專利名稱：多磁路式控制恒流源的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型屬于數(shù)字式電源裝置，特別是涉及一種多磁路式控制恒流源。
背景技術(shù)：
在目前公知的當(dāng)我們需要大電流的穩(wěn)流時，比如幾千至幾萬安培時，單獨用可控硅控制就會增加短路的危險。
實用新型內(nèi)容本實用新型為解決公知技術(shù)中存在的技術(shù)問題而提供一種在需要大電流穩(wěn)流時具有正弦波非常好的多磁路式控制恒流源。
本實用新型為解決公知技術(shù)中存在的技術(shù)問題所采取的技術(shù)方案是在多磁路變壓器初級線圈中包括有一個作為多磁路變壓器一個磁路的數(shù)字式調(diào)壓器；所述的數(shù)字式調(diào)壓器的次級線圈是由分別各串聯(lián)一對可控硅的6-12組線圈和一個補(bǔ)償所述的6-12組線圈的可控硅管壓降的可控硅管壓降線圈組合而成，分別串聯(lián)了一對可控硅的6-12組線圈與所述的可控硅管壓降線圈彼此串接一起；所述的控制磁路線圈通斷的繼電器或接觸器的常開觸點與控制所述繼電器或接觸器線圈動作的可控硅相連；另有一控制數(shù)字式調(diào)壓器6-12組線圈的可控硅通斷和所述的控制所述繼電器或接觸器線圈動作的可控硅通斷的單片機(jī)。
本實用新型還可以采用如下技術(shù)措施所述的數(shù)字式調(diào)壓器的次級線圈是由分別各串聯(lián)一對可控硅的7-10組線圈和一個可控硅的管壓降線圈組合而成。
本實用新型具有的優(yōu)點和積極效果是大電流的正弦波非常好。


圖1是本實用新型的電路原理圖之一；圖2是本實用新型的電路原理圖之二。
具體實施方式
為能進(jìn)一步了解本實用新型的發(fā)明內(nèi)容、特點及功效，茲例舉以下實施例，并配合附圖詳細(xì)說明如下
請參閱圖1，數(shù)字式調(diào)壓器的變壓器T1的初級線圈的電壓為220伏，T1的次級線圈128L、64L、32L、16L、8L、4L、2L、1L和0L的電壓分別為128伏、64伏、32伏、16伏、8伏、4伏、2伏、1伏和8伏。在128L線圈回路中串接可控硅Q01、Q02；在64L線圈回路中串接可控硅Q03、Q04；依次類推在32L、16L、8L、4L、2L、1L線圈回路中分別串接可控硅Q05、Q06；Q07、Q08；Q09、Q10；Q11、Q12；Q13、Q14；Q15、Q16。分別串接可控硅Q01、Q02；Q03、Q04；Q05、Q06；Q07、Q08；Q09、Q10；Q11、Q12；Q13、Q14；Q15、Q16的次級線圈回路128L、64L、32L、16L、8L、4L、2L、1L彼此串接再和0L線圈串接后，與多磁路變壓器T2的一個磁路的初級線圈相連。多磁路變壓器T2還有與接觸器J2、J4、J6的常開觸點并接與接觸器J1、J3、J5的常開觸點串接的三個磁路的初級線圈。多磁路變壓器T2的次級線圈作為恒流源與負(fù)載R串接。
如圖2所示，40個管腳單片機(jī)PIC16F877A的22個I/O口，RC0-RC7、RD0-RD7、RB1-RB6分別控制22個光藕U01-U22的通斷，光藕U01-U22的通斷又控制著22個可控硅Q01-Q22的觸發(fā)回路，來觸發(fā)可控硅Q01-Q22的通斷。當(dāng)單片機(jī)PIC16F877A的I/O口RC0-RC7、RD0-RD7、RB1-RB6輸出高電平時，光藕U01-U22導(dǎo)通則可控硅Q01-Q22觸發(fā)回路通電，使可控硅Q01-Q22導(dǎo)通；當(dāng)I/O口RC0-RC7、RD0-RD7、RB1-RB6輸出低電平時，光藕U01-U22截止，可控硅Q01-Q22觸發(fā)回路斷開，可控硅Q01-Q22則斷開。
單片機(jī)PIC16F877A是用一個變壓整流電源電路供電。
數(shù)字式調(diào)壓器根據(jù)所需求的電壓，利用單片機(jī)控制16個可控硅的通斷，用電壓計算公式U2＝U1*I設(shè)*32/I總(I總是32次采樣電流值的和；I設(shè)是所需的穩(wěn)流值)組合所需電壓。如通過以上公式計算出的U2電壓值為100V，那末就需Q02、Q03、Q05、Q08、Q10、Q11、Q14、Q16八個可控硅對應(yīng)的單片機(jī)的I/O口為高電平，(即Q03、Q05、Q11三個可控硅導(dǎo)通代表64V、32V、4V三個線圈導(dǎo)通，相加是100V.Q02，Q08，Q10，Q14，Q16五個可控硅導(dǎo)通代表128V，16，8V，2V，1V五個線圈不導(dǎo)通，依此類推16個可控硅每次觸發(fā)必定是8個導(dǎo)通8個截止。)其余八個可控硅控制端對應(yīng)的單片機(jī)的I/O口為低電平。
