帶隙基準(zhǔn)源調(diào)整電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明主要涉及帶隙基準(zhǔn)電壓源，更確切地說，是設(shè)計(jì)一種在同一晶片上集成有帶隙基準(zhǔn)源和自對(duì)準(zhǔn)微調(diào)電路，自對(duì)準(zhǔn)微調(diào)電路可在帶隙基準(zhǔn)電壓值在與目標(biāo)電壓值具有偏差時(shí)對(duì)基準(zhǔn)電壓值進(jìn)行修正和微調(diào)。利用單獨(dú)一個(gè)成品測(cè)試階段校準(zhǔn)的方式，取代了現(xiàn)有技術(shù)中先在晶圓級(jí)別測(cè)試后再實(shí)施成品測(cè)試階段校準(zhǔn)的多重校正手段，并且取代了熔絲校正的方式使得集成度搞而可以提供面積更小的晶片。
【專利說明】帶隙基準(zhǔn)源調(diào)整電路

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明主要涉及帶隙基準(zhǔn)電壓源，更確切地說，是設(shè)計(jì)一種在同一晶片上集成有帶隙基準(zhǔn)源和自對(duì)準(zhǔn)微調(diào)電路，自對(duì)準(zhǔn)微調(diào)電路可在帶隙基準(zhǔn)電壓值在與目標(biāo)電壓值具有偏差時(shí)對(duì)基準(zhǔn)電壓值進(jìn)行修正和微調(diào)。

【背景技術(shù)】
[0002]對(duì)于校準(zhǔn)帶隙基準(zhǔn)源電壓而言，在IC內(nèi)部常常產(chǎn)生一個(gè)基準(zhǔn)參考電壓用以提供整個(gè)電路系統(tǒng)電壓的比較基準(zhǔn)。帶隙電壓基準(zhǔn)電路在技術(shù)上廣為人知，通常需要提供在寬廣的操作溫度范圍內(nèi)與溫度無關(guān)的穩(wěn)壓電源的場(chǎng)合實(shí)現(xiàn)，把雙極晶體管的發(fā)射極-基極電壓(亦即理解為CTAT電壓或與絕對(duì)溫度互補(bǔ)的電壓)的正溫度系數(shù)與兩個(gè)晶體管的發(fā)射極-基極電壓電壓差(亦即理解為PTAT電壓或與絕對(duì)溫度成比例的電壓)的負(fù)溫度系數(shù)結(jié)合，產(chǎn)生實(shí)質(zhì)上溫度系數(shù)大抵為零的基準(zhǔn)電壓。
[0003]在很多情況下，會(huì)因?yàn)榘雽?dǎo)體業(yè)界的制程、工藝條件在非預(yù)知狀況下負(fù)面的誘使基準(zhǔn)電壓發(fā)生未知的漂移現(xiàn)象，又如后道封裝造成的應(yīng)力、壓力等會(huì)讓此電壓值與仿真模擬值的有所偏差，基于該等情況，一般需要利用被動(dòng)式的調(diào)整流程以修正偏差值，在晶圓級(jí)別譬如采用單晶測(cè)試(Chip probing,簡(jiǎn)稱CP測(cè)試)而在封裝級(jí)可采用成品測(cè)試(Finaltest，簡(jiǎn)稱FT測(cè)試)，無論這兩種其中哪一種被采用，被動(dòng)式調(diào)整流程皆需下列組件與電路而方可得以實(shí)現(xiàn):輸入?yún)⒖茧娢?Input reference voltage),燒錄組件(OTP device中如熔絲fuse device或者存儲(chǔ)器memory device),晶片上預(yù)置的燒錄用接觸墊(Trim pad),以及附加的燒錄控制電路(Trim control circuit)等等。