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      一種半導(dǎo)體用金屬基板厚度測量儀的制作方法

      文檔序號:9013574閱讀:208來源:國知局
      一種半導(dǎo)體用金屬基板厚度測量儀的制作方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本實(shí)用新型涉及一種在通常具有0.5?1mm范圍的設(shè)計(jì)厚度并在平板全部地點(diǎn)要求微米單位的精密度的半導(dǎo)體用金屬基板厚度測量儀。
      【背景技術(shù)】
      [0002]公開專利特1996-0028718號提供了一種基板厚度測量裝置,具備:傳送機(jī)框架,其由相互相向的上部及下部水平構(gòu)件和相互連接它們的豎直構(gòu)件構(gòu)成;彈簧,其一端固定于所述上部水平構(gòu)件的底面;基板固定用板,其安裝于所述上下部水平構(gòu)件之間,所述彈簧的另一端固定于上面;支撐基座,其提供有支撐印刷電路基板的底面的多個(gè)支撐銷,能夠使所述印刷電路基板相對于所述基板固定用板的底面而上升、貼緊;缸,其使所述支撐基座上升運(yùn)動(dòng)既定高度;及距離感知傳感器,其安裝于所述上部水平構(gòu)件的上部一側(cè),能夠向配置于所述支撐銷與所述基板固定用板之間的印刷電路基板的上部照射激光束并測量距離;使得能夠根據(jù)印刷電路基板的厚度而調(diào)節(jié)貼裝機(jī)頭部的下降距離。
      [0003]在半導(dǎo)體領(lǐng)域,散熱特性優(yōu)于原有塑料材質(zhì)PCB基板的金屬(特別是鋁)基板的使用呈增加趨勢,由于在半導(dǎo)體基板特性上,在5?30cm級別平面的全部地點(diǎn)中,厚度允許誤差應(yīng)在數(shù)微米以內(nèi),因此在厚度加工后,要求在金屬平板上的基板的多地點(diǎn)進(jìn)行精密厚度測量,但由于平板的彎曲等,在各地點(diǎn)進(jìn)行精密檢測厚度方面存在困難。
      【實(shí)用新型內(nèi)容】
      [0004](要解決的技術(shù)問題)
      [0005]本實(shí)用新型旨在提供一種半導(dǎo)體用金屬基板厚度測量儀,能夠迅速、精密地測量例如橫向縱向5?30cm左右、厚度0.5?1mm范圍級別的半導(dǎo)體金屬基板的多地點(diǎn)(例如6?8點(diǎn))厚度。
      [0006]本實(shí)用新型旨在提供一種半導(dǎo)體用金屬基板厚度測量儀,能夠在半導(dǎo)體用金屬基板生產(chǎn)后的全數(shù)或抽樣尺寸檢查工序中,迅速、正確地測量平板的一個(gè)地點(diǎn)的厚度,在其它地點(diǎn)的厚度測量過程中,能夠容易、迅速地移動(dòng)位置。
      [0007](解決問題的手段)
      [0008]一種半導(dǎo)體用金屬基板厚度測量儀,其特征在于,包括:
      [0009]下部支座,其沿著豎直框架升降;
      [0010]上部加壓臺,其在所述下部支座的上部,沿著豎直框架進(jìn)行升降;
      [0011]測量部,其包括下部接觸尖端和上部接觸尖端,測量所述下部接觸尖端上端與上部接觸尖端下端之間的距離;
      [0012]如果被測量體位于所述下部支座與上部加壓臺之間,那么,下部接觸尖端與上部接觸尖端接觸被測量體的上下面,測量部測量距離。
      [0013]豎直框架,其在下部的底座上向上直立地形成;
      [0014]第I下部升降塊,其位于所述豎直框架的下部前方,借助于第I空壓驅(qū)動(dòng)部而沿第I導(dǎo)軌升降;
      [0015]所述下部支座上形成有下部接觸尖端通過槽,所述下部支座加裝于所述第I下部升降塊的前方,支撐所述被測量體的下面;
      [0016]第2上部升降塊,其位于所述豎直框架的上部前方,借助于第2空壓驅(qū)動(dòng)部而沿第2導(dǎo)軌升降,所述第2導(dǎo)軌豎直設(shè)置于豎直框架上;
      [0017]上部加壓臺,其形成有上部接觸尖端通過槽,加裝于所述第2上部升降塊的前方,加壓把持所述被測量體的上面;
      [0018]第2豎直框架,其在所述底座上向上直立地形成,
      [0019]第3導(dǎo)軌,其豎直設(shè)置于第2豎直框架上;
      [0020]測量部升降塊,其在搭載所述測量部的狀態(tài)下,借助于第3空壓驅(qū)動(dòng)部而沿著第3導(dǎo)軌升降;
      [0021]上部接觸尖端升降部,其由固定于所述測量部升降塊并與所述測量部升降塊一同一體移動(dòng)的第4空壓驅(qū)動(dòng)部、借助于所述第4空壓驅(qū)動(dòng)部而升降并使所述上部接觸尖端升降的上部接觸尖端把持部構(gòu)成。
      [0022](實(shí)用新型的效果)
      [0023]根據(jù)本實(shí)用新型,提供一種半導(dǎo)體用金屬基板厚度測量儀,能夠迅速、精密地測量例如橫向縱向5?30cm左右、厚度0.5?1mm范圍級別的半導(dǎo)體金屬基板的多地點(diǎn)(例如6?8點(diǎn))厚度。
      [0024]根據(jù)本實(shí)用新型,提供了一種半導(dǎo)體用金屬基板厚度測量儀,能夠在半導(dǎo)體用金屬基板生產(chǎn)后的全數(shù)或抽樣尺寸檢查工序中,迅速、正確地測量平板的一個(gè)地點(diǎn)的厚度,在其它地點(diǎn)的厚度測量過程中,能夠容易、迅速地移動(dòng)位置。
      【附圖說明】
