專利名稱：鍍膜機(jī)真空室溫度自動控制裝置及真空鍍膜機(jī)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及真空鍍膜機(jī)領(lǐng)域，更具體地涉及一種能用于真空鍍膜機(jī)的真空室溫度自動控制裝置。
背景技術(shù)：
在薄膜制備技術(shù)中，薄膜的附著力決定著薄膜質(zhì)量的好壞。要制備附著力好的薄膜需要在鍍膜前對基片進(jìn)行加熱和鍍膜后對鍍件進(jìn)行老化，而且針對不同的鍍膜材料， 對基片進(jìn)行加熱或?qū)Ρ∧みM(jìn)行老化的溫度是不同的，需要根據(jù)鍍膜材料的性能進(jìn)行精確設(shè)定，這就要求鍍膜機(jī)能夠控制真空室加熱及烘烤的溫度。目前，國內(nèi)鍍膜機(jī)的真空室加熱及烘烤沒有自動溫度控制功能。在鍍膜前對基片進(jìn)行加熱或鍍膜后對鍍件進(jìn)行老化時，鍍膜機(jī)的真空室加熱及烘烤溫度無法控制，需要另外配備專用或常規(guī)真空烘烤裝置來進(jìn)行鍍件老化，這樣不僅增加成本而且操作復(fù)雜，且鍍件在二次轉(zhuǎn)移過程中例如在由真空狀態(tài)到自然空氣狀態(tài)時可能會發(fā)生氧化，從而會影響鍍件的質(zhì)量。因此，需要一種具有溫度自動控制功能的真空鍍膜機(jī)，以便能夠控制真空室加熱及烘烤溫度達(dá)到并保持所設(shè)定的溫度值，保證在需要的溫度下進(jìn)行基片加熱和鍍件老化， 將提高薄膜的附著力，還可防止鍍件在二次轉(zhuǎn)移過程中發(fā)生氧化，將較大程度提高鍍件的質(zhì)量。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種用于真空鍍膜機(jī)的真空室溫度自動控制裝置。根據(jù)本發(fā)明，提供一種鍍膜機(jī)真空室溫度自動控制裝置，包括熱敏電阻，溫度控制器和受控開關(guān)，其中，熱敏電阻安裝在鍍膜機(jī)真空室內(nèi)，用于測量鍍膜機(jī)真空室溫度；溫度控制器用于設(shè)定鍍膜機(jī)真空室所需溫度值，接收所述熱敏電阻測量的鍍膜機(jī)真空室溫度，當(dāng)該測量溫度值低于該設(shè)定溫度值時，輸出使受控開關(guān)接通的直流電壓，當(dāng)該測量溫度值高于該設(shè)定溫度值時，輸出使受控開關(guān)斷開的直流電壓；受控開關(guān)根據(jù)所述溫度控制器輸出的直流電壓接通或斷開，從而控制鍍膜機(jī)的真空室加熱裝置通電或斷電。優(yōu)選地，所述溫度控制器的溫度設(shè)定范圍為0°C 500°C。優(yōu)選地，所述溫度控制器的溫度設(shè)定精度為士(0. 1°C 5°C )。優(yōu)選地，所述受控開關(guān)是可控硅或固態(tài)繼電器。優(yōu)選地，所述可控硅或固態(tài)繼電器根據(jù)其輸入端的直流電壓控制其輸出端的通斷。優(yōu)選地，所述受控開關(guān)是是包括驅(qū)動電路和繼電器的控制電路。優(yōu)選地，所述驅(qū)動電路輸出的高低電平控制所述繼電器單刀觸點的通斷。根據(jù)本發(fā)明，提供一種真空鍍膜機(jī)，包括[0016]如上所述的鍍膜機(jī)真空室溫度自動控制裝置，和真空室加熱裝置，其與所述鍍膜機(jī)真空室溫度自動控制裝置的受控開關(guān)連接。優(yōu)選地，所述真空室加熱裝置在調(diào)壓器的作用下為鍍膜機(jī)真空室進(jìn)行加熱。根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案，包括熱敏電阻、溫度控制器，和受控開關(guān)的溫度自動控制裝置，可以在0°C 500°C范圍內(nèi)控制鍍膜機(jī)的烘烤溫度，準(zhǔn)確度為士(0. 1°C 5°C)，使得基片加熱、薄膜蒸鍍和鍍件老化均在真空室的高真空環(huán)境下進(jìn)行，防止了鍍件在二次轉(zhuǎn)移過程中發(fā)生氧化，從而解決了真空鍍膜機(jī)上無法實現(xiàn)溫度自動控制及無法精確控制真空室加熱及烘烤溫度的難題，使得鍍前的基片可以在需要的溫度下進(jìn)行預(yù)加熱，鍍好的鍍件可以在需要的溫度下進(jìn)行老化，較大程度提高了鍍件的質(zhì)量。

圖1為根據(jù)本發(fā)明實施例1的鍍膜機(jī)真空室溫度自動控制裝置示意圖；圖2為根據(jù)本發(fā)明實施例2的鍍膜機(jī)真空室溫度自動控制裝置示意圖。
具體實施方式