現(xiàn)有技術(shù)的校準(zhǔn)作法是將外部標(biāo)準(zhǔn)參考電壓信號(hào)送入測(cè)試接面，如接觸墊，將基準(zhǔn)參考電壓信號(hào)送出與外部標(biāo)準(zhǔn)參考電壓信號(hào)相比較，來獲得誤差值后，再經(jīng)外部計(jì)算后決定燒錄編碼，將編碼結(jié)果送入燒錄的接觸墊，進(jìn)行燒錄作業(yè)，最后經(jīng)由燒錄控制電路將結(jié)果輸出控制基準(zhǔn)電路改變基準(zhǔn)參考電壓，將原本存有誤差的基準(zhǔn)電壓調(diào)整至標(biāo)準(zhǔn)的目標(biāo)參考電壓。
[0004]如此一來，便能在單晶CP測(cè)試階段偵測(cè)到此基準(zhǔn)電壓，然后改變基準(zhǔn)參考電壓至標(biāo)準(zhǔn)參考電壓以對(duì)抗該制程、工藝的負(fù)面漂移。若欲對(duì)抗封裝壓力漂移則需于成品測(cè)試階段加入測(cè)試模式(test mode)并且需要與單晶CP測(cè)試階段相同的模式而采用被動(dòng)式調(diào)整流程。可以發(fā)現(xiàn)，先前技術(shù)中如果試圖得到一個(gè)安全且符合預(yù)期標(biāo)準(zhǔn)的基準(zhǔn)參考電壓往往耗費(fèi)不少晶片面積與測(cè)試時(shí)間。作為現(xiàn)有技術(shù)的一般測(cè)試校正方式，可參見公開的美國(guó)專利申請(qǐng)US7463012、US7898320等。鑒于現(xiàn)有技術(shù)面臨如此困境，本發(fā)明將基于摒棄占用較大面積的接觸墊，而直接采用自對(duì)準(zhǔn)微調(diào)電路集成至含基準(zhǔn)帶隙源電路的晶片中，而無需在裸晶片階段測(cè)試，直接在晶片完成封裝的成品終測(cè)段Final Test階完成。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明揭示一種帶隙基準(zhǔn)源調(diào)整電路，以具有的一個(gè)自對(duì)準(zhǔn)微調(diào)電路對(duì)帶隙基準(zhǔn)源電路中運(yùn)算放大器輸出的基準(zhǔn)電壓進(jìn)行校準(zhǔn)，該帶隙基準(zhǔn)源電路中設(shè)有可調(diào)電阻器，可調(diào)電阻器與以二極管方式連接的雙極晶體管串接在運(yùn)算放大器的反向輸入端和接地端GND之間，其中自對(duì)準(zhǔn)微調(diào)電路包括:第一比較器、第二比較器，并且基準(zhǔn)電壓同時(shí)輸出至第一比較器的正向輸入端和第二比較器的反向輸入端，而第一比較器的反向輸入端和第二比較器的正向輸入端則連接到一個(gè)預(yù)設(shè)的目標(biāo)電壓上。
[0006]首先，自對(duì)準(zhǔn)微調(diào)電路還應(yīng)當(dāng)包括一個(gè)自對(duì)準(zhǔn)控制模塊，該自對(duì)準(zhǔn)控制模塊具有一個(gè)電位方向調(diào)整單元，在OTP(One Time Programmable)器件的非凍結(jié)態(tài)，電位方向調(diào)整單元利用第一比較器輸出的結(jié)果逐步上調(diào)可調(diào)電阻器的電阻值，而利用第二比較器輸出的結(jié)果相應(yīng)逐步下調(diào)可調(diào)電阻器的電阻值，使基準(zhǔn)電壓基本等于目標(biāo)電壓，以將基準(zhǔn)電壓維持在目標(biāo)電壓水準(zhǔn)。
