一種多晶硅料智能檢測(cè)和分類運(yùn)輸裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及硅料分類設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，更具體的說(shuō)涉及一種多晶硅料智能檢測(cè)和分類運(yùn)輸裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]當(dāng)前多晶硅產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展主要受益于光伏產(chǎn)業(yè)的興起，全球多晶硅產(chǎn)品中，80%以上的產(chǎn)品應(yīng)用于光伏產(chǎn)業(yè)。多晶硅企業(yè)要在產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)升級(jí)中求得生存，首先最根本的是提高產(chǎn)業(yè)技術(shù)和裝備水平，重點(diǎn)加強(qiáng)企業(yè)的系統(tǒng)集成裝置及工藝技術(shù)的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，促進(jìn)相關(guān)設(shè)備和配套材料的國(guó)產(chǎn)化，增強(qiáng)企業(yè)自主創(chuàng)新能力，以提高產(chǎn)品質(zhì)量、降低成本為核心，加快技術(shù)升級(jí)，實(shí)現(xiàn)資源有效配置。
[0003]而目前對(duì)硅料進(jìn)行檢測(cè)，主要是依靠人工通過(guò)檢測(cè)設(shè)備對(duì)硅料的雜質(zhì)元素、少子壽命和電阻率等進(jìn)行測(cè)量，然后根據(jù)測(cè)量的結(jié)果對(duì)硅料進(jìn)行人工分類。這種檢測(cè)操作，不但工作效率低、需要人數(shù)多、工作量大，而且會(huì)出現(xiàn)因不同操作員造成檢測(cè)和分類結(jié)果的誤差和偏差。這種狀況與目前要求加快產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)技術(shù)升級(jí)、提高產(chǎn)業(yè)技術(shù)、系統(tǒng)集成和降低成本等配置大大不符，將會(huì)阻礙光伏產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]為了克服【背景技術(shù)】中的不足，本實(shí)用新型公開(kāi)了一種多晶硅料智能檢測(cè)和分類運(yùn)
輸裝置。
[0005]本實(shí)用新型的技術(shù)方案是:一種多晶硅料智能檢測(cè)和分類運(yùn)輸裝置，包括第一運(yùn)輸帶，所述第一運(yùn)輸帶上放置待檢測(cè)硅塊，在所述第一運(yùn)輸帶兩側(cè)依次設(shè)有P/n檢測(cè)儀、少子壽命/電阻率測(cè)試儀、數(shù)量檢測(cè)儀和第一智能分類系統(tǒng)，所述第一智能檢測(cè)系統(tǒng)根據(jù)檢測(cè)的結(jié)果對(duì)硅塊進(jìn)行分區(qū)放置，分區(qū)包括第一分類區(qū)、第二分類區(qū)和第三分類區(qū)，所述第一分類區(qū)、第二分類區(qū)和第三分類區(qū)在所述第一運(yùn)輸帶下方并與第一運(yùn)輸帶垂直設(shè)置。
[0006]優(yōu)選地，所述第一分類區(qū)、第二分類區(qū)和第三分類區(qū)分別設(shè)置有運(yùn)輸托盤(pán)。
[0007]優(yōu)選地，在所述少子壽命/電阻率測(cè)試儀下方且與所述第一運(yùn)輸帶垂直方向設(shè)有第二運(yùn)輸帶和第三運(yùn)輸帶。
[0008]優(yōu)選地，所述p/n檢測(cè)儀、少子壽命/電阻率測(cè)試儀、數(shù)量檢測(cè)儀和第一智能分類系統(tǒng)均由PLC控制。