實施例1圖1示出根據(jù)本發(fā)明實施例1的鍍膜機(jī)真空室溫度自動控制裝置示意圖。該裝置包括熱敏電阻102，溫度控制器103，和受控開關(guān)104。熱敏電阻102安裝在鍍膜機(jī)真空室 101內(nèi)，用于測量鍍膜機(jī)真空室101的溫度。溫度控制器103與熱敏電阻102連接，可以設(shè)定真空室溫度和獲取熱敏電阻102測量的真空室溫度，通過比較測量的真空室溫度與設(shè)定的真空室溫度，輸出相應(yīng)的直流電壓控制受控開關(guān)104的通斷，從而控制鍍膜機(jī)內(nèi)的真空室加熱裝置105通電或斷電。受控開關(guān)例如可以是可控硅開關(guān)或固態(tài)繼電器開關(guān)。真空室加熱裝置105可以在調(diào)壓器106的作用下為鍍膜機(jī)真空室101進(jìn)行加熱。根據(jù)本發(fā)明的溫度自動控制裝置的工作方法如下。首先在0°C 500°C范圍內(nèi)在溫度控制器103上設(shè)定鍍膜機(jī)真空室101所需溫度值。當(dāng)鍍膜機(jī)工作時，安裝于鍍膜機(jī)真空室101內(nèi)的熱敏電阻102測量真空室內(nèi)的溫度，溫度控制器103接收熱敏電阻102測量的真空室溫度，并將該測量的真空室溫度與設(shè)定溫度值進(jìn)行比較，當(dāng)測量溫度低于設(shè)定溫度值時，溫度控制器103根據(jù)熱敏電阻的阻值變化輸出相應(yīng)的直流電壓，該直流電壓控制可控硅或固態(tài)繼電器104處于連通狀態(tài)，優(yōu)選通過調(diào)壓器106對真空室加熱裝置105加電， 使得鍍膜機(jī)真空室101內(nèi)的溫度升高；當(dāng)測量溫度高于設(shè)定溫度值時，溫度控制器103輸出使可控硅或固態(tài)繼電器104處于斷開狀態(tài)的直流電壓，使可控硅或固態(tài)繼電器104處于斷開狀態(tài)，停止對真空室加熱裝置105加電，使得鍍膜機(jī)真空室101內(nèi)的溫度降低。根據(jù)本發(fā)明實施例1，最終使鍍膜機(jī)真空室101的溫度保持在設(shè)定溫度值。使得鍍前的基片可以在需要的溫度下進(jìn)行預(yù)加熱，鍍好的鍍件可以在需要的溫度下進(jìn)行老化，較大程度提高了鍍件的質(zhì)量。實施例2圖2示出根據(jù)本發(fā)明實施例2的鍍膜機(jī)真空室溫度自動控制裝置示意圖。該裝置包括熱敏電阻202，溫度控制器203，和受控開關(guān)例如是控制電路204?？刂齐娐?04包括驅(qū)動電路401和繼電器402。熱敏電阻202安裝在鍍膜機(jī)真空室201內(nèi)，用于測量鍍膜機(jī)真空室201的溫度。溫度控制器203與熱敏電阻202連接，可以設(shè)定真空室溫度和獲取熱敏電阻 202測量的真空室溫度，通過比較測量的真空室溫度與設(shè)定溫度，輸出相應(yīng)的直流電壓控制控制電路204的驅(qū)動電路401輸出的高低電平，進(jìn)而控制繼電器402通斷，從而控制例如位于鍍膜機(jī)內(nèi)的真空室加熱裝置205通電或斷電。真空室加熱裝置205可以在調(diào)壓器206的作用下為鍍膜機(jī)真空室201進(jìn)行加熱。根據(jù)本發(fā)明的溫度自動控制裝置的工作方法如下。首先在0°C 500°C范圍內(nèi)在溫度控制器203上設(shè)定鍍膜機(jī)真空室201所需溫度值。當(dāng)鍍膜機(jī)工作時，安裝于鍍膜機(jī)真空室201內(nèi)的熱敏電阻202測量真空室內(nèi)的溫度，溫度控制器203接收熱敏電阻202測量的真空室溫度，并將該測量溫度與設(shè)定溫度值進(jìn)行比較，當(dāng)測量溫度低于設(shè)定溫度值時，溫度控制器203根據(jù)熱敏電阻的阻值變化輸出相應(yīng)的直流電壓，該直流電壓使控制電路204 的繼電器402處于連通狀態(tài)，優(yōu)選通過調(diào)壓器206對真空室內(nèi)的加熱裝置205加電，使得鍍膜機(jī)真空室201內(nèi)的溫度升高；當(dāng)測量溫度高于設(shè)定溫度值時，溫度控制器203輸出使控制電路204的繼電器402處于斷開狀態(tài)的直流電壓，停止對真空室加熱裝置205加電，使得鍍膜機(jī)真空室201內(nèi)的溫度降低。根據(jù)本發(fā)明實施例2，最終使鍍膜機(jī)真空室201的溫度保持在設(shè)定溫度值。使得鍍前的基片可以在需要的溫度下進(jìn)行預(yù)加熱，鍍好的鍍件可以在需要的溫度下進(jìn)行老化，較大程度提高了鍍件的質(zhì)量。應(yīng)當(dāng)理解，以上借助優(yōu)選實施例對本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行的詳細(xì)說明是示意性的而非限制性的。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在閱讀本發(fā)明說明書的基礎(chǔ)上可以對各實施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實施例技術(shù)方案的精神和范圍。本發(fā)明的保護(hù)范圍僅由隨附權(quán)利要求書限定。