[0007]其次，自對(duì)準(zhǔn)微調(diào)電路還包括至少具有凍結(jié)態(tài)和非凍結(jié)態(tài)的OTP器件，OTP器件在非凍結(jié)態(tài)可接收電位方向調(diào)整單元輸出的用于調(diào)整可調(diào)電阻器電阻值的校準(zhǔn)碼，該校準(zhǔn)碼實(shí)質(zhì)僅僅是暫存在OTP器件中但未作為OTP器件最終燒錄的信息和數(shù)據(jù)。OTP器件在凍結(jié)態(tài)將鎖存電位方向調(diào)整單元檢測(cè)和輸出的用于鉗制可調(diào)電阻器電阻值的燒錄字碼信息，使基準(zhǔn)電壓基本等于目標(biāo)電壓，注意這里燒錄字碼信息是OTP器件最終保存和燒錄的字碼信息和數(shù)據(jù)，OTP器件在凍結(jié)后續(xù)的時(shí)間維度上將永久保持該數(shù)據(jù)。
[0008]再者，自對(duì)準(zhǔn)微調(diào)電路還包括有開關(guān)器件，當(dāng)OTP器件處于非凍結(jié)態(tài)，該開關(guān)器件便受OTP器件寄存的校準(zhǔn)碼的控制來操作調(diào)整可調(diào)電阻器的電阻值，而在OTP器件處于凍結(jié)態(tài)，該開關(guān)器件則受OTP器件持久鎖存的燒錄字碼信息的控制來操作調(diào)整可調(diào)電阻器的電阻值。在前期非凍結(jié)態(tài)階段，燒錄字碼信息暫未寫入，僅僅校準(zhǔn)碼有效；在后期凍結(jié)態(tài)，一旦OTP器件寫入燒錄字碼信息的數(shù)據(jù)，OTP器件將被凍結(jié)而無法再次被燒錄編程，僅僅燒錄字碼信息有效，此階段電位方向調(diào)整單元是否輸出校準(zhǔn)碼至OTP已經(jīng)不再重要，因?yàn)镺TP器件存儲(chǔ)的燒錄字碼信息有效后，再編碼功能被禁用，電位方向調(diào)整單元在凍結(jié)階段對(duì)OTP而目失效。
[0009]上述帶隙基準(zhǔn)源調(diào)整電路，自對(duì)準(zhǔn)微調(diào)電路和帶隙基準(zhǔn)源電路兩者集成于同一硅晶片中，以便調(diào)節(jié)可調(diào)電阻器的電阻值來校準(zhǔn)基準(zhǔn)電壓在該晶片封裝級(jí)的終測(cè)段實(shí)現(xiàn)，而不在該晶片的晶圓級(jí)別的裸片測(cè)試段實(shí)施。
[0010]上述帶隙基準(zhǔn)源調(diào)整電路，自對(duì)準(zhǔn)微調(diào)電路包含一個(gè)分壓器，連接在一個(gè)輸入電壓與接地端之間，在分壓器的兩個(gè)電阻之間的公共節(jié)點(diǎn)處提供所需的目標(biāo)電壓。
[0011]上述帶隙基準(zhǔn)源調(diào)整電路，在自對(duì)準(zhǔn)控制模塊中，當(dāng)基準(zhǔn)電壓高于目標(biāo)電壓時(shí)，第一比較器觸發(fā)電位方向調(diào)整單元趨于逐步上調(diào)可調(diào)電阻器的電阻值，直至基準(zhǔn)電壓接近目標(biāo)電壓；而當(dāng)基準(zhǔn)電壓低于目標(biāo)電壓時(shí)，第二比較器觸發(fā)電位方向調(diào)整單元趨于逐步下調(diào)可調(diào)電阻器的電阻值，直至基準(zhǔn)電壓接近目標(biāo)電壓。
