專利名稱：管理方法及管理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及管理生產(chǎn)半導(dǎo)體電路等的電子器件的生產(chǎn)線中使用的生產(chǎn)裝置的管理 方法以及管理裝置。
背景技術(shù)：
多年來，在生產(chǎn)半導(dǎo)體電路等的電子器件時(shí)，均是通過清洗工序、熱處理工序、摻 雜工序、成膜工序、光刻工序、蝕刻工序等多種生產(chǎn)工序生產(chǎn)電子器件的。在各道生產(chǎn) 工序中，使用可實(shí)施該生產(chǎn)工序的生產(chǎn)裝置。此外，在生產(chǎn)出電子器件后，電子器件出廠前，均進(jìn)行該電子器件的測(cè)試，選擇出 不良的電子器件。該測(cè)定可通過測(cè)試諸如電子器件的電特性進(jìn)行。此外，為了提高電子器件的成品率，分析不良電子器件，檢出產(chǎn)生該不良的原因。 例如，可通過分析電子器件檢測(cè)生產(chǎn)線中的哪道工序中出了問題。發(fā)明內(nèi)容然而，多年來，要想檢測(cè)生產(chǎn)線中的哪道工序中出了問題，就得測(cè)定不良電子器件 的元件形狀等，例如可通過電子器件的顯微鏡照片等推斷出不良原因。因此，推測(cè)不良 原因需要花費(fèi)相當(dāng)長(zhǎng)的時(shí)間。此外，難以準(zhǔn)確確定構(gòu)成不良原因的生產(chǎn)裝置。為此，本發(fā)明的目的在于提供一種能夠解決上述課題的管理方法以及管理裝置。該 目的可通過組合權(quán)利要求范圍內(nèi)的獨(dú)立權(quán)項(xiàng)中所述的特征實(shí)現(xiàn)。此外，從屬權(quán)項(xiàng)規(guī)定本 發(fā)明更加有利的具體實(shí)施例。為了解決上述課題，本發(fā)明的第l種方式提供一種管理方法，是針對(duì)通過多道生產(chǎn) 工序生產(chǎn)電子器件的被管理生產(chǎn)線，管理各道生產(chǎn)工序中使用的各個(gè)生產(chǎn)裝置的管理方 法，具有基準(zhǔn)特性取得階段，其取得基準(zhǔn)器件的特性，該基準(zhǔn)器件通過可實(shí)施多道生 產(chǎn)工序的、預(yù)定的基準(zhǔn)生產(chǎn)線生產(chǎn)；比較器件生產(chǎn)階段，其使被管理生產(chǎn)線處理多道生 產(chǎn)工序中的至少一道生產(chǎn)工序，使基準(zhǔn)生產(chǎn)線處理其它生產(chǎn)工序，生產(chǎn)比較器件；比較 特性測(cè)定階段，其測(cè)定比較器件的特性；特性比較階段，其比較基準(zhǔn)器件的特性和比較器件的特性；判定階段，其根據(jù)特性的差異，判定處理比較器件的被管理生產(chǎn)線的生產(chǎn) 工序中使用的生產(chǎn)裝置是否良好。還可在基準(zhǔn)特性取得階段內(nèi)測(cè)定基準(zhǔn)器件的特性。管理方法還可具有保證階段，其 預(yù)先測(cè)定基準(zhǔn)生產(chǎn)線中使用的多個(gè)生產(chǎn)裝置的特性，預(yù)先保證基準(zhǔn)生產(chǎn)線中使用的各個(gè) 生產(chǎn)裝置良好。管理方法還可具有信息取得階段，其預(yù)先取得被管理生產(chǎn)線中使用的多個(gè)生產(chǎn)裝 置的信息；基準(zhǔn)生產(chǎn)線構(gòu)筑階段，其根據(jù)生產(chǎn)裝置的信息，預(yù)先構(gòu)筑基準(zhǔn)生產(chǎn)線。管理 方法還具有基準(zhǔn)選擇階段，其從用同一生產(chǎn)工序生產(chǎn)電子器件的多道生產(chǎn)線中預(yù)先選擇 基準(zhǔn)生產(chǎn)線?；鶞?zhǔn)選擇階段還有測(cè)定階段，其預(yù)先測(cè)定通過各道生產(chǎn)線生產(chǎn)的各個(gè)電子器件的 特性；選擇階段，其根據(jù)各個(gè)電子器件的特性，從多道生產(chǎn)線中預(yù)先選擇基準(zhǔn)生產(chǎn)線?；鶞?zhǔn)特性取得階段，以及比較器件生產(chǎn)階段通過多道生產(chǎn)工序生產(chǎn)電子器件，該電 子器件具有測(cè)試電路，該測(cè)試電路包括呈二維矩陣形排列、各自含有前述被測(cè)定晶體管 的多個(gè)被測(cè)定電路，以及使指定的一個(gè)前述被測(cè)定電路的輸出信號(hào)向前述多個(gè)被測(cè)定電 路共同設(shè)置的輸出信號(hào)線輸出的選擇部；基準(zhǔn)特性取得階段具有晶體管選擇階段，其 在基準(zhǔn)器件的測(cè)試電路中，通過選擇部依次選擇多個(gè)被測(cè)定電路；輸出測(cè)定階段，其根 據(jù)基準(zhǔn)器件的測(cè)試電路中，選擇出的被測(cè)定電路向輸出信號(hào)線輸出的輸出信號(hào)，測(cè)定各 個(gè)被測(cè)定電路具有的被測(cè)定晶體管的電特性；比較特性測(cè)定階段具有晶體管選擇階段， 其在比較器件的測(cè)試電路中，通過選擇部依次選擇多個(gè)被測(cè)定電路；輸出測(cè)定階段，其 根據(jù)比較器件的測(cè)定電路中，選擇出的被測(cè)定電路向輸出信號(hào)線輸出的輸出信號(hào)，測(cè)定 各個(gè)被測(cè)定電路具有的被測(cè)定晶體管的電特性。各個(gè)被測(cè)定電路包括柵極電壓控制部，其把指定的柵極電壓外加給被測(cè)定晶體管 的柵極端子；基準(zhǔn)電壓輸入部，其把從外部輸入的基準(zhǔn)電壓提供給被測(cè)定晶體管的漏極 端子以及源極端子中的一方的基準(zhǔn)電壓側(cè)端子；端子電壓輸出部，其以從外部輸入選擇 信號(hào)為條件，把被測(cè)定晶體管的漏極端子以及源極端子中基準(zhǔn)電壓側(cè)端子以外的端子的 端子電壓作為輸出信號(hào)輸出；選擇部包括行選擇部，其向二維矩陣形排列的多個(gè)被測(cè) 定電路中與指定的行對(duì)應(yīng)的被測(cè)定電路輸出選擇信號(hào)；列選擇部，其從輸入選擇信號(hào)的 被測(cè)定電路中，選擇出與指定的列對(duì)應(yīng)的被測(cè)定電路的端子電壓，使之向輸出信號(hào)線輸 出；測(cè)試電路還包括多個(gè)電流源，其與多個(gè)被測(cè)定電路的各列對(duì)應(yīng)設(shè)置，使指定的源 極漏極間電流在行選擇部輸入了選擇信號(hào)的被測(cè)定電路中流動(dòng)；基準(zhǔn)特性取得階段以及比較特性測(cè)定階段測(cè)定端子電壓，作為各個(gè)被測(cè)定晶體管的電特性?；鶞?zhǔn)特性取得階段以及比較特性測(cè)定階段，針對(duì)各個(gè)被測(cè)定晶體管，根據(jù)基準(zhǔn)電壓 以及端子電壓，把該被測(cè)定晶體管的閾值電壓作為電特性加以測(cè)定。特性比較階段比較基準(zhǔn)器件中含有的多個(gè)被測(cè)定晶體管的閾值電壓的誤差，和比較 器件中含有的多個(gè)被測(cè)定晶體管的閾值電壓的誤差。各個(gè)被測(cè)定電路包括柵極電壓控制部，其把指定的柵極電壓外加給被測(cè)定晶體管 的柵極端子；電壓外加部，其給被測(cè)定晶體管的源極端子以及漏極端子外加電壓，把該 被測(cè)定晶體管的柵極絕緣膜上外加的電壓控制為大致一定；電容器，其儲(chǔ)存從被測(cè)定晶 體管的柵極端子流向源極端子及漏極端子的柵極漏電流；電容器電壓輸出部，其以從外 部輸入選擇信號(hào)為條件，把電容器中的源極端子以及漏極端子側(cè)的端部的電容器電壓作 為輸出信號(hào)輸出；基準(zhǔn)特性取得階段以及比較特性測(cè)定階段作為各個(gè)被測(cè)定晶體管的電 特性，測(cè)定電容器電壓。若采用本發(fā)明的第2種方式，提供一種管理裝置，是針對(duì)通過多道生產(chǎn)工序生產(chǎn)電 子器件的被管理生產(chǎn)線，管理各道生產(chǎn)工序中使用的各個(gè)生產(chǎn)裝置的管理裝置；具有 基準(zhǔn)特性測(cè)定部，其測(cè)定基準(zhǔn)器件的特性，該基準(zhǔn)器件通過可實(shí)施多道生產(chǎn)工序的、預(yù) 定的基準(zhǔn)生產(chǎn)線生產(chǎn)；比較器件生產(chǎn)控制部，其使被管理生產(chǎn)線處理多道生產(chǎn)工序中的 至少一道生產(chǎn)工序，使基準(zhǔn)生產(chǎn)線處理其它生產(chǎn)工序，生產(chǎn)比較器件；比較特性測(cè)定部， 其測(cè)定比較器件的特性；特性比較部，其比較基準(zhǔn)器件的特性和比較器件的特性；判定 部，其根據(jù)特性差異，判定處理比較器件的被管理生產(chǎn)線的生產(chǎn)工序中使用的生產(chǎn)裝置 是否良好。若采用本發(fā)明的第3種方式，提供一種管理方法，是針對(duì)通過多道生產(chǎn)工序生產(chǎn)電 子器件的被管理生產(chǎn)線，管理各道生產(chǎn)工序中使用的各個(gè)生產(chǎn)裝置的管理方法；具有 準(zhǔn)備階段，其準(zhǔn)備用同一生產(chǎn)線生產(chǎn)的第1器件以及第2器件；第l等離子照射階段， 其通過可實(shí)施多道生產(chǎn)工序的、預(yù)定的基準(zhǔn)生產(chǎn)線中使用的等離子照射裝置，給第1器 件照射等離子；第2等離子照射階段，其通過被管理生產(chǎn)線中使用的等離子照射裝置， 給第2器件照射等離子；特性測(cè)定階段，其分別測(cè)定照射過等離子的第1器件以及第2 器件的特性；特性比較階段，其比較第1器件的特性和第2器件的特性；判定階段，其 根據(jù)特性的差異，判定被管理生產(chǎn)線中的等離子照射裝置是否良好。而上述發(fā)明概要并未列舉出本發(fā)明的全部必要特征，這些特征群的次級(jí)組合也可構(gòu) 成發(fā)明。發(fā)明效果若采用本發(fā)明，可正確而又簡(jiǎn)便地管理生產(chǎn)電子器件的生產(chǎn)線中使用的生產(chǎn)裝置。


圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的管理裝置10的構(gòu)成例示圖。圖2是被管理生產(chǎn)線100的構(gòu)成例示圖。圖3是舉例說明管理裝置10的動(dòng)作的流程圖。圖4是舉例說明器件生產(chǎn)者擁有被管理生產(chǎn)線100，外部的檢測(cè)機(jī)構(gòu)擁有基準(zhǔn)生產(chǎn) 線200時(shí)的處理流程圖。圖5是舉例說明器件生產(chǎn)者擁有的多條生產(chǎn)線中，使一條生產(chǎn)線具有基準(zhǔn)生產(chǎn)線 200的功能，使其余生產(chǎn)線具有被管理生產(chǎn)線100功能時(shí)的處理流程圖。圖6是通過被管理生產(chǎn)線100或基準(zhǔn)生產(chǎn)線200形成多個(gè)電子器件510的晶片500 的上表面的例示圖。圖7是測(cè)試電路300的電路構(gòu)成的例示圖。圖8是作為基準(zhǔn)器件以及比較器件的特性，測(cè)定各個(gè)被測(cè)定晶體管314的閾值電壓 的誤差時(shí)的，基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142動(dòng)作的例示流程圖。圖9是作為基準(zhǔn)器件以及比較器件的特性，測(cè)定各個(gè)被測(cè)定晶體管314的電流電壓 特性的誤差時(shí)的，基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142動(dòng)作的例示流程圖。圖10是作為基準(zhǔn)器件以及比較器件的特性，測(cè)定各個(gè)被測(cè)定晶體管314的PN結(jié) 漏電流的誤差時(shí)的，基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142動(dòng)作的例示流程圖。圖11是表示測(cè)試電路300具有各個(gè)單元310的電路構(gòu)成的另一例示圖。圖12是作為基準(zhǔn)器件以及比較器件的特性，測(cè)定各個(gè)被測(cè)定晶體管372的柵極漏 電流時(shí)的，基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142動(dòng)作的例示圖。圖13是針對(duì)被管理生產(chǎn)線100，管理各道生產(chǎn)工序中使用的各個(gè)生產(chǎn)裝置105的 管理方法的另一例示流程圖。圖中標(biāo)號(hào)說明10、管理裝置，20、器件生產(chǎn)系統(tǒng)，100、被管理生產(chǎn)線，105、生產(chǎn)裝置，110、 元件分離工序群，114、元件形成工序群，118、配線形成工序群，120、組裝工序群， 130、測(cè)試工序群，140、基準(zhǔn)特性測(cè)定部，142、比較特性測(cè)定部，146、測(cè)定控制部， 150、特性比較部，160、判定部，170比較器件生產(chǎn)控制部，200、基準(zhǔn)生產(chǎn)線，210、元件分離工序群，218、配線形成工序群，300、測(cè)試電路，302、列選擇部，304、行選 擇部，306、列選擇晶體管，310、單元，312、開關(guān)用晶體管，314、被測(cè)定晶體管，316、 行選擇晶體管，318、電流源，320、輸出部，371、柵極電壓控制部，372、被測(cè)定晶體 管，374、第1開關(guān)，376、第2開關(guān)，378、 380、復(fù)位用晶體管，382、電壓外加部， 384、 NMOS晶體管，386、 PMOS晶體管，388、電容器，3卯、輸出用晶體管，392、 行選擇晶體管，394、應(yīng)力外加部，500、晶片，510、電子器件。
具體實(shí)施方式
下面通過發(fā)明的實(shí)施方式說明本發(fā)明，但以下的實(shí)施方式并不限定權(quán)利要求范圍涉 及的發(fā)明，此外，并非在實(shí)施方式中說明的所有特征組合均為發(fā)明的解決手段所必須具 有的。圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的管理裝置10的構(gòu)成例示圖。管理裝置10針對(duì)通過 多道生產(chǎn)工序生產(chǎn)電子器件的被管理生產(chǎn)線100，管理各道生產(chǎn)工序中的使用的各個(gè)生 產(chǎn)裝置。在本例中，管理裝置IO通過比較基準(zhǔn)器件的特性和比較器件的特性，判定該 生產(chǎn)裝置是否良好，基準(zhǔn)器件通過預(yù)定的基準(zhǔn)生產(chǎn)線200生產(chǎn)，比較器件通過被管理生 產(chǎn)線100處理由應(yīng)管理的生產(chǎn)裝置實(shí)施的生產(chǎn)工序，由基準(zhǔn)生產(chǎn)線200處理其它生產(chǎn)工 序后生產(chǎn)出。被管理生產(chǎn)線100，通過多道生產(chǎn)工序生產(chǎn)電子器件。這些生產(chǎn)工序例如可分類為 元件分離工序群IIO、元件形成工序群114、或配線形成工序群118。被管理生產(chǎn)線IOO 可包含在例如向市場(chǎng)提供電子器件的生產(chǎn)者具有的器件生產(chǎn)系統(tǒng)20之中。器件生產(chǎn)系 統(tǒng)20配置有被管理生產(chǎn)線100、組裝工序群120、以及測(cè)試工序群130，進(jìn)行電子器件 的生產(chǎn)、組裝、以及測(cè)試。組裝工序群120把電子器件從被管理生產(chǎn)線100生產(chǎn)出的晶片上分割出然后封裝。 組裝工序群120可通過多個(gè)組裝裝置實(shí)現(xiàn)，包括從晶片上分割各電子器件的劃線工序、 把電子器件安裝到封裝件上的壓結(jié)工序、連接芯片和封裝件的配線線結(jié)合工序、給封裝 件密封進(jìn)氣體的密封工序等。測(cè)試工序群130實(shí)施作為產(chǎn)品封裝化了的電子器件的電流測(cè)試、邏輯測(cè)試等，去除 不良品。測(cè)試工序群130可通過1個(gè)或多個(gè)測(cè)試裝置實(shí)現(xiàn)?；鶞?zhǔn)生產(chǎn)線200可實(shí)施與被管理生產(chǎn)線IOO相同的多道生產(chǎn)工序。例如，基準(zhǔn)生產(chǎn) 線200具有元件分離工序群210、元件形成工序群114、以及配線形成工序群218?；鶞?zhǔn)生產(chǎn)線200可預(yù)先測(cè)定各道生產(chǎn)工序中使用的各個(gè)生產(chǎn)裝置的特性，保證各個(gè)生產(chǎn)裝 置運(yùn)轉(zhuǎn)正常。基準(zhǔn)生產(chǎn)線200既可以是公共檢測(cè)機(jī)構(gòu)擁有的生產(chǎn)線，也可以是器件生產(chǎn) 者擁有的生產(chǎn)線。此外，還可以是經(jīng)電子器件的需要者認(rèn)證過的檢測(cè)機(jī)構(gòu)擁有的生產(chǎn)線。 被管理生產(chǎn)線100以及基準(zhǔn)生產(chǎn)線200通過多道生產(chǎn)工序生產(chǎn)電子器件。在本實(shí)施 方式中，這些生產(chǎn)線生產(chǎn)形成電子器件的晶片。此外，這些生產(chǎn)線，出于管理各生產(chǎn)工 序中的產(chǎn)品質(zhì)量的目的，生產(chǎn)具有含多個(gè)被測(cè)定晶體管的測(cè)定電路的晶片。此處，這些 生產(chǎn)線既可在分離狀態(tài)下形成電子器件以及測(cè)試電路，也可在電子器件的內(nèi)部形成測(cè)試 電路。管理裝置10配置有基準(zhǔn)特性測(cè)定部140、比較特性測(cè)定部142、特性比較部150、 判定部160、以及比較器件生產(chǎn)控制部170。基準(zhǔn)特性測(cè)定部140取得通過基準(zhǔn)生產(chǎn)線 處理所有工序后生產(chǎn)出的基準(zhǔn)器件的特性。基準(zhǔn)特性測(cè)定部140可測(cè)定例如基準(zhǔn)器件的 電特性。比較器件生產(chǎn)控制部170生產(chǎn)比較器件，使被管理生產(chǎn)線100處理生產(chǎn)電子器件的 多道生產(chǎn)工序中的至少一道生產(chǎn)工序，使基準(zhǔn)生產(chǎn)線200處理其它生產(chǎn)工序。比較器件 生產(chǎn)控制部170分別指定被管理生產(chǎn)線100以及基準(zhǔn)生產(chǎn)線200中應(yīng)處理比較器件的生 產(chǎn)工序。此外，比較器件生產(chǎn)控制部170還可把比較器件傳送給實(shí)施該生產(chǎn)工序的生產(chǎn) 裝置，實(shí)施對(duì)該生產(chǎn)裝置動(dòng)作的控制。比較器件生產(chǎn)控制部170可在基準(zhǔn)生產(chǎn)線200以 及被管理生產(chǎn)線100上分別設(shè)置。此外，比較器件生產(chǎn)控制部170可在被管理生產(chǎn)線 100和基準(zhǔn)生產(chǎn)線200間設(shè)置傳送生產(chǎn)過程中的電子器件的手段。比較特性測(cè)定部142測(cè)定比較器件的特性?；鶞?zhǔn)特性測(cè)定部140針對(duì)與基準(zhǔn)特性測(cè) 定部140取得的基準(zhǔn)器件的特性相同的項(xiàng)目測(cè)定各器件的特性。例如，基準(zhǔn)特性測(cè)定部 140以及比較特性測(cè)定部142針對(duì)各自的器件中設(shè)置的TEG (Test Element Group)取得 同樣的電特性。基準(zhǔn)特性測(cè)定部140以及比較特性測(cè)定部142應(yīng)取得的器件特性的項(xiàng)目可預(yù)先規(guī) 定，此外，既可由基準(zhǔn)特性測(cè)定部140把應(yīng)取得的項(xiàng)目通知比較特性測(cè)定部142，也可 由比較特性測(cè)定部142把應(yīng)取得的項(xiàng)目通知基準(zhǔn)特性測(cè)定部140。特性比較部150比較基準(zhǔn)特性測(cè)定部140取得的基準(zhǔn)器件的特性，以及比較特性測(cè) 定部142測(cè)定的比較器件的特性。判定部160根據(jù)特性比較部150比較出的特性差異， 判定處理比較器件的被管理生產(chǎn)線IOO的生產(chǎn)工序中使用的生產(chǎn)裝置是否良好。例如， 判定部160當(dāng)該特性差異在預(yù)定范圍內(nèi)的情況下，可將該生產(chǎn)裝置判定為良好，當(dāng)該特性差異在預(yù)定范圍外的情況下，可將該生產(chǎn)裝置判定為不良。此外，判定部160最好把 該判定結(jié)果通知被管理生產(chǎn)線100的使用者。采用上述構(gòu)成，可高精度地判定該生產(chǎn)裝置是否良好。此外，由于通過比較器件 的電特性即可辦到，因而可簡(jiǎn)便地判定該生產(chǎn)裝置是否良好。圖2是被管理生產(chǎn)線100的構(gòu)成例示圖。此外，本例中示出的是被管理生產(chǎn)線100 的構(gòu)成，但基準(zhǔn)生產(chǎn)線200的構(gòu)成也與此相同。