像部分內(nèi)的至少給像素的 經(jīng)糾正的測量值被確定，以及第二確定步驟，其中強度調制的輻射信號的經(jīng)糾正的強度和/ 或強度調制的輻射信號的強度調制和該成像部分內(nèi)的至少該像素的參考信號之間的經(jīng)糾 正的相對相位被根據(jù)該第一確定步驟的經(jīng)糾正的測量值來確定。
[0040] 在評估關于散射光的散射光參考像素所記錄的信息及其相應進一步處理的這種 方法中，成像部分內(nèi)的個體像素的個體測量值被通過基于散射光參考像素所記錄的測量值 對散射光的第一階的逼近來糾正。該方法一般表示良好的第一階散射光信號糾正。進而，該 糾正可直接通過用基于至少一個散射光參考像素的測量值的值來偏移圖像區(qū)域內(nèi)的像素 的測量值來實現(xiàn)，或者首先基于圖像區(qū)域內(nèi)的像素以及至少一個散射光參考像素的測量值 相應地確定強度和/或相對相位，來實現(xiàn)其強度和/或相對相位被關于相應的特別是三角相 加定理來彼此偏移。
[0041] 根據(jù)本發(fā)明的術語糾正被用來表示在強度調制的輻射信號的強度調制的強度和/ 或相對相位方面在圖像部分內(nèi)的像素所及記錄的測量值的調制，以及還替換地表示在強度 調制的輻射信號的強度調制方面在圖像部分內(nèi)的像素確定的強度和/或相對相位的調整。 在該情況下，根據(jù)適用的相加定理，歸于輻射信號與強度調制的散射光信號的疊加的該強 度和/或相位分量被移除。
[0042]在一實施例中，在第二確定步驟中，第一確定步驟的確定結果的偏移通過根據(jù)三 角相加定理從成像部分內(nèi)的像素矩陣的至少一個像素的強度調制的輻射信號的強度和/或 相對相位中減去至少一個散射光參考像素的強度調制的散射光信號的強度和/或相對相位 來實現(xiàn)，和/或在第一確定步驟中測量結果的偏移通過從來自成像部分內(nèi)的像素矩陣的至 少一個像素的測量值減去來自至少一個散射光參考像素的測量值來實現(xiàn)。
[0043]從所檢測到的測量值重構或計算的成像部分內(nèi)的相應像素在沒有散射光出現(xiàn)的 情況下本應記錄的值。被重構的值因此對應于強度調制的輻射信號的強度調制的純的、非 疊加的強度和/或相對相位。一般而言，這種糾正通過減去根據(jù)散射光參考像素所記錄的散 射光的測量值確定的散射光的值來實現(xiàn)。替換地，通過使用強度和相位而不是測量值來實 現(xiàn)糾正，在這種情況下例如在正弦或余弦形式的信號的情況下，如前文已經(jīng)陳述的，要觀察 相應的三角相加定理。
[0044] 在一實施例中，在第二確定步驟中，第一確定步驟的確定結果的偏移被實現(xiàn)，因為 強度調制的散射光信號的強度和/或強度調制的散射光信號的強度調制和成像部分內(nèi)的像 素矩陣的至少一個像素的參考信號之間的相對相位被根據(jù)三角相加定理針對兩個散射光 參考像素至少從在第一確定步驟中確定的強度和/或相對相位內(nèi)插或外插，且強度調制的 輻射信號的經(jīng)糾正的強度和/或強度調制的輻射信號的強度調制和該成像部分內(nèi)的至少該 像素的參考信號之間的經(jīng)糾正的相對相位被從至少針對該成像部分內(nèi)的該像素在第一確 定步驟中確定的強度和/或相對相位以及針對該成像部分內(nèi)的至少給像素在第二確定步驟 中內(nèi)插或外插的強度和/或相對相位確定，和/或在第一確定步驟中測量值的偏移被實現(xiàn)， 因為該成像部分內(nèi)的像素矩陣的至少一個像素的強度調制的散射光信號的內(nèi)插值或外插 值被至少從兩個散射光參考像素所記錄的測量值內(nèi)插或外插且該成像部分內(nèi)的該像素所 記錄的至少該測量值被用該成像部分內(nèi)的該像素的內(nèi)插值或外插值糾正。
[0045] 根據(jù)本發(fā)明的內(nèi)插就像外插一樣實現(xiàn)，有利地，通過并入加權和糾正因子。那些加 權或糾正因子將被用于內(nèi)插或外插的成像部分內(nèi)的像素之間的或散射光參考像素之間的 可能差異計入，就像與針對其實現(xiàn)內(nèi)插或外插該像素或散射光參考像素有關的差異。那些 加權因子例如計入幾何形狀的差異和/或量子效率方面的差異。
