求2-5任意一項所述的利用多晶硅廢料一步法冶煉中低碳鉻鐵的工藝， 其特征在于，所述鉻礦為鉻精礦和鉻塊礦，所述鉻精礦與所述多晶硅廢料混合后壓制成硅 鉻球或硅鉻塊，所述硅鉻球或所述硅鉻塊與所述鉻塊礦混合形成所述混合料。
【專利摘要】本發(fā)明公開了利用多晶硅廢料一步法冶煉中低碳鉻鐵的工藝，用多晶硅廢料為還原劑，冶煉鉻礦，制得中低碳鉻鐵。本發(fā)明的優(yōu)點：以多晶硅廢料為還原劑，將傳統(tǒng)的三步法冶煉，用本發(fā)明一步法即可完成,生產(chǎn)成本與傳統(tǒng)方法比較，節(jié)約了將近2/3,同時冶煉時間也大大縮短，提高了生產(chǎn)效率；同時減少了生產(chǎn)過程中的環(huán)境污染，提高了能源利用率，提高了生產(chǎn)中的安全性；本發(fā)明中鉻的回收率達到85％以上，鐵的收率達到95％以上。
【IPC分類】C22B5/04, C22B34/32, C22B4/06
【公開號】CN105177290
【申請?zhí)枴?br>【發(fā)明人】馬君瑞, 馬長順
【申請人】馬君瑞
【公開日】2015年12月23日
【申請日】2015年7月27日