專利名稱：：一種等離子刻蝕工藝的預(yù)測(cè)與監(jiān)控方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及設(shè)備的檢測(cè)與監(jiān)控
技術(shù)領(lǐng)域：
，尤其涉及一種等離子刻蝕工藝的預(yù)測(cè)與監(jiān)控方法。
背景技術(shù)：
：隨著微電子與集成電路行業(yè)的快速發(fā)展，等離子刻蝕工藝過程加工的半導(dǎo)體品圓Wafer的尺寸變得越來(lái)越大，而另一方面，柵極刻蝕的關(guān)鍵尺寸則在逐漸減小。為了保證這一高新工藝技術(shù)下半導(dǎo)體晶圓也就是硅片的刻蝕質(zhì)量，需要在工藝生產(chǎn)過程屮對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量進(jìn)行監(jiān)控、對(duì)工藝故障進(jìn)行診斷以及對(duì)重點(diǎn)參數(shù)的進(jìn)行預(yù)測(cè)。冃前最常用的一種工藝控制技術(shù)就是主元分析(PCA)和Hotelling丁2統(tǒng)計(jì)力—法，JL:難本原理是根據(jù)現(xiàn)有的正常工藝下的歷史數(shù)據(jù)，按照設(shè)定的標(biāo)準(zhǔn)，采用統(tǒng)計(jì)的方法找出能夠代表正常工藝下各變量之間的低維主元成分，即主元模型；對(duì)f一待檢測(cè)樣木，先釆川l-:元模型計(jì)算出其對(duì)應(yīng)的Hotelling丁2統(tǒng)計(jì)量，并結(jié)合預(yù)先計(jì)算出的控制限，就"T以實(shí)現(xiàn)l:藝的故障診斷；當(dāng)發(fā)現(xiàn)工藝有故障發(fā)生時(shí)，再根據(jù)主元的散點(diǎn)圖以及主元的得分w獻(xiàn)圖，就可以找出引起工藝發(fā)生故障的原因。但是，在工藝過程中，只有質(zhì)量檢測(cè)、故障診斷這些控制技術(shù)是還不能滿足要求，會(huì):工藝進(jìn)行的過程中，工藝工程師們還希望實(shí)時(shí)地觀察一些重要的工藝性能指標(biāo)(如工藝的刻蝕速率、刻蝕均勻性)，來(lái)確定是否結(jié)束目前的工藝過程。而這些r藝性能指標(biāo)在丄藝進(jìn)行的過程中卻是不能測(cè)量的，只能等硅片刻完之后才能測(cè)量?，F(xiàn)有的用于獲取硅片刻蝕速率以及刻蝕均勻性的主要方法是人工測(cè)量法，如圖1與圖2所示，其具體是先用膜厚測(cè)量?jī)x測(cè)量出硅片上的不同位賞在刻蝕前后的膜厚，lW每所冇位置點(diǎn)的前后膜厚差(刻蝕掉的厚度)除以工藝的刻蝕時(shí)問，就可以得到硅片l:各個(gè)位咒的刻蝕速率，最后將所有的刻蝕速率進(jìn)行平均，就可以得到這片Wafer的平均刻蝕速率ifij對(duì)于Wafer的刻蝕均勻性，則是先計(jì)算硅片上各個(gè)位置的刻蝕速率的標(biāo)準(zhǔn)差，再將該標(biāo)準(zhǔn)差除以Wafer平均刻蝕速率，所得到的比值即為這片Wafer的刻蝕均勻性。這種人J:測(cè)廣法是現(xiàn)階段獲取Wafer的刻蝕速率以及刻蝕均勻性的-1-:嬰力H:『卜:處卩3的是通過測(cè)針得到的刻蝕速率和均勻性來(lái)檢驗(yàn)等離子刻蝕機(jī)的刻蝕'N:能、狀態(tài)以及刻蝕的穩(wěn)定性，改方法在制造刻蝕設(shè)備的過程中還可以使用，似在使用刻蝕設(shè)備進(jìn)行工藝過ft屮，此種方法是無(wú)法使用的，可見這種方法不能實(shí)現(xiàn)工藝進(jìn)行中Wafer的刻蝕速率以及均勻性的在線監(jiān)控，從而也不能實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品性能指標(biāo)的在線優(yōu)化以及工藝生產(chǎn)的反饋控制。