如前文所述，被管理生產(chǎn)線100在元件 分離工序群IIO、元件形成工序群114、以及配線形成工序群118中，分別具有多個(gè)生 產(chǎn)裝置105。各個(gè)生產(chǎn)裝置105實(shí)施對(duì)應(yīng)的生產(chǎn)工序。各個(gè)生產(chǎn)裝置105對(duì)提供來的晶片實(shí)施規(guī)定的處理，并把晶片傳送給后續(xù)的生產(chǎn)裝 置105。通過在各個(gè)生產(chǎn)裝置105中進(jìn)行依次處理，即可在晶片上形成電子器件。此外， 在生產(chǎn)比較器件的情況下，各個(gè)生產(chǎn)裝置105按照比較器件生產(chǎn)控制部170的控制，單 獨(dú)處理晶片。在為生產(chǎn)比較器件而動(dòng)作的生產(chǎn)裝置105上，可按照比較器件生產(chǎn)控制部 170的控制，把應(yīng)形成比較器件的晶片從基準(zhǔn)生產(chǎn)線200傳送過來。此外，經(jīng)該生產(chǎn)裝 置105處理過的晶片可按照比較器件生產(chǎn)控制部170的控制傳送給基準(zhǔn)生產(chǎn)線200。通過此種控制，即可在被管理生產(chǎn)線100中選擇應(yīng)管理的生產(chǎn)裝置105，生產(chǎn)出在 被管理生產(chǎn)線100中處理對(duì)應(yīng)的生產(chǎn)工序，在基準(zhǔn)生產(chǎn)線200中處理其它生產(chǎn)工序的比 較器件。此外，元件分離工序群110、元件形成工序群114、以及配線形成工序群118可分 別進(jìn)行以下的處理。元件分離工序群IIO (分離工序群)使基板(晶片)上的晶體管等 各種元件通過一個(gè)或多個(gè)生產(chǎn)裝置105在配置區(qū)域間彼此電分離。元件形成工序群114 通過1個(gè)或多個(gè)生產(chǎn)裝置105在晶片上形成各元件。元件分離工序群110以及元件形成工序群114可稱之為在基板上形成晶體管等元件 基板工序，此外還可稱之為前期工序(FEOL: Front End Of the Line)。配線形成工序群 118通過1個(gè)或多個(gè)生產(chǎn)裝置105形成連接晶片上形成的元件之間或元件和端子間的配 線。配線形成工序群118也可稱之為在已形成元件的基板上形成配線的配線工序，此外 還可稱之為后續(xù)工序(BEOL: Back End Of the Line )。元件分離工序群110、元件形成工序群114、以及配線形成工序群118通過下述一 種工序或組合多種工序生產(chǎn)出各工序群的結(jié)果物。此處，1個(gè)或2個(gè)以上的生產(chǎn)裝置105 實(shí)施下述各工序的處理。此外，1個(gè)生產(chǎn)裝置105也可實(shí)施下述工序中的多道處理。 (1)清洗工序這是通過去除基板表面的顆?；蚪饘傥廴镜惹逑椿灞砻娴墓ば?，可使用濕法清洗 或干法清洗。(2) 熱處理(Thermal Process)這是加熱芯片的工序。有以形成熱氧化膜為目的的熱氧化工藝以及為離子注入后的 活性化的退火工藝等。(3) 摻雜工序其把雜質(zhì)摻入基板，例如，通過離子注入等把硼(B)、或磷(P)等雜質(zhì)摻入硅基 板等半導(dǎo)體基板，形成PN結(jié)等。(4) 成膜工序(薄膜形成工序)通過CVD (化學(xué)氣相沉積Chemical Vapor Deposition)、 PVD (物理氣相沉積 Physical Vapor Deposition)、涂層涂布、電鍍等在基板上沉積出Si氧化膜、Si氮化膜、 聚硅膜、Cu膜等薄膜。(5) 光刻工序，在基板上涂布光刻膠，利用掩膜把圖形曝光后，把光刻膠顯影。(6) 蝕刻工序把光刻膠的下層膜上的，通過顯影去除了光刻膠后暴露出的部分通過蝕刻去除之 后，去除光刻膠。使用等離子蝕刻法，反應(yīng)性離子蝕刻(RIE)法等。(7) 平坦化工序研磨基板表面，使之平坦化。使用CMP (化學(xué)機(jī)械拋光Chemical and Mechanical Polishing)法等。例如，DRAM (動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器Dynamic RAM)可經(jīng)過例如500 600道工序生產(chǎn) 出。此外，CMOS—LSI可經(jīng)過例如300 400道工序生產(chǎn)出。比較器件生產(chǎn)控制部170 可選擇上述中的某道生產(chǎn)工序，使與該生產(chǎn)工序?qū)?yīng)的生產(chǎn)裝置105在被管理生產(chǎn)線 100中動(dòng)作。圖3是管理裝置10動(dòng)作的例示流程圖。首先，在基準(zhǔn)特性取得階段S600中，基準(zhǔn) 特性測(cè)定部140取得基準(zhǔn)器件的特性。接著，在比較器件生產(chǎn)階段S602中，比較器件 生產(chǎn)控制部170生產(chǎn)出判定對(duì)應(yīng)的生產(chǎn)裝置是否良好的一部分生產(chǎn)工序用被管理生產(chǎn) 線100處理，其它生產(chǎn)工序用基準(zhǔn)生產(chǎn)線200處理的比較器件。接著，在比較特性測(cè)定階段S604內(nèi)，比較特性測(cè)定部142測(cè)定比較器件的特性。 接著，在特性比較階段S606中，特性比較部150比較基準(zhǔn)器件的特性和比較器件的特 性。并在判定階段S608中，判定部160根據(jù)該比較結(jié)果，判定被管理生產(chǎn)線100中使 用的生產(chǎn)裝置是否良好。通過此種處理，即可判定該生產(chǎn)裝置是否良好。此外，器件生 產(chǎn)者還可通過關(guān)系到圖3時(shí)說明過的管理方法所管理的生產(chǎn)線生產(chǎn)電子器件。圖4是舉例說明器件生產(chǎn)者擁有被管理生產(chǎn)線100，外部的檢測(cè)機(jī)構(gòu)擁有基準(zhǔn)生產(chǎn) 線200時(shí)的處理流程圖。在此情況下，檢測(cè)機(jī)構(gòu)可具有管理裝置10。首先，檢測(cè)機(jī)構(gòu)預(yù)先測(cè)定基準(zhǔn)生產(chǎn)線200中使用的多種生產(chǎn)裝置105的特性(S610)。 并預(yù)先保證各生產(chǎn)裝置105均良好(S612)。在S610以及S612中，檢測(cè)機(jī)構(gòu)測(cè)定用基 準(zhǔn)生產(chǎn)線200生產(chǎn)出的電子器件的電特性，當(dāng)該電子器件的電特性在預(yù)定的允許范圍內(nèi) 時(shí)，可保證各個(gè)生產(chǎn)裝置105良好。此外，檢測(cè)機(jī)構(gòu)使各個(gè)生產(chǎn)裝置105處理規(guī)定的晶 片，當(dāng)處理前的晶片特性和處理后的晶片特性的差異在預(yù)定的期望范圍內(nèi)時(shí)，可保證該 生產(chǎn)裝置105良好。此外，檢測(cè)機(jī)構(gòu)在S610中處理多個(gè)晶片，當(dāng)所有晶片的特性均在 預(yù)定的允許范圍內(nèi)時(shí)，可保證各生產(chǎn)裝置105良好。接著，器件生產(chǎn)者構(gòu)筑生產(chǎn)可向市場(chǎng)出售的電子器件的被管理生產(chǎn)線IOO (S614)。 器件生產(chǎn)者把構(gòu)筑的被管理生產(chǎn)線100中含有的各個(gè)生產(chǎn)裝置105的信息通知檢測(cè)機(jī)構(gòu) (S616)。檢測(cè)機(jī)構(gòu)取得被管理生產(chǎn)線100中使用的生產(chǎn)裝置105的信息(S616),根據(jù)該信 息構(gòu)筑與被管理生產(chǎn)線100相同的基準(zhǔn)生產(chǎn)線200(S620)。這時(shí)，檢測(cè)機(jī)構(gòu)使用由S612 保證良好的生產(chǎn)裝置105，構(gòu)筑基準(zhǔn)生產(chǎn)線200。此外，在其它例子中，檢測(cè)機(jī)構(gòu)也可 在構(gòu)筑基準(zhǔn)生產(chǎn)線200后，對(duì)構(gòu)筑基準(zhǔn)生產(chǎn)線200的生產(chǎn)裝置105實(shí)施S610以及S612 的處理。檢測(cè)機(jī)構(gòu)通過構(gòu)筑的基準(zhǔn)生產(chǎn)線200生產(chǎn)基準(zhǔn)器件(S620)。此外，檢測(cè)機(jī)構(gòu)測(cè)定 生產(chǎn)出的基準(zhǔn)器件的特性(S622)。并且，器件生產(chǎn)者選擇被管理生產(chǎn)線100中需要判 定是否良好的生產(chǎn)裝置105，通知檢測(cè)機(jī)構(gòu)(S624)。檢測(cè)機(jī)構(gòu)在與所通知的生產(chǎn)裝置105對(duì)應(yīng)的生產(chǎn)工序的前一道生產(chǎn)工序?yàn)橹?，通過 基準(zhǔn)生產(chǎn)線200處理晶片，生成比較器件的中間產(chǎn)品(S626)。并且檢測(cè)機(jī)構(gòu)把S626 中處理過的晶片送交器件生產(chǎn)者(S628)。器件生產(chǎn)者通過被管理生產(chǎn)線100的相應(yīng)生產(chǎn)裝置105處理收到的晶片(S630)。 并且，器件生產(chǎn)者把用該生產(chǎn)裝置105處理過的晶片送交檢測(cè)機(jī)構(gòu)(S632)。檢測(cè)機(jī)構(gòu)通過基準(zhǔn)生產(chǎn)線200處理收到的晶片的其余的生產(chǎn)工序，生產(chǎn)出比較器件 (S634)。并通過測(cè)定比較器件的特性(S636)，以及與基準(zhǔn)器件的特性進(jìn)行比較，判定該生產(chǎn)裝置105是否良好(S638)。并且，檢測(cè)機(jī)構(gòu)把該生產(chǎn)裝置105的判定結(jié)果通知 器件生產(chǎn)者。通過此種處理，器件生產(chǎn)者即可通過外部機(jī)構(gòu)保證該生產(chǎn)裝置105是否良 好。圖5是舉例說明在器件生產(chǎn)者擁有的多條生產(chǎn)線中，使一條生產(chǎn)線具有基準(zhǔn)生產(chǎn)線 200的功能，其余生產(chǎn)線則具有被管理生產(chǎn)線100功能時(shí)的處理流程圖。在本例中，器 件生產(chǎn)者擁有的多條生產(chǎn)線通過同樣的生產(chǎn)工序生產(chǎn)電子器件。首先通過各條生產(chǎn)線生產(chǎn)電子器件，并分別測(cè)定生產(chǎn)出的電子器件的特性(S642)。 