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      一種基于神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的帶隙基準(zhǔn)電路的制作方法

      文檔序號(hào):11250359閱讀:587來(lái)源:國(guó)知局
      一種基于神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的帶隙基準(zhǔn)電路的制造方法與工藝

      本發(fā)明屬于模擬集成電路技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種基于神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的帶隙基準(zhǔn)電路。



      背景技術(shù):

      基準(zhǔn)電壓源作為ic設(shè)計(jì)中重要的單元電路之一,已經(jīng)廣泛應(yīng)用于各種模擬集成電路、數(shù)字集成電路以及數(shù)?;旌霞呻娐分?,如a/d、d/a轉(zhuǎn)換器、ldo線性穩(wěn)壓器和鎖相環(huán)(pll)等系統(tǒng)。隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展以及便攜式電子產(chǎn)品(例如手機(jī)、可穿戴電子設(shè)備等)的廣泛應(yīng)用,其對(duì)待機(jī)時(shí)消耗極低功耗的需求越來(lái)越強(qiáng)烈,功耗的大小極大地影響著電子產(chǎn)品使用的時(shí)長(zhǎng)。基準(zhǔn)電壓源作為電源產(chǎn)品的一個(gè)重要組成模塊,對(duì)整體系統(tǒng)的功耗和精度有著很大影響。由widlar和brokaw提出的傳統(tǒng)帶隙基準(zhǔn)電路利用雙極晶體管的基極-發(fā)射極電壓具有負(fù)溫度特性,而兩個(gè)雙極晶體管工作在不同電流密度下,其基極-發(fā)射極電壓差具有正溫度特性,對(duì)兩者進(jìn)行相互補(bǔ)償,從而實(shí)現(xiàn)零溫度系數(shù)。然而這種方法存在以下問(wèn)題:

      1、由于運(yùn)放的引入,使得運(yùn)放的穩(wěn)定性對(duì)電路產(chǎn)生影響,而且為了使電路正常工作,運(yùn)放消耗的電壓和電流一般較大,難以實(shí)現(xiàn)低功耗;

      2、電路需要電阻,電阻的阻值容易受溫度影響,而且電阻需要消耗較大的電流以及面積,功耗難以降低;

      3、為了讓電路輸出“帶隙電壓”,電源電壓無(wú)法降低到1.2v以下,限制了基準(zhǔn)電路的功耗。

      近些年也提出了許多非“帶隙”技術(shù),這些技術(shù)一般采用閾值電壓vth和熱電壓vt相互補(bǔ)償?shù)募夹g(shù);但是采用這些技術(shù)的很多電路依然需要引入電阻,從而無(wú)法實(shí)現(xiàn)低功耗、小面積和高溫度系數(shù),并且psrr性能有待提高。

      可見(jiàn),上述各種因素限制了基準(zhǔn)電壓源的各方面性能,有待改進(jìn)。



      技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

      針對(duì)上述存在問(wèn)題或不足,為解決現(xiàn)有基準(zhǔn)電壓源存在的功耗高、面積大、溫度特性和psrr性能不高的缺點(diǎn),本發(fā)明提供了一種基于神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的帶隙基準(zhǔn)電路。該帶隙基準(zhǔn)電路不需要額外的偏置電路,最低可工作在0.8v的電源電壓下,在消耗低功耗的同時(shí)能提供很好的溫度特性以及psrr性能。

      一種基于神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的帶隙基準(zhǔn)電路,由啟動(dòng)電路、自偏置及分壓電路、正溫度系數(shù)(proportionaltoabsolutetemperature,ptat)電壓產(chǎn)生電路、高階溫度補(bǔ)償電路、溫度補(bǔ)償控制模塊和psrr增強(qiáng)電路組成。

      所述啟動(dòng)電路與自偏置及分壓電路相連,其作用是在上電后使基準(zhǔn)電路脫離0簡(jiǎn)并點(diǎn)并使基準(zhǔn)電路工作在設(shè)計(jì)的直流工作點(diǎn)上。