[0046] 在一實施例中，測量值和/或至少一個強度和/或至少一個相對相位的內(nèi)插和/或 外插被根據(jù)至少兩個散射光參考像素的測量值和/或強度和/或先對相位實現(xiàn)以在一線性 函數(shù)的基礎上糾正該成像部分內(nèi)的像素矩陣的至少一個像素的強度調制的輻射信號的測 量值和/或強度和/或相對相位，該線性函數(shù)取決于成像部分內(nèi)的像素與用于糾正的散射光 參考像素的相應間隔。
[0047] 如果強度調制的散射光信號的強度和/或相對相位的測量值被不同的散射光參考 像素記錄，則這意味著散射光信號不涉及那些散射光參考像素之間的完全同質的分布。相 應地，通常假定該分布還具有該像素矩陣的相當程度的非同質性。該分布可在以下假定上 逼近:在散射光的情況下這種非同質性具有帶低梯度的局部均勻改變。特別是，在該情況下 的分布可根據(jù)呈現(xiàn)部分內(nèi)的個體像素與被用于內(nèi)插或外插操作的散射光參考像素的距離 用線性內(nèi)插或外插良好逼近。
[0048] 在一進一步實施例中，該成像部分內(nèi)的像素矩陣的至少一個像素的強度調制的輻 射信號的強度和/或相對相位的糾正是通過根據(jù)三角相加定理減去至少兩個散射光參考像 素的強度和/或相對相位內(nèi)插或外插的強度和/或相對相位實現(xiàn)的，和/或成像部分內(nèi)的像 素矩陣的至少一個像素的測量值的糾正是通過減去從來自至少兩個散射光參考像素的測 量值內(nèi)插或外插的內(nèi)插值或外插值實現(xiàn)的。
[0049] 為了從強度調制信號的疊加后的測量值獲得非疊加的強度調制的輻射信號的值， 也就是說，為了糾正那些測量值，從所檢測到的測量值中除去疊加分量。在根據(jù)本發(fā)明的應 用情形中疊加分量涉及例如強度調制的散射光信號的強度調制的強度和/或相對相位。那 些強度和/或相對相位可以利用由散射光參考像素所及記錄的測量值來良好逼近。
[0050] 有關于此，特別可以設想，成像部分內(nèi)的像素所記錄的強度和/或入射輻射的強度 調制的相對相位被入射所述地用散射光參考像素所記錄的強度和/或強度調制的散射光信 號的強度調制的相對相位糾正。更精確地，針對強度和/或相對相位的測量值分別由成像部 分內(nèi)的像素和散射光參考像素記錄，且根據(jù)那些測量值確定設備首先確定相應的強度和/ 或相對相位。隨后通過該確定設備在所確定的強度和/或相對相位的基礎上實現(xiàn)糾正。糾正 可通過對相加定理求解來實現(xiàn)。
[0051]然而，同樣可設想，對于入射輻射，成像部分內(nèi)的像素所記錄的測量值被如上所述 地用來自散射光參考信號的測量值來糾正。如果測量值的糾正是在減去內(nèi)插或外插值的基 礎上實現(xiàn)的，則作為第一階，這表示在沒有散射光疊加器情況下強度調制的輻射信號的強 度調制和參考信號之間的強度和/或相對相位的進一步確定的良好逼近。通過經(jīng)糾正的值， 確定設備隨后確定相應的強度和/或相對相位。
[0052]在一實施例期間，針對檢測器的成像部分內(nèi)的像素矩陣的所有像素糾正強度調制 的輻射信號的強度和/或相對相位。在散射的強度調制的信號的情況下，通常假定：用強度 調制的散射光信號對像素矩陣內(nèi)的所有像素進行動作，并且從而針對強度調制的輻射信號 的強度和/或相對相位記錄有缺陷的測量值。因此，在這種情況下，所有圖像部分的距離信 息是有差錯的。為了獲得沒有差錯或盡可能正確的整個圖像，必須針對成像部分內(nèi)的像素 矩陣的所有像素糾正強度調制的輻射信號的強度和/或相對相位的測量值。
[0053]最后，在一實施例中，使用針對強度調制的散射光信號由散射光參考像素記錄的 所有測量值實現(xiàn)糾正。當使用針對強度調制的散射光信號由散射光參考像素記錄的所有測 量值時，盡可能精確地確定或逼近像素矩陣的散射光信號的分布是可能的。