接著，根據(jù)測(cè)定出的電子器件的特性，從多條生產(chǎn)線中選擇基準(zhǔn)生產(chǎn)線200 (S644)。 例如把生產(chǎn)出的電子器件的特性最接近預(yù)定基準(zhǔn)值的生產(chǎn)線選作基準(zhǔn)生產(chǎn)線200。這時(shí)， 也可在各條生產(chǎn)線中生產(chǎn)多個(gè)電子器件，計(jì)算出各條生產(chǎn)線的電子器件特性的平均值， 選擇該平均值最接近該基準(zhǔn)值的生產(chǎn)線。并把多條生產(chǎn)線中未被選作基準(zhǔn)生產(chǎn)線200的其它生產(chǎn)線作為被管理生產(chǎn)線100加 以管理(S646)。 S646中的管理可通過圖3所示的處理針對(duì)各條生產(chǎn)線加以實(shí)施。圖6是通過被管理生產(chǎn)線100或基準(zhǔn)生產(chǎn)線200形成多個(gè)電子器件510的晶片500 的上表面的例示圖。被管理生產(chǎn)線100出于生產(chǎn)線管理或成品管理的目的，可生產(chǎn)各自 具有含多個(gè)晶體管的多個(gè)測(cè)試電路300，以及多個(gè)電子器件510的晶片500。電子器件 510是可作為實(shí)際工作器件供出廠的產(chǎn)品用器件。測(cè)試電路300也可設(shè)在各電子器件510的交界線上。在此情況下多個(gè)測(cè)試電路300 也可設(shè)置在電子器件510間的，裁切多個(gè)電子器件510時(shí)被裁切的區(qū)域內(nèi)。此外，測(cè)試 電路300也可設(shè)置在電子器件510的內(nèi)部。此外，當(dāng)是生產(chǎn)線管理中使用的晶片情況下， 還可在晶片500表面僅形成多個(gè)測(cè)試電路300?；鶞?zhǔn)特性測(cè)定部140以及比較特性測(cè)定 部142可測(cè)定與基準(zhǔn)器件或比較器件對(duì)應(yīng)形成的測(cè)試電路300的電特性。圖3中所說的基準(zhǔn)特性取得階段S600以及比較器件生產(chǎn)階段S602通過多道生產(chǎn)工 序生產(chǎn)具有關(guān)系到圖7或圖11所說的測(cè)試電路的電子器件或晶片。圖7示出測(cè)試電路300的電路構(gòu)成的一例。該測(cè)試電路300設(shè)定為可高效測(cè)定多個(gè) 被測(cè)定晶體管314各自的電特性。這樣一來基準(zhǔn)特性測(cè)定部140以及比較特性測(cè)定部 142即可獲得足夠數(shù)量的測(cè)定電特性的被測(cè)定晶體管的樣品數(shù)。其結(jié)果是基準(zhǔn)特性測(cè)定 部140以及比較特性測(cè)定部142可高精度地比較基準(zhǔn)器件以及比較器件的特性。測(cè)試電路300具有列選擇部302、行選擇部304、多個(gè)列選擇晶體管G06—l、 306—2,下文統(tǒng)稱為306)、多個(gè)電流源(318 — 1、 318—2，下文統(tǒng)稱為318)，輸出部320、以及多個(gè)單元(310—1 310—4，下文統(tǒng)稱為310)。列選擇晶體管306還包括多 個(gè)電流源(318—1 2)，其與多個(gè)單元310的各列對(duì)應(yīng)設(shè)置，使電流在由行選擇部304 輸入了選擇信號(hào)的單元310指定的源極漏極間流動(dòng)。多個(gè)單元310是本發(fā)明涉及的被測(cè)定電路的一例，在晶片500面內(nèi)，呈行列二維矩 陣形排列。并且，多個(gè)單元310沿二維矩陣的行方向及列方向分別并列設(shè)置。在本例之 中，示出行方向及列方向各設(shè)置了兩個(gè)單元310的電路，但在行方向及列方向上可設(shè)置 更多的單元310。此外，多個(gè)單元310可跨越多個(gè)分割區(qū)域設(shè)置。例如，各個(gè)分割區(qū)域 具有行方向128列，列方向512行的單元310。在此情況下，單元310中含有的元件的 工藝規(guī)程及器件規(guī)格也可在各分割區(qū)域內(nèi)各不相同。各單元310具有被測(cè)定晶體管314、開關(guān)用晶體管312、以及行選擇晶體管316。 各單元310的晶體管也可以是用與電子器件510具有的實(shí)際動(dòng)作晶體管相同工藝形成的 MOS晶體管。各單元310的被測(cè)定晶體管314以彼此電并聯(lián)形態(tài)設(shè)置。本實(shí)施方式涉及的被測(cè)定 晶體管314以NMOS晶體管為例加以說明。此外，被測(cè)定晶體管314也可以是PMOS 晶體管，在此情況下，也可使用源極和漏極彼此互換的電路。在各個(gè)被測(cè)定晶體管314的漏極端子以及源極端子之中一方的基準(zhǔn)電壓側(cè)端子上 可輸入預(yù)定的基準(zhǔn)電壓vdd。在各單元310中，把外部輸入的基準(zhǔn)電壓提供給被測(cè)定晶 體管的基準(zhǔn)電壓側(cè)端子的配線，具有作為本發(fā)明涉及的基準(zhǔn)電壓輸入部的功能。此處， 基準(zhǔn)電壓側(cè)端子在被測(cè)定晶體管314是NMOS晶體管的情況下，可以是漏極端子，是 PMOS晶體管的情況下，可以是源極端子。提供被測(cè)定晶體管314的阱電壓的端子雖未 圖示，但阱電壓端子既可與接地電位連接，此外，也可設(shè)定為單獨(dú)控制各晶體管的阱電 壓，把被測(cè)定晶體管314的阱電壓端子和源極端子連接。圖7所示的電壓vdd、電壓 VG、電壓cpj、電壓Vref可由圉1所示的基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142提 供給測(cè)試電路300。各單元310的開關(guān)用晶體管312可與各單元的被測(cè)定晶體管314對(duì)應(yīng)設(shè)置。各開關(guān) 用晶體管312具有作為柵極電壓控制部的功能，其把基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或比較特性測(cè) 定部142指定的柵極電壓外加給各自對(duì)應(yīng)的被測(cè)定晶體管314的柵極端子。在本例之中， 開關(guān)用晶體管312是NMOS晶體管的情況下，開關(guān)用晶體管312的漏極端子上被提供 了預(yù)先規(guī)定的電壓Vo，柵極端子上被提供了控制開關(guān)用晶體管312動(dòng)作的電壓cpj，源 極端子可與被測(cè)定晶體管314的柵極端子連接。g卩，開關(guān)用晶體管312在通過電壓(f)j被控制為接通狀態(tài)的情況下，把與電壓V(j大致相等的電壓外加給被測(cè)定晶體管314的 柵極端子，被控制為斷開狀態(tài)的情況下把初始電壓大致呈漂移狀態(tài)的電壓外加給被測(cè)定 晶體管3I4的柵極端子。在圖7中，示出給所有單元310統(tǒng)一外加電壓cpj的例子，但在其它例中，為使PN 結(jié)漏電流測(cè)定時(shí)的漏時(shí)間在所有單元中均相同，也可把電壓(Pj從行選擇部304中，作 為脈沖信號(hào)依次外加給在列方向上并列的各單元310。各單元310的行選擇晶體管316可與各單元的被測(cè)定晶體管對(duì)應(yīng)設(shè)置。各行選擇晶 體管316具有端子電壓輸出部的功能，其以從單元310的外部輸入選擇信號(hào)為條件，把 被測(cè)定晶體管314的漏極端子以及源極端子中，基準(zhǔn)電壓側(cè)端子以外的端子的端子電壓 作為輸出信號(hào)輸出。在本例中，行選擇晶體管316是PMOS晶體管的情況下，各個(gè)行 選擇晶體管316的源極端子與被測(cè)定晶體管314的漏極端子連接。此外，行選擇晶體管 316的漏極端子與對(duì)應(yīng)的列選擇晶體管306的漏極端子連接。即，各個(gè)列選擇晶體管306 的漏極端子與對(duì)應(yīng)的多個(gè)行選擇晶體管316的漏極端子連接。行選擇部304在二維矩陣排列的多個(gè)單元310中，向指定的行對(duì)應(yīng)的單元310輸出 選擇信號(hào)。這樣一來，行選擇部304依次選擇沿列方向設(shè)置的多個(gè)單元310群(本例中， 單元群(310—1、 310—2)以及單元群(310—3、 310—4))。此外，列選擇部302選擇 出位于輸入了選擇信號(hào)的行上的2個(gè)以上的單元310中，與指定的列對(duì)應(yīng)的單元310的 端子電壓后使之向輸出信號(hào)線輸出。這樣一來，列選擇部302依次選擇沿行方向設(shè)置的 多個(gè)單元310群(本例中單元群(310_1、 310—3)以及單元群(310—2、 310—4)。 利用此種構(gòu)成，行選擇部304以及列選擇部302可依次選擇各單元310。本例中，行選擇部304在與基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142提供的行選 擇數(shù)據(jù)相對(duì)應(yīng)的各個(gè)行位置上，把各列的單元群內(nèi)設(shè)置的行選擇晶體管316依次控制為 接通狀態(tài)。此外，列選擇部302在與基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142提供的 列選擇數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的各列位置上，把與各行方向的單元群對(duì)應(yīng)設(shè)置的列選擇晶體管306依 次控制為接通狀態(tài)。這樣一來，列選擇部302以及行選擇部304即可具有本發(fā)明涉及的 選擇部的功能，將測(cè)定控制部146指定的一個(gè)單元310的輸出信號(hào)通過在多個(gè)單元310 上共同設(shè)置的、連接各列選擇晶體管306以及輸出部320的輸出信號(hào)線和輸出部320輸 出?；鶞?zhǔn)特性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142把依次選擇各單元310的選擇信號(hào)提供 給行選擇部304以及列選擇部302。此外，列選擇部302以及行選擇部304也可包含解調(diào)器及軸計(jì)數(shù)器等的電路，該電路用來把收到的列選擇數(shù)據(jù)及行選擇數(shù)據(jù)變換為與應(yīng)選 擇的單元310的位置相對(duì)應(yīng)的選擇信號(hào)。