一種光檢測電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本實用新型屬于光檢測電路技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種光檢測電路。
【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)的光檢測器是采用光電二極管將光信號轉(zhuǎn)換為電流信號，然后使用后續(xù)電路對該電流信號進行處理，例如以放大器放大電流信號，來進行檢測和測量。
[0003]光電二極管無法在半導(dǎo)體集成電路的內(nèi)部實現(xiàn)，而只能采用獨立的外接器件，因而容易受到外界干擾。這就要求光電二極管本身具有足夠大的光電轉(zhuǎn)換系數(shù)，還需要其后續(xù)電路具有放大倍數(shù)大、噪聲小的放大器，這使得其整體成本很高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本實用新型提供一種光檢測電路，以解決上述【背景技術(shù)】中傳統(tǒng)的光檢測電路的易受外界干擾，成本高的問題。
[0005]本實用新型所解決的技術(shù)問題采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn):本實用新型提供一種光檢測電路，其特征在于:包括光電傳感器J1、光電耦合模塊、場效應(yīng)管模塊、輸出端J2，所述光電耦合模塊包括光電耦合器Ul、三極管Q7、電容C2、穩(wěn)壓管D1、電阻R2、電容Cl，所述光電耦合器Ul的引腳I接場效應(yīng)管Q5的D極，其引腳2接光電傳感器Jl的引腳1，其引腳3接三極管Q7的發(fā)射極且接地，其引腳4接電容Cl的一端，所述三極管Q7的基極接穩(wěn)壓管Dl的陽極、電阻R2的一端，所述場效應(yīng)管模塊包括場效應(yīng)管Q3、場效應(yīng)管Q4、場效應(yīng)管Q5、場效應(yīng)管Q6、三極管Q1、三極管Q2、電阻R1，所述場效應(yīng)管Q5的G極接光電傳感器Jl的引腳2，其S極接場效應(yīng)管Q3的G極，所述場效應(yīng)管Q3的D極接三極管Ql的發(fā)射極和基極、三極管Q2的基極，其S極接電阻Rl的另一端、場效應(yīng)管Q4的D極且接電壓+12V，所述三極管Ql的集電極接三極管Q2的發(fā)射極且接地，所述場效應(yīng)管Q4的G極接電阻Rl的另一端、三極管Q2的集電極，其S極接電阻R2的一端、場效應(yīng)管Q6的G極，所述場效應(yīng)管Q6的其S極接電容Cl的另一端，D極接電容C2的另一端、穩(wěn)壓管Dl的陰極且都接輸出端J2。
[0006]所述場效應(yīng)管Q3選用N溝道MOS晶體管。
[0007]所述場效應(yīng)管Q4選用P溝道MOS晶體管。
[0008]所述場效應(yīng)管Q5選用P溝道MOS晶體管。
[0009]所述場效應(yīng)管Q6選用N溝道MOS晶體管。
[0010]本實用新型的有益效果為:
[0011]I本專利光電傳感器檢測到光信號以后，經(jīng)過光電隔離后，使得場效應(yīng)管Q6滿足導(dǎo)通條件，進而使信號傳到輸出端輸出，整個過程是檢測光信號，因此消耗的電流很小，耗能少，節(jié)約能源，降低成本。
[0012]2本專利采用光電隔離器組成抗干擾電路，大大提高光電檢測電路的抗干擾能力，避免信號傳輸時受外界干擾，檢測不準確的情況發(fā)生。
[0013]3本專利將N溝道MOS晶體管和P溝道MOS晶體管組成反型電路，大大提高光電檢測電路的精度。
[0014]4本專利采用場效應(yīng)管和光電耦合器的設(shè)計，簡化了電路，使得無需整個電路無需采用放大器元件，大大降低了電路規(guī)模，降低成本。
【附圖說明】
[0015]圖1是本實用新型的電路原理圖。
【具體實施方式】
[0016]以下結(jié)合附圖對本實用新型做進一步描述:
[0017]實施例:
[0018]本實施例包括:光電傳感器J1、光電親合模塊、場效應(yīng)管模塊、輸出端J2，光電親合模塊包括光電耦合器Ul、三極管Q7、電容C2、穩(wěn)壓管D1、電阻R2、電容Cl，光電耦合器Ul的引腳I接場效應(yīng)管Q5的D極，其引腳2接光電傳感器Jl的引腳1，其引腳3接三極管Q7的發(fā)射極且接地，其引腳4接電容Cl的一端，三極管Q7的基極接穩(wěn)壓管Dl的陽極、電阻R2
的一端。
