置成由X射線生成可見光并且具有第一表面和第二表面的閃爍體層。X射線成像設備可以包括在第一表面處并且被配置成檢測在閃爍體層中生成的光的第一檢測器以及在第二表面處并且被配置成檢測在閃爍體層中生成的光的第二檢測器。第一檢測器和第二檢測器不同。舉例而言，第一檢測器和第二檢測器可以是不同的TFT檢測器。第一檢測器可以包括具有第一像素大小的多個第一檢測像素，并且第二檢測器可以包括可選地具有小于第一像素大小的第二像素大小的多個第二檢測像素，或者像素大小可以相同。替選地或者另外地，第一檢測器可以包括限定第一有效檢測區(qū)區(qū)的多個第一檢測像素，并且第二檢測器可以包括限定小于第一有效檢測區(qū)區(qū)的第二有效檢測區(qū)區(qū)的多個第二檢測像素。多個第一檢測像素可以具有第一靈敏度，并且多個第二檢測像素可以具有大于第一靈敏度的第二靈敏度。替選地或者另外地，多個第一檢測像素可以具有第一檢測速度，并且多個第二檢測像素可以具有大于第一速度的第二檢測速度。因此，根據(jù)本公開，提供了一種X射線成像設備，其包括夾有單個閃爍體層的不同的檢測器，其中一個檢測器可以被設計用于特定的增強操作，諸如更高分辨率、更高靈敏度和更低劑量、更高速度等。
[0024]在一些實施例中，第一檢測器可以包括包含多個第一檢測像素的TFT檢測器陣列。第二檢測器可以包括包含多個第二檢測像素的CMOS傳感器。TFT檢測器陣列的第一檢測像素具有第一像素大小。CMOS傳感器的第二檢測像素具有第二像素大小。CMOS傳感器的第二像素大小可以小于TFT檢測器陣列的第一像素大小。在一些實施例中，TFT檢測器陣列的第一像素大小可以是CMOS傳感器的第二像素大小的整數(shù)倍。
[0025]第一檢測器提供由TFT檢測器陣列的多個第一檢測像素限定的第一有效檢測區(qū)區(qū)。第二檢測器包括由CMOS傳感器的多個第二檢測像素限定的第二有效檢測區(qū)區(qū)。由CMOS傳感器提供的第二有效檢測區(qū)區(qū)可以小于由TFT檢測器陣列提供的第一有效檢測區(qū)區(qū)。
[0026]在一些實施例中，由TFT檢測器陣列提供的第一有效檢測區(qū)區(qū)可以基本上覆蓋閃爍體層的整個第一表面。由CMOS傳感器提供的第二有效檢測區(qū)區(qū)可以覆蓋閃爍體層的第二表面的部分。在一些實施例中，未由CMOS傳感器的第二有效檢測區(qū)區(qū)覆蓋的閃爍體層的第二表面的部分可以涂覆有反射涂層。在一些實施例中，可拆卸反射器可以附接到未由第二有效檢測區(qū)覆蓋的閃爍體層的第二表面的部分。在一些實施例中，未由第二有效檢測區(qū)區(qū)覆蓋的閃爍體層的第二表面的部分可以涂覆有光學涂層，光學涂層具有基本上與CMOS傳感器的反射率相同的反射率。
[0027]在一些實施例中，第二檢測器可以包括并排平鋪的兩個或更多個CMOS傳感器以提供例如矩形或正方形的更大的有效檢測區(qū)區(qū)。例如，由平鋪的CMOS傳感器提供的有效檢測區(qū)區(qū)可以基本上覆蓋閃爍體層的第二表面的整個寬度和側(cè)部。
[0028]X射線成像設備中的閃爍體層、第一檢測器和第二檢測器可以布置成各種配置。在一些實施例中，閃爍體層、第一檢測器和第二檢測器可以被布置成使得入射的X射線在閃爍體層中傳播之前首先穿過TFT檢測器陣列。舉例而言，第一檢測器可以包括基本上透射X射線的基板以及TFT檢測器陣列，并且被布置在閃爍體層的第一表面處使得TFT檢測器陣列在基板與閃爍體層之間。這樣，X射線在使用時在閃爍體層中傳播之前穿過基板以及然后穿過TFT檢測器陣列。
[0029]第二檢測器可以包括CMOS晶片和多個檢測像素，并且被布置在閃爍體的第二表面處使得檢測像素在閃爍體層與CMOS晶片之間。CMOS晶片可以在外圍附近設置有通孔使得諸如彎曲連接器等電接觸能夠通過通孔耦合到CMOS檢測像素。替選地，閃爍體層與CMOS傳感器之間可以布置有光纖面板(F0FP)。這樣，彎曲連接器可以耦合到CMOS檢測像素而不需要在CMOS晶片中有通孔。在一些實施例中，第二檢測器可以布置在閃爍體的第二表面處使得CMOS晶片在閃爍體層與CMOS檢測像素之間。這樣，在閃爍體中生成的光在由CMOS檢測像素檢測之前穿過CMOS晶片。
[0030]在替選實施例中，閃爍體層、第一檢測器和第二檢測器可以布置成使得X射線在閃爍體層中傳播之前首先穿過CMOS傳感器。舉例而言，第二檢測器可以包括CMOS晶片和多個檢測像素，并且被布置成使得CMOS檢測像素在閃爍體層與CMOS晶片之間?？梢栽贑MOS晶片的外圍附近設置通孔以通過通孔實現(xiàn)到CMOS檢測像素的電耦合。在替選實施例中，在CMOS檢測像素與閃爍體層之間可以布置有閃爍體的另外的薄層使得閃爍體層與CMOS晶片的外圍之間設置有空間以使得彎曲連接器能夠與CMOS檢測像素耦合。在一些實施例中，第二檢測器被布置成使得CMOS晶片在閃爍體層與CMOS檢測像素之間使得光在被CMOS檢測像素檢測之前穿過CMOS晶片。