      所述自偏置及分壓電路包括1個(gè)雙極晶體管q1、4個(gè)n型mos管和4個(gè)p型mos管。4個(gè)n型mos管分別為mn1、mn2、mn3、mn4;4個(gè)p型mos管,分別為mp1、mp2、mp3、mp4;q1的基極和集電極都接地電位,q1的發(fā)射極與mn4的柵、mp1的漏和ms2、ms3的柵相接;mn1的柵和漏相接同時(shí)接mn2的源,mn1的源和襯底相接同時(shí)接地電位;mn2的柵和漏相接同時(shí)接mn3的源;mn3的柵和漏相接同時(shí)接mn4的源;mp2的柵和漏相接同時(shí)接mn4的漏和mp1、mp7、mp11、mp15、mp17的柵;mp1、mp2的源分別和mp3、mp4的漏相接;mp1、mp2、mp3、mp4的襯底都和各自的源相接,mn1、mn2、mn3、mn4的襯底都和各自的源相接,以消除襯偏效應(yīng)。

      自偏置及分壓電路與啟動(dòng)電路、高階溫度補(bǔ)償電路和ptat電壓產(chǎn)生電路相連,用于產(chǎn)生偏置電流為本級(jí)以及后級(jí)電路提供偏置,并對(duì)負(fù)溫度系數(shù)(complementarytoabsolutetemperature,ctat)的q1的基極-發(fā)射極電壓vbe進(jìn)行分壓得到分壓后的電壓v’be;mp1、mp2、mp3、mp4構(gòu)成共源共柵電流鏡,能夠抑制電源的波動(dòng),提高基準(zhǔn)的psrr性能。

      所述ptat電壓產(chǎn)生電路包括6個(gè)n型mos管和13個(gè)p型mos管。6個(gè)n型mos管分別為mn5、mn6、mn7、mn8、mn9和mn10,13個(gè)p型mos管,分別為mp5、mp6、mp7、mp8、mp9、mp10、mp11、mp12、mp13、mp14、mp15、mp16和mp22。mn5的柵和漏相接同時(shí)接mn6的柵、mp5的漏;mn5、mn6、mn7、mn8、mn9、mn10的源都接地電位;mp5的柵接mn1的漏、mp5的源和mp6的源相接同時(shí)接mp7的漏,mp6的柵和漏相接同時(shí)接mp9的柵,mp7的源和mp8的漏相接,mn7的柵和漏相接同時(shí)接mn8的柵、mp9的漏,mp9的源和mp10的源相接同時(shí)接mp11的漏,mp10的柵和漏相接同時(shí)接mp13的柵,mp11的源和mp12的漏相接,mn9的柵和漏相接同時(shí)接mn10的柵、mp13的漏,mp13的源和mp14的源相接同時(shí)接mp15的漏,mp14的柵和漏相接同時(shí)接基準(zhǔn)輸出電壓vref和mp22的柵,mp15的源和mp16的漏相接,mp22的源和漏接地電位,mn5、mn6、mn7、mn8、mn9、mn10、mp5、mp6、mp7、mp8、mp9、mp10、mp11、mp12、mp13、mp14、mp15、mp16和mp22的襯底均與各自的源相接,以消除襯偏效應(yīng)。

      ptat電壓產(chǎn)生電路與自偏置及分壓電路、psrr增強(qiáng)電路相連,用于產(chǎn)生正溫度系數(shù)的電壓并與前級(jí)產(chǎn)生的ctat電壓疊加,使輸出電壓vref具有零溫度系數(shù)。

      所述ptat電壓產(chǎn)生電路中的mn5和mn6、mn7和mn8、mn9和mn10構(gòu)成電流鏡,分別確定每一支路的電流比例關(guān)系,其中mn5、mn7、mn9的寬長(zhǎng)比分別依次對(duì)應(yīng)為mn6、mn8、mn10的寬長(zhǎng)比的n倍,n>1,使得流過(guò)mp5、mp9、mp13的電流分別依次對(duì)應(yīng)為流過(guò)mp6、mp10、mp14電流的n倍,從而使得ptat產(chǎn)生電路通過(guò)較少的級(jí)聯(lián)就可以得到零溫度系數(shù)的vref。mp7和mp8、mp11和mp12以及mp15和mp16分別構(gòu)成共源共柵電流源,從前級(jí)偏置電路鏡像電流并為本級(jí)電路提供偏置,共源共柵結(jié)構(gòu)可以很好的抑制電源的波動(dòng),從而提高電路的psrr性能,mp5和mp6、mp9和mp10以及mp13和mp14的柵源電壓之差具有正溫度特性,通過(guò)正溫度特性的電路與負(fù)溫度特性電路的疊加,可以得到零溫度特性的輸出電壓vref:

      其中,vbgr表示硅的帶隙電壓,ln表示以自然數(shù)e為底數(shù)的對(duì)數(shù),γ表示雙極型晶體管的基極-發(fā)射極電壓vbe的溫度系數(shù),kb表示boltzmann常數(shù),t表示絕對(duì)溫度,q表示單位電荷的電荷量,η表示亞閾值斜率因子,k5、k6、k9、k10、k13、k14分別是mp5、mp6、mp9、mp10、mp13、mp14的寬長(zhǎng)比,v’be表示對(duì)q1的基極-發(fā)射極電壓vbe進(jìn)行分壓得到的分壓后電壓,vgg,1、vgg,2、vgg,4分別是mp5和mp6、mp9和mp10、mp13和mp14的柵源電壓之差,mp22構(gòu)成mos電容,可以濾除高頻電源波動(dòng),從而改善基準(zhǔn)輸出電壓的psrr性能。

      所述高階溫度補(bǔ)償電路包括1個(gè)n型mos管mc1和3個(gè)p型mos管。3個(gè)p型mos管分別為mc2、mc3和mc4;mc1的柵接mn3的柵,mc1的源接地,漏接mc2的漏和柵;mc2和mc3的柵相接,同時(shí)接mc1的漏;mc2、mc3、mc4的源都接mp3的源;mc3的漏接mc4的柵和源,同時(shí)接mp1的漏;mc1的襯底接地,mc2、mc3、mc4的襯底都接各自的源。

      高階溫度補(bǔ)償電路與自偏置及分壓電路、溫度補(bǔ)償控制模塊相連,由低溫補(bǔ)償電路和高溫補(bǔ)償電路構(gòu)成,分別用于在低溫和高溫下對(duì)基準(zhǔn)電壓進(jìn)行高階分段溫度補(bǔ)償,從而在整個(gè)溫度范圍內(nèi)改善基準(zhǔn)電壓的溫度特性;

      所述高階溫度補(bǔ)償電路中,mc1、mc4的柵極都由神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)生的控制電壓控制,神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)通過(guò)訓(xùn)練在不同的溫度下產(chǎn)生目標(biāo)控制電壓,以控制mc1、mc4產(chǎn)生的補(bǔ)償電流大小,從而分別在低溫和高溫下減小基準(zhǔn)輸出電壓隨溫度的變化,改善基準(zhǔn)輸出電壓的溫度特性。

      所述溫度補(bǔ)償控制模塊由人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)和溫度傳感器構(gòu)成,與高階溫度補(bǔ)償電路與基準(zhǔn)輸出相連。溫度傳感器用于探測(cè)并傳輸基準(zhǔn)電路的溫度數(shù)據(jù);人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)為前饋網(wǎng)絡(luò),其輸出端接高階溫度補(bǔ)償電路,作用是對(duì)輸入數(shù)據(jù)按照預(yù)期做出非線性響應(yīng),產(chǎn)生高階溫度補(bǔ)償電路所需要的控制電壓,即目標(biāo)控制電壓;