[0009]所述第二運(yùn)輸帶上設(shè)有第二智能分類系統(tǒng)；第三運(yùn)輸帶上設(shè)有第三智能分類系統(tǒng)。
[0010]本實(shí)用新型的有益效果:全自動(dòng)檢測(cè)和分類運(yùn)輸裝置，工作效率高，節(jié)省時(shí)間80%;大大減少操作員和人工成本，只需I人現(xiàn)場(chǎng)檢查設(shè)備正常運(yùn)行即可；降低人為檢測(cè)誤差，質(zhì)量穩(wěn)定易控制，易形成標(biāo)準(zhǔn)化。大大加快了結(jié)構(gòu)產(chǎn)業(yè)化技術(shù)升級(jí)，極有助于光伏產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。
【附圖說(shuō)明】
[0011]圖1、2是本實(shí)用新型多晶硅料智能檢測(cè)和分類運(yùn)輸裝置一種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0012]圖中:I硅塊，2p/n檢測(cè)儀，3少子壽命/電阻率測(cè)試儀，4數(shù)量檢測(cè)儀，5第一傳輸帶，6運(yùn)輸托盤(pán)，7歸類硅塊，8智能分類系統(tǒng)，9第一分類區(qū)，10第二分類區(qū)，11第三分類區(qū)，12第二傳輸帶，13第三傳輸帶。
【具體實(shí)施方式】
[0013]結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型提供的實(shí)施方式作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明:
[0014]如圖1、2所示，一種多晶硅料智能檢測(cè)和分類運(yùn)輸裝置，包括第一運(yùn)輸帶5，所述第一運(yùn)輸帶5上放置待檢測(cè)硅塊，在所述第一運(yùn)輸帶5兩側(cè)依次設(shè)有p/n檢測(cè)儀2、少子壽命/電阻率測(cè)試儀3、數(shù)量檢測(cè)儀4和至少一個(gè)智能分類系統(tǒng)8，所述智能檢測(cè)系統(tǒng)8根據(jù)檢測(cè)的結(jié)果對(duì)硅塊進(jìn)行分區(qū)放置，分區(qū)包括第一分類區(qū)9、第二分類區(qū)10和第三分類區(qū)11，所述第一分類區(qū)9、第二分類區(qū)10和第三分類區(qū)11在所述第一運(yùn)輸帶5下方并與第一運(yùn)輸帶5垂直設(shè)置。
[0015]優(yōu)選地，所述第一分類區(qū)、第二分類區(qū)和第三分類區(qū)分別設(shè)置有運(yùn)輸托盤(pán)。
[0016]優(yōu)選地，在所述少子壽命/電阻率測(cè)試儀下方且與所述第一運(yùn)輸帶垂直方向設(shè)有第二運(yùn)輸帶和第三運(yùn)輸帶。
[0017]優(yōu)選地，所述p/n檢測(cè)儀、少子壽命/電阻率測(cè)試儀、數(shù)量檢測(cè)儀和智能分類系統(tǒng)均由PLC控制。
[0018]優(yōu)選地，所述第二運(yùn)輸帶上設(shè)有第二智能分類系統(tǒng)；第三運(yùn)輸帶上設(shè)有第三智能分類系統(tǒng)。
[0019]多晶硅料智能檢測(cè)和分類運(yùn)輸裝置的工作過(guò)程:硅塊I經(jīng)第一運(yùn)輸帶5帶動(dòng)運(yùn)行，首先通過(guò)p/n檢測(cè)儀2對(duì)硅料進(jìn)行智能類型判斷，硅料是η型還是P型，然后再經(jīng)過(guò)少子壽命和電阻率測(cè)試儀3檢測(cè)硅錠的電阻率和少子壽命，檢測(cè)完成后，第一運(yùn)輸帶5繼續(xù)向前運(yùn)行，根據(jù)檢測(cè)硅料類型、少子壽命和電阻率的結(jié)果，若是P型硅料，硅塊在第一運(yùn)輸帶5上繼續(xù)向前運(yùn)行，進(jìn)入智能分類區(qū)域:如果少子壽命>2 Hs，電阻率<0.5Ω.cm，智能分類系統(tǒng)8將歸類硅塊7自動(dòng)放到第一分類區(qū)9的托盤(pán)6上，當(dāng)托盤(pán)6上達(dá)到設(shè)置的硅錠塊數(shù)，托盤(pán)6將自動(dòng)沿著軌道運(yùn)輸?shù)街付▍^(qū)域，對(duì)硅塊進(jìn)行再次提純或再調(diào)Ρ、Β含量;如果少子壽命>2 Hs，電阻率