[0012]上述帶隙基準(zhǔn)源調(diào)整電路，其中，電位方向調(diào)整單元具有接收第一比較器輸出結(jié)果的相應(yīng)第一 ADC (Analog to Digital Converter)轉(zhuǎn)換器,和具有接收第二比較器輸出結(jié)果的相應(yīng)第二 ADC轉(zhuǎn)換器。第一 ADC轉(zhuǎn)換器擷取表征基準(zhǔn)電壓高出目標(biāo)電壓正向偏移量的字碼，電位方向調(diào)整單元藉由檢測(cè)的正向偏移量而輸出校準(zhǔn)碼至OTP器件來操作開關(guān)器件，以逐步上調(diào)可調(diào)電阻器的電阻值直至第一 ADC轉(zhuǎn)換器每個(gè)輸出端口輸出的字碼皆為
O碼；第二ADC轉(zhuǎn)換器擷取表征基準(zhǔn)電壓低于目標(biāo)電壓負(fù)向偏移量的字碼，電位方向調(diào)整單元藉由檢測(cè)的負(fù)向偏移量而輸出校準(zhǔn)碼至OTP器件來操作開關(guān)器件，以逐步下調(diào)可調(diào)電阻器的電阻值直至第二 ADC轉(zhuǎn)換器每個(gè)輸出端口輸出的字碼皆為O碼。
[0013]上述帶隙基準(zhǔn)源調(diào)整電路，該兩個(gè)ADC的輸出端口數(shù)量總和與自對(duì)準(zhǔn)控制模塊中一個(gè)與非門的輸入端口的數(shù)量一致，定義第一 ADC轉(zhuǎn)換器的輸出端口和第二 ADC轉(zhuǎn)換器的輸出端口匯聚成一個(gè)集合，該集合的數(shù)個(gè)端口與自對(duì)準(zhǔn)控制模塊中與非門的數(shù)個(gè)輸入端口一對(duì)一地連接。當(dāng)?shù)谝?ADC轉(zhuǎn)換器的每個(gè)輸出端口皆輸出為O碼的字碼，第二 ADC轉(zhuǎn)換器的每個(gè)輸出端口皆輸出為O碼的字碼，將會(huì)觸發(fā)與非門產(chǎn)生一個(gè)響應(yīng)信號(hào)并輸出到自對(duì)準(zhǔn)控制模塊中一個(gè)與門的一個(gè)輸入端，誘發(fā)與門輸出一個(gè)校準(zhǔn)完成信號(hào)，并輸送給OTP器件，所述OTP器件收到校準(zhǔn)完成信號(hào)這個(gè)指令后，立即寫入所述燒錄字碼信息并停止再接收校準(zhǔn)碼。
[0014]上述帶隙基準(zhǔn)源調(diào)整電路，所述響應(yīng)信號(hào)還輸送給電位方向調(diào)整單元寄存，電位方向調(diào)整單元同時(shí)編碼該響應(yīng)信號(hào)作為凍結(jié)信號(hào)燒錄寫入至OTP器件，OTP器件存儲(chǔ)的凍結(jié)信號(hào)數(shù)據(jù)耦合到自對(duì)準(zhǔn)控制模塊中與門的另一個(gè)輸入端，通過與門的輸出使OTP器件永久性凍結(jié)，迫使OTP器件從非凍結(jié)態(tài)轉(zhuǎn)換為凍結(jié)態(tài)，僅記憶保存燒錄字碼信息。
[0015]上述帶隙基準(zhǔn)源調(diào)整電路，開關(guān)器件包括多個(gè)獨(dú)立的開關(guān)單元，每個(gè)開關(guān)單元皆相對(duì)應(yīng)與可調(diào)電阻器中一個(gè)微調(diào)電阻并聯(lián)連接，OTP器件選擇性驅(qū)動(dòng)開關(guān)器件中每個(gè)開關(guān)單元單獨(dú)開或關(guān)，控制可調(diào)電阻器電阻值的上調(diào)或下調(diào)。作為可選項(xiàng)，與微調(diào)電阻并聯(lián)的開關(guān)單元為替代熔絲的MOSFET開關(guān)、或BJT開關(guān)、JFET型開關(guān)，但不限于此。