      所述psrr增強(qiáng)電路包括2個(gè)n型mos管和5個(gè)p型mos管。2個(gè)n型mos管分別為mn11和mn12;5個(gè)p型mos管,分別為mp17、mp18、mp19、mp20和mp21。mn11的柵和漏相接,同時(shí)接mp17的漏、mn12的柵;mn11、mn12的源都接地電位;mn12的漏接mp19的漏和mp12的柵,mp17的源接mp18的漏,mp19和mp20的柵相接同時(shí)與mn4的柵相接,mp19的源和mp20的漏相接,mp20的源和mp21的漏相接,mp21的源接vdd電位,mn11、mn12、mp17、mp18、mp19、mp20和mp21的襯底均與各自的源相接,以消除襯偏效應(yīng)。

      psrr增強(qiáng)電路用于提高基準(zhǔn)電路的psrr特性,使輸出電壓vref不受電源電壓波動(dòng)的影響。

      所述psrr增強(qiáng)電路中mp17、mp18構(gòu)成共源共柵電流源,給該電路提供偏置,mn11、mn12構(gòu)成電流鏡,mp19、mp20、mp21構(gòu)成負(fù)反饋結(jié)構(gòu),當(dāng)vdd變化導(dǎo)致mp21漏電壓上升時(shí),通過(guò)mp19、mp20、mp21的環(huán)路導(dǎo)致mp21的柵電壓也上升,從而mp21的漏電壓下降,反之亦然,通過(guò)負(fù)反饋環(huán)路可以顯著減小mp21漏端的電壓波動(dòng),從而改善基準(zhǔn)電路的psrr性能。

      進(jìn)一步的,所述自偏置及分壓電路的4個(gè)n型mos管均采用深n阱工藝。

      該基于神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的帶隙基準(zhǔn)電路,其工作過(guò)程分為三個(gè)階段,具體為:

      第一階段:數(shù)據(jù)采集;

      在每一個(gè)不同的溫度ti下,i為溫度標(biāo)號(hào),在高階溫度補(bǔ)償電路上施加控制電壓vi1、vi2,vi1、vi2分別表示mc1的柵電壓和mc4的柵電壓,分別控制低溫補(bǔ)償電路和高溫補(bǔ)償電路,使得在不同的溫度點(diǎn)ti,基準(zhǔn)輸出電壓和參考溫度t0下的基準(zhǔn)電壓兩者偏差調(diào)節(jié)至設(shè)計(jì)精度范圍,記錄n組數(shù)據(jù)(ti,vi1,vi2),得到訓(xùn)練樣本y=(ti,vi1,vi2),1≤i≤n,此時(shí)訓(xùn)練樣本y是三維數(shù)組,其中,t作為人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的輸入,v1、v2作為人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的輸出;

      第二階段:人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的訓(xùn)練;

      control信號(hào)是人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)狀態(tài)切換信號(hào),該信號(hào)用于控制人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)在學(xué)習(xí)狀態(tài)和工作狀態(tài)之間切換;

      通過(guò)control信號(hào)控制人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處于學(xué)習(xí)狀態(tài),第一階段采集的訓(xùn)練樣本數(shù)據(jù)輸入到人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò),神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)對(duì)輸入變量做出響應(yīng),產(chǎn)生網(wǎng)絡(luò)輸出,然后對(duì)網(wǎng)絡(luò)輸出和目標(biāo)輸出進(jìn)行比較,當(dāng)兩者的誤差不滿足預(yù)設(shè)的精度要求時(shí),神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)調(diào)整網(wǎng)絡(luò)權(quán)值w,直到誤差小于預(yù)設(shè)精度,則訓(xùn)練結(jié)束;

      第三階段:工作;

      通過(guò)control信號(hào)控制神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處于工作狀態(tài),神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)根據(jù)第二階段訓(xùn)練好的網(wǎng)絡(luò)權(quán)值對(duì)輸入做出響應(yīng),產(chǎn)生控制電壓,從而控制高階溫度補(bǔ)償電路,對(duì)基準(zhǔn)輸出進(jìn)行溫度補(bǔ)償。

      本發(fā)明通過(guò)自偏置及分壓電路、ptat電壓產(chǎn)生電路共同實(shí)現(xiàn)了低功耗和小面積的性能;通過(guò)高階溫度補(bǔ)償電路、溫度補(bǔ)償控制模塊實(shí)現(xiàn)了高溫度系數(shù)性能;通過(guò)psrr增強(qiáng)電路實(shí)現(xiàn)了高psrr性能。

