處置汞泄露的裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種醫(yī)療器械，尤其涉及一種處置汞泄露的裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]汞柱體溫計、血壓計是一種常見的醫(yī)療器械。其有玻璃管體和其內(nèi)部容納的汞組成。一旦溫度計掉地玻璃破碎或血壓計汞柱破壞后，就會造成汞的泄露。揮發(fā)的汞對人體和環(huán)境都十分有害。而且，我國是汞國際公約參與國，在全球污染中，汞污染源30%以上來源于我國，重視并加強對汞泄漏處理十分重要。但是，汞成珠狀，不易吸附到紙上，因此，打掃起來十分困難。目前，并沒有專門的裝置對泄露的汞進行處理。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]鑒于上述問題，本發(fā)明旨在提出一種具有強力抽吸能力的處置汞泄露的裝置。
[0004]本發(fā)明的處置汞泄露的裝置，其包括:第一本體、第二本體；第一本體與第二本體均形成為圓柱狀，且第一本體與第二本體平行設(shè)置；第一本體上端設(shè)置有第一開口 ；第一本體內(nèi)容納有活塞頭，活塞頭可氣密性地在第一本體內(nèi)往復(fù)運動；活塞頭上側(cè)與活塞桿的第二端連接，活塞桿的第一端設(shè)置有手柄；第一本體下端設(shè)置有第二開口，第二開口與“U”型通道的第一端連通；“U”型通道的第二端連接有吸入嘴；“U”型通道的中部設(shè)置有第三開口 ；第二本體中設(shè)置有網(wǎng)，網(wǎng)位于所述第三開口的上方；在網(wǎng)的上側(cè)，第二本體容納有硫磺粉柱，硫磺粉柱的第一端設(shè)置有旋轉(zhuǎn)帽；在網(wǎng)的下側(cè)，第二本體通過所述第三開口與所述“U”型通道連通；第二本體的下端延伸超過所述“U”型通道，在第二本體的下端處可拆卸地氣密性地設(shè)置有容納部，容納部下側(cè)進一步可拆除地設(shè)置有蓋帽。
[0005]優(yōu)選地，所述吸入嘴上可旋轉(zhuǎn)地設(shè)置有放大鏡。
[0006]優(yōu)選地，所述活塞頭為平行設(shè)置的多個活塞頭。進一步優(yōu)選地，所述活塞頭為2個或3個活塞頭。
[0007]優(yōu)選地，所述吸入嘴由可伸縮的波紋管形成。
[0008]本發(fā)明的處置汞泄露的裝置利用活塞裝置形成強大的抽吸力，可以將泄漏的汞珠吸走；由于吸入嘴與“U”型通道連接，吸入的汞珠隨即進入“U”型通道；由于“U”型通道與第二本體的下部連接，而第二本體的下部空間要顯著大于“U”型通道的截面積，抽吸力在此處瞬間下降，汞珠于是落在容納部中。由此，泄露的汞珠被收集。第二本體中的硫磺粉柱與網(wǎng)旋轉(zhuǎn)摩擦，產(chǎn)生硫磺粉，落入容納部中，覆蓋在汞珠表面，與汞珠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，使得汞成為不易揮發(fā)的硫化汞。
【附圖說明】
[0009]圖1為本發(fā)明的處置汞泄露的裝置的截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0010]圖2為圖1所不的處置萊泄露的裝置的俯視不意圖；
[0011]圖3為圖1所示的處置汞泄露的裝置的去除活塞與硫磺粉柱后的主要部件示意圖；
[0012]圖4為活塞的一種實施方式；
[0013]圖5為活塞的另一種實施方案。
【具體實施方式】
[0014]下面，結(jié)合附圖對本發(fā)明的處置汞泄露的裝置進行詳細說明。
[0015]如圖1-5所示，本發(fā)明的處置萊泄露的裝置，其包括:第一本體10、第二本體20。
[0016]第一本體10與第二本體20均形成為圓柱狀，且第一本體10與第二本體20平行設(shè)置。第一本體10與第二本體20的內(nèi)圍尤其要設(shè)計成圓柱狀，外圍可以是其他形狀。
[0017]第一本體10上端設(shè)置有第一開口，用于在活塞抽吸時排除第一本體10上部的氣體。第一本體10內(nèi)容納有活塞頭13，活塞頭13可氣密性地在第一本體內(nèi)往復(fù)運動?；钊^13上側(cè)與活塞桿12的第二端連接，活塞桿12的第一端設(shè)置有手柄11。
[0018]第一本體10下端設(shè)置有第二開口 14，第二開口 14與“U”型通道的第一端15連通；“U”型通道的第二端16連接有吸入嘴17?！癠”型通道的中部設(shè)置有第三開口 18、19，圖1中的標記18、19 一起構(gòu)成第三開口。
[0019]第二本體20中設(shè)置有網(wǎng)23，網(wǎng)23位于第三開口 18、19的上方。在網(wǎng)13的上側(cè)，第二本體20容納有硫磺粉柱22，硫磺粉柱22的第一端設(shè)置有旋轉(zhuǎn)帽21。在網(wǎng)23的下側(cè)，第二本體20通過第三開口 18、19與“U”型通道連通。第二本體20的下端延伸超過“U”型通道。在第二本體20的下端處可拆卸地氣密性地設(shè)置有容納部40，容納部40下側(cè)進一步可拆除地設(shè)置有蓋帽41。