[0016]上述帶隙基準(zhǔn)源調(diào)整電路，寫入至OTP器件的燒錄字碼信息為電位方向調(diào)整單元所檢測(cè)的表征基準(zhǔn)電壓高出目標(biāo)電壓原始正向偏移量或表征基準(zhǔn)電壓低于目標(biāo)電壓原始負(fù)向偏移量的初始字碼。在動(dòng)態(tài)調(diào)整電阻值之前的首次檢測(cè)基準(zhǔn)電壓的正負(fù)偏移量時(shí)，電位方向調(diào)整單元可檢測(cè)和暫存初始字碼，例如基準(zhǔn)電壓高出目標(biāo)電壓的原始正向偏移量被帶有表征正向偏移量的一套初始字碼記載，而基準(zhǔn)電壓低于目標(biāo)電壓的原始負(fù)向偏移量被帶有表征負(fù)向偏移量的另一套初始字碼記載。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]閱讀以下詳細(xì)說明并參照以下附圖之后，本發(fā)明的特征和優(yōu)勢(shì)將顯而易見:
[0018]圖1是現(xiàn)有技術(shù)涉及的帶有熔絲接觸墊的示意圖。
[0019]圖2是本發(fā)明提供的對(duì)基準(zhǔn)電壓進(jìn)行修正的自對(duì)準(zhǔn)微調(diào)電路。
[0020]圖3是可控制操作開關(guān)器件的OTP器件。
[0021]圖4是開關(guān)器件上調(diào)或下調(diào)微調(diào)電阻的示意圖。
[0022]圖5是自對(duì)準(zhǔn)微調(diào)電的可選實(shí)施例的示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0023]在圖1中，展示了一組串接的微調(diào)電阻Rtl、Rt2…Rtn，它們相互串聯(lián)后再與一個(gè)固定電阻RO串聯(lián)連接，每個(gè)微調(diào)電阻Rtn (η為非O的自然數(shù))皆并聯(lián)連接有一個(gè)熔絲10c，當(dāng)電阻RO無法滿足電阻值要求時(shí)，可將與微調(diào)電阻Rtn并聯(lián)的熔絲1c熔斷。微調(diào)電阻Rtn原本被熔絲1c短路未顯現(xiàn)出阻值特性，一旦熔絲1c不復(fù)存在，微調(diào)電阻Rtn便被引入電路而有效。電阻RO加上若干個(gè)微調(diào)電阻Rtn之阻值便可提供符合要求的阻值需求。在內(nèi)置熔絲的晶片上，每個(gè)熔絲1c的兩端分別電性連接至設(shè)于晶片正面的兩個(gè)焊接墊10a、10b，焊接墊10a、10b用于承載抵接在其上的可施加電壓的探針，由實(shí)際需求可在一對(duì)焊接墊10a、1b之間施加足以使熔絲1c產(chǎn)生過流熔斷的壓差。
[0024]微調(diào)電阻Rtn被應(yīng)用在帶隙Band-gap基準(zhǔn)電壓源校正電路中，作為可調(diào)電阻來調(diào)整輸出基準(zhǔn)電壓Vbg。在限定微調(diào)電阻數(shù)量有限的前提下，焊接墊10a、1b還未顯現(xiàn)出較大的劣勢(shì)，當(dāng)一旦要求較高的微調(diào)精度，微調(diào)電阻通常被分割得更精細(xì)，則圖1的熔絲燒斷校正方式便顯露出來諸多不便，譬如過多的焊接墊10a、10b無疑會(huì)占用大量的晶片面積。再者，具本領(lǐng)域通常知識(shí)者最無法容忍的是，探針接觸和抵壓在焊接墊10a、10b上的步驟必須在晶圓級(jí)別的裸露晶片上執(zhí)行，而先行在晶圓級(jí)別實(shí)施的校正并不能消弭或影響到封裝級(jí)別完成芯片封裝后的基準(zhǔn)電壓偏差，單獨(dú)再在封裝級(jí)別額外執(zhí)行的基準(zhǔn)電壓修正無疑會(huì)使得校正步驟變得繁雜和付出更高的成本代價(jià)。
