一種利用光纖薩格納克干涉儀測量磁場的方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種利用光纖薩格納克干涉儀測量磁場的方法，所述方法包括如下步驟：a)搭建級聯(lián)Sagnac干涉儀測量系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括寬帶光源泵浦源、第一摻雜稀土元素光纖、第二摻雜稀土元素光纖、一支波分復(fù)用器、第一光耦合器、第二光耦合器、第一光纖Sagnac環(huán)、隔離器、第二光纖Sagnac環(huán)、光譜儀；b)將第一光纖Sagnac環(huán)和第二光纖Sagnac環(huán)與可控磁伸縮材料貼合，進(jìn)行磁場標(biāo)定；c)逐漸增加磁場的大小，光譜儀采集第二光纖Sagnac環(huán)輸出的光譜，記錄梳狀譜移動的長度，擬合梳狀譜波長偏移隨磁場變化的關(guān)系曲線；d)利用所擬合的梳狀譜波長偏移隨磁場變化的關(guān)系曲線對待測磁場進(jìn)行測量。
【專利說明】
_種利用光纖薩格納克干涉儀測量磁場的方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明涉及光纖干涉領(lǐng)域，特別涉及一種利用光纖薩格納克干涉儀測量磁場的方 法。
【背景技術(shù)】
[0002] 通常，光纖化的傳感器具有結(jié)構(gòu)緊湊、使用壽命長、對測試量敏感、傳輸信道多等 優(yōu)勢廣泛地應(yīng)用于光纖傳感、光纖通信、光學(xué)加工等領(lǐng)域。通過光纖端面微加工技術(shù)或搭建 具有干涉結(jié)構(gòu)的全光纖傳感器，在栗浦源作用下，輸出具有梳狀譜圖樣的干涉譜曲線。2011 年范林勇等人設(shè)計了一種基于雙芯光纖的馬赫-曾德干涉儀，應(yīng)用于磁場、溫度和應(yīng)變量的 測量，干涉條紋襯幅比約為10dBm，條紋間隔約為211111。2013年鄒卉等人用兩支3dB耦合器制 成馬赫-曾德干涉系統(tǒng)，結(jié)合雙芯光纖，構(gòu)成雙級結(jié)構(gòu)的馬赫-曾德干涉儀，條紋襯幅比約為 30dBm。光纖馬赫-曾德干涉儀具有結(jié)構(gòu)簡單、條紋襯比度高、梳狀譜密集等優(yōu)勢，常被用于 光纖傳感領(lǐng)域。
[0003] 然而，此種方法測量磁場的精度并不是很高，不能滿足一些高精度場合的需求。級 聯(lián)Sagnac干涉儀結(jié)構(gòu)簡單且易于實現(xiàn)，該結(jié)構(gòu)由兩個光纖Sagnac環(huán)組成熔接在兩段摻雜稀 土元素光纖中，摻雜稀土光纖也被用作為傳感器的增益介質(zhì)。因此，需要一種能有利用基于 級聯(lián)Sagnac干涉儀精確測量磁場強(qiáng)度大小的系統(tǒng)和方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明的目的在于提供一種利用光纖薩格納克干涉儀測量磁場的方法，在一個方 面，本發(fā)明所述的測量方法包括如下步驟：
[0005] a)搭建級聯(lián)Sagnac干涉儀測量系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括寬帶光源栗浦源、第一摻雜稀 土元素光纖、第二摻雜稀土元素光纖、一支波分復(fù)用器、第一光親合器、第二光親合器、第一 光纖Sagnac環(huán)、隔離器、第二光纖Sagnac環(huán)、光譜儀；
[0006] b)將第一光纖Sagnac環(huán)和第二光纖Sagnac環(huán)與可控磁伸縮材料貼合，進(jìn)行磁場標(biāo) 定；
[0007] C)逐漸增加磁場強(qiáng)度的大小，光譜儀采集第二光纖Sagnac環(huán)輸出的光譜，記錄梳 狀譜移動的長度，擬合梳狀譜波長偏移隨磁場變化的關(guān)系曲線；
[0008] d)利用所擬合的梳狀譜波長偏移隨磁場強(qiáng)度變化的關(guān)系曲線對待測磁場進(jìn)行測 量。
[0009] 在一個方面，所述的測量方法，所述第一光纖Sagnac環(huán)包括保偏光纖、偏振控制 器，所述第二光纖Sagnac環(huán)包括保偏光纖、偏振控制器;所述第一光纖Sagnac環(huán)與第一摻雜 稀土元素光纖通過第一光耦合器連接，所述第二光纖Sagnac環(huán)與第二摻雜稀土元素光纖通 過第二光耦合器連接。