發(fā)明內(nèi)容針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)方案中存在的技術(shù)缺陷，本發(fā)明的目的是提供一種等離子刻蝕工藝的預(yù)測(cè)與監(jiān)控方法，能實(shí)現(xiàn)工藝進(jìn)行中Wafer的刻蝕速率以及均勻性的在線監(jiān)控。本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的一種等離子刻蝕工藝的預(yù)測(cè)與監(jiān)控方法，包括A、將待檢測(cè)的數(shù)據(jù)樣本代入設(shè)定的主元回歸方程得出等離子刻蝕工藝過程的^前的工藝性能指標(biāo)；B、根據(jù)當(dāng)前的等離子刻蝕工藝過程的工藝性能指標(biāo)預(yù)測(cè):T.藝過程的進(jìn)程，確定是W結(jié)束等離子刻蝕工藝過程。所述的歩驟A包括A1、將待檢測(cè)的數(shù)據(jù)樣本代入主元模型方程得出各主元取值，并將各主兀取值代入設(shè)定的主元回歸方程得出等離子刻蝕工藝過程的當(dāng)前的工藝性能指標(biāo)；或者，A2、將主元模型方程代入設(shè)定的主元回歸方程得到目標(biāo)主元ly]歸方程，并將待檢測(cè)的數(shù)據(jù)樣本代入目標(biāo)主元回歸方程得出等離子刻蝕工藝過程的當(dāng)前的工藝性能指標(biāo)。所述的設(shè)定的主元回歸方程為)7=",x乂+a2x/2+…+at,x乂,式中，Y，方程的輸出變量，輸出工藝性能指標(biāo)，包括刻蝕速率或均勻性；",，^，+…+,A，方程的回歸系數(shù)；/,，./;,…，y;，主元模型方程中的主元取值；e，方程的主元個(gè)數(shù)。所述的主元回歸方程中的回歸系數(shù)"p"2，+…+，A與主元取值./;,./,，，./:.依據(jù)等離子刻蝕工藝過程的歷史數(shù)據(jù)樣本確定。所述的t兀問U;j方程':l'的l"l歸系數(shù)fl|,仏,+...+，《.，i'J通過多元線性l"l"i的法來(lái)確定。所述的k元問歸方程中主元模型方程為，../:=xa.式中，/,,./"，./:，方程的主元取值；x=[xMx2,...,;cm]7。其中，^12,...，\,是工藝的過程變^PmA，…，P"初始樣本數(shù)據(jù)相關(guān)性矩陣A^,n的特征向SA,A，…，/^;目-，A_為從等離子刻蝕工藝過程的歷史數(shù)據(jù)樣本選取初始樣本數(shù)據(jù)建立的初始樣本數(shù)據(jù)相關(guān)性矩陣。所述的主元回歸方程中的主元個(gè)數(shù)的確定原則是新主元變量所覆蓋的信總必須要達(dá)到原變量的85%以上。由上述本發(fā)明提供的技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明所述的-種等離-f刻蝕l:藝的預(yù)測(cè)與監(jiān)控方法，將待檢測(cè)的數(shù)據(jù)樣本代入設(shè)定的主元回歸方程得出等離子刻蝕工藝過程的巧前的工藝性能指標(biāo)；再根據(jù)當(dāng)前的等離子刻蝕工藝過程的工藝性能指標(biāo)確定是否結(jié)束種等離子刻蝕工藝過程。能實(shí)現(xiàn)工藝進(jìn)行中Wafer的刻蝕速率以及均勻性的在線監(jiān)控。圖1為半導(dǎo)體晶圓表面分布示意圖一；圖2為半導(dǎo)體晶圓表面分布示意圖二；圖3為工藝刻蝕速率PCR預(yù)測(cè)效果圖；圖4為工藝刻蝕均勻性的預(yù)測(cè)效果圖。具體實(shí)施方式為了現(xiàn)有技術(shù)的問題，常用數(shù)學(xué)方法來(lái)預(yù)測(cè)工藝生產(chǎn)中的一些重要參數(shù)。本專利采用生元分析(PCA)和多元線性回歸(MVR)的方法給出了一種用于刻蝕工藝中刻蝕速率以及刻蝕均勻性的預(yù)測(cè)方法。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，該方法的預(yù)測(cè)精度基本h滿足現(xiàn)有的工藝標(biāo)準(zhǔn)，它對(duì)于提"工藝的質(zhì)量和實(shí)現(xiàn)工藝的反饋控制能夠起到玩想的作川。本發(fā)明所述的-"種等離子刻蝕工藝的預(yù)測(cè)與監(jiān)控方法，其U體實(shí)施力'式為將待檢測(cè)的數(shù)據(jù)樣本代入設(shè)定的主元回歸方程得出等離f刻蝕工藝過程的"i前的i:2:性能指標(biāo)；再根據(jù)當(dāng)前的等離子刻蝕工藝過程的工藝性能指標(biāo)預(yù)測(cè):i:藝過程的進(jìn)程，確定是否結(jié)束種等離子刻蝕工藝過程。