能量測試模擬卡磁場強度計量方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種能量測試模擬卡磁場強度計量方法，首先連續(xù)產(chǎn)生標準電磁場信號，待測能量測試模擬卡在標準電磁場中與標定裝置發(fā)生電感耦合，最后用測量儀器在它的輸出端進行檢測，紀錄在標準磁場強度下待測能量測試模擬卡的直流電壓值。本發(fā)明填補國內的空白，為參考PICC標準裝置提供測量技術支持。
【專利說明】
能量測試模擬卡磁場強度計量方法
技術領域
[0001] 本發(fā)明設及儀器測試技術領域，更具體地，設及適用于13.56MHz的能量測試模擬 卡的磁場強度的計量方法研究。 背景內容
[0002] 隨著身份證在人們日常社會活動中的廣泛應用，居民身份證閱讀器的需求量增 大。為了保障法定證件的正常使用，公安部發(fā)布實施了GA450-2013居民身份證閱讀器通用 技術要求，中國安全技術防范認證中屯、對社會發(fā)布實施社會公共安全產(chǎn)品認證實施規(guī)則 (W下簡稱《認證實施規(guī)則》）。
[0003] 就居民身份證閱讀器而言，保證能夠與身份證正常通訊的首要指標就是輸出的能 量值要符合要求，因此對輸出的能量值的定量測試及溯源性研究，是產(chǎn)品質量一致性、使用 可靠性與穩(wěn)定性的關鍵點，是身份證件公共安全管理的重要技術支持。
[0004] 能量測試模擬卡(參考PICC(Hmax、血in))是用于13.56MHz射頻識別設備的關鍵參 數(shù)，即射頻識別設備能量值測試的專用計量標準器，能量測試模擬卡根據(jù)使用需求分為兩 種，一種是用于最大工作場強，即7.5A/m(rms)測量的稱為最大場強測試模擬卡（參考PICC 化max),-種是用于最小工作場強即1.5A/m(rms)測試的稱為最小場強測試模擬卡（參考 PICC(血in)，對此在GA450、《認證實施規(guī)則》、身份證產(chǎn)品標準中均有詳細使用規(guī)定。
[0005] 能量測試模擬卡有兩個關鍵參數(shù):諧振頻率與磁場強度。但是到目前為止，在中國 無法實現(xiàn)計量和量值溯源，使得能量測試模擬卡無法作為計量器具在相關產(chǎn)品質量控制、 評價中使用。

【發(fā)明內容】

[0006] 針對現(xiàn)有技術的不足，本發(fā)明旨在給出一種能量測試模擬卡磁場強度計量方法， 根據(jù)磁場強度與感應電壓的關系輸出標準場強信號，利用電磁場在空間對稱的特性，通過 測量電路標定參考PICC(血in，Hmax)。本發(fā)明填補國內的空白，為研制參考PICC標準裝置提 供測量技術支持。
[0007] 為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用如下技術方案：
[000引能量測試模擬卡磁場強度計量方法，包括如下步驟：
[0009] Sl正弦波信號發(fā)生器發(fā)出參數(shù)一定幅度連續(xù)變化的信號并經(jīng)過功率放大器至標 定裝置，直至標定裝置連續(xù)產(chǎn)生標準電磁場信號；定標線圈與標定裝置的天線平面一端同 軸且平行放置，與定標線圈連接的示波器顯示連續(xù)變化的波形幅度，標定裝置產(chǎn)生的場強 大小W示波器幅度顯示值為標準值；
[0010] S2待測能量測試模擬卡的線圈部分在標準電磁場中與標定裝置的天線平面另一 端同軸且等距離平行放置，線圈與標定裝置的天線發(fā)生電感禪合，記錄在標準磁場強度下 高阻抗直流電壓表所顯示的待測能量測試模擬卡的直流電壓值；
[00川所述定標線圈的測量接觸點的大小為1.5 X 1.5mm2，電感值為200nH，電阻為0.25 Q，定標線圈的測量面積為3000mm2;定標線圈輸出端的一端為鍛儀銅插座，另一端采用鍛 儀銅線繞制成06mm、高度為5mm的禁銅端，與示波器的輸入端連接；
[0012]示波器的輸入端采用探針，其電容值《13pF，與定標線圈輸出端連接后總體其分 布電容《20pF，輸入阻抗為IMQ。