[0010] 在一個方面，所述的測量方法，經(jīng)過所述第一光纖Sagnac環(huán)射出的光進(jìn)入第二光 纖Sagnac環(huán)進(jìn)行二次過濾。
[0011] 在一個方面，所述的測量方法，所述步驟a)中所述連接為恪接方式。
[0012] 在一個方面，所述的測量方法，所述步驟c)中所述的增加磁場強(qiáng)度大小的方法使 磁伸縮材料拉伸、彎曲、振動或擠壓。
[0013] 在一個方面，所述的測量方法，所述摻雜稀土元素光纖作為光纖傳感器的增益介 質(zhì)。
[0014] 在一個方面，所述的測量方法，所述的波分復(fù)用器對栗浦光進(jìn)行耦合，所述耦合后 的栗浦光進(jìn)入所述摻雜光纖。
[0015] 在一個方面，所述的測量方法，所述的梳狀譜波長偏移隨磁場變化的關(guān)系曲線通 過線性擬合或者最小二乘法進(jìn)行擬合。
[0016] 在一個方面，所述的測量方法，所述第一 Sagnac環(huán)中所述的保偏光纖長度為1.5m-2.5m，所述第二Sagnac環(huán)中所述的保偏光纖長度為0.5m-l. 5m。
[0017] 在另一個方面，本發(fā)明還提供了一種用于所述磁場測量方法的級聯(lián)Sagnac干涉儀 測量系統(tǒng)，所述測量系統(tǒng)包括依次連接的寬帶光源栗浦源、一支波分復(fù)用器、第一摻雜稀土 兀素光纖、第一光親合器、第一光纖Sagnac環(huán)、隔離器、第二光親合器、第二光纖Sagnac環(huán)、 第二摻雜稀土元素光纖、光譜儀;所述第一光纖Sagnac環(huán)包括保偏光纖、偏振控制器，所述 第二光纖Sagnac環(huán)包括保偏光纖、偏振控制器;所述第一光纖Sagnac環(huán)與第一摻雜稀土元 素光纖通過第一光耦合器連接，所述第二光纖Sagnac環(huán)與第二摻雜稀土元素光纖通過第二 光親合器連接。
[0018] 根據(jù)本發(fā)明利用基于級聯(lián)Sagnac干涉儀的磁場測量方法可以精確測量磁場強(qiáng)度， 所搭建的光纖激光器結(jié)構(gòu)小巧簡單，測量精度高，便攜性好，易于在多種場合應(yīng)用。
[0019] 應(yīng)當(dāng)理解，前述大體的描述和后續(xù)詳盡的描述均為示例性說明和解釋，并不應(yīng)當(dāng) 用作對本發(fā)明所要求保護(hù)內(nèi)容的限制。
【附圖說明】
[0020] 參考隨附的附圖，本發(fā)明更多的目的、功能和優(yōu)點將通過本發(fā)明實施方式的如下 描述得以闡明，其中：
[0021 ]圖1示意性示出本發(fā)明一個實施例中級聯(lián)Sagnac干涉儀磁場測量系統(tǒng)；
[0022]圖2示出了本發(fā)明一個實施例中級聯(lián)Sagnac環(huán)的工作原理；
[0023] 圖3示出了本發(fā)明一個實施例梳狀譜波長偏移隨磁場強(qiáng)度變化的波形圖；
[0024] 圖4示出了本發(fā)明一個實施例梳狀譜波長偏移隨磁場強(qiáng)度變化的曲線；
[0025] 圖5示意性示出本發(fā)明另一個實施例中級聯(lián)Sagnac干涉儀磁場測量系統(tǒng)；
[0026]圖6示出了本發(fā)明另一個實施例中級聯(lián)Sagnac環(huán)的工作原理；
[0027] 圖7示出了本發(fā)明另一個實施例梳狀譜波長偏移隨磁場強(qiáng)度變化的波形圖；
[0028] 圖8示出了本發(fā)明另一個實施例梳狀譜波長偏移隨磁場強(qiáng)度變化的曲線。
【具體實施方式】
[0029] 通過參考示范性實施例，本發(fā)明的目的和功能以及用于實現(xiàn)這些目的和功能的方 法將得以闡明。然而，本發(fā)明并不受限于以下所公開的示范性實施例;可以通過不同形式來 對其加以實現(xiàn)。說明書的實質(zhì)僅僅是幫助相關(guān)領(lǐng)域技術(shù)人員綜合理解本發(fā)明的具體細(xì)節(jié)。
[0030] 在下文中，將參考附圖描述本發(fā)明的實施例。在附圖中，相同的附圖標(biāo)記代表相同 或類似的部件，或者相同或類似的步驟。
