一種用于高壓功率mosfet電路中的高壓大電流控制電路的制作方法
【專利摘要】一種用于高壓功率MOSFET中的高壓大電流控制電路，包括PMOS管MP1、MP2和MP3，三極管Q1和Q2，MOSFET管M1和M2，電阻R1和R2。MP1、MP2和MP3共柵極，源極與VDD連接，MP2和MP3的漏極分別與Q1和Q2的集電極連接。Q1和Q2的基極互連，Q1和Q2的發(fā)射極分別與R1和R2連接。M1和M2共柵極，共漏極，M1的源極與R1連接。M2的源極、R1和R2接地。Q1與Q2互相匹配，R1與R2是按照比例關系的匹配電阻。M1和M2的寬長比為一定比例。本發(fā)明不考慮晶體管溝道長度調(diào)制效應，由R1引入負反饋，將大電流轉(zhuǎn)化為電流比較信號，實現(xiàn)了在高電壓大電流模式下對電流的精確控制。
【專利說明】—種用于高壓功率MOSFET電路中的高壓大電流控制電路
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種用于高壓功率MOSFET的電流控制電路，尤其涉及一種精確設置普通M0S管電流基準轉(zhuǎn)化為高壓功率MOSFET電路的高壓大電流控制電路。
【背景技術】
[0002]圖1是已知的電流源鏡像電路，鏡像參考電流IMf由低溫度系數(shù)模塊的電流基準源，即BIAS產(chǎn)生，MP1與MP2為普通PM0S管，麗1和麗2為普通NM0S管。流過NM0S管麗1的漏極電流ID1和流過NM0S管麗2的漏極電流ID2分別為:
[0003]
【權利要求】
1.一種用于高壓功率MOSFET中的大電流控制電路，其特征在于，包括MOSFET管(Ml)、MOSFET 管(M2)、PMOS 管(MPl)、PMOS 管(MP2)、PMOS 管(MP3)、電阻(Rl)、電阻(R2)、三極管(Ql)和三極管(Q2);所述PMOS管(MPl)的源極、所述PMOS管(MP2)的源極和所述PMOS管(MP3)的源極與電源VDD連接；所述PMOS管(MP3)的柵極、所述PMOS管(MP2)的柵極、所述PMOS管(MPl)的柵極和所述PMOS管(MPl)的漏極的電流為基準電流I,ef ;所述PMOS管(MP2)的漏極與所述三極管(Ql)的集電極連接；所述PMOS管(MP3)的漏極分別與所述三極管(Q2)的集電極、所述MOSFET管(Ml)的柵極和所述MOSFET管(M2)的柵極連接； 所述三極管(Ql)的基極分別與自身的集電極和所述三極管(Q2)的基極連接；所述三極管(Ql)的發(fā)射極接入所述MOSFET管(Ml)和所述電阻(Rl)之間；所述三極管(Q2)集電極與所述PMOS管(MP3)的漏極、所述MOSFET管(Ml)的柵極和所述MOSFET管(M2)的柵極連接；所述三極管(Q2)的發(fā)射極與所述電阻(R2)連接，所述電阻(R2)的另一端直接接地； 所述MOSFET管(Ml)的源極分別與所述三極管(Ql)的發(fā)射極和所述電阻(Rl)連接，所述電阻(Rl)的另一端直接接地；所述MOSFET管(Ml)的漏極與所述MOSFET管(M2)的漏極相連；所述MOSFET管(M2)的源極直接接地； 所述PMOS管(MPl )、所述PMOS管(MP2)和所述PMOS管(MP3)均采用長溝道的PMOS管。
2.如權利要求1所述的一種用于高壓功率MOSFET中的大電流控制電路，其中，所述MOSFET管(Ml)和所述MOSFET管(M2)的襯底與源極接相同電位。
3.如權利要求1所述的一種用于高壓功率MOSFET中的大電流控制電路，其中，所述三極管(Ql)和所述三極管(Q2)的面積相同且完全匹配。
4.如權利要求3所述的一種用于高壓功率MOSFET中的大電流控制電路，其中，所述電阻(R2)和所述電阻(Rl)的大小比例為N:1。
5.如權利要求4所述的一種用于高壓功率MOSFET中的大電流控制電路，其中，所述MOSFET管(Ml)的寬長比和所述MOSFET管(M2)的寬長比的比例為1:M。
6.如權利要求5所述的一種用于高壓功率MOSFET中的大電流控制電路，其中，所述MOSFET 管(M2)的電流為 1ut=(N-1) X (M+l) X IKEF。
【文檔編號】G05F1/56GK103645765SQ201310719131
【公開日】2014年3月19日 申請日期:2013年12月20日 優(yōu)先權日:2013年12月20日
【發(fā)明者】朱鐵柱, 王良坤, 張明星, 夏存寶, 陳路鵬, 黃武康, 殷明 申請人:嘉興中潤微電子有限公司