[0020]吸入嘴17上可旋轉(zhuǎn)地設(shè)置有放大鏡30，便于搜查細小的汞珠。吸入嘴17由可伸縮的波紋管形成，便于調(diào)整角度，對于滾入墻角或床下的汞珠也便于收集。
[0021]活塞頭13可以為平行設(shè)置的多個活塞頭，比如2個或3個。這樣，即使硫磺粉吸入并粘附在第一本體內(nèi)壁上，由于多重活塞頭的存在，硫磺粉無法破壞第二個或第三個活塞頭與第一本體之間的氣密性，從而保證了抽吸力。
[0022]本發(fā)明的處置汞泄露的裝置中，活塞是形成抽吸力的關(guān)鍵，“U”型通道是將吸入的汞珠導(dǎo)入第二本體的關(guān)鍵，“U”型通道通過第三開口與第二本體的下部連通，使得從第二端16、第三開口 18、19到第一端15，在第三開口 18、19處的抽吸力驟降，原因是“U”型通道與第二本體下部連通后，使得汞珠的吸入通道在第二本體下部處突然變大，因此，汞珠才能被留在第二本體內(nèi)，而不是一直被吸入第一本體中。汞珠留在第二本體后停止抽吸活塞，使得汞珠掉入容納部40，此時旋轉(zhuǎn)硫磺粉柱22與網(wǎng)23摩擦，使得硫磺粉落在汞珠的表面，發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，產(chǎn)生不易揮發(fā)的硫化汞。容納部40的可拆除是為了裝置的多次利用。拆下容納部40后用蓋帽41將其封閉，以方便后續(xù)處理。然后，替換新的容納部和蓋帽即可進行下一次操作。
[0023]附圖只是示意性地表述本發(fā)明的基本結(jié)構(gòu)，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以在實施中作具體調(diào)整。比如，第一本體上端的第一開口可以開的大一些，以方便抽吸。圖中的尺寸也是示意性的。
【主權(quán)項】
1.一種處置汞泄露的裝置，其特征在于包括:第一本體、第二本體； 第一本體與第二本體均形成為圓柱狀，且第一本體與第二本體平行設(shè)置； 第一本體上端設(shè)置有第一開口 ；第一本體內(nèi)容納有活塞頭，活塞頭可氣密性地在第一本體內(nèi)往復(fù)運動；活塞頭上側(cè)與活塞桿的第二端連接，活塞桿的第一端設(shè)置有手柄； 第一本體下端設(shè)置有第二開口，第二開口與“U”型通道的第一端連通；“U”型通道的第二端連接有吸入嘴；“u”型通道的中部設(shè)置有第三開口 ； 第二本體中設(shè)置有網(wǎng)，網(wǎng)位于所述第三開口的上方；在網(wǎng)的上側(cè)，第二本體容納有硫磺粉柱，硫磺粉柱的第一端設(shè)置有旋轉(zhuǎn)帽；在網(wǎng)的下側(cè)，第二本體通過所述第三開口與所述“U”型通道連通；第二本體的下端延伸超過所述“U”型通道，在第二本體的下端處可拆卸地氣密性地設(shè)置有容納部，容納部下側(cè)進一步可拆除地設(shè)置有蓋帽。2.如權(quán)利要求1所述的處置汞泄露的裝置，其特征在于:所述吸入嘴上可旋轉(zhuǎn)地設(shè)置有放大鏡。3.如權(quán)利要求1所述的處置汞泄露的裝置，其特征在于:所述活塞頭為平行設(shè)置的多個活塞頭。4.如權(quán)利要求3所述的處置汞泄露的裝置，其特征在于:所述活塞頭為2個活塞頭。5.如權(quán)利要求3所述的處置汞泄露的裝置，其特征在于:所述活塞頭為3個活塞頭。6.如權(quán)利要求1所述的處置汞泄露的裝置，其特征在于:所述吸入嘴由可伸縮的波紋管形成。
【專利摘要】處置汞泄露的裝置包括：第一本體、第二本體，均形成為圓柱狀，且互相平行設(shè)置；第一本體上端設(shè)置有第一開口；第一本體內(nèi)容納有活塞頭，活塞頭可氣密性地在第一本體內(nèi)往復(fù)運動；活塞頭上側(cè)與活塞桿的第二端連接，活塞桿的第一端設(shè)置有手柄；第一本體下端設(shè)置有第二開口，第二開口與“U”型通道的第一端連通；“U”型通道的第二端連接有吸入嘴；“U”型通道的中部設(shè)置有第三開口；第二本體中設(shè)置有網(wǎng)，網(wǎng)位于所述第三開口的上方；在網(wǎng)的上側(cè)設(shè)置有硫磺粉柱，硫磺粉柱的第一端設(shè)置有旋轉(zhuǎn)帽；在網(wǎng)的下側(cè)，第二本體通過所述第三開口與“U”型通道連通；第二本體的下端延伸超過“U”型通道，在第二本體的下端處可拆卸地氣密性地設(shè)置有容納部。
【IPC分類】C01G13/00, G01K5/04
【公開號】CN105258816
【申請?zhí)枴緾N201510794635
【發(fā)明人】高麗萍, 陳典璇, 王藝璇, 楊青青
【申請人】高麗萍
【公開日】2016年1月20日
【申請日】2015年11月18日