本實(shí)用新型屬于開關(guān)電源技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種LDO調(diào)壓器、交流設(shè)備。

背景技術(shù)：

AC設(shè)備和高電壓LED驅(qū)動(dòng)器優(yōu)先直接由AC電源提供電源。如果利用AC電源為這些設(shè)備供電，電路的復(fù)雜性會(huì)降低，且采用的外部器件減少。目前，如圖1所示的LDO調(diào)壓器在AC高電壓輸入設(shè)備，如AC電源、高壓LED驅(qū)動(dòng)器等頗受歡迎。該LDO調(diào)壓器包括高壓MOS管Q0、JFET晶體管J0，低壓MOS管Q1，運(yùn)算放大器，三個(gè)電阻R1、R2、R3，和外部電容C1。經(jīng)二極管橋的調(diào)節(jié)電壓被施加在端點(diǎn) DRAIN。運(yùn)算放大器控制低壓MOS管Q1，Q1產(chǎn)生的拉電流（current sink）設(shè)置高壓MOS管Q0的門極電壓，以調(diào)節(jié)輸出電壓VDD。但是，如果與端點(diǎn)DRAIN相關(guān)聯(lián)的輸入電壓因高壓電容CO存儲(chǔ)能量過(guò)小而低于一定電壓，高壓MOS管Q0將關(guān)斷。尤其是，在設(shè)備工作在PFC模式下時(shí)，會(huì)有一段DRAIN電壓低的時(shí)期。如果電壓DRAIN低于電壓VDD，漏電流將會(huì)自VDD流通高壓MOS管Q0體二極管。為了使高壓MOS管Q0總是處于開啟狀態(tài)，平均DRAIN 電壓為低的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型的目的是提供一種既有供電功能又能PWM調(diào)控的LDO調(diào)壓器、交流設(shè)備。

本實(shí)用新型提供一種LDO調(diào)壓器，包括PWM控制電路、供電電路、高壓MOS管、齊納二極管、第一電阻、第一晶體管、第一二極管、外接電容;所述高壓MOS管的門極連接所述第一二極管的陰極，所述第一二極管的陽(yáng)極分別連接所述供電電路和外接電容；所述高壓MOS管的門極連接齊納二極管的陰極，齊納二極管的陽(yáng)極、供電電路、PWM控制電路和外結(jié)電容均接地；所述高壓MOS管的門極經(jīng)第一電阻連接第一晶體管的源極，所述第一晶體管的門極接地，所述第一晶體管的漏極連接所述高壓MOS管的漏極；所述高壓MOS管的源極分別連接所述PWM控制電路和所述供電電路。

作為優(yōu)選，所述PWM控制電路包括PWM驅(qū)動(dòng)器、低壓MOS管；所述PWM驅(qū)動(dòng)器連接所述低壓MOS管的門極，所述低壓MOS管的源極接地，所述低壓MOS管的漏極分別連接高壓MOS管的源極和供電電路。

作為優(yōu)選，所述供電電路包括第二二極管、第二電阻、第三電阻、第二晶體管、運(yùn)算放大器；所述第二二極管的陽(yáng)極分別連接所述PWM控制電路和所述高壓MOS管的源極，所述第二二極管的陰極連接所述第二晶體管的源極；所述運(yùn)算放大器有參考電壓輸入端、與第二電阻和第三電阻中間連線連接的輸入端、與所述第二晶體管門極連接的輸出端；所述第二晶體管的漏極經(jīng)所述第三電阻、第二電阻接地。

作為優(yōu)選，所述第一晶體管為JFET晶體管。

作為優(yōu)選，所述第二晶體管為BJT晶體管或MOS管。

本實(shí)用新型還提供一種包括上述LDO調(diào)壓器的交流設(shè)備。

作為優(yōu)選，交流設(shè)備還包括LED陣列、第三而極管、電感、輸入電容；交流設(shè)備的輸入端分別連接所述第三二極管的陰極和LED陣列的陽(yáng)極；所述LED陣列的陰極經(jīng)電感與所述高壓MOS管的源極連接；所述第三二極管的陽(yáng)極連接所述高壓MOS管的源極；所述輸入端經(jīng)所述輸入電容接地。

作為優(yōu)選，所述輸入端還連接有整流電路。

本實(shí)用新型具有以下有益效果：

本實(shí)用新型LDO調(diào)壓器及包括該調(diào)壓器的交流設(shè)備，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，克服了以往利用兩個(gè)高壓管分別實(shí)現(xiàn)供電和LED控制的問題，僅利用一個(gè)高壓管實(shí)現(xiàn)供電和PWM控制，提高了調(diào)壓器、交流設(shè)備的工作效率，減少了漏電流的產(chǎn)生。

附圖說(shuō)明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)LDO調(diào)壓器的電路框圖；

圖2為本實(shí)用新型LDO調(diào)壓器的電路框圖。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。