[0031] 實施例一：
[0032] 本發(fā)明提供的一種利用光纖薩格納克干涉儀測量磁場的方法，本實施例中，如圖1 所示級聯(lián)Sagnac干涉儀磁場測量系統(tǒng)，所述的級聯(lián)Sagnac干涉儀測量系統(tǒng)，包括依次連接 的寬帶光源栗浦源101、一支波分復(fù)用器102、第一摻雜稀土元素光纖103、第一光纖Sagnac 環(huán)104、隔離器105、第二光纖Sagnac環(huán)106、第二摻雜稀土元素光纖107、光譜儀108;級聯(lián) Sagnac干涉儀第一光纖Sagnac環(huán)104包括保偏光纖109a、偏振控制器110a，第二光纖Sagnac 環(huán)106包括保偏光纖109b、偏振控制器110b。第一光纖Sagnac環(huán)104與第一摻雜稀土兀素光 纖103通過第一光親合器111連接，第二光纖Sagnac環(huán)106與第二摻雜稀土元素光纖107通過 第二光耦合器112連接。第一光纖Sagnac環(huán)104中，保偏光纖109a長度為1.5m-2.5m，優(yōu)選2m; 第二光纖Sagnac環(huán)106中，保偏光纖109b長度為0.5m_l. 5m，優(yōu)選lm。寬帶光源栗浦源101發(fā) 出的光經(jīng)過波分復(fù)用器102與光纖中的光耦合成一束，通過第一摻雜稀土元素光纖103后進(jìn) 入第一光纖Sagnac環(huán)104中分成兩束光進(jìn)行干涉，干涉后的光經(jīng)過第一光親合器111后進(jìn)入 到第二光纖Sagnac環(huán)106中分成兩束光進(jìn)行干涉，干涉后的光經(jīng)過第二光耦合器112后進(jìn)入 第二摻雜稀土兀素光纖107,通過光譜儀108米集光信號。第一光纖Sagnac環(huán)104與第二光纖 Sagnac環(huán)106之間布置的隔離器105保證了光沿一個方向的傳播。
[0033]下面具體描述光在傳輸過程的中的原理：
[0034]圖2所示級聯(lián)Sagnac環(huán)的工作原理，光通過第一摻雜稀土元素光纖103進(jìn)入第一光 纖Sagnac環(huán)104中的光被分為兩束。在第一光纖Sagnac環(huán)中偏振控制器110a和保偏光纖 109a保證線偏振方向不變。第一光纖Sagnac環(huán)104的透射率可以表示為：
[0036]其中Θ1為透過保偏光纖后的偏振角度，Θ2為透過偏振控制器后的偏振角度，β是 Sagnac環(huán)的傳播常數(shù)，L為保偏光纖的長度，Δη為雙折射率。經(jīng)過所述第一光纖Sagnac環(huán) 104射出的光通過第一耦合器111后進(jìn)入第二光纖Sagnac環(huán)106進(jìn)行二次過濾，偏振控制器 110b和保偏光纖109b保證線偏振方向不變，透射強(qiáng)度lout表示為：
[0040] 其中tl和t2為Sagnac環(huán)的透射率，射出的光通過第二耦合器112耦合，經(jīng)第二摻雜 稀土元素光纖107后由光譜儀采集輸出的梳狀譜。第一光纖Sagnac環(huán)104與第二光纖Sagnac 環(huán)106之間布置的隔離器105保證了光沿一個方向的傳播。采集的梳狀譜中，相鄰峰值的波 長間隔與中心波長、偏振態(tài)、光纖長度有關(guān)。應(yīng)用該梳狀譜進(jìn)行傳感測試，當(dāng)干涉儀受到外 界影響導(dǎo)致兩臂光程差發(fā)生改變時，干涉梳狀譜發(fā)生變化，干涉條紋產(chǎn)生移動。
[0041] 下面具體描述本實施例中利用光纖薩格納克干涉儀測量磁場的方法:具體步驟如 下:搭建級聯(lián)Sagnac干涉儀測量系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括依次通過熔接的方式連接的寬帶光源 栗浦源101、一支波分復(fù)用器102、第一摻雜稀土元素光纖103、第一光纖Sagnac環(huán)104、隔離 器105、第二光纖Sagnac環(huán)106、第二摻雜稀土元素光纖107、光譜儀108;級聯(lián)Sagnac干涉儀 第一光纖Sagnac環(huán)104包括保偏光纖109a、偏振控制器110a，第二光纖Sagnac環(huán)106包括保 偏光纖109b、偏振控制器110b。