[0054]本發(fā)明的進一步的優(yōu)點、特征和可能用途將從對優(yōu)選實施例的以下描述以及附圖 中顯而易見，在附圖中：
[0055] 圖1示出根據(jù)本發(fā)明的裝置的圖示，
[0056] 圖2a示出根據(jù)本發(fā)明的檢測器的圖示，以及 [0057]圖2b示出圖2a的檢測器的信號確定的圖示。
[0058] 圖1是根據(jù)本發(fā)明的包括用于檢測和確定入射的強度調制的電磁輻射信號2的強 度調制的強度和/或相位的裝置1的測量布置的圖示。
[0059] 該圖示出了發(fā)射機11，其發(fā)出強度調制的電磁輻射，該電磁輻射被環(huán)境對象12反 射到裝置1的方向。入射的強度調制的電磁輻射信號2被成像光學裝置7成像在置于其后的 檢測器3的成像部分16上。具有多個像素6或圖片元素的像素矩陣5被布置在檢測器3的成像 部分16內(nèi)，強度調制的電磁輻射信號2被成像在該成像部分16上。
[0060] 在本情況下，像素矩陣5為方形配置的且每行和線包括相同的相應數(shù)量的個體像 素6。在所示示例中，存在3乘3即總共9個相同結構的方形像素6。
[0061] 散射光參考像素10與像素矩陣5間隔開地布置，所述散射光參考像素10優(yōu)選地與 像素矩陣5的像素6全部是相同結構的。在此情況下，散射光參考像素10被布置成沿像素矩 陣5的周邊處于直接相互連接的關系，其方式使得參考像素完全封閉像素矩陣。方形像素矩 陣5被布置在方形的中心處，在方形的側邊上布置散射光參考像素10，其中被散射光參考像 素10封閉的方形的側邊分別平行于像素矩陣5所形成的方形的側邊。理想情況下，當信號如 圖所示由反射對象的同一點反射時，強度調制的電磁輻射信號2被成像光學裝置7聚焦，理 想情況下被成像到像素矩陣5的同一像素6上。
[0062] 然而，需要注意，在非理想光學裝置的情況下，入射的強度調制的輻射信號2的一 部分被成像光學裝置7以強度調整的電磁散射光信號9的形式散射到像素矩陣5的像素6上 以及散射到散射光參考像素10以及像素矩陣5和散射光參考像素10之間的區(qū)域上。
[0063]如果被對象12或另一源(甚至在F0V之外）反射的強度調制的輻射信號2因此被反 射到例如成像光學裝置7的側邊上，其可涉及圖像光學裝置7對強度調制的電磁輻射信號2 的部分散射。換言之，在這種非理想情況下，與成像光學裝置7的理想化成像屬性不同，強度 調制的電磁輻射信號2不被成像光學裝置7成像到檢測器3的成像部分16上，而是以強度調 制的電磁散射光信號9的形式散射到檢測器3上。在該情況下，強度調制的電磁散射光信號9 也通常被散射到像素矩陣5和成像部分16之外的區(qū)域上。這種強度調制的散射光信號9被散 射光參考像素10記錄，該散射光參考像素10在理想成像光學裝置7的情況下在該光學裝置 的視野之外，也就是說，不經(jīng)受任何電磁輻射。
[0064] 利用散射光參考信號10所記錄的強度調制的散射光信號9的強度和/或強度調制 的散射光信號9的強度調制和參考信號之間的相對相位的測量值，有可能也針對檢測器3的 像素矩陣5(也就是說，針對成像部分16內(nèi)的像素矩陣5的個體像素6)的強度調制的電磁散 射信號9的強度調制的強度和/或相對相位進行內(nèi)插或外插。利用內(nèi)插或外插的分布，有可 能通過計算出散射光分量來針對第一階散射光干擾來糾正像素矩陣5所記錄的強度調制的 輻射信號2的強度調制和參考信號之間的強度和/或相對相位的測量值。
[0065] 查明也由像素矩陣5的像素6記錄的散射光信號9的方法不限于圖1示出的散射光 信號作為在成像光學裝置7的側邊處散射的結果而產(chǎn)生。圖1中示出的布置和采用的方法同 樣適用于糾正成像光學裝置7所產(chǎn)生的其它種類的散射光信號。這還特別適用于因為成像 光學裝置7中的非理想透鏡而產(chǎn)生的散射光信號，比如例如在成像光學裝置7中的缺陷處的 散射。
[0066]圖2a示出了根據(jù)本發(fā)明的更進一步的檢測器3的示意平面圖。將在圖示的中心處 看到像素矩陣5。像素矩陣5包括被布置在三行且三列的方形矩陣中的相同