0.5?3 Ω.cm，智能分類系統(tǒng)8將歸類硅塊7自動(dòng)放到第二分類區(qū)10的托盤(pán)上，當(dāng)托盤(pán)上達(dá)到設(shè)置的硅錠塊數(shù)，托盤(pán)將自動(dòng)沿著軌道運(yùn)輸?shù)街付▍^(qū)域切片倉(cāng)庫(kù)，對(duì)硅塊進(jìn)行待切片;如果少子壽命>2 us，電阻率2 3Ω.cm，智能分類系統(tǒng)8將歸類硅7自動(dòng)放到第三分類區(qū)11的托盤(pán)上，當(dāng)托盤(pán)上達(dá)到設(shè)置的硅錠塊數(shù)，托盤(pán)將自動(dòng)沿著軌道運(yùn)輸?shù)街付▍^(qū)域，對(duì)硅塊進(jìn)行再調(diào)Ρ、Β含量。如果少子壽命〈2 Hs，硅塊將在第一運(yùn)輸帶5上繼續(xù)前行，進(jìn)入另一智能分類系統(tǒng)，根據(jù)電阻率分點(diǎn):50.5Ω - cm,0.5~3Q.cm，放入不同的托盤(pán)，硅塊達(dá)到設(shè)置數(shù)量，將運(yùn)輸?shù)讲煌闹付▍^(qū)域，進(jìn)行再次提純或者調(diào)整P、B含量。若是η型硅料，少子壽命〈2 Hs，硅料將自動(dòng)轉(zhuǎn)到第二運(yùn)輸帶12上，進(jìn)入另一智能分類系統(tǒng)，根據(jù)電阻率分點(diǎn):<
0.5Ω - cm,0.5-3 Ω.cm和2 3 Ω.cm，放入不同的托盤(pán)，硅塊達(dá)到設(shè)置數(shù)量，將運(yùn)輸?shù)讲煌闹付▍^(qū)域，進(jìn)行再次提純或者調(diào)整P、B含量。少子壽命>2 HS，硅料將自動(dòng)轉(zhuǎn)到第三運(yùn)輸帶13上；進(jìn)入另一智能分類系統(tǒng)，根據(jù)電阻率分點(diǎn):50.5Ω - cm,0.5-3 Ω.cm和2 3 Ω.cm,放入不同的托盤(pán)，硅塊達(dá)到設(shè)置數(shù)量，將運(yùn)輸?shù)讲煌闹付▍^(qū)域，進(jìn)行再次提純或者調(diào)整P、B含量。全自動(dòng)檢測(cè)和分類運(yùn)輸系統(tǒng)，由PLC完全控制，可根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)具體情況進(jìn)行人工設(shè)置檢測(cè)速度、運(yùn)輸帶速度、托盤(pán)裝料塊數(shù)和托盤(pán)運(yùn)輸速度。
[0020]全自動(dòng)檢測(cè)和分類運(yùn)輸系統(tǒng)，工作效率高，節(jié)省時(shí)間80%;大大減少操作員和人工成本，只需I人現(xiàn)場(chǎng)檢查設(shè)備正常運(yùn)行即可;降低人為檢測(cè)誤差，質(zhì)量穩(wěn)定易控制，易形成標(biāo)準(zhǔn)化。大大加快了結(jié)構(gòu)產(chǎn)業(yè)化技術(shù)升級(jí)，極有助于光伏產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。
