一種功率放大器老化裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于功率放大器領(lǐng)域，特別涉及一種半導(dǎo)體功率放大器的老化裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]老化是電子元器件可靠性篩選的基本試驗，其目的是為了剔除由于制造工藝控制不當(dāng)引入了缺陷或使用的原材料本身具有缺陷的元器件。為了使元器件在使用前將有缺陷的元器件篩選出來，一般需要在高溫、高壓、高電流環(huán)境中試驗，使壽命較短的元器件在老化試驗中提前顯示出來。一般的半導(dǎo)體器件，通常使用高溫試驗進行老化，即控制器件芯片的結(jié)溫在一定溫度范圍內(nèi)。
[0003]半導(dǎo)體功率器件，其結(jié)溫往往不易控制，老化時功率大，容易導(dǎo)致器件溫度過高，可能會燒毀器件。目前，功率放大器的老化多是參照產(chǎn)品手冊設(shè)計電路，沒有考慮實際使用情況。例如中國實用新型專利說明書CN201340448Y中公開了一種開關(guān)三極管的老煉電路裝置，對功率器件的老化電路進行了設(shè)計，但其只設(shè)計了老化電路，而沒有考慮器件的結(jié)溫，在實際應(yīng)用中不能準確控制結(jié)溫，老化不一定能達到預(yù)期效果。
[0004]而對于T0-8等封裝類型的功率器件，不僅結(jié)溫不易控制，而且器件的引線即長又細，在進行老化時，如果器件引線夾具設(shè)計不當(dāng)，在器件進行拔插時極易損壞引線鍍層。例如中國實用新型專利說明書CN201138360Y公開了一種老化裝置，增加了老化元器件的數(shù)量，并且增加了夾具的壽命，但其并沒有解決元器件引線鍍層損傷的問題。
[0005]因此，需對T0-8等封裝類型的器件設(shè)計一種老化裝置，解決T0-8等封裝類型元器件的結(jié)溫控制問題和引線鍍層損傷問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]針對上述現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的目的在于提供一種功率放大器老化裝置，用于克服現(xiàn)有技術(shù)中，對于T0-8等封裝類型的功率放大器老化試驗中結(jié)溫不易控制，元器件引線鍍層容易損傷，老化效率低，不能滿足大批量篩選要求等缺點。
[0007]為了達到上述目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案。
[0008]本發(fā)明一種功率放大器老化裝置，該裝置包括老化電路板和老化電路；
[0009]所述老化電路板包括:用于連接外部電源的插卡、由絕緣材料制成的老化板、用于裝載待老化功率放大器的老化夾具、用于對待老化功率放大器進行監(jiān)測測試端和用于連接器件的布線；插卡位于老化板的上端，老化夾具裝配在老化板上，老化夾具通過老化板上的布線分別與插卡和測試端連接，測試端位于老化板下端；
[0010]所述老化電路包括:電阻1?1、1?2、1?3、1?4、1?5、1^，電容C1、C2、C3 ;電阻R1的一端與外部脈沖發(fā)生器相連，另一端連接待老化功率放大器反向輸入端；正電源ν+和負電源V為待老化功率放大器供電，正電源v+和調(diào)節(jié)電阻R4串聯(lián)，與待老化功率放大器正電源端和正電源端電流控制端相連；負電源V和調(diào)節(jié)電阻R5串聯(lián)，與待老化功率放大器負電源端和負電源端電流控制端相連；濾波電容C1 一端連接待老化功率放大器正電源端，另一端接地；電濾波容C2 —端連接待老化功率放大器負電源，另一端接地；電阻R3的一端接地，另一端連接待老化功率放大器同相輸入端；反饋電阻R2 —端連接待老化功率放大器反向輸入端，另一端連接待老化功率放大器輸出端；電容C3 —端連接待老化功率放大器補償端，另一端連接待老化功率放大器輸出端；電阻& 一端連接待老化功率放大器輸出端，另一端接地。