[001引需要說明的是，所述正弦波信號發(fā)生器的頻率范圍為正弦波l0kHz-250MHz，MPE: ± 5 X 1 0-7，輸出功率0~15W，輸出阻抗Z = 50 Q ;頻率為13.56MHz。
[0014] 需要說明的是，定標線圈的長X寬為72X42mm，導線直徑0.5mm，不確定度為U = 2.3um 化= 2)。
[0015] 需要說明的是，所述標定裝置的天線尺寸為170X 170mm，天線直徑為150mm，裝配 間距為37.5mm。
[0016] 本發(fā)明的有益效果在于：提供了能量測試模擬卡磁場強度的計量方法，為制作能 量測試模擬卡產(chǎn)品、調試提供技術方法;實現(xiàn)能量測試模擬卡在中國量值溯源和傳遞。為法 定證件產(chǎn)品質量控制和管理提供計量保障，為13.56MHz射頻識別相關產(chǎn)品的技術進步提供 技術服務。
【附圖說明】
[0017] 圖1為本發(fā)明的電路示意圖；
[001引圖2為本發(fā)明的原理示意圖；
[0019] 圖3為能量測試模擬卡的結構示意圖；
[0020] 圖4為能量測試模擬卡的電路示意圖；
[0021] 圖5為定標線圈的結構示意圖；
[0022] 圖6為能量測試模擬卡磁場強度的量值溯源與傳遞示意圖。
【具體實施方式】
[0023] W下將結合附圖對本發(fā)明作進一步的描述，需要說明的是，本實施例W本技術方 案為前提，給出了詳細的實施方式和具體的操作過程，但本發(fā)明的保護范圍并不限于本實 施例。
[0024] 參考PICC(血in,血ax)由于用途不同分為：用于測量最小場強（1.5A/m)的能量測 試模擬卡參考PICC(Hmin)和用于測量最大場強（7.5A/m)的能量測試模擬卡參考PICC (Hmax)。
[0025] 參考PICC(血in,血ax)的主要技術指標如下：
[0026] 參考 PICC(血 in)
[0027] 諧振頻率:13.56MHz，最大允許誤差不超過±化化；
[002引直流電壓:3V，最大允許誤差不超過±6%;
[0029] 參考 PICC (Hmax)
[0030] 諧振頻率:19MHz，最大允許誤差不超過±化化；
[0031] 直流電壓:3V，最大允許誤差不超過±6%。
[0032] 參考PICC(血in，Hmax)由PICC活動區(qū)和PICC功能模擬區(qū)組成，如圖3所示。
[0033] 參考PICC化min,血ax)根據(jù)電磁感應定律，采用電感禪合方式與射頻讀寫設備進 行能量的傳遞和工作。其中活動區(qū)部分模擬IC卡的天線線圈，功能模擬區(qū)模擬IC卡能量電 路，將感應信號轉換為給微型忍片提供工作需要的直流電壓。
[0034] 如圖4所示，參考PICC (血in，血ax)從電路上分包括2個模塊，分別是：
[0035] (1)諧振電路模塊：由（線圈）電感L2和電容C2C3組成的諧振電路。
[0036] 功能:諧振在特定的頻率點，接收高頻信號的能量。
[0037] 工作原理：參考PICC(血in,血ax)線圈回路的分布電容C2和外接調諧振電容C3線 圈電感L2并聯(lián)形成LC振蕩回路2,其諧振頻率為f，當參考PICC(血in,血ax)線圈置于閱讀器 的交變磁場中并且諧振頻率f與閱讀器交變磁場的頻率時相同時，諧振回路1，2產(chǎn)生諧振。 諧振使的閱讀器天線線圈產(chǎn)生非常大的電流，使得參考PICC化min, Hmax)線圈L2上的感應 電壓達到最大值。
[0038] (2)電壓模塊：由兩部分組成：
[0039] 第一部分由四個二極管D1D2D3D4組成的檢波電路。
[0040] 功能:是把高頻信號變成直流信號。
[0041 ]第二部分是由后面的C3、Rl R2R3組成的濾波輸出電路。
[0042] 功能:主要是平滑濾波前面檢波出來的直流信號并按照要求調整為3V輸出。
[0043] 工作原理：將線圈上獲得的感應電壓經(jīng)過二極管整流濾波轉化為穩(wěn)定的直流電 壓。
