專利名稱：一種芯片上電電流控制電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一種芯片上電電流控制電路技術(shù)領(lǐng)域[0001]本實(shí)用新型涉及一種芯片上電電流控制電路。
技術(shù)背景[0002]根據(jù)IS0/IEC 7816系列標(biāo)準(zhǔn)中的有關(guān)規(guī)定，移動(dòng)終端對(duì)SIM卡的供電電流具有一定的限制。當(dāng)SIM卡系統(tǒng)上電瞬間，芯片出現(xiàn)工作電流過沖(即瞬間工作電流過大)時(shí)，將導(dǎo)致手機(jī)不能正常工作或反復(fù)重啟等現(xiàn)象。[0003]根據(jù)IS0/IEC 7816系列標(biāo)準(zhǔn)中的有關(guān)規(guī)定，SIM卡工作電流尖鋒值的最大電荷量應(yīng)小于IOnA-S,電流最大變化量應(yīng)小于50mA，持續(xù)時(shí)間不超過400nS，SIM卡系統(tǒng)中的芯片工作電流必須滿足該標(biāo)準(zhǔn)的要求。由于芯片內(nèi)部電路表現(xiàn)出電容性負(fù)載特性，因此對(duì)于芯片電源接口來說，芯片內(nèi)部可等效為一個(gè)負(fù)載電容(；_。當(dāng)SIM卡系統(tǒng)處于電源上電過程， Cum上的電壓值將瞬間變大，芯片工作電流將產(chǎn)生過沖，從而有可能超過標(biāo)準(zhǔn)的要求。[0004]如

圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)中通過在電源系統(tǒng)輸出端口 Vsupply和芯片電源輸入端口 VDD之間接入一個(gè)恒定電阻R，來解決上電過程中芯片負(fù)載電流的尖鋒過沖超過限制的問題。雖然這種技術(shù)方案能夠緩解電流尖鋒過沖，但是卻會(huì)降低芯片電源的實(shí)際輸入電壓，并給系統(tǒng)帶來一定的功耗損失。[0005]在電源快速上電后(可看作臺(tái)階電壓)，電容Cum的上極板的電壓VDD為
權(quán)利要求1.一種芯片上電電流控制電路，其特征在于， 所述控制電路包括可變電阻單元和電壓控制單元；所述電壓控制單元分別與外部電源、所述可變電阻單元相連；所述可變電阻單元分別與所述外部電源和待上電芯片相連；所述電壓控制單元，用于向所述可變電阻單元提供電壓控制信號(hào)； 所述可變電阻單元，根據(jù)所述電壓控制信號(hào)向所述待上電芯片提供可變電流。
2.按照權(quán)利要求1所述的芯片上電電流控制電路，其特征在于， 所述電壓控制單元包括第一 PMOS管和電容；所述第一 PMOS管的柵極用于接收外部電源的上電復(fù)位信號(hào)；所述第一 PMOS管的漏極與所述電容的一端共同接地；所述第一 PMOS管的源極與襯底相連，并與所述電容的另一端共同連接到所述外部電源，該端還與所述可變電阻單元相連，向其輸出所述電壓控制信號(hào)。
3.按照權(quán)利要求1或2所述的芯片上電電流控制電路，其特征在于， 所述可變電阻單元包括第二 PMOS管；所述第二 PMOS管的柵極與所述電壓控制單元相連；所述第二 PMOS管的漏極與所述芯片相連，向芯片提供可變電流；所述第二 PMOS管的源極與襯底相連，并共同連接到所述外部電源。
專利摘要本實(shí)用新型的芯片上電電流控制電路包括可變電阻單元和電壓控制單元。電壓控制單元分別與外部電源、可變電阻單元相連；可變電阻單元分別與可變電源和待上電芯片相連。電壓控制單元，用于向可變電阻單元提供電壓控制信號(hào)?？勺冸娮鑶卧?，根據(jù)電壓控制信號(hào)向待上電芯片提供可變電流。采用本實(shí)用新型技術(shù)方案，就可在芯片供電系統(tǒng)上電時(shí)，通過可變電阻單元的調(diào)節(jié)改變芯片的上電電流；同時(shí)，在芯片供電系統(tǒng)上電完成后，保證可變電阻單元的壓降和功耗也達(dá)到最低的合理值。這樣，既可顯著控制芯片的上電電流，還可有效避免電源電壓功耗，不會(huì)影響電源效率。
文檔編號(hào)G05F1/56GK202306374SQ20112040828
公開日2012年7月4日 申請(qǐng)日期2011年10月24日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月24日
發(fā)明者程珍娟 申請(qǐng)人:國(guó)民技術(shù)股份有限公司