如圖2，本實(shí)用新型LDO調(diào)壓器包括PWM控制電路、供電電路、高壓MOS管Q0、齊納二極管D0、第一電阻R1、第一晶體管J0、第一二極管D1、外接電容C1。所述高壓MOS管Q0的門極連接所述第一二極管D1的陰極，所述第一二極管D1的陽(yáng)極分別連接所述供電電路和外接電容C1。所述高壓MOS管Q0的門極連接齊納二極管D0的陰極，齊納二極管D0的陽(yáng)極、供電電路、PWM控制電路和外結(jié)電容C1均接地。所述高壓MOS管Q0的門極經(jīng)第一電阻R1連接第一晶體管J0的源極，所述第一晶體管J0的門極接地，所述第一晶體管J0的漏極連接所述高壓MOS管Q0的漏極。所述高壓MOS管Q0的源極分別連接所述PWM控制電路和所述供電電路。所述第一晶體管為JFET晶體管。

其中，所述PWM控制電路包括PWM驅(qū)動(dòng)器、低壓MOS管Q1。所述PWM驅(qū)動(dòng)器連接所述低壓MOS管Q1的門極，所述低壓MOS管Q1的源極接地，所述低壓MOS管Q1的漏極分別連接高壓MOS管Q0的源極和供電電路中的第二二極管D2。PWM控制電路可用于穩(wěn)定控制開關(guān)電源的輸出電壓。

所述供電電路包括第二二極管D2、第二電阻R2、第三電阻R3、第二晶體管Q2、運(yùn)算放大器。所述第二二極管D2的陽(yáng)極分別連接所述PWM控制電路的低壓MOS管Q1的漏極和所述高壓MOS管Q0的源極，所述第二二極管D2的陰極連接所述第二晶體管Q2的源極。所述運(yùn)算放大器的輸出端連接所述第二晶體管Q2門極，第二電阻R2和第三電阻R3中間連線連接運(yùn)算放大器的輸入端，運(yùn)算放大器的另一輸入端為參考電壓。所述第二晶體管Q2的漏極經(jīng)所述第三電阻R3、第二電阻R2接地。所述第二晶體管Q2為BJT晶體管或MOS管。

本實(shí)用新型利用該調(diào)壓器的交流設(shè)備進(jìn)一步包括LED陣列、第三二極管D3、電感L、輸入電容C0。交流設(shè)備的輸入端分別連接所述第三二極管D3的陰極和LED陣列的陽(yáng)極；所述LED陣列的陰極經(jīng)電感L與所述高壓MOS管的源極連接；所述第三二極管D3的陽(yáng)極連接所述高壓MOS管Q0的源極；所述輸入端經(jīng)所述輸入電容C0接地。所述輸入端還連接有整流電路。所述LED陣列為多個(gè)發(fā)光二極管管串聯(lián)構(gòu)成，其相當(dāng)于電阻負(fù)載。

本實(shí)用新型利用高壓MOS管Q0為交流設(shè)備提供兩條路徑，一條為L(zhǎng)DO供電路徑，另一條為PWM控制電路路徑。并且該高壓MOS管Q0作為高電壓吸收器，可保護(hù)連接在該管源極的低壓設(shè)備。如果PWM信號(hào)高時(shí)，低壓MOS管Q1開啟，開啟階段1工作。在此過(guò)程中，電流將依次流經(jīng)LED陣列、高壓MOS管Q0、低壓MOS管Q1至地面。電壓DRAIN被拉低接近接地電壓。高壓MOS管Q0的門極電壓由通過(guò)第一二極管D1的VDD提供，其與相等，其中是第一二極管D1的正向電壓。因此，高壓MOS管Q0的DRAIN電壓接近地電壓。如果PWM信號(hào)低時(shí)，開啟階段2工作。在此過(guò)程中，儲(chǔ)存在電感L內(nèi)的能量將輸送出來(lái),為L(zhǎng)ED陣列提供電流。電壓DRAIN將被拉高。高壓MOS管Q0的門極電壓由通過(guò)JFET晶體管JO和第一電阻R1的齊納二極管D0設(shè)置，高壓MOS管Q0開啟。在階段2的另一路徑，產(chǎn)生經(jīng)高壓MOS管Q0、第二二極管D2和晶體管Q2的調(diào)節(jié)電壓，以對(duì)電容C1充電。其中電壓VDD受運(yùn)算放大器和參考電壓控制，電壓VDD為。

上面所述的實(shí)施例僅是對(duì)本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行描述，并非對(duì)本實(shí)用新型的構(gòu)思和范圍進(jìn)行限定。在不脫離本實(shí)用新型設(shè)計(jì)構(gòu)思的前提下，本領(lǐng)域普通人員對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案做出的各種變型和改進(jìn)，均應(yīng)落入到本實(shí)用新型的保護(hù)范圍，本實(shí)用新型請(qǐng)求保護(hù)的技術(shù)內(nèi)容，已經(jīng)全部記載在權(quán)利要求書中。