具體有兩種方式，一、將待檢測(cè)的數(shù)據(jù)樣本代入主元模型方程得出各主元取值，并將各:t:兀取值代入設(shè)定的主元回歸方程得出等離子刻蝕工藝過程的當(dāng)前的工藝性能指標(biāo)；再根據(jù)3前的等離子刻蝕工藝過程的工藝性能指標(biāo)確定是否結(jié)束種等離子刻蝕工藝過程。二、將主元模型方程代入設(shè)定的主元回歸方程得到F;i標(biāo)主兀luJ歸方程，并將待檢測(cè)的數(shù)據(jù)樣本(應(yīng)為標(biāo)準(zhǔn)正態(tài)化的數(shù)據(jù)樣本)代入目標(biāo)主元冋歸方程得出等離子刻蝕工藝過程的當(dāng)前的工藝性能指標(biāo)。再根據(jù)當(dāng)前的等離予刻蝕工藝過程的工藝性能指標(biāo)確定是W結(jié)束種等離子刻蝕工藝過程。上述的設(shè)定的主元回歸方程為]7=a,x./;+"2x/2h-----hat,x/:;式中，IS方程的輸出變量，輸出工藝性能指標(biāo)，包括刻蝕速率或均勻性；"p"2,++,&.，方程的回歸系數(shù)；/,',《，.，./':，主元模型方程中的主元取值；e，方程的主元個(gè)數(shù)。這里的主元回歸方程中的回歸系數(shù)^與主元取值y:依據(jù)等離子刻蝕工藝過程的歷史數(shù)據(jù)樣本確定。上述的主元回歸方程中主元模型方程為，/;=x,xp,</2=x'xp2式中，./;，,/;，…，/:，方程的工藝的主元取值；jc二[x,.x2,….xj7。其巾，《，12，...，、是工藝的過程變頃:；，其一般山腔^:ji、:力(Pressure),]:藝氣體(gas)以及腔室溫度(Temperature)、卜.屯極以及匹配器(RFandMatch等參數(shù)組成)。a，&,...,p,，,；初始樣本數(shù)據(jù)相關(guān)性矩陣義,,的特征值^，》入2》..》Xm的相應(yīng)的特征向量/^，a，…，/^,;且，x,^為從等離子刻蝕工藝過程的歷史數(shù)據(jù)樣本選取初始樣本數(shù)據(jù)建立的初始樣本數(shù)據(jù)相關(guān)性矩陣。其具體過程如下，^驟1:從歷史數(shù)據(jù)樣本的選取初始樣本數(shù)據(jù)與預(yù)處ffl!，這部分工作也是^立4匸兀稅型和主元回歸方程的首要條件。初始樣本數(shù)據(jù)選取的合理性自'接決定了所建立的主元的準(zhǔn)確性和有效性，為了保證這-點(diǎn)，在選取數(shù)據(jù)時(shí)必須要注意以下兒個(gè)問題(1)數(shù)據(jù)樣本大小的合理性；(2)數(shù)據(jù)樣本類型的一致性；(3)數(shù)據(jù)樣本的標(biāo)準(zhǔn)正態(tài)化?；谏鲜鰳?biāo)準(zhǔn)，本實(shí)施方式選取表1中的數(shù)據(jù)樣本為例(山于數(shù)據(jù)樣本過大，本專利屮請(qǐng)中就不詳細(xì)給出其具體數(shù)值)表1WaferID數(shù)據(jù)類型刻蝕速率刻蝕均勻性HZ000897-19ME(60s)1840.092.93%HZ000897-20ME(60s)1814.902.51%HZ000897-21ME(60s)1827.832.63%HZ000897-22ME(60s)1902.762.78%HZ000897-23ME(60s)1865.182.71%HZ000897-24ME(60s)1813.812.58%HZ000897-25ME(60s)1840.162.50%HZ000898-11ME(60s)1836.792.51%HZ000898-12ME(60s)1874.472.60%HZ000898-13ME(60s)1801.952.45%HZ000898-14ME(60s)1919.322.68%HZ000898-15ME(60s)1759.812.37%HZ000898-16ME(60s)1824.392.30%<table>tableseeoriginaldocumentpage9</column></row><table>山此可建立初始樣本數(shù)據(jù)相關(guān)性矩陣X"，；其中n為樣本數(shù)，m為丁藝忭能指標(biāo)的變量個(gè)數(shù)；步驟2:主元模型的建立，這一歩驟主要包含以下幾個(gè)過程(1)初始樣本數(shù)據(jù)本相關(guān)性矩陣1><,(若初始樣本已經(jīng)過標(biāo)準(zhǔn)in態(tài)化，則只^il黨其協(xié)方差矩陣)的計(jì)算(2)計(jì)算矩陣X,,x,的特征值入，》入2》...》