第一光纖Sagnac環(huán)104與第一摻雜稀土兀素光纖103通過第 一光親合器111連接，第二光纖Sagnac環(huán)106與第二摻雜稀土兀素光纖107通過第二光親合 器112連接。將第一光纖Sagnac環(huán)104和第二光纖Sagnac環(huán)106與可控磁伸縮材料113貼合， 選取環(huán)氧樹脂(Epoxy Resin)或丙稀酸酯作為膠粘劑，以膠粘方式分別將第一光纖Sagnac 環(huán)104和第二光纖Sagnac環(huán)106固定在材料113的表面上，進(jìn)行磁場標(biāo)定。通過磁場控制器外 加磁場114變化的條件下對材料113拉伸、彎曲、振動或擠壓，優(yōu)選地，本實施例中通過磁場 強(qiáng)度的增加對磁伸縮材料進(jìn)行拉伸，引起干涉儀偏振態(tài)發(fā)生相應(yīng)變化從而導(dǎo)致梳狀譜發(fā)生 紅移或藍(lán)移，隨著拉伸長度的增加，即軸向微應(yīng)力增大，梳狀濾波器的傳輸譜向短波方向移 動。光譜儀108采集第二光纖Sagnac環(huán)106輸出的梳狀譜，如圖3所示梳狀譜波長偏移隨磁場 強(qiáng)度變化的波形圖，記錄梳狀譜移動的長度，擬合梳狀譜波長偏移隨磁場強(qiáng)度變化的曲線， 如圖4所示梳狀譜波長偏移隨磁場強(qiáng)度變化的曲線，曲線擬合可采用線性擬合，如公式5所 不。
[0042] y = ax+b (5)
[0043 ]曲線擬合也可采用最小二乘擬合，由下述等式(6)和(7)可推出擬合曲線。
[0046] 解方程組，求出ao和m，就可構(gòu)造出滿足平方逼近條件的逼近函數(shù)。
[0047] f (x) =ao+aix (8) 〇
[0048] 利用所擬合的梳狀譜波長偏移隨磁場變化曲線對待測磁場進(jìn)行測量。
[0049] 實施例二：
[0050] 本發(fā)明提供的一種利用光纖薩格納克干涉儀測量磁場的方法，本實施例中，如圖5 所示級聯(lián)Sagnac干涉儀磁場測量系統(tǒng)，所述的級聯(lián)Sagnac干涉儀測量系統(tǒng)，包括依次連接 的寬帶光源栗浦源201、一支波分復(fù)用器202、第一摻雜稀土兀素光纖203、第一光纖Sagnac 環(huán)204、隔離器205、第二光纖Sagnac環(huán)206、第二摻雜稀土元素光纖207、光譜儀208;級聯(lián) Sagnac干涉儀第一光纖Sagnac環(huán)204包括保偏光纖209a、偏振控制器210a，第二光纖Sagnac 環(huán)206包括保偏光纖209b、偏振控制器210b。第一光纖Sagnac環(huán)204與第一摻雜稀土兀素光 纖203通過第一光耦合器211連接，第二光纖Sagnac環(huán)206與第二摻雜稀土元素光纖207通過 第二光耦合器212連接。第一光纖Sagnac環(huán)204中，保偏光纖209a長度為1.5m-2.5m，優(yōu)選2m; 第二光纖Sagnac環(huán)206中，保偏光纖209b長度為0.5m-l. 5m，優(yōu)選lm。寬帶光源栗浦源201發(fā) 出的光經(jīng)過波分復(fù)用器202與光纖中的光耦合成一束，通過第一摻雜稀土元素光纖103后進(jìn) 入第一光纖Sagnac環(huán)204中分成兩束光進(jìn)行干涉，干涉后的光經(jīng)過第一光耦合器211后進(jìn)入 到第二光纖Sagnac環(huán)206中分成兩束光進(jìn)行干涉，干涉后的光經(jīng)過第二光耦合器212后進(jìn)入 第二摻雜稀土兀素光纖207,通過光譜儀208米集光信號。第一光纖Sagnac環(huán)204與第二光纖 Sagnac環(huán)206之間布置的隔離器205保證了光沿一個方向的傳播。
[0051 ]下面具體描述光在傳輸過程的中的原理：
[0052]圖2所示級聯(lián)Sagnac環(huán)的工作原理，光通過第一摻雜稀土元素光纖203進(jìn)入第一光 纖Sagnac環(huán)204中的光被分為兩束。在第一光纖Sagnac環(huán)中偏振控制器210a和保偏光纖 209a保證線偏振方向不變。第一光纖Sagnac環(huán)204的透射率可以表示為：