      [0025]圖1是本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體用金屬基板厚度測量儀整體立體圖。
      [0026]圖2是本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體用金屬基板厚度測量儀立體圖。
      [0027]圖3是本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體用金屬基板厚度測量儀主視圖。
      [0028]圖4是本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體用金屬基板厚度測量儀側(cè)視圖。
      [0029]圖5(a,b,c)是本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體用金屬基板厚度測量儀運(yùn)轉(zhuǎn)狀態(tài)圖(初始位置、下部支座及上部加壓板加壓狀態(tài)、下部接觸尖端及上部接觸尖端接觸狀態(tài))。
      [0030]圖6是顯示本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體用金屬基板的測量地點(diǎn)的構(gòu)成圖。
      [0031]〈符號說明〉
      [0032]B:底座10:豎直框架
      [0033]20:第I下部升降塊21:第I空壓驅(qū)動(dòng)部
      [0034]30:下部支座40:第2上部升降塊
      [0035]41:第2空壓驅(qū)動(dòng)部50:上部加壓臺
      [0036]60:測量部Pl:下部接觸尖端
      [0037]P2:上部接觸尖端70:測量部升降塊
      [0038]71:測量部升降塊80:上部接觸尖端升降部
      [0039]81:第4空壓驅(qū)動(dòng)部85:上部接觸尖端把持部
      [0040]90:三自由度移送部
      【具體實(shí)施方式】
      [0041]下面對本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體用金屬基板厚度測量儀及測量方法進(jìn)行詳細(xì)說明。圖1是本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體用金屬基板厚度測量儀整體立體圖,圖2是本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體用金屬基板厚度測量儀立體圖,圖3是本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體用金屬基板厚度測量儀主視圖,圖4是本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體用金屬基板厚度測量儀側(cè)視圖,圖5(a,b,c)是本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體用金屬基板厚度測量儀運(yùn)轉(zhuǎn)狀態(tài)圖,圖6是顯示本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體用金屬基板的測量地點(diǎn)的構(gòu)成圖。
      [0042]如圖1至圖4所示,本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體用金屬基板厚度測量儀包括:下部支座30,其沿著豎直框架10升降;上部加壓臺50,其在所述下部支座30的上部,沿著豎直框架10進(jìn)行升降;測量部60,其包括下部接觸尖端Pl和上部接觸尖端P2,測量所述下部接觸尖端Pl上端與上部接觸尖端P2下端之間的距離;如果被測量體位于所述下部支座30與上部加壓臺50之間,那么,下部接觸尖端Pl與上部接觸尖端P2接觸被測量體的上下面,測量部60測量距離。
      [0043]優(yōu)選的,本實(shí)用新型的半導(dǎo)體用金屬基板厚度測量儀還包括:
      [0044]豎直框架10,其在下部的底座B上向上直立地形成;
      [0045]第I下部升降塊20,其位于所述豎直框架10的下部前方,借助于第I空壓驅(qū)動(dòng)部21而沿第I導(dǎo)軌Rl升降;
      [0046]所述下部支座30上形成有下部接觸尖端通過槽30a,所述下部支座30加裝于所述第I下部升降塊20的前方,支撐所述被測量體S的下面;
      [0047]第2上部升降塊40,其位于所述豎直框架10的上部前方,借助于第2空壓驅(qū)動(dòng)部41而沿第2導(dǎo)軌升降,所述第2導(dǎo)軌豎直設(shè)置于豎直框架10上;
      [0048]上部加壓臺50,其形成有上部接觸尖端通過槽50a,加裝于所述第2上部升降塊40的前方,加壓把持所述被測量體S的上面;
      [0049]第2豎直框架15,其在所述底座B上向上直立地形成,
      [0050]第3導(dǎo)軌R3,其豎直設(shè)置于第2豎直框架15上;
      [0051]測量部升降塊70,其在搭載所述測量部60的狀態(tài)下,借助于第3空壓驅(qū)動(dòng)部71而沿著第3導(dǎo)軌R3升降;
      [0052]上部接觸尖端升降部80,其由固定于所述測量部升降塊70并與所述測量部升降塊70 —同一體移動(dòng)的第4空壓驅(qū)動(dòng)部81、借助于所述第4空壓驅(qū)
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