[0044] 根據(jù)上述能量測試模擬卡的結構特點和工作原理，本發(fā)明提供一種能量測試模擬 卡磁場強度校準裝置。
[0045] 如圖1-2所示，能量測試模擬卡磁場強度校準裝置，包括正弦波信號發(fā)生器、功率 放大器、標定裝置、定標線圈、示波器、高阻抗直流電壓表，所述正弦波信號發(fā)生器、功率放 大器、標定裝置依次連接組成磁場發(fā)生器，定標線圈和示波器組成標準場強值控制部分，標 定裝置和高阻抗直流電壓表組成直流電壓測量部分;所述定標線圈的輸出端與所述示波器 的輸入端相連接;所述高阻抗直流電壓表連接于待測能量測試模擬卡的輸出端，所述能量 測試模擬卡的天線線圈安裝于所述標定裝置的天線一端(A端)的中屯、位置并與所述標定裝 置的天線平行且同軸，所述定標線圈安裝在所述標定裝置的天線另一端(B端）的中屯、位置 并與所述標定裝置的天線平行且同軸;所述定標線圈與所述能量測試模擬卡的天線線圈平 行且同軸并到標定裝置的中屯、位置距離相等。
[0046] 所述磁場發(fā)生器用于發(fā)出13.56MHz，功率0-1抓的磁場信號。
[0047] 標準場強值控制部分中，由定標線圈和示波器組成。主要功能：控制標準場強輸 出。
[0048] 直流電壓測量部分用于標定能量測試模擬卡直流電壓的輸出。
[0049] 采用示波器定量標定場強值，首先要研究確定感應電壓與場強的關系，進一步確 定標準場強的控制與輸出。
[0050] 由電磁感應定律得到：
[0051] U = d 巫/dt (1)
[0052] 巫=HXS (2)
[0053] 其中；
[0化4] H--磁感應強度；
[0055] S--測量線圈的面積；
[0056] U--感應電壓；
[0化7] O--磁通量；
[0化引 U--磁場導磁系數(shù)。
[0059] 所 W
[0060] 對上述公式求導，可得到電壓與場強之間的關系為：
[0061] U = NXuX出ffXSX O (3)
[0062] 其中；
[0063] H=出ffXsinwt, W =^f
[0064] 出ff--正弦形磁場的有效場強；
[00化]O--磁場的角頻率。
[0066] 由于空氣的導磁率為1.2567 X 1 (T6，定標線圈的測量面積為3000mm2，定標線圈的 應數(shù)為1，磁場的角頻率為13.56MHz，將上述數(shù)據(jù)帶入公式(3)，即可得到定標線圈lA/m場強 產(chǎn)生的感應電壓為：
[0067] U= (1.2567 X 1〇-6) X 3 X 1〇-3 X 2 X 3.14 X 13.56 X 1〇6 X 1 [006引=0.32V
[0069] 由于0.32V為有效值，反映到示波器上的峰峰值為900mv的波形，因此：最小場強 1.5A/m，在示波器上控制電壓為1.35Vp-p，
[0070] 最大場強7.5A/m示波器上的控制電壓為6.75Vp-p
[0071] 為了減少電壓值的測量誤差，應使測量線圈呈現(xiàn)的阻抗值遠小于測量設備的輸入 阻抗值;線圈的電感及分布電容和測量設備的輸入電容造成的諧振頻率遠高于卡的諧振頻 率，為此要求測量線圈的電感量，直流電阻值和分布電容值盡量小，只繞1圈。
[0072] 為了使測量線圈的面積值穩(wěn)定，不能使用空屯、線圈，采用優(yōu)質印制電路板制做出1 圈較寬的導線102并通過專用接插件和示波器的探針相連。印制板的尺寸按標準IC卡的大 小選用：長86mm，寬54mm，厚0.5mm.印制導線的外長72mm，外寬42mm，倒角半徑5mm，線寬 0.5mm構成矩形，如圖5所示。
[0073] 所述定標線圈的測量接觸點的大小均為1.5 X 1.5mm2，整體電感值為200nH，電阻 為0.25 Q ;另外，所述定標線圈的面積為3000mm2;定標線圈在13.56MHz時所呈現(xiàn)阻抗的模 數(shù)為：
[0074] 2=((化? 13.56 ? 1〇6 ? 0.2 ? 1〇-6)2+(〇.25)2)1/2^=170。
