一種薄片溫度傳感器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及溫度傳感器技術(shù)，具體來(lái)說(shuō)是一種薄片溫度傳感器。
【背景技術(shù)】
[0002] 傳統(tǒng)的溫度傳感器由于內(nèi)部封裝的是PT元件，受制于PT元件體積的大小，溫度測(cè) 量只能精確表現(xiàn)于元件所在部位，對(duì)于較大的被測(cè)溫物體就需要分布多個(gè)PT元件測(cè)溫點(diǎn)， 增加了測(cè)溫成本。另外現(xiàn)有技術(shù)中的結(jié)構(gòu)，反應(yīng)靈敏度比較低，精度低，測(cè)溫覆蓋區(qū)域窄小。 【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003] 本實(shí)用新型的目的在于克服以上現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，提供了一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、造 價(jià)便宜、靈敏度高、精度高及測(cè)溫覆蓋區(qū)域廣的薄片溫度傳感器。
[0004] 為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案：一種薄片溫度傳感器，包括保 護(hù)外殼上蓋板和保護(hù)外殼下蓋板；其中，保護(hù)外殼下蓋上設(shè)有刻槽，刻槽遍布保護(hù)外殼下 蓋，刻槽內(nèi)設(shè)置有鉑絲，鉑絲端部與銀絲片連接，銀絲片與外接引線連接，保護(hù)外殼上蓋板 和保護(hù)外殼下蓋板之間用導(dǎo)熱絕緣材料填充。
[0005] 所述刻槽為彎曲槽，寬度為0. 8~1mm，深度為0. 8~1mm。
[0006] 所述保護(hù)外殼上蓋板和保護(hù)外殼下蓋板的整體長(zhǎng)度為50~800mm，寬度為5~ 25mm，厚度為 1. 8 ~2. 5mm。
[0007] 所述鉬絲的長(zhǎng)度為317~1300mm，直徑為0· 02~0· 05mm。
[0008] 所述鉑絲與銀絲片連接處設(shè)有絕緣粘接材料，銀絲片與外接引線連接處設(shè)有絕緣 粘接材料。
[0009] 所述鉑絲遍布保護(hù)外殼下蓋面積的二分之一以上。
[0010] 本實(shí)用新型相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，具有如下的優(yōu)點(diǎn)及效果：
[0011] 1、本實(shí)用新型包括保護(hù)外殼上蓋板和保護(hù)外殼下蓋板；其中，保護(hù)外殼下蓋上設(shè) 有刻槽，刻槽遍布保護(hù)外殼下蓋，刻槽內(nèi)設(shè)置有鉑絲，鉑絲端部與銀絲片連接，銀絲片與外 接引線連接，保護(hù)外殼上蓋板和保護(hù)外殼下蓋板之間用導(dǎo)熱絕緣材料填充，具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、 造價(jià)便宜、靈敏度高、精度高及測(cè)溫覆蓋區(qū)域廣等特點(diǎn)。
[0012] 2、本實(shí)用新型中的刻槽為彎曲槽，寬度為0.8~1mm，深度為0.8~1mm，便于放置 鉑絲，不會(huì)影響其靈敏性，準(zhǔn)確度得到提高。
[0013] 3、本實(shí)用新型中的保護(hù)外殼上蓋板和保護(hù)外殼下蓋板的整體長(zhǎng)度為50~800mm， 寬度為5~25mm，厚度為1. 8~2. 5mm，能適用于各種情況的應(yīng)用，適用范圍廣。
[0014] 4、本實(shí)用新型中的鉑絲的長(zhǎng)度為317~1300mm，直徑為0.02~0.05mm，根據(jù)實(shí)際 情況進(jìn)行選擇，使用效果好。
[0015] 5、本實(shí)用新型中的鉑絲遍布保護(hù)外殼下蓋面積的二分之一以上，能保證使用效 果，靈敏度高。
[0016] 6、本實(shí)用新型中的導(dǎo)熱絕緣材料可以保證殼體與鉑絲的溫度耦合，并適應(yīng)鉑絲的 熱脹冷縮。
[0017] 7、本實(shí)用新型中的刻槽是鉑絲在保護(hù)殼體內(nèi)的布線走向，保證鉑絲在保護(hù)殼體內(nèi) 按設(shè)計(jì)的走向鑲嵌，該刻槽走向可以抵消感應(yīng)電流的產(chǎn)生，保證傳感器為無(wú)感溫度傳感器。
【附圖說(shuō)明】
[0018] 圖1為一種薄片溫度傳感器的整體結(jié)構(gòu)示意圖。
[0019] 圖中標(biāo)號(hào)與名稱如下：

【具體實(shí)施方式】
[0022] 為便于本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳 細(xì)說(shuō)明。
[0023] 實(shí)施例1 :
[0024] 如圖1所示，一種薄片溫度傳感器，包括保護(hù)外殼上蓋板6和保護(hù)外殼下蓋板1 ; 其中，保護(hù)外殼下蓋1上設(shè)有刻槽2,刻槽2遍布保護(hù)外殼下蓋1，刻槽2內(nèi)設(shè)置有鉑絲3,鉑 絲3端部與銀絲片4連接，銀絲片4與外接引線5連接，保護(hù)外殼上蓋板6和保護(hù)外殼下蓋 板1之間用導(dǎo)熱絕緣材料填充。