      綜上所述,本發(fā)明相比現(xiàn)有基準(zhǔn)電壓源,實(shí)現(xiàn)了低功耗、小面積和高溫度系數(shù),并且psrr性能高。

      附圖說(shuō)明

      圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)框圖;

      圖2是本發(fā)明的電路圖;

      圖3是實(shí)施例的線性調(diào)整率特性示意圖;

      圖4是實(shí)施例的psrr特性示意圖;

      圖5是實(shí)施例的溫度特性示意圖。

      具體實(shí)施方式

      下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。

      參照?qǐng)D2所示,本發(fā)明包括啟動(dòng)電路、自偏置及分壓電路、ptat(proportionaltoabsolutetemperature)電壓產(chǎn)生電路、高階溫度補(bǔ)償電路、溫度補(bǔ)償控制模塊、psrr增強(qiáng)電路六個(gè)部分。

      啟動(dòng)電路與自偏置及分壓電路相連,其作用是在上電后使基準(zhǔn)電路脫離“0”簡(jiǎn)并點(diǎn)并使基準(zhǔn)電路工作在合適的直流工作點(diǎn)上;

      自偏置及分壓電路與啟動(dòng)電路、高階溫度補(bǔ)償電路和ptat電壓產(chǎn)生電路相連,用于產(chǎn)生偏置電流為本級(jí)以及后級(jí)電路提供偏置,并對(duì)雙極晶體管q1的基極-發(fā)射極電壓進(jìn)行分壓,產(chǎn)生較小的ctat(complementarytoabsolutetemperature)電壓;

      ptat電壓產(chǎn)生電路與自偏置及分壓電路、psrr增強(qiáng)電路相連,用于產(chǎn)生正溫度系數(shù)的電壓并與前級(jí)產(chǎn)生的ctat電壓疊加,使輸出電壓vref具有零溫度系數(shù);

      高階溫度補(bǔ)償電路與自偏置及分壓電路、溫度補(bǔ)償控制模塊相連,有低溫補(bǔ)償電路和高溫補(bǔ)償電路,分別用于在低溫和高溫下對(duì)基準(zhǔn)電壓進(jìn)行高階分段溫度補(bǔ)償,從而在整個(gè)溫度范圍內(nèi)改善基準(zhǔn)電壓的溫度特性;

      溫度補(bǔ)償控制模塊由人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)和溫度傳感器構(gòu)成,與高階溫度補(bǔ)償電路與基準(zhǔn)輸出相連,溫度傳感器用于探測(cè)并傳輸基準(zhǔn)電路的溫度數(shù)據(jù),人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)為前饋網(wǎng)絡(luò),其輸出端接高階溫度補(bǔ)償電路,作用是對(duì)輸入數(shù)據(jù)按照預(yù)期做出非線性響應(yīng),產(chǎn)生高階溫度補(bǔ)償電路所需要的控制電壓;

      control信號(hào)是人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)狀態(tài)切換信號(hào),該信號(hào)用于控制人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)在學(xué)習(xí)狀態(tài)和工作狀態(tài)之間切換;

      psrr增強(qiáng)電路用于提高基準(zhǔn)電路的psrr特性,使輸出電壓vref不受電源電壓波動(dòng)的影響。

      采用三層bp神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型的人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò),包括由2個(gè)神經(jīng)元組成的輸入層ii(i=1,2)、由4個(gè)神經(jīng)元組成的隱層hj(j=1,2,3,4)以及由2個(gè)神經(jīng)元組成的輸出層ok(k=1,2),i、j、k分別為輸入層、隱層、輸出層神經(jīng)元的標(biāo)號(hào);輸入層接收所有神經(jīng)元傳遞的信號(hào),并對(duì)其進(jìn)行非線性處理后傳遞到輸出層神經(jīng)元,非線性變換由每個(gè)神經(jīng)元的激活函數(shù)決定,此處激活函數(shù)選為sigmoid函數(shù),輸入層到隱層的傳遞由權(quán)值wij決定,隱層到輸出層的傳遞由權(quán)值決定。

      本實(shí)施例基于bp神經(jīng)網(wǎng)絡(luò),其工作過(guò)程分為三個(gè)階段,具體為:

      第一階段:數(shù)據(jù)采集;

      在每一個(gè)不同的溫度ti下,i為溫度標(biāo)號(hào),在高階溫度補(bǔ)償電路上施加控制電壓vi1、vi2,分別控制低溫補(bǔ)償電路和高溫補(bǔ)償電路,使得在不同的溫度點(diǎn)ti,基準(zhǔn)輸出電壓和參考溫度t0下的基準(zhǔn)電壓偏差基本為0,記錄數(shù)據(jù)(ti,vi1,vi2),得到訓(xùn)練樣本y=(t,v1,v2),此時(shí)訓(xùn)練樣本y是三維數(shù)組,其中,t作為人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的輸入,v1、v2作為人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的輸出;

      第二階段:人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的訓(xùn)練;

      control信號(hào)控制人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處于學(xué)習(xí)狀態(tài),第一階段采集的訓(xùn)練樣本數(shù)據(jù)輸入到人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò),神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)對(duì)輸入變量做出響應(yīng),產(chǎn)生網(wǎng)絡(luò)輸出,然后對(duì)網(wǎng)絡(luò)輸出和目標(biāo)輸出進(jìn)行比較,當(dāng)兩者的誤差不滿足預(yù)設(shè)的精度要求時(shí),神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)調(diào)整網(wǎng)絡(luò)權(quán)值wij、直到誤差小于預(yù)設(shè)精度,則訓(xùn)練結(jié)束。該階段包括信號(hào)正向傳播和誤差反向傳播兩個(gè)過(guò)程,具體如下:

      信號(hào)正向傳播:信號(hào)通過(guò)輸入神經(jīng)元依次逐層傳遞,經(jīng)過(guò)隱層和輸出層的非線性處理,最后由輸出神經(jīng)元輸出,該過(guò)程網(wǎng)絡(luò)權(quán)值不變。

      對(duì)于樣本s,bp神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的輸出表示為:

      其中,是隱層和輸出層神經(jīng)元的激活函數(shù),這里選擇sigmoid函數(shù):

      誤差反向傳播過(guò)程:將bp神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的輸出和目標(biāo)輸出比較,當(dāng)誤差較大時(shí),將兩者的誤差信號(hào)作為輸入信號(hào)從網(wǎng)絡(luò)的輸出層逐層向前傳播。反向傳播使得bp神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的網(wǎng)絡(luò)權(quán)值朝著誤差函數(shù)減小的方向不斷修正,直到誤差減小到預(yù)設(shè)的精度。設(shè)樣本s的目標(biāo)輸出為ts,則所有樣本的誤差為:

      其中,n是樣本數(shù)量。當(dāng)該誤差比預(yù)設(shè)精度大時(shí),神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)調(diào)整權(quán)值,直到上式誤差減小到預(yù)設(shè)精度,則bp神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)訓(xùn)練完成。

      第三階段:工作;

      該階段control信號(hào)控制神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處于工作狀態(tài),神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)根據(jù)第二階段訓(xùn)練好的網(wǎng)絡(luò)權(quán)值對(duì)輸入做出響應(yīng),產(chǎn)生控制電壓,從而控制高階溫度補(bǔ)償電路,對(duì)基準(zhǔn)輸出進(jìn)行溫度補(bǔ)償。

      啟動(dòng)電路包括1個(gè)p型mos管ms2,2個(gè)n型mos管,分別為ms1、ms3,ms1的柵接ms2和ms3的漏,ms1的源和襯底接“地”電位,ms1的漏接mp3、mp4的柵相接同時(shí)還接mp8、mp12、mp16、mp18的柵,ms2的柵與ms3的柵相接同時(shí)與q1的發(fā)射極相接,ms2的源與mp3的源相接,同時(shí)還與mp4、mp8、mp12、mp16、mp18、mp20的源、mp20的漏相接,ms3的源和襯底接“地”電位,ms2的襯底和vdd相接。啟動(dòng)電路用于上電后使基準(zhǔn)電路脫離“0”簡(jiǎn)并點(diǎn)并使基準(zhǔn)電路工作在合適的直流工作點(diǎn)上。ms2、ms3構(gòu)成反相器,在剛上電的時(shí)候檢測(cè)q1的發(fā)射極電位并輸出高電壓使ms1開(kāi)啟,電路啟動(dòng)完成后,q1的發(fā)射極電位上升,反相器檢測(cè)到高電位使ms1關(guān)斷,啟動(dòng)電路關(guān)閉,不消耗電流,不會(huì)對(duì)基準(zhǔn)電路產(chǎn)生影響。