[0075] 需要說明的是，所述定標線圈包括有與所述定標線圈的其中一個輸出端連接的鍛 儀銅插座，W及與定標線圈的另一個輸出端連接的禁銅端，所述禁銅端采用鍛儀銅線繞制 成0 6mm、高度為5mm的連接端。所述鍛儀銅插座101和禁銅端103組成所述專用接插件。
[0076] 示波器的輸入端采用探針，其電容值《13pF，與線圈輸出端連接后總體其分布電 容《20pF，輸入阻抗在13.56MHz時所呈現(xiàn)值達數(shù)千歐姆，遠大于17歐姆。其固有諧振頻率 為：
[0077] 時二 1/(2 ? JT ? (0.2 ? 1〇-6 ? 20 ? 10-12)1/2)^=SOMHz [007引運個值大于13.56MHz的工作頻率。
[0079] 高阻抗電壓表用于能量測試模擬卡輸出電壓的測量，由于測量環(huán)境對電磁場有干 擾，所述高阻抗直流電壓表采用同軸射頻電纜線或雙絞測試線作為測試線與所述能量測試 模擬卡的輸出端連接，且測試線線長《30cm。
[0080] W上條件能夠保證定標線圈不會由于其參數(shù)值的選擇不當而影響對其電壓值的 測量。
[0081] 圖1中，CL為標定裝置線圈的等效電容和電感，用于組成LC振蕩電路1，將信號源產(chǎn) 生的射頻信號轉變?yōu)榻蛔兇艌鲂盘栞敵?。LlCl為線圈與示波器的等效電感和電容。L2C2為 能量測試模擬卡線圈電感和電容，C3為可調電容，L2C2C3組成振蕩電路2。標定裝置的作用 一是產(chǎn)生振蕩電路1、使能量測試模擬卡振蕩電路2能夠發(fā)生電感禪合。作用二是通過電磁 場空間對稱的原理，標定線圈與示波器組合確定標準磁場值的大小。能量測試模擬卡的C3 為可調電容，對能量測試模擬卡的諧振頻率進行調整。D1-D4組成檢波電路，將交流信號轉 變?yōu)橹绷餍盘枴4R1R2R3組成的濾波輸出電路，作用是平滑濾波前面檢波出來的直流信號 并按照要求調整R2使輸出為3V 為轉換開關，在調試與測量中進行轉換。
[0082] 例如采用下列設備組成校準裝置進行校準。
[0083] 所述能量測試模擬卡磁場強度校準裝置儀器設備技術要求如表1所示。
[0084] 表 1
[0085]
[0086]
[0087]
[0088] 通過上述能量測試模擬卡磁場強度校準裝置進行能量測試模擬卡磁場強度計量 的方法具體主要包括如下步驟：
[0089] 能量測試模擬卡磁場強度計量方法，包括如下步驟：
[0090] Sl正弦波信號發(fā)生器發(fā)出參數(shù)一定幅度連續(xù)變化的信號并經(jīng)過功率放大器至標 定裝置，直至標定裝置連續(xù)產(chǎn)生標準電磁場信號；定標線圈與標定裝置的天線平面一端同 軸且平行放置，與定標線圈連接的示波器顯示連續(xù)變化的波形幅度，標定裝置產(chǎn)生的場強 大小W示波器幅度顯示值為標準值；
[0091] S2待測能量測試模擬卡的線圈部分在標準電磁場中與標定裝置的天線平面另一 端同軸且等距離平行放置，線圈與標定裝置的天線發(fā)生電感禪合，記錄在標準磁場強度下 高阻抗直流電壓表所顯示的待測能量測試模擬卡的直流電壓值；
[0092] 所述定標線圈的測量接觸點的大小為1.5 X 1.5mm2,電感值為200nH，電阻為0.25 Q，定標線圈的測量面積為3000mm2;定標線圈輸出端的一端為鍛儀銅插座，另一端采用鍛 儀銅線繞制成06mm、高度為5mm的禁銅端，與示波器的輸入端連接；
[0093] 示波器的輸入端采用探針，其電容值《13pF，與定標線圈輸出端連接后總體其分 布電容《20pF，輸入阻抗為IMQ。
[0094] 需要說明的是，所述正弦波信號發(fā)生器的頻率范圍為正弦波10kHz-250MHz，MPE: ± 5 X 1 〇-7，輸出功率0~15W，輸出阻抗Z = 50 Q ;頻率為13.56MHz。
[0095] 需要說明的是，定標線圈的長X寬為72X42mm，導線直徑0.5mm，不確定度為U = 2.3um 化= 2)。
[0096] 需要說明的是，所述標定裝置的天線尺寸為170X 170mm，天線直徑為150mm，裝配 間距為37.5mm。
[0097] 驗證試驗