[0025] 本實(shí)施例中的刻槽2為彎曲槽，寬度為0. 8mm，深度為0. 8mm ;保護(hù)外殼上蓋板6和 保護(hù)外殼下蓋板1的整體長(zhǎng)度為l〇〇m，寬度為10mm，厚度為2mm ;鉑絲3的長(zhǎng)度為317cm，直 徑為 0. 02mm。
[0026] 本實(shí)施例中的鉑絲3與銀絲片4連接處設(shè)有絕緣粘接材料，銀絲片4與外接引線 連5接處設(shè)有絕緣粘接材料；鉑絲3遍布保護(hù)外殼下蓋1面積的二分之一以上。
[0027] 本實(shí)施例中的結(jié)構(gòu)利用遍布保護(hù)殼體上的鉑絲3隨溫度的變化，鉑絲3的電阻值 也發(fā)生變化。根據(jù)被測(cè)溫物體尺寸大小，設(shè)計(jì)相應(yīng)長(zhǎng)度和寬度，厚度的溫度傳感器外殼。確 定外殼尺寸后，確定傳感器測(cè)溫區(qū)的長(zhǎng)度，計(jì)算并確定相應(yīng)的鉑絲3長(zhǎng)度和直徑。用電腦雕 刻機(jī)精密刻槽2。鑲嵌上合適的鉑絲3,經(jīng)過(guò)調(diào)值后引出外接引線5并封裝。適用于-50~ + 200°C的范圍，測(cè)溫覆蓋區(qū)域范圍大，能夠靈敏接受到被測(cè)物體發(fā)生的溫度變化，提高測(cè) 溫精度。
[0028] 實(shí)施例2 :
[0029] 本實(shí)施例與實(shí)施例1不同之處在于：本實(shí)施例中的刻槽2為彎曲槽，寬度為1_， 深度為1mm ;保護(hù)外殼上蓋板6和保護(hù)外殼下蓋板1的整體長(zhǎng)度為500mm，寬度為20mm，厚 度為2. 5mm ;鉬絲3的長(zhǎng)度為1300mm，直徑為0. 05mm。
[0030] 上述【具體實(shí)施方式】為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，并不能對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行限定， 其他的任何未背離本實(shí)用新型的技術(shù)方案而所做的改變或其它等效的置換方式，都包含在 本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種薄片溫度傳感器，其特征在于：包括保護(hù)外殼上蓋板和保護(hù)外殼下蓋板；其中， 保護(hù)外殼下蓋上設(shè)有刻槽，刻槽遍布保護(hù)外殼下蓋，刻槽內(nèi)設(shè)置有鉑絲，鉑絲端部與銀絲片 連接，銀絲片與外接引線連接，保護(hù)外殼上蓋板和保護(hù)外殼下蓋板之間用導(dǎo)熱絕緣材料填 充。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄片溫度傳感器，其特征在于：所述刻槽為彎曲槽，寬度為 0? 8~1mm，深度為0? 8~1mm。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄片溫度傳感器，其特征在于：所述保護(hù)外殼上蓋板和保護(hù) 外殼下蓋板的整體長(zhǎng)度為50~800mm，寬度為5~25mm，厚度為1. 8~2. 5mm。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄片溫度傳感器，其特征在于：所述鉑絲的長(zhǎng)度為317~ 1300mm，直徑為 0? 02 ~0? 05mm。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄片溫度傳感器，其特征在于：所述鉑絲與銀絲片連接處設(shè) 有絕緣粘接材料，銀絲片與外接引線連接處設(shè)有絕緣粘接材料。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄片溫度傳感器，其特征在于：所述鉑絲遍布保護(hù)外殼下蓋 面積的二分之一以上。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種薄片溫度傳感器，包括保護(hù)外殼上蓋板和保護(hù)外殼下蓋板；其中，保護(hù)外殼下蓋上設(shè)有刻槽，刻槽遍布保護(hù)外殼下蓋，刻槽內(nèi)設(shè)置有鉑絲，鉑絲端部與銀絲片連接，銀絲片與外接引線連接，保護(hù)外殼上蓋板和保護(hù)外殼下蓋板之間用導(dǎo)熱絕緣材料填充。本實(shí)用新型具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、造價(jià)便宜、靈敏度高、精度高及測(cè)溫覆蓋區(qū)域廣等特點(diǎn)。
【IPC分類】G01K7/18
【公開號(hào)】CN204881899
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520564501
【發(fā)明人】盧永良
【申請(qǐng)人】浙江省東陽(yáng)市三星溫度儀表有限公司
【公開日】2015年12月16日
【申請(qǐng)日】2015年7月30日