      自偏置及分壓電路包括1個(gè)雙極晶體管q1、4個(gè)n型mos管,分別為mn1、mn2、mn3、mn4,這四個(gè)mos管都采用了深n阱工藝,4個(gè)p型mos管,分別為mp1、mp2、mp3、mp4,q1的基極和集電極都接“地”電位,q1的發(fā)射極接mn4的柵相接同時(shí)接mp1的漏和ms2、ms3的柵,mn1的柵和漏相接同時(shí)接mn2的源,mn1的源和襯底相接同時(shí)接“地”電位,mn2的柵和漏相接同時(shí)接mn3的源,mn3的柵和漏相接同時(shí)接mn4的源,mp2的柵和漏相接同時(shí)接mn4的漏和mp1、mp7、mp11、mp15、mp17的柵,mp1、mp2的源分別和mp3、mp4的漏相接,mp1、mp2、mp3、mp4的襯底都和各自的源相接,mn1、mn2、mn3、mn4的襯底都和各自的源相接,消除了襯偏效應(yīng)。mp1、mp2、mp3、mp4構(gòu)成共源共柵電流鏡,減小了溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)的影響并且提高了基準(zhǔn)電壓電路的psrr性能。

      所述ptat電壓產(chǎn)生電路包括6個(gè)n型mos管,分別為mn5、mn6、mn7、mn8、mn9、mn10,13個(gè)p型mos管,分別為mp5、mp6、mp7、mp8、mp9、mp10、mp11、mp12、mp13、mp14、mp15、mp16、mp22,mn5的柵和漏相接同時(shí)接mn6的柵、mp5的漏,mn5、mn6、mn7、mn8、mn9、mn10的源都接“地”電位,mp5的柵接mn1的漏、mp5的源和mp6的源相接同時(shí)接mp7的漏,mp6的柵和漏相接同時(shí)接mp9的柵,mp7的源和mp8的漏相接,mn7的柵和漏相接同時(shí)接mn8的柵、mp9的漏,mp9的源和mp10的源相接同時(shí)接mp11的漏,mp10的柵和漏相接同時(shí)接mp13的柵,mp11的源和mp12的漏相接,mn9的柵和漏相接同時(shí)接mn10的柵、mp13的漏,mp13的源和mp14的源相接同時(shí)接mp15的漏,mp14的柵和漏相接同時(shí)接輸出vref和mp22的柵,mp15的源和mp16的漏相接,mp22的源和漏接“地”電位,mn5、mn6、mn7、mn8、mn9、mn10、mp5、mp6、mp7、mp8、mp9、mp10、mp11、mp12、mp13、mp14、mp15、mp16、mp22的襯底都和各自的源相接,消除了襯偏效應(yīng)。

      工作在亞閾值區(qū)的mos管的電流表示為:

      其中,k表示晶體管的寬長(zhǎng)比,k=w/l,w、l分別表示晶體管的寬和長(zhǎng),i0表示特征電流,μ表示載流子的遷移率,cox表示單位面積的柵氧化層電容,vt表示熱電壓,kb表示boltzmann常數(shù),t表示絕對(duì)溫度,q表示單位電荷的電荷量,η表示亞閾值斜率因子,vgs表示晶體管的柵源電壓,vth表示晶體管的閾值電壓,vds表示晶體管的漏源電壓,exp表示以自然數(shù)e為底的指數(shù)函數(shù)。對(duì)于vds>4vt,電流id近似與vds無(wú)關(guān),可得到:

      本發(fā)明中的自偏置及分壓電路中的關(guān)系表達(dá)式表示為:

      vbe=vgs1+vgs2+vgs3+vgs4(7)