人m與相應(yīng)的特征向量Pl，/72，...，/7,;(3)確定主元模型中所需要的主元個(gè)數(shù)(主元個(gè)數(shù)的確定原則是新主元變量所覆蓋的信息必須要達(dá)到原變量的85%以上)。例如，若確定的主元個(gè)數(shù)為6個(gè)(不妨用/;，/2，，./(,表示)，則所建立的工藝l-:兀模型為;=/^r方程i)式中，x=[x,，x2，…，x,r為初始變量。歩驟3:主元回歸方程的建立。根據(jù)上述工藝主元模型，計(jì)算出所有初始樣本的得分向量，并將其組成一個(gè)得分矩陣，該得分矩陣也即是主元回歸方程中的輸入變量，另-方面，將刻蝕工藝中需要預(yù)測(cè)的變量(刻蝕速率與均勻性)作為輸出變量(也必須進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)正態(tài)化)，最后采用多元線性回歸的方法來(lái)建立輸入變量和輸出變量的線性回歸方程。若設(shè)r為輸出變量，./;，/;,…，./6為已經(jīng)確定的6個(gè)主元，則主元回歸方程的形式為r=aX+a2x/2十…+a6x/6;(方程2)其中^，"2,+...+，"6回歸系數(shù)。回歸系數(shù)可通過多元線性t'l歸的方法來(lái)確定。具體&驟為將刻蝕工藝中需要預(yù)測(cè)的變量(刻蝕速率與均勻性)作為輸出變量，將初始樣本的得分矩陣作為輸入變量，最后采用多元線性回歸的方法即可確定出各回歸系數(shù)。甚子前文屮所給出的歷史數(shù)據(jù)，本專利采用主元分析和丄:元l"l歸的方法^到了對(duì)應(yīng)i:藝條件F刻蝕速率以及刻蝕均勻性的回歸方程，其具體情況如下，川v表小刻蝕速申-滴數(shù)、用u表不刻蝕均勻性函數(shù)K=—0.0069/+0細(xì)2/2—0.4367/,—0.2704/4+0.1431,+0.4184/('f/=0.1466/;—0.1359/2—0.1504/;—0.1620/4—0.2585/5+0.4632/;,對(duì)于一待檢測(cè)樣本，tr先將其標(biāo)準(zhǔn)正態(tài)化，再采用:fe元模型(方程1)計(jì)算出各小:兀的fe元得分值，最后將所得到的值代入上述兩個(gè)回歸方程，就可以預(yù)測(cè)出該工藝樣本所對(duì)應(yīng)的刻蝕速率以及均勻性。再根據(jù)當(dāng)前的等離子刻蝕工藝過程的刻蝕速率以及均勻性確定是否結(jié)束種等離子刻蝕工藝過程。另外，為完善技術(shù)方案，本發(fā)明還包括歩驟4:主元回歸方程的檢驗(yàn)。為了考察上述預(yù)測(cè)模型的精確度，還必須耍采用一定的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)對(duì)上述模型進(jìn)行檢驗(yàn)，并依據(jù)每次的檢驗(yàn)結(jié)果不斷的對(duì)上述模型進(jìn)行調(diào)整(、i-:兀是回歸系數(shù))，從而使預(yù)測(cè)的相對(duì)誤差符合工藝標(biāo)準(zhǔn)?；谝陨蠚i驟，如表1所示，本專利中采用了18組刻蝕工藝的歷史數(shù)據(jù)對(duì)上述預(yù)測(cè)模型進(jìn)行了檢驗(yàn)，得到的結(jié)果如表2所示，從計(jì)算的結(jié)果不難發(fā)現(xiàn)本專利中所給出的i-:兀卜'l歸的方法對(duì)于刻蝕工藝的參數(shù)預(yù)測(cè)是比較有效和準(zhǔn)確的，像刻蝕速率的相對(duì)誤差(預(yù)測(cè)值、實(shí)際值的標(biāo)準(zhǔn)差與實(shí)際值的平均值的比值)只有0.75%，刻蝕均勻性的相對(duì)誤差也只有2.66%。