[0011]所述老化夾具包括下基座、上基座、引腳和插針；下基座呈凸臺形結(jié)構(gòu)，包括下基座芯體、下基座底板和卡子；下基座芯體固連在下基座底板上，下基座芯體為立方體結(jié)構(gòu)，其四個側(cè)面分別加工有豎直凹槽，凹槽貫穿下基座芯體的上底面和下底面，下基座底板左右兩側(cè)各加工有一對卡子；上基座為中空的立方體形結(jié)構(gòu)，上基座的中間的通孔形狀為矩形，矩形通孔截面的各個邊與處于同一截面的上基座的各個邊平行，矩形通孔大小與下基座芯體相應(yīng)；矩形通孔四個側(cè)面上分別加工有裝配槽，裝配槽為盲孔，其一端貫穿上基座下底面，但未貫穿上基座上底面，盲孔底部向外傾斜，裝配槽與下基座芯體側(cè)面的凹槽相對應(yīng)；上基座左右外側(cè)面上分別加工有一對卡合槽，卡合槽上端加工有V形槽，與下基座底板左右兩側(cè)的卡子相應(yīng)；在下基座與上基座裝配過程中，上基座下壓到底時，下基座底板的上底面與上基座的下底面接觸，上基座的上底面與下基座芯體的上底面平齊，位于下基座底板左右兩側(cè)的卡子，會自動卡住上基座外側(cè)面的卡合槽上端V形槽；引腳位于下基座側(cè)面的凹槽中，引腳底部焊有插針，插針露出下基座的下底面，與老化板上的布線連接。
[0012]所述老化電路中，電阻R1阻值范圍為4.7±0.5ΚΩ，電阻R2阻值范圍為10.0±0.5ΚΩ，電阻R3阻值范圍為3.0±0.5ΚΩ，電阻R4阻值范圍為50±10Ω，電阻R5阻值范圍為50±10Ω，電阻&阻值范圍為100±10Ω，電容C1的值為0.1 μ F，電容C2的值為0.1 μ F，電容C3的取值范圍為680±50pF。
[0013]所述老化夾具的下基座和上基座由絕緣材料制成。
[0014]所述下基座的凹槽每個側(cè)面的數(shù)量依據(jù)待老化功率放大器弓I線數(shù)確定。
[0015]所述下基座的凹槽每個側(cè)面的數(shù)量為3個或4個。
[0016]所述老化夾具的引腳為U字形結(jié)構(gòu)，由彈性導(dǎo)電材料制成，其一側(cè)有伸出端，引腳位于下基座側(cè)面的凹槽中，在下基座與上基座裝配過程中，上基座的裝配槽會壓縮引腳的伸出端，使引腳逐漸閉合，夾緊待老化功率放大器引線。
[0017]所述老化夾具的插針由導(dǎo)電材料制成。
[0018]所述老化夾具依據(jù)待老化功率放大器的數(shù)量并聯(lián)多個安裝，對于待老化功率放大器的每個Pin腳引線，老化夾具上存在對應(yīng)的引腳與該Pin腳接觸。
[0019]外部信號發(fā)生器產(chǎn)生的輸入信號，加載于待老化功率放大器反向輸入端，經(jīng)待老化功率放大器進行電流放大后，由功率放大器輸出端輸出，再通過老化板上的布線輸出到測試端，對待老化功率放大器的老化過程進行監(jiān)測。
[0020]本發(fā)明實施例提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是:
[0021](1)通過對T0-8等封裝類型的功率放大器進行老化試驗，計算監(jiān)測得到老化結(jié)溫為115°C?125°C，符合半導(dǎo)體器件老化對結(jié)溫的要求，因此，本發(fā)明所述的老化電路，滿足篩選中對半導(dǎo)體器件結(jié)溫的控制要求。