此處的選擇信號(hào)是指把與選擇數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)選擇的 單元310所對(duì)應(yīng)的列選擇晶體管306及行選擇晶體管316，控制為接通狀態(tài)的信號(hào)。利用此種構(gòu)成，基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142依次選擇各單元310中 設(shè)置的被測(cè)定晶體管314。這樣即可使依次選擇出的被測(cè)定晶體管314的端子電壓依次 向輸出部320輸出。輸出部320向基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142依次輸出 端子電壓。輸出部320例如也可以是電壓從動(dòng)緩沖器?；鶞?zhǔn)特性測(cè)定部140或比較特性 測(cè)定部142根據(jù)各個(gè)被測(cè)定晶體管314的端子電壓，測(cè)定被測(cè)定晶體管314的閾值電壓、 電流電壓特性、低頻噪聲、PN結(jié)漏電流等電特性。此外，各電流源318是在柵極端子上接收預(yù)定電壓V鵬的MOS晶體管。各電流源 318的漏極端子與對(duì)應(yīng)的多個(gè)行選擇晶體管316的漏極端子連接。g卩，各電流源318對(duì) 同一列位置上設(shè)置的多個(gè)被測(cè)定晶體管314共同設(shè)置，限定對(duì)應(yīng)的被測(cè)定晶體管314的 源極漏極間電流。若釆用圖7所示的電路構(gòu)成，在各個(gè)測(cè)試電路300中，由于可電性依次選擇多個(gè)被 測(cè)定晶體管314，依次輸出所選擇的被測(cè)定晶體管314的端子電壓，因而可在短時(shí)間內(nèi) 高速測(cè)定各個(gè)被測(cè)定晶體管314的端子電壓。因此，即使在晶片500上設(shè)置了多個(gè)被測(cè) 定晶體管314的情況下，仍可在短時(shí)間內(nèi)對(duì)所有被測(cè)定晶體管314進(jìn)行測(cè)定。因此，基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142可高效而又高精度地測(cè)定基準(zhǔn)器 件或比較器件的電特性。本例中，可在晶片500的面內(nèi)設(shè)置1萬 1000萬個(gè)左右的被測(cè) 定晶體管314。通過對(duì)多個(gè)被測(cè)定晶體管314進(jìn)行測(cè)定，即可高精度地計(jì)算出被測(cè)定晶 體管314的特性誤差。圖8例示出作為基準(zhǔn)器件或比較器件的特性，測(cè)定各個(gè)被測(cè)定晶體管314的閾值電 壓的誤差時(shí)的基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142的動(dòng)作。首先，基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142給測(cè)試電路300提供圖7中說明 過的電壓Voo、電壓VG、電壓cpj、電壓VREF (S440)。這時(shí)，基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或 比較特性測(cè)定部142具有電流控制部的功能，給各電流源318提供額定電壓Vref,使 各電流源318生成同樣的額定電流。此外，基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142 提供把被測(cè)定晶體管314控制為接通狀態(tài)的柵極電壓V(j，以及把各個(gè)開關(guān)用晶體管312 控制為接通狀態(tài)的電壓(Pj。通過此種控制，測(cè)定控制部140或比較特性測(cè)定部142具有 柵極控制部的功能，給各個(gè)被測(cè)定晶體管314的柵極端子外加把該被測(cè)定晶體管314控制為接通狀態(tài)的柵極電壓。接著，基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142給列選擇部302及行選擇部304 提供選擇應(yīng)測(cè)定閾值電壓的被測(cè)定晶體管314的選擇數(shù)據(jù)(S442)。這樣一來，基準(zhǔn)特 性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142即可通過列選擇部302及行選擇部304依次選擇多 個(gè)單元310。并且，基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142測(cè)定輸出部320的輸出 電壓(S444)。這樣一來，基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142即可根據(jù)所選擇 的單元310向輸出信號(hào)線輸出的輸出信號(hào)，測(cè)定各個(gè)單元310具有的被測(cè)定晶體管314 的電特性。接著，基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142根據(jù)外加給該被測(cè)定晶體管314 的柵極電壓Vcj、以及輸出部320的輸出電壓，計(jì)算出各個(gè)被測(cè)定晶體管314的閾值電 壓(S446)。被測(cè)定晶體管314的閾值電壓可通過計(jì)算出例如柵極電壓VG和輸出電壓 的差分，即被測(cè)定晶體管314的柵極源極間電壓獲得。接著，基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142判定是否對(duì)所有被測(cè)定晶體管 314均測(cè)定了閾值電壓(S448)。當(dāng)還有未測(cè)定的被測(cè)定晶體管314的情況下，選擇下 一個(gè)被測(cè)定晶體管314，重復(fù)S444及S446的處理。當(dāng)對(duì)所有被測(cè)定晶體管314均測(cè)定 了閾值電壓的情況下，基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142計(jì)算出閾值電壓的誤 差(S450)。通過此種動(dòng)作，可高效測(cè)定多個(gè)被測(cè)定晶體管314的閾值電壓的誤差。此外，也可 在每個(gè)工藝規(guī)程內(nèi)測(cè)定被測(cè)定晶體管314的閾值電壓的誤差。此外，可通過對(duì)晶片500 上設(shè)置的多個(gè)測(cè)試電路300進(jìn)行測(cè)定，測(cè)定晶片500表面上的閾值電壓的誤差分布。圖9例示出作為基準(zhǔn)器件以及比較器件的特性中，測(cè)定各個(gè)被測(cè)定晶體管314的電 流電壓特性時(shí)的，基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142的動(dòng)作流程圖。首先，基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142給測(cè)試電路300提供圖7中說明 過的電壓VDD、電壓Vcj、電壓cpj、電壓VREF (S400)。這時(shí)，基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或 比較特性測(cè)定部142給各電流源318提供額定電壓Vref，使各電流源318生成同樣的 額定電流。此外，基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142提供把被測(cè)定晶體管314 控制為接通狀態(tài)的柵極電壓VG，以及把各個(gè)開關(guān)用晶體管312控制為接通狀態(tài)的電壓 (Pj。接著，基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142給列選擇部302及行選擇部304 提供選擇應(yīng)測(cè)定電流電壓特性的被測(cè)定晶體管314的選擇數(shù)據(jù)(S402)。并且，基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142在規(guī)定范圍內(nèi)以規(guī)定的分解能使Vkef変化 (S406 S408)。這時(shí)，基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142針對(duì)每個(gè)vref測(cè)定 輸出部320的輸出電壓(S404)。 S卩，基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142使電 流源318生成的源極漏極間電流依次變化，在每個(gè)源極漏極間電流上測(cè)定被測(cè)定晶體管 314的源極電壓。這樣即可測(cè)定被測(cè)定晶體管314的電流電壓特性。并判定是否測(cè)定了所有被測(cè)定晶體管314電流電壓特性(S410)。當(dāng)有未測(cè)定的被 測(cè)定晶體管情況下，重復(fù)S400 S410的處理。這時(shí)，在S402中選擇下一個(gè)被測(cè)定晶體 管314。當(dāng)對(duì)所有被測(cè)定晶體管314均測(cè)定了電流電壓特性情況下，基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或 比較特性測(cè)定部142計(jì)算出電流電壓特性的誤差(S412)。例如，基準(zhǔn)特性測(cè)定部140 或比較特性測(cè)定部142計(jì)算出各電流電壓特性的互導(dǎo)gm，計(jì)算出該互導(dǎo)gm的誤差。 此外，根據(jù)臨界區(qū)域的電流電壓特性，計(jì)算出擺動(dòng)傾角及硅柵極絕緣膜界面能級(jí)密度， 計(jì)算出誤差。圖10例示出作為基準(zhǔn)器件以及比較器件的特性，測(cè)定各個(gè)被測(cè)定晶體管314的PN 結(jié)漏電流的誤差時(shí)的，基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142的動(dòng)作的流程圖。各個(gè)開關(guān)用晶體管312具有可與對(duì)應(yīng)的被測(cè)定晶體管314的柵極端子連接的PN結(jié)。 在本例中，測(cè)定該P(yáng)N結(jié)中的漏電流。首先，基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142給測(cè)試電路300提供圖7中說明 過的電壓VoD、電壓V(j、電壓(pj、電壓V虹f (S460)。