當(dāng)然，造成預(yù)測(cè)值與實(shí)際值之間存在誤差的主要原因冇兩點(diǎn)一足閑為初始樣本數(shù)據(jù)過少而導(dǎo)致主元模型和回歸模型中的變量系數(shù)存在誤差，另一方面則是沐l為實(shí)際值本身也存在一定的測(cè)量誤差和計(jì)算誤差(實(shí)際值是通過人工測(cè)jft后再計(jì)算得出的)。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>HZ000898-111836.791845.72.51%2.5291%HZ000898-121874.471847.52.60%2.5640%HZ000898-131801.951822.92.45%2.4746%HZ000898-141919,321913.82.68%2.5615%HZ000898-151759.811767.52.37%2.3350%HZ000898-161824.391815.32.30。/。2.2567%HZ000898-171849.791844.32.55%2.5241%HZ000898-181854.401852.12.39%2.5233%HZ000898-191829.281815.62.46%2.4077%HZ000898-201853.081877.92.67%2.7480%HZ000898-211828.561833.42.17%2.2560%相對(duì)誤差0.75%2.66%本發(fā)明中通過主元分析和主元回歸的技術(shù)給出了一種用于刻蝕工藝中刻蝕速率以及均勻性的實(shí)時(shí)預(yù)測(cè)方法，計(jì)算結(jié)果表明該方法非常有效，其預(yù)測(cè)的相對(duì)誤差完全符合現(xiàn)行的工藝標(biāo)準(zhǔn)，如果將該技術(shù)加以推廣完善并且程序化(集成到工藝控制軟件屮)，可以史好的實(shí)現(xiàn)刻蝕工藝中的自動(dòng)化控制以及反饋控制，從而避免人工測(cè)量和計(jì)算刻蝕速率、均勻性的復(fù)雜性，從一定程度上提高現(xiàn)有的工作效率。如圖3所小，為工藝刻飩速率PCR預(yù)測(cè)效果圖，閣4所示，為工藝刻蝕均勻性的預(yù)測(cè)效果圖。本發(fā)明中通過主元分析和主元回歸的方法給出了刻蝕速率以及刻蝕均勻性關(guān)r-的線性回歸方程(方程2)，這樣對(duì)于一待檢測(cè)樣本zz^'，Z2'…，z"'l'，首先只需要通過主元模型(方程1)計(jì)算出樣本z對(duì)各個(gè)主元的得分值，再將所得到的值代入主元l"l歸力-程，就可以預(yù)測(cè)出樣本z所對(duì)應(yīng)的刻蝕速率以及均勻性。而實(shí)際上，如果將卞:兀模型(方程1)代入到主元回歸方程(方程2)中，就可以得到刻蝕速率(均勻性)關(guān)于原變量的線性回歸方程，而在這種情況下，只需要將己知的檢測(cè)樣本(必須先經(jīng)過標(biāo)準(zhǔn)H;態(tài)化)代入到該回歸方程中，也可以得到相應(yīng)樣本的刻蝕速率(均勻性)。為本發(fā)明較佳的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本
技術(shù)領(lǐng)域：
的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在木發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。權(quán)利要求1.一種等離子刻蝕工藝的預(yù)測(cè)與監(jiān)控方法，其特征在于，包括A、將待檢測(cè)的數(shù)據(jù)樣本代入設(shè)定的主元回歸方程得出等離子刻蝕工藝過程的當(dāng)前的工藝性能指標(biāo)；B、根據(jù)當(dāng)前的等離子刻蝕工藝過程的工藝性能指標(biāo)預(yù)測(cè)工藝過程的進(jìn)程，確定是否結(jié)束等離了刻蝕工藝過程。