射頻信號峰值探測器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及集成電路領(lǐng)域，特別是涉及一種射頻信號峰值探測器。
【背景技術(shù)】
[0002]射頻Rad1 Frequency，簡稱RF射頻就是射頻電流，它是一種高頻交流變化電磁波的簡稱。每秒變化小于1000次的交流電稱為低頻電流，大于10000次的稱為高頻電流，而射頻就是這樣一種高頻電流。射頻技術(shù)在無線通信領(lǐng)域具有廣泛的、不可替代的作用。射頻發(fā)射器通常需要一個功率/峰值探測器用來監(jiān)控和控制輸出功率，但現(xiàn)有射頻發(fā)射器峰值探測器結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜，制作成本較高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種與現(xiàn)有射頻信號峰值探測器相比結(jié)構(gòu)簡單制造成本低的射頻信號峰值探測器。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供的射頻信號峰值探測器，包括:
[0005]耦合電容Cl的負(fù)極作為射頻信號峰值探測器的射頻耦合輸入端P1，耦合電容Cl的正極連接第一電阻Rl的一端，第一電阻Rl的另一端連接第二電阻R2 —端以及第四電阻R4的一端；
[0006]第二電阻R2的另一端接二極管D的負(fù)極，二極管D的正極接地；
[0007]第四電阻R4的另一端作為射頻信號峰值探測器的射頻耦合輸出端P2并通過低通電容C2接地；
[0008]進(jìn)一步改進(jìn)，還包括，第三電阻R3，其一端連接于第一電阻Rl和第四電阻R4之間另一端接地。
[0009]進(jìn)一步改進(jìn)，二極管D可由一個PMOS、NM0S、雙極PNP或雙極NPN代替。
[0010]本發(fā)明工作時，射頻信號的電壓波形通過耦合電容Cl和第一電阻Rl耦合至VDET端(詳見附圖1)。耦合電容C和第一電阻Rl的參數(shù)可以通過射頻信號的頻率及耦合點的阻抗進(jìn)行調(diào)整。當(dāng)沒有射頻信號時，VDET端的直流電壓為0，二極管D零偏并處于高阻狀態(tài)。當(dāng)射頻功率逐漸上升時，VDET端的電壓擺幅逐漸上升，但仍然在OV附近。當(dāng)其擺幅的谷值低于-Vth (Vth是二極管D的導(dǎo)通電壓)時，二極管D瞬間導(dǎo)通并為VDET端提供一個到地的通路，將VDET端的低電壓鉗位于-Vth。當(dāng)射頻功率進(jìn)一步上升時，電壓波形的谷值鉗位于-Vth，流過二極管D的電流通過第三電阻R3放電，這樣VDET端的直流電壓正比于其交流信號的幅度。本發(fā)明中的低通電容C2濾波可以濾除射頻信號，并保持其輸出電壓VOUT的直流分量。本發(fā)明中的輸出電壓VOUT可以通過模擬電路進(jìn)一步處理其檢測輸出的波形。
[0011]本發(fā)明提供的射頻信號峰值探測器結(jié)構(gòu)簡單，版圖面積非常小。本發(fā)明不需偏置電路，也沒有直流損耗，本發(fā)明的峰值探測器輸入阻抗高，對射頻信號測量點的輸出阻抗不敏感，從而不會對被測量的主電路有明顯的負(fù)載效應(yīng)。假設(shè)二極管D的閾值電壓是￥訪，射頻測量點信號的幅度是Arf，如果Arf>Vth，那么峰值探測器輸出直流電壓Vout = Arf-Vth,可以將其放置于功率放大器中級間匹配的任何一處。本發(fā)明提供的射頻信號峰值探測器對于主電路沒有明顯的負(fù)載效應(yīng)，故不會影響其射頻特性。
【附圖說明】
[0012]下面結(jié)合附圖與【具體實施方式】對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明:
[0013]圖1為本發(fā)明第一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]圖2為本發(fā)明第二實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0015]圖3為本發(fā)明第三實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0016]圖3-1為本發(fā)明第四實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖4為本發(fā)明第五實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0018]圖4-1為本發(fā)明第六實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