[009引為了證明磁場強度校準裝置性能的有效性，采用參考PICC(Hmin),參考PICC (Hmax)作為樣品，測試數(shù)據(jù)作為參考。
[0099] 1、試驗方法及數(shù)據(jù)
[0100] (1)實驗裝置:磁場強度校準裝置
[0101] (2)樣品：參考PICC(血in),參考PICC(血ax)各1個。編號：
[0102] 1#:參考 PICC(血 in)
[0103] 2#:參考 PICC(Hmax)
[0104] (3)環(huán)境條件：
[0105] 溫度：（20±5)°C;
[0106] 相對濕度：《80%;
[0107] 測試裝置周圍無振動、無電磁場干擾影響；
[010引試驗地點:公安部第一研究所神盾計量校準中屯、418室
[0109] (4)依據(jù):JJG(公安)1-2014相應條款
[0110] 試驗數(shù)據(jù)見表2
[0111] 表2
[0112]
[0114] 表7顯示:在同樣測量環(huán)境下1#、2#樣品測量結果均與標稱值誤差很小，說明采用 項目研發(fā)的校準/檢定裝置對國外樣品的試驗，數(shù)據(jù)與標稱值具有可比性，校準裝置具有可 行性。
[0115] 2、磁場強度測量結果的不確定度分析
[0116] 下面對于能量測試模擬卡輸出3V電壓校準點作測量結果的不確定度分析。
[0117] 2.1直流電壓測量結果的不確定度分析
[0118] 2.1.1數(shù)學模型
[0119] A V = VQ-Vx
[0120] A V能量測試模擬卡電壓測量誤差，VO為檢定裝置輸出的電壓標稱值，Vx為能量測 試模擬卡轉換后的電壓測量值。
[0121] 2.1.2方差和靈敏系數(shù)
[0122] 由A V = VO-Vx得方差為：
[0123] ?'(:(Av)二(V。)"] (V。）+ (V')?/(VI)
[0124] 式中：u(v〇)-檢定裝置輸出電壓值的標準不確定度分量;U(Vx)-被檢能量測試模擬 卡電壓測量值的標準不確定度分量。
[0125] 靈敏系數(shù)為：
[0126]
[0127]
[012引故：
[0129] (Ar) : "2 (V。）+ ": (V')
[0130] 2.1.3測量不確定度評定
[0131] 對能量測試模擬卡在直流電壓測量值3V點的測量結果進行測量不確定度評定。
[0132] 2.1.3.1輸入量Vx的標準不確定度U(Vx)的評定
[0133] 輸入量Vx的標準不確定度主要來自被檢能量測試模擬卡電壓測量值的重復性U (Vxl )和能量測試模擬卡電壓測量準確度引入的標準不確定度U ( Vx2 )。
[0134] a)能量測試模擬卡電壓測量值的重復性引入的標準不確定度為U(Vxi)
[0135] 能量測試模擬卡電壓測量值的重復性引入的標準不確定度為U(Vxi),采用A類評 定。對被檢能量測試模擬卡電壓作重復性試驗，測量數(shù)據(jù)如表3所示。讀取10次結果，按正態(tài) 分布評定，計算實驗標準差S(V) ,U(Vxl) = S(V)，自由度Vl = 9。
[0136] 表3
[0137] 單位:V [013 引
[0
[0140] B)能量測試模擬卡電壓測量準確度引入的標準不確定度為u(vx2)
[0141] 能量測試模擬卡電壓測量準確度引入的標準不確定度為u(vx2)，采用B類評定。
[0142] 能量測試模擬卡的電壓采用數(shù)字電壓表測量，其直流電壓準確度為±0.6%，且誤 差為矩形分布，故：
[0143]
[0144] 估計自由度
[0145] 2.1.3.2輸入量V日的標準不確定度U(VO)的評定
[0146] 輸入量VO的標準不確定度主要來源于能量測試模擬卡檢定裝置引入的標準不確 定度分量U(VO)，采用B類方法進行評定。
[0147] 能量測試模擬卡檢定裝置輸出信號幅度采用示波器監(jiān)測，其幅度測量準確度為± 2%，且誤差為矩形分布，故：
[014 引
[0149]估計自由度V3 一-^
[015日]2.1.3.3標準不確定度分量如表4所示
[0151] 表4