[0025]在圖2中，帶隙基準(zhǔn)源調(diào)整電路包括了一個(gè)本發(fā)明引入的自對(duì)準(zhǔn)微調(diào)電路100B和一個(gè)基本的帶隙基準(zhǔn)源電路100A，自對(duì)準(zhǔn)微調(diào)電路100B取締和替代了現(xiàn)有技術(shù)中采用的包括了燒錄控制電路的額外組件與設(shè)備。事實(shí)上自對(duì)準(zhǔn)微調(diào)電路100B與帶隙基準(zhǔn)源電路100A集成和鑄造在單獨(dú)的一個(gè)硅芯片上。為了使閱讀者和技術(shù)人員更詳細(xì)的了解本發(fā)明的發(fā)明精神，有必要進(jìn)一步闡釋帶隙基準(zhǔn)源電路100A，在左側(cè)的帶隙基準(zhǔn)源電路100A中，節(jié)點(diǎn)M與接地端GND之間設(shè)有兩條并聯(lián)的支路，在一個(gè)支路中，節(jié)點(diǎn)M與接地端之間串聯(lián)連接有一個(gè)固定電阻Rl和一個(gè)雙極晶體管Q1，其中電阻Rl和雙極晶體管Ql間有一個(gè)公共節(jié)點(diǎn)A。而在另一條支路中，節(jié)點(diǎn)M與接地端之間串聯(lián)連接有一個(gè)固定電阻R2、一個(gè)電阻值為Rb的可調(diào)電阻器109和一個(gè)雙極晶體管Q2，其中電阻R2連接在節(jié)點(diǎn)M和一個(gè)節(jié)點(diǎn)B之間，電阻R2與可調(diào)電阻器109間設(shè)有公共節(jié)點(diǎn)B，而可調(diào)電阻器109和雙極晶體管Q2連接在節(jié)點(diǎn)B與接地端之間。雙極晶體管Q1、Q2各自皆為二極管連接方式設(shè)置，其基極連接到集電極，而發(fā)射極接地，除了圖式的NPN晶體管之外，還可以利用圖中未示意出的PNP晶體管實(shí)現(xiàn)。一個(gè)運(yùn)算放大器102的同相輸入端連接到節(jié)點(diǎn)A、反相輸入端則連接到節(jié)點(diǎn)B，運(yùn)算放大器102的輸出端連接到節(jié)點(diǎn) M，【背景技術(shù)】中提及的工藝非預(yù)期的偏移以及其他負(fù)面因素，可能會(huì)誘引運(yùn)算放大器102的輸出端輸出的基準(zhǔn)電壓Vbg與預(yù)定的目標(biāo)電壓間產(chǎn)生偏差。
[0026]在帶隙基準(zhǔn)源電路100A中，如果設(shè)定電阻Rl = R2，在不太嚴(yán)格和理想計(jì)算條件下，可認(rèn)為節(jié)點(diǎn)A、B兩者間的電壓值大致相同，我們亦可設(shè)置雙極晶體管Q2的發(fā)射極面積是雙極晶體管Q2的發(fā)射極面積的N倍，基于流經(jīng)電阻Rl的電流Il與流經(jīng)電阻R2的相應(yīng)電流12之間滿足Il = 12，因此，雙極晶體管Ql的基極-發(fā)射極電壓Vbel與雙極晶體管Q2的基極-發(fā)射極電壓Vbe2可以滿足下列函數(shù)關(guān)系:

【權(quán)利要求】