0019]圖5為本發(fā)明第七實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0020]圖5-1為本發(fā)明第八實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0021]圖6為本發(fā)明第九實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0022]圖6-1為本發(fā)明第十實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0023]如圖1所示本發(fā)明提供的第一實施例，包括:耦合電容Cl的負(fù)極作為射頻信號峰值探測器的射頻親合輸入端Pl (PTAP)，親合電容Cl的正極連接第一電阻Rl的一端，第一電阻Rl的另一端連接第二電阻R2 —端以及第四電阻R4的一端；
[0024]第二電阻R2的另一端接二極管D的負(fù)極，二極管D的正極接地；
[0025]第四電阻R4的另一端作為射頻信號峰值探測器的射頻耦合輸出端P2并通過低通電容C2接地；
[0026]如圖2所示本發(fā)明提供的第二實施例，其與第一實施例的差別在于，還包括，第三電阻R3，其一端連接于第一電阻Rl和第四電阻R4之間另一端接地。
[0027]如圖3所示，本發(fā)明提供的第三實施例，其與第一實施例的差別在于，二極管D可由一個PMOS代替。
[0028]如圖3-1所示，本發(fā)明提供的第四實施例，其與第二實施例的差別在于，二極管D可由一個PMOS代替。
[0029]如圖4所示，本發(fā)明提供的第五實施例，其與第一實施例的差別在于，二極管D可由一個NMOS代替。
[0030]如圖4-1所示，本發(fā)明提供的第六實施例，其與第二實施例的差別在于，二極管D可由一個NMOS代替。
[0031]如圖5所示，本發(fā)明提供的第七實施例，其與第一實施例的差別在于，二極管D可由一個雙極PNP代替。
[0032]如圖5-1所示，本發(fā)明提供的第八實施例，其與第二實施例的差別在于，二極管D可由一個雙極PNP代替。
[0033]如圖6所示，本發(fā)明提供的第九實施例，其與第一實施例的差別在于，二極管D可由一個雙極NPN代替。
[0034]如圖6-1所示，本發(fā)明提供的第十實施例，其與第二實施例的差別在于，二極管D可由一個雙極NPN代替。
[0035]以上通過【具體實施方式】和實施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，但這些并非構(gòu)成對本發(fā)明的限制。在不脫離本發(fā)明原理的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員還可做出許多變形和改進(jìn)，這些也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項】
1.一種射頻信號峰值探測器，其特征是，包括: 耦合電容(Cl)的負(fù)極作為射頻信號峰值探測器的射頻耦合輸入端(P1)，耦合電容(Cl)的正極連接第一電阻(Rl)的一端，第一電阻(Rl)的另一端連接第二電阻(R2) —端以及第四電阻(R4)的一端； 第二電阻(R2)的另一端接二極管(D)的負(fù)極，二極管(D)的正極接地； 第四電阻(R4)的另一端作為射頻信號峰值探測器的射頻耦合輸出端(P2)并通過低通電容(C2)接地。2.如權(quán)利要求1所述的射頻信號峰值探測器，其特征是，還包括:第三電阻(R3)，其一端連接于第一電阻(Rl)和第四電阻(R4)之間另一端接地。3.如權(quán)利要求1或2所述的射頻信號峰值探測器，其特征是:第二電阻(R2)的另一端通過一個PMOS、NMOS、雙極PNP或雙極NPN接地。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種射頻信號峰值探測器，包括：耦合電容的負(fù)極作為射頻信號峰值探測器的射頻耦合輸入端，耦合電容的正極連接第一電阻的一端，第一電阻的另一端連接第二電阻一端、第三電阻一端以及第四電阻的一端；第二電阻的另一端接二極管的負(fù)極，二極管的正極接地；第三電阻的另一端接地；第四電阻的另一端作為射頻信號峰值探測器的射頻耦合輸出端并通過低通電容濾波接地。本發(fā)明的射頻信號峰值探測器與現(xiàn)有射頻信號峰值探測器相比結(jié)構(gòu)簡單，制造成本低。
【IPC分類】G01R19/04
【公開號】CN105182049
【申請?zhí)枴緾N201510588785
【發(fā)明人】何山暐, 趙奐
【申請人】湖南格蘭德芯微電子有限公司
【公開日】2015年12月23日
【申請日】2015年9月16日