這時(shí)，基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或 比較特性測(cè)定部142給各個(gè)電流源318提供額定的電壓VREF,使各電流源318生成同 樣的額定電流。此外，基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142提供把被測(cè)定晶體管 314控制為接通狀態(tài)的柵極電壓Vo，以及把各個(gè)開關(guān)用晶體管314控制為接通狀態(tài)的 電壓cpj。此外，通過從行選擇部304給行方向上并列的各個(gè)單元310依次提供脈沖信號(hào)， 即可把所有單元的漏電流測(cè)定時(shí)間設(shè)定為同一。接著，基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142給列選擇部302以及行選擇部 304提供選擇應(yīng)測(cè)定PN漏電流的被測(cè)定晶體管314的選擇數(shù)據(jù)(S462)。并且，基準(zhǔn)特 性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142把與所選擇的被測(cè)定晶體管314對(duì)應(yīng)的開關(guān)用晶體 管312控制為斷開狀態(tài)(S464)。即，基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142使各 個(gè)開關(guān)用晶體管312把與對(duì)應(yīng)的被測(cè)定晶體管314控制為接通狀態(tài)的柵極電壓和把被測(cè) 定晶體管314控制為斷開狀態(tài)的柵極電壓依次外加給被測(cè)定晶體管314。接著，基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142對(duì)該被測(cè)定晶體管314，測(cè)定接通狀態(tài)時(shí)的源極電壓，和從接通狀態(tài)切換為斷開狀態(tài)后，經(jīng)過規(guī)定時(shí)間后的源極電壓(S466)。本例中，基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142測(cè)定該規(guī)定時(shí)間內(nèi)的輸 出部320的輸出電壓的變化。接著，基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142根據(jù)源極電壓的變化，計(jì)算出 PN結(jié)中的漏電流(S468)。開關(guān)用晶體管312處于接通狀態(tài)時(shí)，被測(cè)定晶體管314的柵 極電容內(nèi)儲(chǔ)存著與柵極電壓相對(duì)應(yīng)的電荷。并且，在開關(guān)用晶體管312切換到斷開狀態(tài) 時(shí)，柵極電容的電荷通過PN結(jié)中的漏電流放電。因此，PN結(jié)漏電流的大小取決于規(guī) 定時(shí)間內(nèi)的被測(cè)定晶體管314的源極電壓的變化量。接著，對(duì)所有被測(cè)定晶體管314判定是否測(cè)定了 PN結(jié)漏電流(S470)。當(dāng)有未測(cè) 定的被測(cè)定晶體管314情況下，重復(fù)S462 S470的處理。這時(shí)，在S462中選擇下一個(gè) 被測(cè)定晶體管314。當(dāng)對(duì)所有被測(cè)定晶體管314，均測(cè)定了 PN結(jié)漏電流情況下，基準(zhǔn) 特性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142計(jì)算出PN結(jié)漏電流的誤差(S472)。圖11示出測(cè)試電路300具有的各個(gè)單元310的電路構(gòu)成的另一例。本例中的電路， 給被測(cè)定晶體管372外加電應(yīng)力，利用給被測(cè)定晶體管372的柵極絕緣膜外加一定電場(chǎng) 狀態(tài)下的，被測(cè)定晶體管372的柵極漏電流，使電容器388充放電。并且，基準(zhǔn)特性測(cè) 定部140或比較特性測(cè)定部142根據(jù)規(guī)定時(shí)間內(nèi)的電容器388的電壓值的變化，計(jì)算出 各個(gè)被測(cè)定晶體管372的柵極漏電流。本例中的測(cè)試電路300的電路構(gòu)成，相對(duì)于圖7所示的測(cè)試電路300的電路構(gòu)成， 各單元310的構(gòu)成各不相同。在圖11中，示出測(cè)試電路300的各單元310的構(gòu)成，關(guān) 于列選擇部302、行選擇部304、多個(gè)列選擇晶體管(306—1、 306—2、以下統(tǒng)稱為306)、 多個(gè)電流源G18 — 1、 318—2、以下統(tǒng)稱為318)、以及輸出部320，因與圖7相同，故 省略。各單元310具有應(yīng)力外加部394、被測(cè)定晶體管372、柵極電壓控制部371、第1 開關(guān)374、第2開關(guān)376、電壓外加部382、電容器388、行選擇晶體管392、復(fù)位用晶 體管378、 380、以及輸出用晶體管390。應(yīng)力外加部394通過第1開關(guān)374給被測(cè)定晶體管372的柵極絕緣膜外加電應(yīng)力。 例如，當(dāng)把被測(cè)定晶體管372作為FLASH存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)元件使用時(shí)，應(yīng)力外加部394 給被測(cè)定晶體管372外加寫入數(shù)據(jù)、消除數(shù)據(jù)所需的電壓。應(yīng)力外加部394外加應(yīng)力時(shí)，應(yīng)力外加部394通過接通第1開關(guān)374，使被測(cè)定晶體管372的源極端子以及漏極端子分別與應(yīng)力外加部394連接。此外，基準(zhǔn)特性測(cè)定部 140或比較特性測(cè)定部142使第2開關(guān)376處于斷開狀態(tài)。通過此種控制，應(yīng)力外加部 394即可給被測(cè)定晶體管372的各端子外加所需電壓，外加應(yīng)力。本例中，應(yīng)力外加部394給被測(cè)定晶體管314獨(dú)立或依次外加下述4種應(yīng)力。(1) FN (Fowler—Nordheim)柵極注射(Gate injection)(2) FN基板注射(Substrateinjection)(3) 熱電子注射(Hot Electron injection)(4) 源極消除(SourceErase)上述(1) ~ (4)是通過把數(shù)據(jù)寫入被測(cè)定晶體管372，或消除被測(cè)定晶體管372 的數(shù)據(jù)，給被測(cè)定晶體管372外加應(yīng)力的方法。此處，應(yīng)力外加部394既可把實(shí)際動(dòng)作 時(shí)把數(shù)據(jù)寫入被測(cè)定晶體管372，或消除被測(cè)定晶體管372時(shí)應(yīng)外加的電壓外加給被測(cè) 定晶體管372的各端子，也可把比實(shí)際動(dòng)作時(shí)應(yīng)外加的電壓大的電壓外加給被測(cè)定晶體 管372的各端子。此外，各單元310內(nèi)可由基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142提供復(fù)位信號(hào) (PRES、控制電壓VRN、 Vrp、 VR1、 Vr2、 VoD以及柵極電壓Vc;。柵極電壓控制部371給 被測(cè)定晶體管372的柵極端子外加基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142指定的柵 極電壓V(j。第2開關(guān)376通過電壓外加部382切換是否把被測(cè)定晶體管372的源極端子以及漏 極端子與電容器388連接。電壓外加部382通過第2開關(guān)376給被測(cè)定晶體管372的源 極端子以及漏極端子外加一定的電壓。當(dāng)通過基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部 142把第2開關(guān)376設(shè)為接通狀態(tài)情況下，電壓外加部382生成的電壓可外加給被測(cè)定 晶體管372的源極端子以及漏極端子。即，電壓外加部382通過把一定電壓外加給被測(cè) 定晶體管372的源極端子以及漏極端子，把外加給被測(cè)定晶體管372的柵極絕緣膜上的 電場(chǎng)控制為大致一定。電壓外加部382具有NMOS晶體管384以及PMOS晶體管386。NMOS晶體管384 被外加與應(yīng)加給被測(cè)定晶體管372的源極端子以及漏極端子上的電壓對(duì)應(yīng)的柵極電壓 Vrn，源極端子通過第2開關(guān)376與被測(cè)定晶體管372的源極端子以及漏極端子連接， 漏極端子與電容器388連接。此夕卜，PMOS晶體管386與NMOS晶體管384并聯(lián)設(shè)置， 被外加與應(yīng)外加給被測(cè)定晶體管372的源極端子以及漏極端子的電壓相對(duì)應(yīng)的柵極電 壓VRP,漏極端子通過第2開關(guān)376與被測(cè)定晶體管372的源極端子以及漏極端子連接，源極端子與電容器388連接。NMOS晶體管384以及PMOS晶體管386即使電容器388 中因柵極漏電流積累，電位發(fā)生變化，仍可把外加到被測(cè)定晶體管372的柵極源極間或 柵極漏極間的電壓大致保持一定。通過此種構(gòu)成，無論被測(cè)定晶體管372是P型或是N型，均可在被測(cè)定晶體管372 的柵極絕緣膜上外加一定的電場(chǎng)，此外，還可利用被測(cè)定晶體管372的柵極漏電流使電 容器388充放電。電容器388可利用從被測(cè)定晶體管372的源極端子以及漏極端子輸出的柵極漏電流 充放電。即，電容器388儲(chǔ)存從柵極端子流向源極端子以及漏極端子的柵極漏電流，變 換為電壓值。此外，復(fù)位用晶體管378、 380在柵極端子上收到復(fù)位信號(hào)cpRES情況下， 把電容器388中的電壓值初化為規(guī)定的電壓VR1。輸出用晶體管390在柵極端子上接受電容器388中的電壓，輸出與該電壓相對(duì)應(yīng)的 源極電壓。行選擇晶體管392以輸入了行選擇部304提供的選擇信號(hào)為條件，給列選擇 晶體管306輸出輸出用晶體管3卯的源極電壓。