[0031]現(xiàn)在將參考附圖來描述示例性實施例。應當注意，附圖并不一定按比例繪制。附圖僅意在促進對具體實施例的描述，而非意在作為窮盡式的描述或者作為對本公開的范圍的限制。
[0032]圖1是示意性地圖示根據(jù)本公開的一些實施例的示例性成像系統(tǒng)100的框圖。成像系統(tǒng)100可以包括X射線成像設備102、控制及處理系統(tǒng)104、用戶接口 106和顯示器108。通過用戶接口 106，諸如圖形用戶接口、鍵盤、鼠標等，控制及處理系統(tǒng)104可以生成用于成像設備102的控制信號，成像設備102反過來提供圖像數(shù)據(jù)信號。控制及處理系統(tǒng)104可以處理圖像數(shù)據(jù)信號，并且提供處理后的圖像用于在顯示器108上顯示，其中處理圖像數(shù)據(jù)信號包括下面更詳細地描述的將來自成像設備的TFT面板和CMOS傳感器的圖像信號組入口 ο
[0033]圖2示意性地示出根據(jù)本公開的一些實施例的示例性成像設備200。成像設備200包括具有第一表面204和第二表面206的閃爍體層202。如圖2所不，閃爍體層202的第一表面204可以是面對入射X射線的前表面。包括TFT檢測器陣列的第一檢測器208可以布置在第一表面204處并且被配置成檢測在閃爍體層202中生成的光。包括CMOS檢測器陣列的第二檢測器210可以布置在第二表面206處并且被配置成檢測在閃爍體層202中生成的光。如圖2所示，第一檢測器208、閃爍體層202和第二檢測器210可以被布置成使得x射線在閃爍體層202中傳播之前穿過TFT檢測器陣列208。
[0034]TFT檢測器陣列208可以包括限定第一有效檢測區(qū)區(qū)的多個第一檢測像素，第一有效檢測區(qū)區(qū)可以基本上覆蓋閃爍體層202的整個第一表面204。CMOS檢測器210可以包括限定第二有效檢測區(qū)區(qū)的多個第二檢測像素，第二有效檢測區(qū)區(qū)可以覆蓋閃爍體層202的第二表面206的部分，例如中間或中央部分。未由CMOS檢測器210的第二有效檢測區(qū)區(qū)覆蓋的閃爍體層202的第二表面206的部分可以涂覆有反射涂層212。替選地，可拆卸反射器可以附接到閃爍體層的第二表面的未覆蓋的部分。第二表面的未覆蓋的部分上的光學涂層212或可拆卸反射器可以被選擇為匹配CMOS檢測器210的光學反射特性使得TFT檢測器208的像素響應受到最小影響。
[0035]圖3示意性地示出示例性成像設備300的替選實施例。圖3所示的成像設備在很多方面類似于圖2所示的成像設備200。例如，成像設備300可以包括具有第一表面204和第二表面206的閃爍體層202、包括布置在第一表面204處的TFT檢測器陣列的第一檢測器208、以及包括布置在第二表面206處的CMOS檢測器陣列的第二檢測器210。TFT檢測器208可以提供基本上可以覆蓋閃爍體層202的整個第一表面204的第一有效檢測區(qū)區(qū)。CMOS檢測器210可以提供可以覆蓋閃爍體層202的第二表面206的部分(諸如中間或中央部分)的第二有效檢測區(qū)區(qū)。未由CMOS檢測器210的第二有效檢測區(qū)區(qū)覆蓋的閃爍體層202的第二表面206的部分可以涂覆有反射涂層212。替選地，可拆卸反射器可以附接到閃爍體層202的第二表面206的未覆蓋的部分。不同于圖2所示的成像設備200，在圖3所示的成像設備300中，閃爍體層202的第二表面206是面對入射x射線的前表面。第一檢測器208、閃爍體層202和第二檢測器210被布置成使得x射線在閃爍體層202中傳播之前首先穿過CMOS檢測器210。
[0036]閃爍體層202可以包括被配置成由X射線生成可見光的任意合適的閃爍體材料。示例性閃爍體材料包括但不限于硫氧化釓(Gd202S:Tb)、鎢酸鎘(CdW04)、鍺酸鉍(Bi4Ge3012或BG0)、碘化銫(Csl)、摻鉈碘化銫(Csl:T1)、或其任意組合。閃爍體可以被結(jié)構(gòu)化或像素化。結(jié)構(gòu)化的閃爍體可以包括柱狀或針狀結(jié)構(gòu)，其可以用作朝著檢測像素傳送在其內(nèi)發(fā)出的光的光管。像素化的閃爍體矩陣可以通過將閃爍體晶體切成平行六面體來形成，平行六面體然后被涂覆有反射或吸收涂層的層并且重新結(jié)合在一起。結(jié)構(gòu)化的或者像素化的閃爍體可以減小閃爍體中的光擴展并且?guī)椭纳品直媛?。替選地，閃爍體層可以是非結(jié)構(gòu)化的或非像素化的。清楚或連續(xù)的閃爍體或磷光體屏幕的使用可以減小制造成像設備的成本。
[0037]TFT檢測器208可以包括被配置成響應于在閃爍體層202中產(chǎn)生的光來生成電信號的多個檢測像素。TFT檢測器陣列的結(jié)構(gòu)及其制作方法在本領域已知，并且因此本