[0022](2)該老化試驗夾具上的插孔屬于非直接插拔類型，器件的引線通過U字形引腳夾緊，減小了插拔對引線鍍層的損傷，且此方式在安裝器件時減少安裝時間，夾具尺寸與器件尺寸相當(dāng)，可在老化電路板上安置多個夾具，大大提高了老化篩選的效率。
【附圖說明】
[0023]圖1為本發(fā)明一種功率放大器老化裝置的老化電路板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖2為本發(fā)明一種功率放大器老化裝置的老化試驗夾具立體圖；
[0025]圖3為本發(fā)明一種功率放大器老化裝置的老化試驗夾具閉合時的夾具剖面示意圖；
[0026]圖4為本發(fā)明一種功率放大器老化裝置的老化電路圖。
[0027]圖中:1-插卡，2-老化板，3-老化夾具，4-測試端，5-功率放大器正電源端，6_功率放大器反向輸入端，7-功率放大器同相輸入端，8-功率放大器負電源端，9-正電源端電流控制端，10-功率放大器補償端，11-負電源端電流控制端，12-功率放大器輸出端，31-下基座，32-上基座，33-引腳，34-插針，311-下基座芯體，312-下基座底板，313-凹槽，314-卡子,321-裝配槽，322-卡合槽。
【具體實施方式】
[0028]下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明作詳細說明。
[0029]本發(fā)明功率放大器老化裝置的一種實施方式包括:老化電路板和老化電路。
[0030]如圖1所示，本發(fā)明功率放大器老化裝置的老化電路板包括用于連接外部電源的插卡1、由絕緣材料制成的老化板2、用于裝載待老化功率放大器的老化夾具3、用于對待老化功率放大器進行監(jiān)測的測試端4和用于連接器件的布線；老化板2由絕緣材料制成，插卡1位于老化板2的上端，用于連接外部電源；老化夾具3裝配在老化板2上，用以裝載待老化功率放大器，對于待老化功率放大器的每個Pin腳引線，老化夾具3上存在對應(yīng)的引腳與該Pin腳引線接觸，老化夾具3可以依據(jù)待老化器件的數(shù)量，安裝多個；老化夾具3通過老化板2上的布線與插卡1連接，為待老化功率放大器供電；老化夾具3通過老化板2上的布線與位于老化板2下端的測試端4連接，在老化過程中，用于對待老化功率放大器進行監(jiān)測。
[0031]如圖2和圖3所示，老化夾具3包括下基座31、上基座32、引腳33和插針34 ;下基座31呈凸臺形結(jié)構(gòu)，由絕緣材料制成，包括下基座芯體311、下基座底板312和卡子314 ；下基座芯體311固連在下基座底板312上，下基座芯體311為立方體結(jié)構(gòu)，在其四個側(cè)面分別加工有豎直凹槽313，凹槽313貫穿下基座芯體311上下底面，凹槽313每個側(cè)面的數(shù)量依據(jù)待老化功率放大器引線數(shù)確定，每個側(cè)面凹槽313的數(shù)量可以不一樣，本實施例給出的每個側(cè)面凹槽313的數(shù)量都是3個；上基座32為立方體形結(jié)構(gòu)，由絕緣材料制成，上基座32的上下底面中間有貫穿矩形通孔，矩形通孔截面的四個邊與上基座32上下底面四個邊平行，矩形通孔大小與下基座芯體311相應(yīng)；矩形通孔四個側(cè)面上分別加工有裝配槽321，裝配槽321為盲孔，其貫穿上基座32下底面，但沒有貫穿上基座32上底面，盲孔底部向外傾斜，裝配槽321與下基座芯體311側(cè)面的凹槽313相對應(yīng)；在上基座32左右外側(cè)面上分別加工有兩個卡合槽322，卡合槽322上端加工有V形槽，與下基座底板311左右兩側(cè)分別加工的卡子314相應(yīng)；在上基座32下壓時，下基座底板312的上底面，與上基座32的下底面接觸，上基座32的上底面與下基座芯體3