2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子刻蝕工藝的預(yù)測(cè)與監(jiān)控力法，其特征在個(gè)，所述的》驟A包括A1、將待檢測(cè)的數(shù)據(jù)樣本代入主元模型方程得出各主元取值，并將各主兒取值代入設(shè)定的主元回歸方程得出等離子刻蝕工藝過程的當(dāng)前的工藝性能指標(biāo)；或者，A2、將主元模型方程代入設(shè)定的主元回歸方程得到H標(biāo)t元回歸方程，并將待檢測(cè)的數(shù)據(jù)樣本代入H標(biāo)主元回歸方程得出等離子刻蝕工藝過程的n前的工藝性能指標(biāo)。3、根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子刻蝕工藝的預(yù)測(cè)與監(jiān)控方法，其特征在j:，所述的設(shè)定的主元回歸方程為<formula>formulaseeoriginaldocumentpage2</formula>式中，y，方程的輸出變量，輸出工藝性能指標(biāo)，包括刻蝕速率或均勻性；flp"2,++,&，方程的回歸系數(shù)；<formula>formulaseeoriginaldocumentpage2</formula>主元模型方程中的主元取值e，方程的主元個(gè)數(shù)。4、根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子刻蝕工藝的預(yù)測(cè)與監(jiān)控方法，其特征在于，所述的fe元回歸方程中的回歸系數(shù)a,，A,+…+,"e與主元取值/;，《，，./:依據(jù)等離子刻蝕工藝過程的歷史數(shù)據(jù)樣本確定。5、根據(jù)權(quán)利要求4所述的等離子刻蝕工藝的預(yù)測(cè)與監(jiān)控方法，其特征在h所述的]-:元回歸方程中的回歸系數(shù)flp"2，+…+,&，可通過多元線性回歸的方法來(lái)確定。6、根據(jù)權(quán)利要求4所述的等離子刻蝕工藝的預(yù)測(cè)與監(jiān)控方法，其特征在f，所述的小:元回歸方程中主元模型方程為，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>式中，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>方程的主元取值；<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>。其中<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>是工藝的過程變1化；<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>初始樣本數(shù)據(jù)相關(guān)性矩陣《_的特征向鏡凡<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>；且，為從等離子刻蝕工藝過程的歷史數(shù)據(jù)樣本選取初始樣本數(shù)據(jù)建立的初始樣本數(shù)據(jù)相關(guān)性矩陣。7、根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子刻蝕工藝的預(yù)測(cè)與監(jiān)控方法，其特征在r，所述的t元回歸方程中的主元個(gè)數(shù)的確定原則是新主元變量所覆蓋的信息必須要達(dá)到原變量的85%以上。全文摘要本發(fā)明所述的一種等離子刻蝕工藝的預(yù)測(cè)與監(jiān)控方法，將待檢測(cè)的數(shù)據(jù)樣本代入設(shè)定的主元回歸方程得出等離子刻蝕工藝過程的當(dāng)前的工藝性能指標(biāo)；再根據(jù)當(dāng)前的等離子刻蝕工藝過程的工藝性能指標(biāo)確定是否結(jié)束種等離子刻蝕工藝過程。能實(shí)現(xiàn)工藝進(jìn)行中Wafer的刻蝕速率以及均勻性的在線監(jiān)控。文檔編號(hào)G05B19/048GK101226383SQ20071006284公開日2008年7月23日申請(qǐng)日期2007年1月18日優(yōu)先權(quán)日2007年1月18日發(fā)明者張善貴申請(qǐng)人:北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司