[0019]場效應(yīng)管模塊包括場效應(yīng)管Q3、場效應(yīng)管Q4、場效應(yīng)管Q5、場效應(yīng)管Q6、三極管Ql、三極管Q2、電阻Rl，場效應(yīng)管Q5的G極接光電傳感器Jl的引腳2，其S極接場效應(yīng)管Q3的G極，場效應(yīng)管Q3的D極接三極管Ql的發(fā)射極和基極、三極管Q2的基極，其S極接電阻Rl的另一端、場效應(yīng)管Q4的D極且接電壓+12V，三極管Ql的集電極接三極管Q2的發(fā)射極且接地，場效應(yīng)管Q4的G極接電阻Rl的另一端、三極管Q2的集電極，其S極接電阻R2的一端、場效應(yīng)管Q6的G極，場效應(yīng)管Q6的其S極接電容Cl的另一端，D極接電容C2的另一端、穩(wěn)壓管Dl的陰極且都接輸出端J2。
[0020]本專利光電傳感器檢測到光信號以后，經(jīng)過光電隔離后，使得場效應(yīng)管Q6滿足導(dǎo)通條件，進而使信號傳到輸出端輸出，整個過程是檢測光信號，因此消耗的電流很小，耗能少，節(jié)約能源，降低成本。
[0021]利用本實用新型所述的技術(shù)方案，或本領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實用新型技術(shù)方案的啟發(fā)下，設(shè)計出類似的技術(shù)方案，而達到上述技術(shù)效果的，均是落入本實用新型的保護范圍。
【主權(quán)項】
1.一種光檢測電路，其特征在于:包括光電傳感器J1、光電耦合模塊、場效應(yīng)管模塊、輸出端J2，所述光電耦合模塊包括光電耦合器U1、三極管Q7、電容C2、穩(wěn)壓管D1、電阻R2、電容Cl，所述光電耦合器Ul的引腳I接場效應(yīng)管Q5的D極，其引腳2接光電傳感器Jl的引腳1，其引腳3接三極管Q7的發(fā)射極且接地，其引腳4接電容Cl的一端，所述三極管Q7的基極接穩(wěn)壓管Dl的陽極、電阻R2的一端，所述場效應(yīng)管模塊包括場效應(yīng)管Q3、場效應(yīng)管Q4、場效應(yīng)管Q5、場效應(yīng)管Q6、三極管Q1、三極管Q2、電阻R1，所述場效應(yīng)管Q5的G極接光電傳感器Jl的引腳2，其S極接場效應(yīng)管Q3的G極，所述場效應(yīng)管Q3的D極接三極管Ql的發(fā)射極和基極、三極管Q2的基極，其S極接電阻Rl的另一端、場效應(yīng)管Q4的D極且接電壓+12V，所述三極管Ql的集電極接三極管Q2的發(fā)射極且接地，所述場效應(yīng)管Q4的G極接電阻Rl的另一端、三極管Q2的集電極，其S極接電阻R2的一端、場效應(yīng)管Q6的G極，所述場效應(yīng)管Q6的其S極接電容Cl的另一端，D極接電容C2的另一端、穩(wěn)壓管Dl的陰極且都接輸出端J2。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光檢測電路，其特征在于:所述場效應(yīng)管Q3選用N溝道MOS晶體管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光檢測電路，其特征在于:所述場效應(yīng)管Q4選用P溝道MOS晶體管。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光檢測電路，其特征在于:所述場效應(yīng)管Q5選用P溝道MOS晶體管。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光檢測電路，其特征在于:所述場效應(yīng)管Q6選用N溝道MOS晶體管。
【專利摘要】本實用新型屬于光檢測電路技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種光檢測電路，包括光電傳感器J1、光電耦合模塊、場效應(yīng)管模塊、輸出端J2，所述光電耦合模塊包括光電耦合器U1，所述光電耦合器U1的引腳1接場效應(yīng)管Q5的D極，所述場效應(yīng)管模塊包括場效應(yīng)管Q3、場效應(yīng)管Q4、場效應(yīng)管Q5、場效應(yīng)管Q6，所述場效應(yīng)管Q5的G極接光電傳感器J1的引腳2，所述場效應(yīng)管Q6的其S極接電容C1的另一端。本專利采用場效應(yīng)管和光電耦合器的設(shè)計，簡化了電路，使得無需整個電路無需采用放大器元件，大大降低了電路規(guī)模，降低成本。
【IPC分類】G01J1-44
【公開號】CN204359432
【申請?zhí)枴緾N201520024089
【發(fā)明人】趙富盛
【申請人】天津市格通盛科技發(fā)展有限公司
【公開日】2015年5月27日
【申請日】2015年1月14日