[0054]其中Θ1為透過保偏光纖后的偏振角度，Θ2為透過偏振控制器后的偏振角度，β是 Sagnac環(huán)的傳播常數(shù)，L為保偏光纖的長度，Δη為雙折射率。經(jīng)過所述第一光纖Sagnac環(huán) 204射出的光通過第一耦合器211后進(jìn)入第二光纖Sagnac環(huán)206進(jìn)行二次過濾，偏振控制器 210b和保偏光纖209b保證線偏振方向不變，透射強(qiáng)度lout表示為：
[0058]其中tl和t2為Sagnac環(huán)的透射率，射出的光通過第二耦合器212耦合，經(jīng)第二摻雜 稀土元素光纖207后由光譜儀米集輸出的梳狀譜。第一光纖Sagnac環(huán)204與第二光纖Sagnac 環(huán)206之間布置的隔離器205保證了光沿一個方向的傳播。采集的梳狀譜中，相鄰峰值的波 長間隔與中心波長、偏振態(tài)、光纖長度有關(guān)。應(yīng)用該梳狀譜進(jìn)行傳感測試，當(dāng)干涉儀受到外 界影響導(dǎo)致兩臂光程差發(fā)生改變時，干涉梳狀譜發(fā)生變化，干涉條紋產(chǎn)生移動。
[0059] 下面具體描述本實施例中利用光纖薩格納克干涉儀測量磁場的方法:具體步驟如 下:搭建級聯(lián)Sagnac干涉儀測量系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括依次通過熔接的方式連接的寬帶光源 栗浦源201、一支波分復(fù)用器202、第一摻雜稀土元素光纖203、第一光纖Sagnac環(huán)204、隔離 器205、第二光纖Sagnac環(huán)206、第二摻雜稀土元素光纖207、光譜儀208;級聯(lián)Sagnac干涉儀 第一光纖Sagnac環(huán)204包括保偏光纖209a、偏振控制器210a，第二光纖Sagnac環(huán)206包括保 偏光纖209b、偏振控制器210b。第一光纖Sagnac環(huán)204與第一摻雜稀土兀素光纖203通過第 一光親合器211連接，第二光纖Sagnac環(huán)206與第二摻雜稀土兀素光纖207通過第二光親合 器212連接。將第一光纖Sagnac環(huán)204和第二光纖Sagnac環(huán)206與可控磁伸縮材料213貼合， 選取環(huán)氧樹脂(Epoxy Resin)或丙稀酸酯作為膠粘劑，以膠粘方式分別將第一光纖Sagnac 環(huán)204和第二光纖Sagnac環(huán)206固定在材料213的表面上，進(jìn)行磁場標(biāo)定。通過磁場控制器外 加磁場214變化的條件下對材料213拉伸、彎曲、振動或擠壓，本實施例與實施例一相比，采 用環(huán)形外加磁場。優(yōu)選地，本實施例中通過磁場強(qiáng)度的增加對磁伸縮材料進(jìn)行拉伸，引起干 涉儀偏振態(tài)發(fā)生相應(yīng)變化從而導(dǎo)致梳狀譜發(fā)生紅移或藍(lán)移，隨著拉伸長度的增加，即軸向 微應(yīng)力增大，梳狀濾波器的傳輸譜向短波方向移動。光譜儀208采集第二光纖Sagnac環(huán)206 輸出的梳狀譜，如圖7所示梳狀譜波長偏移隨磁場強(qiáng)度變化的波形圖，記錄梳狀譜移動的長 度，擬合梳狀譜波長偏移隨磁場強(qiáng)度變化的曲線，如圖8所示梳狀譜波長偏移隨磁場強(qiáng)度變 化的曲線，曲線擬合可采用線性擬合，如公式5所示。
[0060] y = ax+b (5)
[0061 ]曲線擬合也可采用最小二乘擬合，由下述等式(6)和(7)可推出擬合曲線。
[0064] 解方程組，求出ao和m，就可構(gòu)造出滿足平方逼近條件的逼近函數(shù)。
[0065] f (x) =ao+aix (8)。
[0066] 利用所擬合的梳狀譜波長偏移隨磁場變化曲線對待測磁場進(jìn)行測量。
[0067] 結(jié)合這里披露的本發(fā)明的說明和實踐，本發(fā)明的其他實施例對于本領(lǐng)域技術(shù)人員 都是易于想到和理解的。說明和實施例僅被認(rèn)為是示例性的，本發(fā)明的真正范圍和主旨均 由權(quán)利要求所限定。
【主權(quán)項】