當(dāng)回路電流大于數(shù)字式調(diào)壓器最大能達(dá)到的電流時，根據(jù)超過電流的大小，通過單片機(jī)軟件編程，有選擇的觸發(fā)六個可控硅Q17-Q22，從而有選擇的接通可控硅控制的接觸器J1-J6的線圈，最終接通一個或幾個多磁路變壓器的磁路，以達(dá)到我們所需電流。
數(shù)字式調(diào)壓器的次級線圈我們也可采用是由6組線圈加上一個補(bǔ)償此6組可控硅管壓降的可控硅管壓降線圈組合而成，即變壓器T1的次級線圈為32L、16L、8L、4L、2L、1L和0L它們的電壓分別為32伏、16伏、8伏、4伏、2伏、1伏和6伏，再在32L、16L、8L、4L、2L、1L線圈回路中分別串接可控硅；或采用數(shù)字式調(diào)壓器的次級線圈是由12組線圈加上一個補(bǔ)償此12組可控硅管壓降的可控硅管壓降線圈組合而成，即變壓器T1的次級線圈為2048L、1024L、512L、256L、128L、64L、32L、16L、8L、4L、2L、1L和0L它們的電壓分別為2048伏、1024伏、512伏、256伏、128伏、64伏、32伏、16伏、8伏、4伏、2伏、1伏和12伏，再在2048L、1024L、512L、256L、128L、64L、32L、16L、8L、4L、2L、1L線圈回路中分別串接可控硅，再彼此串接再和0L線圈串接；此后與多磁路變壓器T2的初級相連。多磁路變壓器T2還有可與接觸器J2、J4、J6的常開觸點并接與接觸器J1、J3、J5的常開觸點串接的三個磁路的初級線圈。多磁路變壓器T2的次級線圈作為恒流源與負(fù)載R串接。
此時單片機(jī)的18個或30個I/O口，分別控制18個或30個光藕的通斷，18或30個光藕的通斷又控制著18個或30個可控硅的觸發(fā)回路，來觸發(fā)18個或30個可控硅的通斷。同樣當(dāng)單片機(jī)的I/O口輸出高電平時，光藕導(dǎo)通則可控硅觸發(fā)回路通電，使可控硅導(dǎo)通；當(dāng)I/O口輸出低電平時，光藕截止，可控硅觸發(fā)回路斷開，可控硅則斷開。
單片機(jī)也可選用其他的能達(dá)到本發(fā)明控制目的的任何一種型號。例如PIC18F242、PIC16F874等PIC系列和51系列單片機(jī)等等。
權(quán)利要求1.一種多磁路式控制恒流源，它包括有多磁路變壓器，在所述的多磁路變壓器中包括有原端的磁路線圈和控制磁路線圈通斷的繼電器，其特征是在多磁路變壓器初級線圈中包括有一個作為多磁路變壓器一個磁路的數(shù)字式調(diào)壓器；所述的數(shù)字式調(diào)壓器的次級線圈是由分別各串聯(lián)一對可控硅的6-12組線圈和一個補(bǔ)償所述的6-12組線圈的可控硅管壓降的可控硅管壓降線圈組合而成，分別串聯(lián)了一對可控硅的6-12組線圈與所述的可控硅管壓降線圈彼此串接一起；所述的控制磁路線圈通斷的繼電器或接觸器的常開觸點與控制所述繼電器或接觸器線圈動作的可控硅相連；另有一控制數(shù)字式調(diào)壓器6-12組線圈的可控硅通斷和所述的控制所述繼電器或接觸器線圈動作的可控硅通斷的單片機(jī)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多磁路式控制恒流源，其特征在于所述的數(shù)字式調(diào)壓器的次級線圈是由分別各串聯(lián)一對可控硅的7-10組線圈和一個可控硅的管壓降線圈組合而成。
專利摘要本實用新型涉及一種多磁路式控制恒流源。在多磁路變壓器初級線圈中包括有一個作為多磁路變壓器一個磁路的數(shù)字式調(diào)壓器；所述的數(shù)字式調(diào)壓器的次級線圈是由分別各串聯(lián)一對可控硅的6－12組線圈和一個補(bǔ)償所述的6－12組線圈的可控硅管壓降的可控硅管壓降線圈組合而成，分別串聯(lián)了一對可控硅的6－12組線圈與所述的可控硅管壓降線圈彼此串接一起；所述的控制磁路線圈通斷的繼電器或接觸器常開觸點與控制所述繼電器或接觸器線圈動作的可控硅相連；另有一控制數(shù)字式調(diào)壓器6－12組線圈的可控硅通斷和所述的控制所述繼電器或接觸器動作的可控硅通斷的單片機(jī)。本實用新型在需要大電流穩(wěn)流時具有非常好的正弦波。
文檔編號G05F1/20GK2785011SQ200520025649
公開日2006年5月31日 申請日期2005年4月21日 優(yōu)先權(quán)日2005年4月21日
發(fā)明者王鐵鐮, 李娟 , 陳軍, 徐衛(wèi)生 申請人:天津市百利電氣有限公司