1.一種帶隙基準(zhǔn)源調(diào)整電路，其特征在于，以自對(duì)準(zhǔn)微調(diào)電路對(duì)帶隙基準(zhǔn)源電路中運(yùn)算放大器輸出的基準(zhǔn)電壓進(jìn)行校準(zhǔn)，帶隙基準(zhǔn)源電路中可調(diào)電阻器與以二極管方式連接的雙極晶體管串接在運(yùn)算放大器的反向輸入端和接地端之間，自對(duì)準(zhǔn)微調(diào)電路包括: 第一、第二比較器，基準(zhǔn)電壓輸出至第一比較器的正向輸入端、第二比較器的反向輸入端，第一比較器的反向輸入端、第二比較器的正向輸入端連接到目標(biāo)電壓； 自對(duì)準(zhǔn)控制模塊，其具有的電位方向調(diào)整單元利用第一或第二比較器輸出的結(jié)果判斷出逐步上調(diào)或下調(diào)可調(diào)電阻器的電阻值，以將基準(zhǔn)電壓維持在目標(biāo)電壓水準(zhǔn)； 至少具有凍結(jié)態(tài)和非凍結(jié)態(tài)的OTP器件，其在非凍結(jié)態(tài)接收電位方向調(diào)整單元輸出的用于調(diào)整可調(diào)電阻器電阻值的校準(zhǔn)碼，和在凍結(jié)態(tài)鎖存電位方向調(diào)整單元檢測(cè)和輸出的用于鉗制可調(diào)電阻器電阻值的燒錄字碼信息； 開關(guān)器件，在OTP器件非凍結(jié)態(tài)該開關(guān)器件受OTP器件寄存的校準(zhǔn)碼的控制來調(diào)整可調(diào)電阻器電阻值，在OTP器件凍結(jié)態(tài)該開關(guān)器件受OTP器件鎖存的燒錄字碼信息的控制來調(diào)整可調(diào)電阻器電阻值。
2.權(quán)利要求1所述的帶隙基準(zhǔn)源調(diào)整電路，其特征在于，自對(duì)準(zhǔn)微調(diào)電路和帶隙基準(zhǔn)源電路集成于同一晶片中，以便調(diào)節(jié)可調(diào)電阻器的電阻值來校準(zhǔn)基準(zhǔn)電壓在該晶片封裝級(jí)的終測(cè)段實(shí)現(xiàn)，而不在該晶片的晶圓級(jí)別的裸片測(cè)試段實(shí)施。
3.權(quán)利要求1所述的帶隙基準(zhǔn)源調(diào)整電路，其特征在于，自對(duì)準(zhǔn)微調(diào)電路包含一個(gè)分壓器，連接在一個(gè)輸入電壓與接地端之間，在分壓器的兩個(gè)電阻之間的公共節(jié)點(diǎn)處提供所需的目標(biāo)電壓。
4.權(quán)利要求1所述的帶隙基準(zhǔn)源調(diào)整電路，其特征在于，在自對(duì)準(zhǔn)控制模塊中，當(dāng)基準(zhǔn)電壓高于目標(biāo)電壓時(shí)，第一比較器觸發(fā)電位方向調(diào)整單元趨于逐步上調(diào)可調(diào)電阻器的電阻值，當(dāng)基準(zhǔn)電壓低于目標(biāo)電壓時(shí)，第二比較器觸發(fā)電位方向調(diào)整單元趨于逐步下調(diào)可調(diào)電阻器的電阻值，直至基準(zhǔn)電壓接近目標(biāo)電壓。
5.權(quán)利要求1所述的帶隙基準(zhǔn)源調(diào)整電路，其特征在于，電位方向調(diào)整單元具有分別接收第一、第二比較器各自輸出結(jié)果的相應(yīng)第一、第二 ADC轉(zhuǎn)換器: 第一 ADC轉(zhuǎn)換器擷取表征基準(zhǔn)電壓高出目標(biāo)電壓正向偏移量的字碼，電位方向調(diào)整單元藉由檢測(cè)的正向偏移量而輸出校準(zhǔn)碼至OTP器件來操作開關(guān)器件，以逐步上調(diào)可調(diào)電阻器的電阻值直至第一 ADC轉(zhuǎn)換器每個(gè)輸出端口輸出的字碼皆為O碼； 第二 ADC轉(zhuǎn)換器擷取表征基準(zhǔn)電壓低于目標(biāo)電壓負(fù)向偏移量的字碼，電位方向調(diào)整單元藉由檢測(cè)的負(fù)向偏移量而輸出校準(zhǔn)碼至OTP器件來操作開關(guān)器件，以逐步下調(diào)可調(diào)電阻器的電阻值直至第二 ADC轉(zhuǎn)換器每個(gè)輸出端口輸出的字碼皆為O碼。