1. 一種利用光纖薩格納克干涉儀測量磁場的方法，其特征在于，所述方法包括如下步 驟： a) 搭建級聯(lián)Sagnac干涉儀測量系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括寬帶光源栗浦源、第一摻雜稀土元 素光纖、第二摻雜稀土元素光纖、一支波分復(fù)用器、第一光親合器、第二光親合器、第一光纖 Sagnac環(huán)、隔離器、第二光纖Sagnac環(huán)、光譜儀； b) 將第一光纖Sagnac環(huán)和第二光纖Sagnac環(huán)與可控磁伸縮材料貼合，進(jìn)行磁場標(biāo)定； c) 逐漸增加磁場強(qiáng)度的大小，光譜儀采集第二光纖Sagnac環(huán)輸出的光譜，記錄梳狀譜 移動的長度，擬合梳狀譜波長偏移隨磁場變化的關(guān)系曲線； d) 利用所擬合的梳狀譜波長偏移隨磁場強(qiáng)度變化的關(guān)系曲線對待測磁場進(jìn)行測量。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的測量方法，其特征在于，所述第一光纖Sagnac環(huán)包括保偏光 纖、偏振控制器，所述第二光纖Sagnac環(huán)包括保偏光纖、偏振控制器;所述第一光纖Sagnac 環(huán)與第一摻雜稀土元素光纖通過第一光耦合器連接，所述第二光纖Sagnac環(huán)與第二摻雜稀 土元素光纖通過第二光耦合器連接。3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的測量方法，其特征在于，經(jīng)過所述第一光纖Sagnac環(huán)射出 的光進(jìn)入第二光纖Sagnac環(huán)進(jìn)行二次過濾。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的測量方法，其特征在于，步驟a)中所述連接為熔接方式。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的測量方法，其特征在于，步驟c)中所述的增加磁場強(qiáng)度大小的 方法使磁伸縮材料拉伸、彎曲、振動或擠壓。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的測量方法，其特征在于，所述摻雜稀土元素光纖作為光纖傳感 器的增益介質(zhì)。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的測量方法，其特征在于，所述的波分復(fù)用器對栗浦光進(jìn)行耦 合，所述耦合后的栗浦光進(jìn)入所述摻雜光纖。8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的測量方法，其特征在于，所述的狀譜波長偏移隨磁場變化的關(guān) 系曲線通過線性擬合或者最小二乘法進(jìn)行擬合。9. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的測量方法，其特征在于，所述第一 Sagnac環(huán)中所述的保偏光纖 長度為1.5m-2.5m，所述第二Sagnac環(huán)中所述的保偏光纖長度為0.5m-l. 5m。10. -種用于權(quán)利要求1所述磁場測量方法的級聯(lián)Sagnac干涉儀測量系統(tǒng)，其特征在 于，所述測量系統(tǒng)包括依次連接的寬帶光源栗浦源、一支波分復(fù)用器、第一摻雜稀土元素光 纖、第一光親合器、第一光纖Sagnac環(huán)、隔離器、第二光親合器、第二光纖Sagnac環(huán)、第二摻 雜稀土元素光纖、光譜儀;所述第一光纖Sagnac環(huán)包括保偏光纖、偏振控制器，所述第二光 纖Sagnac環(huán)包括保偏光纖、偏振控制器;所述第一光纖Sagnac環(huán)與第一摻雜稀土兀素光纖 通過第一光耦合器連接，所述第二光纖Sagnac環(huán)與第二摻雜稀土元素光纖通過第二光耦合 器連接。
【文檔編號】G01R33/032GK105866711SQ201610165587
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2016年3月22日
【發(fā)明人】何巍, 祝連慶, 駱飛, 董明利, 劉鋒, 婁小平, 閆光
【申請人】北京信息科技大學(xué)