這樣一來，輸出用晶體管3卯以及行選 擇晶體管392即可具有把電容器388中的源極端子以及漏極端子側(cè)的端部的電容器電壓 作為輸出信號(hào)輸出的電容器電壓輸出部的功能。圖12例示出作為基準(zhǔn)器件或比較器件的特性，測(cè)定各個(gè)被測(cè)定晶體管372的柵極 漏電流時(shí)的，基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142的動(dòng)作。在測(cè)定各個(gè)被測(cè)定晶 體管372的柵極漏電流之前，首先，基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142給各單 元310的被測(cè)定晶體管372外加電應(yīng)力。這時(shí)，基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142把第1開關(guān)374控制為接通狀態(tài)， 把第2開關(guān)376控制為斷開狀態(tài)。并且，基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142控 制各單元310的應(yīng)力外加部394，使應(yīng)力外加于被測(cè)定晶體管372。此外，基準(zhǔn)特性測(cè) 定部140或比較特性測(cè)定部142也可把圖IO中說明過的(1) (4)的應(yīng)力獨(dú)立或依次 外加給被測(cè)定晶體管372。此外，基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142給各單元 310的被測(cè)定晶體管372，大致同時(shí)外加應(yīng)力。實(shí)施以上動(dòng)作之后，基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142依次選擇各個(gè)被測(cè) 定晶體管372，測(cè)定選擇出的被測(cè)定晶體管372的柵極漏電流，但由于被測(cè)定晶體管372 的選擇動(dòng)作與圖8及圖9中說明過的選擇動(dòng)作相同，因而省略其說明。本例中，針對(duì)測(cè) 定一個(gè)被測(cè)定晶體管372的柵極漏電流的動(dòng)作加以說明。首先，基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142把第1開關(guān)374控制為斷開狀態(tài)，把第2開關(guān)376控制為接通狀態(tài)。并且，基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142給 被測(cè)定晶體管372的柵極端子外加大致為零V的柵極電壓(S416)。這時(shí)，被測(cè)定晶體 管372內(nèi)不產(chǎn)生柵極漏電流。接著，基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142把電容器388的電壓設(shè)定為規(guī)定 的初始電壓值。這時(shí)，基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142通過控制復(fù)位用晶體 管380,給電容器388設(shè)定初始電壓VR!。該設(shè)定可通過提供把復(fù)位用晶體管378、 380 控制為接通狀態(tài)的復(fù)位信號(hào)(Pres來進(jìn)行。接著，基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142把電容器388的電壓設(shè)定為初始 電壓值之后，讀出規(guī)定時(shí)間內(nèi)的，電容器388的電壓值的變化(S418)。這時(shí)，基準(zhǔn)特 性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142使列選擇部302以及行選擇部304選擇該單元310。 此外，基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142把輸出部320輸出的電壓作為電容器 388的電壓接收。接著，基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142根據(jù)該規(guī)定期間內(nèi)的，輸出部 320輸出的電壓的變化量，計(jì)算出單元310的背景電流的電流值(第1電流值)(S420)。 這時(shí)，由于被測(cè)定晶體管372內(nèi)未產(chǎn)生柵極漏電流，因而電容器388可利用背景電流充 放電。因此，可根據(jù)規(guī)定期間內(nèi)的電容器388的電壓變化測(cè)定背景電流。接著，基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142給被測(cè)定晶體管372的柵極端子 外加正或負(fù)的柵極電壓(S422)。這時(shí)，控制電壓Vrn、 Vrp，把外加于被測(cè)定晶體管 372的柵極源極或柵極漏極間的電壓大致保持一定。這時(shí)，被測(cè)定晶體管372內(nèi)產(chǎn)生與 柵極電壓相對(duì)應(yīng)的柵極漏電流。接著，基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142把電容器388的電壓設(shè)定為規(guī)定 的初始電壓值。并且，基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142把電容器388的電壓 設(shè)定為初始電壓值之后，讀出前述的規(guī)定期間內(nèi)的，電容器388的電壓值的變化(S424)。接著，基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142根據(jù)該規(guī)定期間內(nèi)的，電容器 388的電壓值的變化量，計(jì)算出表示背景電流和柵極漏電流之和的第2電流值(S426)。 這時(shí)，電容器388可利用背景電流和柵極漏電流之和的電流充放電。因此，根據(jù)規(guī)定期 間內(nèi)的電容器388的電壓變化，即可測(cè)定背景電流與柵極漏電流之和的電流。接著，基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142通過從計(jì)算出的第2電流值中減 去第1電流值計(jì)算出柵極漏電流的電流值(S428)。正如上所述，基準(zhǔn)特性測(cè)定部140或比較特性測(cè)定部142，作為各個(gè)被測(cè)定晶體管372的電特性，可通過輸出用晶體管390以及行選擇晶體管392測(cè)定電容器388的電壓。 其結(jié)果是可通過上述控制排除背景電流的影響，更加高精度地測(cè)定被測(cè)定晶體管372的 柵極漏電流。此外，由于是把柵極漏電流積分后進(jìn)行測(cè)定的，因而可測(cè)定微弱的柵極漏 電流。圖13是針對(duì)被管理生產(chǎn)線100，管理各道生產(chǎn)工序中使用的各個(gè)生產(chǎn)裝置105的 管理方法的另一例示流程圖。本例中的管理方法判定被管理生產(chǎn)線100中含有的等離子 照射裝置是否良好。首先，準(zhǔn)備用同一生產(chǎn)線生產(chǎn)出的第1器件以及第2器件(S648)。第l器件以及 第2器件可通過例如關(guān)系到圖1時(shí)說明過的基準(zhǔn)生產(chǎn)線200生產(chǎn)。此外，第1器件以及 第2器件是具有同一電路構(gòu)成的器件，可具有關(guān)系到圖7及圖11時(shí)說明過的測(cè)試電路 300。接著，利用基準(zhǔn)生產(chǎn)線200中使用的等離子照射裝置給第1器件照射等離子(S650)。 此外，利用被管理生產(chǎn)線100中使用的等離子照射裝置，給第2器件照射等離子(S652)。接著，分別測(cè)定照射過等離子的第1器件以及第2器件的特性(S654)。在S654 中，可使用關(guān)系到圖1時(shí)說明過的基準(zhǔn)特性測(cè)定部140以及比較特性測(cè)定部142，測(cè)定 各器件的特性。接著，比較第1器件的特性和第2器件的特性(S656)。并根據(jù)第1器件以及第2 器件的特性差異，判定被管理生產(chǎn)線100中的等離子照射裝置是否良好。該判定可使用 與參照?qǐng)D1說明過的判定部160相同的方法進(jìn)行。釆用該方法可判定被管理生產(chǎn)線100 中的等離子照射裝置是否良好。例如，當(dāng)該等離子照射裝置在NMOS晶體管上產(chǎn)生了比基準(zhǔn)值大的等離子損傷的 情況下，該晶體管的閾值電壓變小。另外，當(dāng)在PMOS晶體管上產(chǎn)生了比基準(zhǔn)值大的 等離子損傷的情況下，閾值電壓變大。判定部160可根據(jù)第1器件以及第2器件中含有 的被測(cè)定晶體管的閾值電壓的差異，判定等離子照射裝置是否良好。以上用實(shí)施方式說明了本發(fā)明，但本發(fā)明的技術(shù)范圍并不受上述實(shí)施方式中所述的 范圍限定。對(duì)于業(yè)內(nèi)人土而言，顯然可對(duì)上述實(shí)施方式加以多種變更或改良。施加了此 類變更或改良的方式仍可包含在本發(fā)明的技術(shù)范圍中，這在權(quán)利要求范圍的表述中即可 明顯看出。產(chǎn)業(yè)化前景若采用本發(fā)明，可正確而又簡(jiǎn)便地管理生產(chǎn)電子器件的生產(chǎn)線中使用的生產(chǎn)裝置。
權(quán)利要求