6.權(quán)利要求5所述的帶隙基準(zhǔn)源調(diào)整電路，其特征在于，第一、第二ADC轉(zhuǎn)換器兩者合計(jì)的數(shù)個(gè)輸出端口與自對(duì)準(zhǔn)控制模塊中一個(gè)與非門的數(shù)個(gè)輸入端口一對(duì)一地耦合，當(dāng)?shù)谝?、第?ADC轉(zhuǎn)換器各自的每個(gè)輸出端口皆輸出O碼，觸發(fā)與非門產(chǎn)生一個(gè)響應(yīng)信號(hào)并輸出到自對(duì)準(zhǔn)控制模塊中一個(gè)與門的一個(gè)輸入端，誘發(fā)與門發(fā)出一個(gè)校準(zhǔn)完成信號(hào)給OTP器件，OTP器件籍由校準(zhǔn)完成信號(hào)指令寫入所述燒錄字碼信息并停止再接收校準(zhǔn)碼。
7.權(quán)利要求6所述的帶隙基準(zhǔn)源調(diào)整電路，其特征在于，所述響應(yīng)信號(hào)還輸送給電位方向調(diào)整單元寄存，電位方向調(diào)整單元同時(shí)編碼該響應(yīng)信號(hào)作為凍結(jié)信號(hào)燒錄寫入至OTP器件，OTP器件存儲(chǔ)的凍結(jié)信號(hào)數(shù)據(jù)耦合到自對(duì)準(zhǔn)控制模塊中所述與門的另一個(gè)輸入端，與門響應(yīng)該凍結(jié)信號(hào)且與門的輸出結(jié)果使OTP器件永久性凍結(jié)。
8.權(quán)利要求1所述的帶隙基準(zhǔn)源調(diào)整電路，其特征在于，開關(guān)器件包括多個(gè)獨(dú)立的開關(guān)單元，每個(gè)開關(guān)單元皆相對(duì)應(yīng)與可調(diào)電阻器中一個(gè)微調(diào)電阻并聯(lián)連接，OTP器件選擇性驅(qū)動(dòng)開關(guān)器件中每個(gè)開關(guān)單元單獨(dú)開或關(guān)，以控制可調(diào)電阻器電阻值的上調(diào)或下調(diào)。
9.權(quán)利要求8所述的帶隙基準(zhǔn)源調(diào)整電路，其特征在于，與微調(diào)電阻并聯(lián)連接的所述開關(guān)單元為取代熔絲的MOSFET開關(guān)或BJT開關(guān)或JFET型開關(guān)。
10.權(quán)利要求1所述的帶隙基準(zhǔn)源調(diào)整電路，其特征在于，寫入至OTP器件的燒錄字碼信息為電位方向調(diào)整單元所檢測(cè)的表征基準(zhǔn)電壓高出目標(biāo)電壓原始正向偏移量或表征基準(zhǔn)電壓低于目標(biāo)電壓原始負(fù)向偏移量的初始字碼。
【文檔編號(hào)】G05F1/56GK104166421SQ201410398591
【公開日】2014年11月26日 申請(qǐng)日期:2014年8月13日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月13日
【發(fā)明者】吳建興 申請(qǐng)人:中航（重慶）微電子有限公司