權(quán)利要求1.一種鍍膜機(jī)真空室溫度自動控制裝置，其特征在于，該鍍膜機(jī)真空室溫度自動控制裝置包括熱敏電阻，安裝在鍍膜機(jī)真空室內(nèi)，用于測量鍍膜機(jī)真空室溫度；溫度控制器，用于設(shè)定鍍膜機(jī)真空室所需溫度值，接收所述熱敏電阻測量的鍍膜機(jī)真空室溫度并將測量溫度值與設(shè)定溫度值進(jìn)行比較，當(dāng)該測量溫度值低于該設(shè)定溫度值時， 輸出使受控開關(guān)接通的直流電壓，當(dāng)該測量溫度值高于該設(shè)定溫度值時，輸出使受控開關(guān)斷開的直流電壓；和受控開關(guān)，根據(jù)所述溫度控制器輸出的直流電壓接通或斷開，從而控制鍍膜機(jī)的真空室加熱裝置通電或斷電。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜機(jī)真空室溫度自動控制裝置，其特征在于，所述溫度控制器的溫度設(shè)定范圍為0°C 500°C。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜機(jī)真空室溫度自動控制裝置，其特征在于，所述溫度控制器的溫度設(shè)定精度為士(O. 1°C 5°C )。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜機(jī)真空室溫度自動控制裝置，其特征在于，所述受控開關(guān)是可控硅或固態(tài)繼電器。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的鍍膜機(jī)真空室溫度自動控制裝置，其特征在于，所述可控硅或固態(tài)繼電器根據(jù)其輸入端的直流電壓控制其輸出端的通斷。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜機(jī)真空室溫度自動控制裝置，其特征在于，所述受控開關(guān)是包括驅(qū)動電路和繼電器的控制電路。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鍍膜機(jī)真空室溫度自動控制裝置，其特征在于，所述驅(qū)動電路輸出的高低電平控制所述繼電器單刀觸點的通斷。
8.一種真空鍍膜機(jī)，包括根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜機(jī)真空室溫度自動控制裝置，和真空室加熱裝置，其與所述鍍膜機(jī)真空室溫度自動控制裝置的受控開關(guān)連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的真空鍍膜機(jī)，其特征在于，所述真空室加熱裝置在調(diào)壓器的作用下為鍍膜機(jī)真空室進(jìn)行加熱。
專利摘要本實用新型涉及真空鍍膜機(jī)領(lǐng)域，具體涉及一種鍍膜機(jī)真空室溫度自動控制裝置。該裝置包括熱敏電阻，溫度控制器，和受控開關(guān)，其中該熱敏電阻安裝在鍍膜機(jī)真空室內(nèi)，用于測量鍍膜機(jī)真空室溫度；該溫度控制器用于設(shè)定鍍膜機(jī)真空室所需溫度值，接收所述熱敏電阻測量的鍍膜機(jī)真空室溫度，當(dāng)該測量溫度值低于該設(shè)定溫度值時，輸出使受控開關(guān)接通的直流電壓，當(dāng)該測量溫度值高于該設(shè)定溫度值時，輸出使受控開關(guān)斷開的直流電壓；該受控開關(guān)根據(jù)所述溫度控制器輸出的直流電壓接通或斷開，從而控制鍍膜機(jī)的真空室加熱裝置通電或斷電。
文檔編號G05D23/24GK201981256SQ20112005563
公開日2011年9月21日 申請日期2011年3月4日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月4日
發(fā)明者安琪, 張金伶, 杜慶榮, 苗苗, 鄭剛良 申請人:北京無線電計量測試研究所