[0021]在此說(shuō)明書(shū)中，本實(shí)用新型已參照其特定的實(shí)施例作了描述。但是，很顯然仍可以做出各種修改和變換而不背離本實(shí)用新型的精神和范圍。因此，說(shuō)明書(shū)和附圖應(yīng)被認(rèn)為是說(shuō)明性的而非限制性的。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種多晶硅料智能檢測(cè)和分類運(yùn)輸裝置，其特征在于，包括第一運(yùn)輸帶，所述第一運(yùn)輸帶上放置待檢測(cè)硅塊，在所述第一運(yùn)輸帶兩側(cè)依次設(shè)有p/n檢測(cè)儀、少子壽命/電阻率測(cè)試儀、數(shù)量檢測(cè)儀和第一智能分類系統(tǒng)，所述第一智能檢測(cè)系統(tǒng)根據(jù)檢測(cè)的結(jié)果對(duì)硅塊進(jìn)行分區(qū)放置，分區(qū)包括第一分類區(qū)、第二分類區(qū)和第三分類區(qū)，所述第一分類區(qū)、第二分類區(qū)和第三分類區(qū)在所述第一運(yùn)輸帶下方并與第一運(yùn)輸帶垂直設(shè)置。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅料智能檢測(cè)和分類運(yùn)輸裝置，其特征在于，所述第一分類區(qū)、第二分類區(qū)和第三分類區(qū)分別設(shè)置有運(yùn)輸托盤(pán)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅料智能檢測(cè)和分類運(yùn)輸裝置，其特征在于，在所述少子壽命/電阻率測(cè)試儀下方且與所述第一運(yùn)輸帶垂直方向設(shè)有第二運(yùn)輸帶和第三運(yùn)輸帶。4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任意一項(xiàng)所述的多晶硅料智能檢測(cè)和分類運(yùn)輸裝置，其特征在于，所述p/n檢測(cè)儀、少子壽命/電阻率測(cè)試儀、數(shù)量檢測(cè)儀和第一智能分類系統(tǒng)均由PLC控制。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多晶硅料智能檢測(cè)和分類運(yùn)輸裝置，其特征在于，所述第二運(yùn)輸帶上設(shè)有第二智能分類系統(tǒng);第三運(yùn)輸帶上設(shè)有第三智能分類系統(tǒng)。
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種多晶硅料智能檢測(cè)和分類運(yùn)輸裝置，包括第一運(yùn)輸帶，第一運(yùn)輸帶上放置待檢測(cè)硅塊，在第一運(yùn)輸帶兩側(cè)依次設(shè)有p/n檢測(cè)儀、少子壽命/電阻率測(cè)試儀、數(shù)量檢測(cè)儀和第一智能分類系統(tǒng)，第一智能檢測(cè)系統(tǒng)根據(jù)檢測(cè)的結(jié)果對(duì)硅塊進(jìn)行分區(qū)放置，分區(qū)包括第一分類區(qū)、第二分類區(qū)和第三分類區(qū)，第一分類區(qū)、第二分類區(qū)和第三分類區(qū)在所述第一運(yùn)輸帶下方并與第一運(yùn)輸帶垂直設(shè)置。本實(shí)用新型的全自動(dòng)檢測(cè)和分類運(yùn)輸裝置，工作效率高，節(jié)省時(shí)間80%；大大減少操作員和人工成本，只需1人現(xiàn)場(chǎng)檢查設(shè)備正常運(yùn)行即可；降低人為檢測(cè)誤差，質(zhì)量穩(wěn)定易控制，易形成標(biāo)準(zhǔn)化。大大加快了結(jié)構(gòu)產(chǎn)業(yè)化技術(shù)升級(jí)，極有助于光伏產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。
【IPC分類】B65G15/22, G01R31/26
【公開(kāi)號(hào)】CN205280890
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201521095868
【發(fā)明人】高文秀, 趙百通, 李帥
【申請(qǐng)人】江蘇盎華光伏工程技術(shù)研究中心有限公司
【公開(kāi)日】2016年6月1日
【申請(qǐng)日】2015年12月25日