1、一種管理方法，是針對(duì)通過多道生產(chǎn)工序生產(chǎn)電子器件的被管理生產(chǎn)線，管理各道生產(chǎn)工序中使用的各個(gè)生產(chǎn)裝置的管理方法，其特征在于具有基準(zhǔn)特性取得階段，其取得基準(zhǔn)器件的特性，該基準(zhǔn)器件通過可實(shí)施前述多道生產(chǎn)工序的、預(yù)定的基準(zhǔn)生產(chǎn)線生產(chǎn)；比較器件生產(chǎn)階段，其使前述被管理生產(chǎn)線處理前述多道生產(chǎn)工序中的至少一道生產(chǎn)工序，使前述基準(zhǔn)生產(chǎn)線處理其它生產(chǎn)工序，生產(chǎn)比較器件；比較特性測(cè)定階段，其測(cè)定前述比較器件的特性；特性比較階段，其比較前述基準(zhǔn)器件的特性和前述比較器件的特性；判定階段，其根據(jù)前述特性的差異，判定處理前述比較器件的前述被管理生產(chǎn)線的前述生產(chǎn)工序中使用的前述生產(chǎn)裝置是否良好。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的管理方法，其特征在于其在前述基準(zhǔn)特性取得階段內(nèi) 測(cè)定前述基準(zhǔn)器件的特性。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的管理方法，其特征在于還具有保證階段，其預(yù)先測(cè)定 前述基準(zhǔn)生產(chǎn)線中使用的多個(gè)前述生產(chǎn)裝置的特性，預(yù)先保證前述基準(zhǔn)生產(chǎn)線中使用的 各個(gè)前述生產(chǎn)裝置良好。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的管理方法，其特征在于還具有信息取得階段，其預(yù)先取得前述被管理生產(chǎn)線中使用的多個(gè)前述生產(chǎn)裝置的信息； 基準(zhǔn)生產(chǎn)線構(gòu)筑階段，其根據(jù)前述生產(chǎn)裝置的信息，預(yù)先構(gòu)筑前述基準(zhǔn)生產(chǎn)線。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的管理方法，其特征在于還具有基準(zhǔn)選擇階段，其從用 同一生產(chǎn)工序生產(chǎn)前述電子器件的多道生產(chǎn)線中預(yù)先選擇前述基準(zhǔn)生產(chǎn)線。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的管理方法，其特征在于前述基準(zhǔn)選擇階段具有 測(cè)定階段，其預(yù)先測(cè)定通過各道前述生產(chǎn)線生產(chǎn)的各個(gè)前述電子器件的特性； 選擇階段，其根據(jù)各個(gè)前述電子器件的特性，從前述多道生產(chǎn)線中預(yù)先選擇前述基準(zhǔn)生產(chǎn)線。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的管理方法，其特征在于前述基準(zhǔn)特性取得階段，以及前述比較器件生產(chǎn)階段通過前述多道生產(chǎn)工序生產(chǎn)前 述電子器件，該電子器件具有測(cè)試電路，該測(cè)試電路包括呈二維矩陣形排列，各自含有 前述被測(cè)定晶體管的多個(gè)被測(cè)定電路，以及使指定的一個(gè)前述被測(cè)定電路的輸出信號(hào)向前述多個(gè)被測(cè)定電路共同設(shè)置的輸出信號(hào)線輸出的選擇部； 前述基準(zhǔn)特性取得階段具有晶體管選擇階段，其在前述基準(zhǔn)器件的前述測(cè)試電路中，通過前述選擇部依次選擇 前述多個(gè)被測(cè)定電路；輸出測(cè)定階段，其根據(jù)前述基準(zhǔn)器件的前述測(cè)試電路中，選擇出的前述被測(cè)定電路 向前述輸出信號(hào)線輸出的前述輸出信號(hào)，測(cè)定各個(gè)前述被測(cè)定電路具有的前述被測(cè)定晶 體管的電特性；前述比較特性測(cè)定階段具有晶體管選擇階段，其在前述比較器件的前述測(cè)試電路中，通過前述選擇部依次選擇 前述多個(gè)被測(cè)定電路；輸出測(cè)定階段，其根據(jù)前述比較器件的前述測(cè)定電路中，選擇出的前述被測(cè)定電路 向前述輸出信號(hào)線輸出的前述輸出信號(hào)，測(cè)定各個(gè)前述被測(cè)定電路具有的前述被測(cè)定晶 體管的電特性。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的管理方法，其特征在于各個(gè)前述被測(cè)定電路包括 柵極電壓控制部，其把指定的柵極電壓外加給前述被測(cè)定晶體管的柵極端子； 基準(zhǔn)電壓輸入部，其把從外部輸入的基準(zhǔn)電壓提供給前述被測(cè)定晶體管的漏極端子以及源極端子中的一方的基準(zhǔn)電壓側(cè)端子；端子電壓輸出部，其以從外部輸入選擇信號(hào)為條件，把前述被測(cè)定晶體管的漏極端 子以及源極端子中前述基準(zhǔn)電壓側(cè)端子以外的端子的端子電壓作為前述輸出信號(hào)輸出；前述選擇部包括行選擇部，其向二維矩陣形排列的前述多個(gè)被測(cè)定電路中，與指定的行對(duì)應(yīng)的前述 被測(cè)定電路輸出前述選擇信號(hào)；列選擇部，其從輸入前述選擇信號(hào)的前述被測(cè)定電路中，選擇出與指定的列對(duì)應(yīng)的 前述被測(cè)定電路的端子電壓，使之向前述輸出信號(hào)線輸出；前述測(cè)試電路還包括多個(gè)電流源，其與前述多個(gè)被測(cè)定電路的各列對(duì)應(yīng)設(shè)置，使指定的源極漏極間電流在前述行選擇部輸入了前述選擇信號(hào)的前述被測(cè)定電路中流動(dòng)；前述基準(zhǔn)特性取得階段以及前述比較特性測(cè)定階段作為各個(gè)前述被測(cè)定晶體管的 前述電特性，測(cè)定前述端子電壓。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的管理方法，其特征在于前述基準(zhǔn)特性取得階段以及前述比較特性測(cè)定階段，針對(duì)各個(gè)前述被測(cè)定晶體管，根據(jù)前述基準(zhǔn)電壓以及前述端子電 壓，把該被測(cè)定晶體管的閾值電壓作為前述電特性加以測(cè)定。
10、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的管理方法，其特征在于前述特性比較階段比較前述基 準(zhǔn)器件中含有的前述多個(gè)被測(cè)定晶體管的閾值電壓的誤差，和前述比較器件中含有的前 述多個(gè)被測(cè)定晶體管的閾值電壓的誤差。
11、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的管理方法，其特征在于各個(gè)前述被測(cè)定電路包括-柵極電壓控制部，其把指定的柵極電壓外加給前述被測(cè)定晶體管的柵極端子； 電壓外加部，其給前述被測(cè)定晶體管的源極端子以及漏極端子外加電壓，把該被測(cè)定晶體管的柵極絕緣膜上外加的電壓控制為大致一定；電容器，其儲(chǔ)存從前述被測(cè)定晶體管的前述柵極端子流向前述源極端子及前述漏極 端子的柵極漏電流；電容器電壓輸出部，其以從外部輸入選擇信號(hào)為條件，把前述電容器中的前述源極 端子以及前述漏極端子側(cè)的端部的電容器電壓作為前述輸出信號(hào)輸出；前述基準(zhǔn)特性取得階段以及前述比較特性測(cè)定階段作為各個(gè)前述被測(cè)定晶體管的 電特性，測(cè)定前述電容器電壓。
12、 一種管理裝置，是針對(duì)通過多道生產(chǎn)工序生產(chǎn)電子器件的被管理生產(chǎn)線，管理 各道生產(chǎn)工序中使用的各個(gè)生產(chǎn)裝置的管理裝置，其特征在于具有-基準(zhǔn)特性測(cè)定部，其測(cè)定基準(zhǔn)器件的特性，該基準(zhǔn)器件通過可實(shí)施前述多道生產(chǎn)工序的，預(yù)定的基準(zhǔn)生產(chǎn)線生產(chǎn)；比較器件生產(chǎn)控制部，其使前述被管理生產(chǎn)線處理前述多道生產(chǎn)工序中的至少一道生產(chǎn)工序，使前述基準(zhǔn)生產(chǎn)線處理其它生產(chǎn)工序，生產(chǎn)比較器件； 比較特性測(cè)定部，其測(cè)定前述比較器件的特性； 特性比較部，其比較前述基準(zhǔn)器件的特性和前述比較器件的特性； 判定部，其根據(jù)前述特性差異，判定處理前述比較器件的前述被管理生產(chǎn)線的前述生產(chǎn)工序中使用的前述生產(chǎn)裝置是否良好。
13、 一種器件生產(chǎn)方法，其特征在于其使用由權(quán)利要求l所述的管理方法管理的 前述被管理生產(chǎn)線生產(chǎn)電子器件。
14、 一種管理方法，是針對(duì)通過多道生產(chǎn)工序生產(chǎn)電子器件的被管理生產(chǎn)線，管理 各道生產(chǎn)工序中使用的各個(gè)生產(chǎn)裝置的管理方法，其特征在于具有-準(zhǔn)備階段，其準(zhǔn)備用同一生產(chǎn)線生產(chǎn)的第1器件以及第2器件；第l等離子照射階段，其通過可實(shí)施前述多道生產(chǎn)工序的，預(yù)定的基準(zhǔn)生產(chǎn)線中使 用的等離子照射裝置，給前述第1器件照射等離子；第2等離子照射階段，其通過前述被管理生產(chǎn)線中使用的等離子照射裝置，給前述 第2器件照射等離子；特性測(cè)定階段，其分別測(cè)定照射過前述等離子的前述第1器件以及前述第2器件的 特性；特性比較階段，其比較前述第1器件的特性和前述第2器件的特性； 判定階段，其根據(jù)前述特性的差異，判定前述被管理生產(chǎn)線中的前述等離子照射裝 置是否良好。
全文摘要
本發(fā)明提供一種管理方法，該方法是針對(duì)通過多道生產(chǎn)工序生產(chǎn)電子器件的被管理生產(chǎn)線，管理各道生產(chǎn)工序中使用的各個(gè)生產(chǎn)裝置的管理方法；具有基準(zhǔn)特性取得階段，其取得基準(zhǔn)器件的特性，該基準(zhǔn)器件通過可實(shí)施多道生產(chǎn)工序的、預(yù)定的基準(zhǔn)生產(chǎn)線生產(chǎn)；比較器件生產(chǎn)階段，其使被管理生產(chǎn)線處理多道生產(chǎn)工序中的至少一道生產(chǎn)工序，使基準(zhǔn)生產(chǎn)線處理其它生產(chǎn)工序，生產(chǎn)比較器件；比較特性測(cè)定階段，其測(cè)定比較器件的特性；特性比較階段，其比較基準(zhǔn)器件的特性和比較器件的特性；判定階段，其根據(jù)特性的差異，判定處理比較器件的被管理生產(chǎn)線的生產(chǎn)工序中使用的生產(chǎn)裝置是否良好。
文檔編號(hào)G05B19/418GK101273311SQ200580051700
公開日2008年9月24日 申請(qǐng)日期2005年9月27日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月27日
發(fā)明者岡安俊幸, 寺本章伸, 須川成利 申請(qǐng)人:愛德萬測(cè)試株式會(huì)社;國立大學(xué)法人東北大學(xué)