      其中,vbe表示雙極晶體管q1的基極-發(fā)射極電壓,vgs1、vgs2、vgs3、vgs4分別表示mn1、mn2、mn3、mn4的柵源電壓。

      流過(guò)雙極晶體管的電流表示為:

      其中ise表示特征電流,vbe表示雙極晶體管q1的基極-發(fā)射極電壓,vt表示熱電壓,exp表示以自然數(shù)e為底數(shù)的指數(shù)函數(shù)。

      又因?yàn)閙p1、mp2、mp3、mp4構(gòu)成共源共柵電流鏡,保證流過(guò)q1的電流ie和流過(guò)mn1、mn2、mn3、mn4的電流相等,可得:

      進(jìn)而得到自偏置電路產(chǎn)生的偏置電流為:

      其中,w/l表示mn1、mn2、mn3、mn4的寬長(zhǎng)比,通過(guò)調(diào)節(jié)w/l的值可以得到所需要的偏置電流。

      分壓電路中的雙極晶體管的基極-發(fā)射極電壓表示為:

      vbe=vbgr-γt(11)

      其中vbgr表示硅的帶隙電壓,典型值為1.2v,γ表示雙極晶體管的基極-發(fā)射極電壓vbe的溫度系數(shù)。

      為了得到較低的輸出電壓,加入了分壓電路,如圖1所示,由mn1、mn2、mn3和mn4構(gòu)成,mn1、mn2、mn3和mn4的襯底與各自的源相接,從而消除襯底偏置效應(yīng),可得輸出電壓v'be為vbe的四分之一,即:

      按照上述ptat電壓產(chǎn)生電路,可得:

      vgg,1=vgs5-vgs6(13)

      由于所有mos管都工作在亞閾區(qū),由公式(3)可得:

      vgg,1=vgs5-vgs6=ηvtln(2k6/k5)(14)

      其中,vgg,1表示mp5、mp6的柵源電壓差,vgs5、vgs6分別表示mp5、mp6的柵源電壓,k5、k6分別表示mp5、mp6的寬長(zhǎng)比。

      同理可得:

      vgg,2=vgs9-vgs10=ηvtln(2k10/k9)(15)

      vgg,3=vgs13-vgs14=ηvtln(2k14/k13)(16)

      其中vgg,2、vgg,3分別表示mp9和mp10、mp13和mp14的柵源電壓差,k9、k10、k13、k14分別表示mp9、mp10、mp13、mp14的寬長(zhǎng)比。

      由上述級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)可得最后的輸出電壓為:

      從上式可知,通過(guò)調(diào)節(jié)mp5、mp6、mp9、mp10、mp13和mp14的寬長(zhǎng)比,以使等式的最后一項(xiàng)等于零,從而得出具有零溫度系數(shù)的輸出電壓。

      為了提高本發(fā)明的psrr和線性調(diào)整率,本發(fā)明包含了一個(gè)由mp19、mp20、mp21構(gòu)成的負(fù)反饋環(huán)路,以及由mp22構(gòu)成的mos電容。當(dāng)vdd變化導(dǎo)致mp21漏電壓上升時(shí),通過(guò)mp20、mp21的環(huán)路導(dǎo)致mp21的柵電壓也上升,從而mp21的漏電壓下降,反之亦然,mos電容mp22與基準(zhǔn)電路的輸出相接,可以在高頻處濾除輸出電壓的波動(dòng),從而進(jìn)一步提高了基準(zhǔn)電路在高頻處的psrr性能。

      由圖3、圖4、圖5可以看出,psrr增強(qiáng)電路以及mos電容mp22對(duì)基準(zhǔn)電路的線性調(diào)整率以及psrr性能改善明顯,高階溫度補(bǔ)償電路對(duì)基準(zhǔn)電路的溫度系數(shù)特性改善明顯,并且整體電路實(shí)現(xiàn)了低功耗。

      綜上所見(jiàn),本發(fā)明相比現(xiàn)有基準(zhǔn)電壓源,實(shí)現(xiàn)了低功耗、小面積和高溫度系數(shù),并且psrr性能高。

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