[0152]
[0153]
[0154] 2.1.3.4合成標準不確定度[0K5] W上分量相互獨立，計算合成標準不確定度Uc:
[0156]
[0157]
[015 引
[0159] 2.1.3.6擴展不確定度評定
[0160] 本測量共有=項不確定度分量，其中U(Vxl)服從正態(tài)分布，U(Vx2)和U(VO)均為矩形 分布，故可W估計被測量V接近=角分布。
[0161 ] 取置信概率P = 0.95，Veff (f日）=10，查t分布表得到：
[0162] kg已=t9已(Veff( A v)) = t9已（°°) = 1.9
[016引 故U95 = k9sXuc( Av) = 1.9X0.036>0.068(V)
[0164] 2.1.3.7 結論
[0165] 依據(jù)檢定規(guī)程能量測試模擬卡直流電壓3V點測量的最大允許誤差為±3 X6% = ±0.18(V)，從上述分析得到化5 = 0.068V，故可W判斷能夠滿足《規(guī)程》要求。
[0166] 參考PICC(血in，Hmax)磁場強度的量值溯源與傳遞可W通過圖6表示。
[0167] 從圖6可W看出，本發(fā)明的能量測試模擬卡磁場強度校準裝置的各項參數(shù)能夠在 國內實現(xiàn)有效溯源，滿足能量測試模擬卡按照JJG(公安）1-2014進行校準的需要，是規(guī)程能 夠實施的硬件設備能力支撐。解決了國內外裝置不能在國內溯源、能量測試模擬卡不能在 國內溯源的難題。
[0168] 對于本領域的技術人員來說，可W根據(jù)W上的技術方案和構思，作出各種相應的 改變和變形，而所有的運些改變和變形都應該包括在本發(fā)明權利要求的保護范圍之內。
【主權項】
1. 能量測試模擬卡磁場強度計量方法，其特征在于，包括如下步驟： Sl正弦波信號發(fā)生器發(fā)出參數(shù)一定幅度連續(xù)變化的信號并經(jīng)過功率放大器至標定裝 置，直至標定裝置連續(xù)產(chǎn)生標準電磁場信號；定標線圈與標定裝置的天線平面一端同軸且 平行放置，與定標線圈連接的示波器顯示連續(xù)變化的波形幅度，標定裝置產(chǎn)生的場強大小 以示波器幅度顯示值為標準值； S2待測能量測試模擬卡的線圈部分在標準電磁場中與標定裝置的天線平面另一端同 軸且等距離平行放置，線圈與標定裝置的天線發(fā)生電感耦合，記錄在標準磁場強度下高阻 抗直流電壓表所顯示的待測能量測試模擬卡的直流電壓值； 所述定標線圈的測量接觸點的大小為1.5 X 1.5mm2，電感值為200nH，電阻為O . 25 Ω，定 標線圈的測量面積為3000mm2;定標線圈輸出端的一端為鍍鎳銅插座，另一端采用鍍鎳銅線 繞制成0 6mm、高度為5mm的禁錮端，與示波器的輸入端連接； 示波器的輸入端采用探針，其電容值<13pF，與定標線圈輸出端連接后總體其分布電 容彡20pF，輸入阻抗為1ΜΩ。2. 根據(jù)權利要求1所述的能量測試模擬卡磁場強度計量方法，其特征在于，所述正弦波 信號發(fā)生器的頻率范圍為正弦波101^-2501^，1〇^:±5\10，輸出功率0~151，輸出阻抗2 =50 Ω ;頻率為13.56MHz。3. 根據(jù)權利要求1所述的能量測試模擬卡磁場強度計量方法，其特征在于，定標線圈的 長X寬為72父42111111，導線直徑0.5111111，測量不確定度1] = 2.311111(1^ = 2)。4. 根據(jù)權利要求1所述的能量測試模擬卡磁場強度計量方法，其特征在于，所述標定裝 置的天線尺寸為170 X 17〇mm，天線直徑為150mm，裝配間距為37.5mm。
【文檔編號】G01R33/06GK105954690SQ201610419992
【公開日】2016年9月21日
【申請日】2016年6月13日
【發(fā)明人】汪民, 胡志昂, 滕旭, 李文潔, 鄔鵬程, 劉飛, 胡佳, 謝峰, 席小雷, 田昕, 金明亮, 張艷軍, 孫靜
【申請人】公安部第研究所, 公安部第一研究所, 北京中盾安全技術開發(fā)公司